嵌入式閃存的測(cè)試方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種嵌入式閃存的測(cè)試方法。
【背景技術(shù)】
[0002]嵌入式閃存，用于存儲(chǔ)電子數(shù)據(jù)信息，由于閃存是一種非易失性存儲(chǔ)器，即斷電數(shù)據(jù)也不會(huì)丟失，具有反復(fù)擦除、讀、寫(xiě)等優(yōu)點(diǎn)，因此廣泛應(yīng)用于手機(jī)、數(shù)碼照相機(jī)、平板電腦等電子設(shè)備中。但是在制造閃存出廠前，需要對(duì)閃存的電氣連接性能、功耗、讀、寫(xiě)、擦除、串?dāng)_等參數(shù)進(jìn)行測(cè)試，目前，上述參數(shù)的測(cè)試廣泛采用閃存測(cè)試機(jī)進(jìn)行測(cè)試。現(xiàn)有技術(shù)中的嵌入式閃存的測(cè)試方法中，在進(jìn)行寫(xiě)入與讀取參數(shù)測(cè)試時(shí)，需預(yù)先設(shè)置閃存芯片的寫(xiě)入與讀取的期望值，然后將閃存芯片實(shí)際測(cè)得的寫(xiě)入與讀取的數(shù)據(jù)值與預(yù)先設(shè)置的寫(xiě)入與讀取的期望值進(jìn)行比較，當(dāng)實(shí)際測(cè)得的數(shù)據(jù)值等于期望期時(shí)，判斷該閃存所測(cè)試的參數(shù)合格，否則不合格；當(dāng)進(jìn)行擦除與讀取參數(shù)時(shí)；需預(yù)先設(shè)置閃存芯片的擦除與讀取的期望值，然后將閃存芯片實(shí)際測(cè)得的擦除與讀取的數(shù)據(jù)值與預(yù)先設(shè)置的擦除與讀取的期望值進(jìn)行比較，當(dāng)實(shí)際測(cè)得的數(shù)據(jù)值等于期望期時(shí)，判斷該閃存所測(cè)試的參數(shù)合格，否則不合格；當(dāng)進(jìn)行串?dāng)_與讀取參數(shù)時(shí)，需預(yù)先設(shè)置閃存芯片的串?dāng)_與讀取的期望值，然后將閃存芯片實(shí)際測(cè)得的串?dāng)_與讀取的數(shù)據(jù)值與預(yù)先設(shè)置的串?dāng)_與讀取的期望值進(jìn)行比較，當(dāng)實(shí)際測(cè)得的數(shù)據(jù)值等于期望期時(shí)，判斷該閃存所測(cè)試的參數(shù)合格，否則不合格。
[0003]上述測(cè)試方法的缺點(diǎn)是:在寫(xiě)入與讀取、擦除與讀取、串?dāng)_與讀取等每一項(xiàng)參數(shù)進(jìn)行測(cè)試時(shí)，每次實(shí)際測(cè)得的數(shù)據(jù)值均需與預(yù)先設(shè)置參數(shù)值進(jìn)行比較判斷是否合格，從而使嵌入式閃存的整體參數(shù)測(cè)試時(shí)間較長(zhǎng)、耗時(shí)時(shí)間長(zhǎng)、測(cè)試周期長(zhǎng)等缺陷。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是，提供一種嵌入式閃存的測(cè)試方法，以使嵌入式閃存的測(cè)試周期短、耗時(shí)時(shí)間短、測(cè)試時(shí)間短。
[0005]為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的技術(shù)方案是:一種嵌入式閃存的測(cè)試方法，包括以下步驟，分別預(yù)先設(shè)置待測(cè)閃存的測(cè)試項(xiàng)目的期望值；所述期望值為數(shù)字信號(hào)；同時(shí)或分時(shí)進(jìn)行閃存的所述測(cè)試項(xiàng)目的實(shí)際測(cè)試，得到實(shí)際測(cè)得數(shù)據(jù)值；所述實(shí)際測(cè)得數(shù)據(jù)值為數(shù)字信號(hào)；將所述實(shí)際測(cè)得數(shù)據(jù)值以扇區(qū)或者塊區(qū)壓縮記錄數(shù)據(jù)信息的方式存入到錯(cuò)誤捕獲內(nèi)存中；將存入到所述錯(cuò)誤捕獲內(nèi)存中的所有測(cè)試項(xiàng)目的實(shí)際測(cè)得數(shù)據(jù)值與所述閃存中預(yù)先設(shè)置的測(cè)試項(xiàng)目的期望值一一進(jìn)行并行比較，判斷每一個(gè)測(cè)試項(xiàng)目是否合格；當(dāng)所測(cè)的測(cè)試項(xiàng)目的實(shí)際測(cè)得數(shù)據(jù)值與所述閃存中預(yù)先設(shè)置的測(cè)試項(xiàng)目的期望值相同時(shí)，則判斷所述閃存中所測(cè)的測(cè)試項(xiàng)目為合格，否則為不合格；判斷閃存是否為合格品，當(dāng)所有測(cè)試項(xiàng)目為合格時(shí)，則測(cè)試的閃存為合格品，否則為不合格品。
[0006]進(jìn)一步的，上述嵌入式閃存的測(cè)試方法中，所述測(cè)試項(xiàng)目為寫(xiě)入與讀取功能、擦除與讀取功能或串?dāng)_與功能時(shí)，寫(xiě)入或擦除或串?dāng)_的實(shí)際測(cè)試次數(shù)為N次，每次寫(xiě)入或擦除或串?dāng)_的數(shù)據(jù)量不相同，其中N為大于0的自然數(shù)。
[0007]進(jìn)一步的，上述嵌入式閃存的測(cè)試方法中，分別定義每個(gè)所述測(cè)試項(xiàng)目的錯(cuò)誤代碼，當(dāng)實(shí)際測(cè)試的測(cè)試項(xiàng)目為不合格時(shí)，輸出對(duì)應(yīng)所述測(cè)試項(xiàng)目的錯(cuò)誤代碼。
[0008]進(jìn)一步的，當(dāng)所述測(cè)試項(xiàng)目的實(shí)際測(cè)得數(shù)據(jù)值與所述閃存中預(yù)先設(shè)置的測(cè)試項(xiàng)目的期望值相同，是指實(shí)際測(cè)得數(shù)據(jù)值的數(shù)字信號(hào)與所述閃存的期望值的數(shù)字信號(hào)都為高電平或低電平。
[0009]進(jìn)一步的，當(dāng)所述測(cè)試項(xiàng)目為寫(xiě)入與讀取功能時(shí)，其實(shí)際測(cè)得數(shù)據(jù)值與所述閃存中預(yù)先設(shè)置的寫(xiě)入與讀取功能的期望值相同時(shí)，則判斷寫(xiě)入與讀取功能為合格，否則為不合格。
[0010]進(jìn)一步的，當(dāng)所述測(cè)試項(xiàng)目為擦除與讀取功能時(shí)，其實(shí)際測(cè)得數(shù)據(jù)值與所述閃存中預(yù)先設(shè)置的擦除與讀取功能的期望值相同時(shí)，則判斷擦除與讀取功能為合格，否則為不合格。
[0011]進(jìn)一步的，當(dāng)所述測(cè)試項(xiàng)目為串?dāng)_與讀取功能時(shí)，其實(shí)際測(cè)得數(shù)據(jù)值的數(shù)字信號(hào)與所述閃存中預(yù)先設(shè)置的串?dāng)_與讀取的期望值相同時(shí)，則判斷串?dāng)_與讀取功能為合格，否則為不合格。
[0012]進(jìn)一步的，當(dāng)所述測(cè)試項(xiàng)目為電氣連接性能時(shí)，將實(shí)際測(cè)得數(shù)據(jù)值的數(shù)字信號(hào)與所述閃存中預(yù)先設(shè)置的期望值的數(shù)字信號(hào)相同時(shí)，則判斷電氣連接性能為合格，否則為不合格。
[0013]進(jìn)一步的，當(dāng)所述測(cè)試項(xiàng)目為功耗時(shí)，將實(shí)際測(cè)得數(shù)據(jù)值的數(shù)字信號(hào)與所述閃存中預(yù)先設(shè)置的期望值的數(shù)字信號(hào)相同時(shí)，則判斷功耗為合格，否則為不合格。
[0014]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明是將閃存的所有測(cè)試項(xiàng)目實(shí)際測(cè)試得到實(shí)際測(cè)得數(shù)據(jù)值后存儲(chǔ)到錯(cuò)誤捕獲內(nèi)存中，然后將錯(cuò)誤捕獲內(nèi)存中的實(shí)際所有測(cè)試項(xiàng)目的實(shí)際測(cè)得數(shù)據(jù)值與閃存預(yù)先設(shè)置的期望值進(jìn)行一一對(duì)比，即將錯(cuò)誤捕獲內(nèi)存中的實(shí)際測(cè)得數(shù)據(jù)值與閃存中預(yù)先設(shè)置的期望值進(jìn)行并行對(duì)比，而不是采用現(xiàn)有技術(shù)中的一個(gè)測(cè)試項(xiàng)目測(cè)試完成得到的實(shí)際測(cè)得的數(shù)據(jù)值與預(yù)先設(shè)置的期望值對(duì)比后，再進(jìn)行下一個(gè)測(cè)試項(xiàng)目測(cè)試和對(duì)比。本發(fā)明將所有測(cè)試項(xiàng)目同時(shí)進(jìn)行并列的測(cè)試后，再將所有測(cè)試項(xiàng)目的實(shí)際測(cè)得的數(shù)據(jù)值與預(yù)先設(shè)置的期望值進(jìn)行并列對(duì)比，從而節(jié)省了二次測(cè)試及二次對(duì)比的步驟，從而使所測(cè)閃存的測(cè)試項(xiàng)目的耗時(shí)時(shí)間短、測(cè)試時(shí)間短，進(jìn)而提高了所測(cè)閃存的測(cè)試周期。
【附圖說(shuō)明】
[0015]圖1是本發(fā)明一實(shí)施例的流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0016]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作詳細(xì)描述:
[0017]圖1是本發(fā)明一實(shí)施例的流程示意圖。請(qǐng)參考圖1，本發(fā)明提供的嵌入式閃存的測(cè)試方法，包括以下步驟，
[0018]步驟S1，分別預(yù)先設(shè)置待測(cè)閃存的測(cè)試項(xiàng)目的期望值；所述期望值為數(shù)字信號(hào)；其中，測(cè)試項(xiàng)目可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行增減，例如:可以是寫(xiě)入、讀取、擦除、串?dāng)_，寫(xiě)入與讀取、擦除與讀取、串?dāng)_與讀取，電氣連接性能、功耗等等；
[0019]步驟S2，同時(shí)或分時(shí)進(jìn)行閃存的所述測(cè)試項(xiàng)目的實(shí)際測(cè)試，得到實(shí)際測(cè)得數(shù)據(jù)值；所述實(shí)際測(cè)得數(shù)據(jù)值為數(shù)字信號(hào)；其中，同時(shí)進(jìn)行所有測(cè)試項(xiàng)目的實(shí)際測(cè)試能夠節(jié)省大量的測(cè)試周期；其中，分時(shí)進(jìn)行所有測(cè)試項(xiàng)目的實(shí)際測(cè)試，具有可以對(duì)所測(cè)測(cè)試項(xiàng)目進(jìn)行多次測(cè)量，以多次確認(rèn)測(cè)試項(xiàng)目的結(jié)果的正確性。
[0020]步驟S3，將所述實(shí)際測(cè)得數(shù)據(jù)值以扇區(qū)或者塊區(qū)壓縮記錄數(shù)據(jù)信息的方式存入到錯(cuò)誤捕獲內(nèi)存中；其中，記錄數(shù)據(jù)信息，是指記錄測(cè)試項(xiàng)目的實(shí)際測(cè)得的的數(shù)據(jù)值；其中，將實(shí)際測(cè)得的數(shù)據(jù)值以扇區(qū)或塊區(qū)壓縮，作用是充分利用捕獲內(nèi)存的存儲(chǔ)空間，比較以字節(jié)或比特存儲(chǔ)數(shù)據(jù)信息而言，能夠存儲(chǔ)更多的實(shí)際測(cè)得的數(shù)據(jù)值；
[0021]步驟S4，將存入到所述錯(cuò)誤捕獲內(nèi)存中的所有測(cè)試項(xiàng)目的實(shí)際測(cè)得數(shù)據(jù)值與所述閃存中預(yù)先設(shè)置的所有測(cè)試項(xiàng)目的期望值一一進(jìn)行并行比較，判斷每一個(gè)測(cè)試項(xiàng)目是否合格；當(dāng)所測(cè)的測(cè)試項(xiàng)目的實(shí)際測(cè)得數(shù)據(jù)值與所述閃存中預(yù)先設(shè)置的測(cè)試項(xiàng)目的期望值相同時(shí)，則判斷所述閃存中所測(cè)的測(cè)試項(xiàng)目為合格，否則為不合格；其中，所述測(cè)試項(xiàng)目的實(shí)際測(cè)得數(shù)據(jù)值與所述閃存中預(yù)先設(shè)置的測(cè)試項(xiàng)目的期望值相同，是指實(shí)際測(cè)得數(shù)據(jù)值的數(shù)字信號(hào)與所述閃存的期望值的數(shù)字信號(hào)都為高電平或低電平；
[0022]步驟S5，判斷閃存是否為合格品，當(dāng)所有測(cè)試項(xiàng)目為合格時(shí)，則測(cè)試的閃存為合格品，否則為不合格品。
[0023]例如，當(dāng)所述測(cè)試項(xiàng)目為寫(xiě)入與讀取功能時(shí)，其實(shí)際測(cè)得數(shù)據(jù)值與所述閃存中預(yù)先設(shè)置的寫(xiě)入與讀取功能的期望值相同時(shí)，則判斷寫(xiě)入與讀取功能為合格，否則為不合格。
[0024]例如，當(dāng)所述測(cè)試項(xiàng)目為擦