具有凹進區(qū)的近場換能器的制造方法
【專利說明】具有凹進區(qū)的近場換能器
[0001]相關(guān)專利文獻
[0002]本申請要求在2014年11月11日提交的臨時專利申請?zhí)柕?2/078，064的權(quán)益，依據(jù)35 U.S.C§119(e)要求對其的優(yōu)先權(quán)，并且其通過引用整體結(jié)合在此。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]實施例涉及一種裝置，其包括位于或接近該裝置的空氣軸承表面且配置為便于在介質(zhì)上進行熱輔助磁記錄的近場換能器。該近場換能器包括含有等離子體(plasmonic)材料且具有接近該空氣軸承表面的第一端的放大區(qū)。該近場換能器還包括鄰近該放大區(qū)且具有鄰近該空氣軸承表面的第一端的磁盤區(qū)。該磁盤區(qū)包括等離子體材料。栓柱(peg)區(qū)從該磁盤區(qū)的第一端延伸且終止于該空氣軸承表面處或附近。該近場換能器還包括相對于該栓柱區(qū)而凹進的區(qū)域。該凹進區(qū)位于該栓柱區(qū)和該放大區(qū)的第一端之間。
[0004]各種實施例涉及一種裝置，其包括位于或接近該裝置的空氣軸承表面且配置為便于在所包括的介質(zhì)上進行熱輔助磁記錄的近場換能器。該近場換能器包括含有等離子體(plasmonic)材料且具有接近該空氣軸承表面的第一端以及與第一端相反的第二端的放大區(qū)。磁盤區(qū)，包括等離子體材料，位于鄰近該放大區(qū)處且具有接近該空氣軸承表面的第一端和與第一端相反的第二端。該磁盤區(qū)的第一端包括在該空氣軸承表面處或附近的突出部。栓柱區(qū)從該磁盤區(qū)的第一端的突出部延伸且終止于該空氣軸承表面處或附近。該近場換能器還包括相對于該栓柱區(qū)凹進的區(qū)域。該凹進區(qū)位于該栓柱區(qū)和該放大區(qū)的第一端之間。
[0005]其他實施例涉及一種裝置，其包括配置為便于在介質(zhì)上進行熱輔助磁記錄的滑塊。該滑塊包括寫入器、讀出器、光波導(dǎo)和接近該波導(dǎo)和寫入器的近場換能器。該近場換能器包括具有朝向介質(zhì)面對方向的第一端和相反的第二端的放大區(qū)。該放大區(qū)包括等離子體材料。該近場換能器還包括磁盤區(qū)，其包括等離子體材料，鄰近該放大區(qū)，且具有朝向該介質(zhì)面對方向的第一端和相反的第二端。該磁盤區(qū)的第一端包括突出部。栓柱區(qū)從該磁盤區(qū)的第一端的突出部延伸且朝向該介質(zhì)面對方向。該近場換能器還包括相對于該栓柱區(qū)凹進的區(qū)域。該凹進區(qū)位于該栓柱區(qū)和該放大區(qū)的第一端之間。
[0006]以上
【發(fā)明內(nèi)容】
并不是旨在描述本公開的每個所揭示的實施例或每個實施方式。下面的附圖和具體描述更具體地說明示例性實施例。
【附圖說明】
[0007]在下面的圖表中，相同的附圖標(biāo)記可用于標(biāo)識多個圖中相似/相同/類以的組件。
[0008]圖1是根據(jù)代表性實施例的滑塊組件的透視圖；
[0009]圖2是根據(jù)代表性實施例的滑塊組件的橫截面圖；
[0010]圖3描述了具有傳統(tǒng)NTS(近場換能器球場(stadium)風(fēng)格)設(shè)計的近場換能器(NFT)；
[0011]圖4根據(jù)各種實施例描述了具有NTS設(shè)計的NFT;
[0012]圖5根據(jù)各種實施例描述了具有NTS設(shè)計的NFT;
[0013]圖6根據(jù)各種實施例描述了具有NTS設(shè)計的NFT;
[0014]圖7是根據(jù)各種實施例示出在由具有NTS設(shè)計的NFT生成的磁記錄介質(zhì)上的熱點的介質(zhì)熱分布；
[0015]圖8是根據(jù)各種實施例將熱梯度示出為栓柱厚度的函數(shù)的圖表；
[0016]圖9是根據(jù)各種實施例將栓柱溫度示出為栓柱厚度的函數(shù)的圖表；
[0017]圖10是根據(jù)各種實施例將效率示出為栓柱厚度的函數(shù)的圖表；
[0018]圖11是根據(jù)各種實施例將鄰近軌跡擦除示出為栓柱厚度的函數(shù)的圖表；
[0019]圖12是根據(jù)各種實施例將熱梯度示出為栓柱長度的函數(shù)的圖表；
[0020]圖13是根據(jù)各種實施例將栓柱溫度示出為栓柱長度的函數(shù)的圖表；
[0021]圖14是根據(jù)各種實施例將效率示出為栓柱長度的函數(shù)的圖表；
[0022]圖15是根據(jù)各種實施例將交叉軌跡擦除示出為栓柱長度的函數(shù)的圖表；
[0023]圖16是根據(jù)各種實施例將下行軌跡擦除示出為栓柱長度的函數(shù)的圖表;以及
[0024]圖17是根據(jù)各種實施例將鄰近軌跡擦除示出為栓柱長度的函數(shù)的圖表。
[0025]上述附圖不必成比例。盡管圖中所用的類似標(biāo)號涉及類似的組件，要明白使用標(biāo)號涉及給定附圖中的組件不是旨在限制在另一個圖中由相同標(biāo)號標(biāo)記的組件。
【具體實施方式】
[0026]在下面的說明書中，參考組成說明書一部分的所附圖集并且在其中通過描述若干具體實施例來示出。要明白的是其他實施例是預(yù)期的并且可被實施而不背離本公開的范圍。因此下面的詳細描述不能被當(dāng)作限制的意思。
[0027]除非另有說明，在說明書和權(quán)利要求中使用的表示特征尺寸、數(shù)量和物理屬性的所有數(shù)字被理解為能在所有的示例中由術(shù)語“大約”修改。因此，除非有相反的表示，在之前說明書和附屬權(quán)利要求中闡述的數(shù)字參數(shù)是近以值，其可依賴于由本領(lǐng)域技術(shù)人員利用在此公開的教導(dǎo)所尋求以獲取的預(yù)期屬性而改變。端點所使用的數(shù)值范圍包括在那個范圍內(nèi)(例如，I至5包括1、1.5、2、2.75、3、3.80、4和5)的所有數(shù)字以及在那個范圍內(nèi)的任何范圍。如在此使用的，術(shù)語“大體上”意味著在其中少數(shù)百分比以內(nèi)。因此，術(shù)語“大體上橫向”意味著在垂直方向的幾度內(nèi)。
[0028]本公開一般地涉及關(guān)于熱輔助磁記錄(HAMR)、有時被稱作為熱輔助磁記錄(TAMR)的裝置、系統(tǒng)、方法和技術(shù)。HAMR數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)使用高磁矯頑力，其能克服當(dāng)前限制傳統(tǒng)硬盤驅(qū)動介質(zhì)的面數(shù)據(jù)密度的超順磁效應(yīng)(例如，熱感應(yīng)、隨機、磁導(dǎo)向上的改變)。
[0029]這里描述的實施例涉及一種裝置，其包括位于或接近該裝置的空氣軸承表面且配置為便于在介質(zhì)上進行熱輔助磁記錄的近場換能器。該NFT包括具有接近該空氣軸承表面的第一端的放大區(qū)，該放大區(qū)包括或由等離子體材料形成。該NFT還包括鄰近該放大區(qū)具有鄰近該空氣軸承表面的第一端的磁盤區(qū)，該磁盤區(qū)包括或由等離子體材料形成。栓柱區(qū)從該磁盤區(qū)的第一端延伸且終止在或接近于該空氣軸承表面。該NFT包括接近該栓柱區(qū)域且位于該栓柱區(qū)和放大區(qū)之間的凹進區(qū)。
[0030]本公開的實施例涉及定義在栓柱區(qū)和寫入極點之間的NPS區(qū)(NFT至磁極的間距)中具有減少的等離子體材料的NFT(相對于傳統(tǒng)NFT) JPS區(qū)中等離子體材料的減少提供了在寫磁極和栓柱區(qū)之間的生成了介質(zhì)的背景加熱的光磁場的伴隨減少，其未預(yù)期地減少栓柱區(qū)域的熱梯度。根據(jù)各種公開的實施例，NPS區(qū)中光磁場的預(yù)期減少(并且因此栓柱區(qū)中的熱梯度增加)可由栓柱區(qū)和NFT的放大散熱片區(qū)之間提供的凹進(例如，空間、凹口、腔或空缺，這里被一般性地稱作為凹進區(qū))而獲得。
[0031]根據(jù)各種實施例，調(diào)整NFT的凹進區(qū)的大小以便于增加相對于缺少凹進區(qū)的相同的NFT的熱梯度(例如，wTG或下行軌跡熱梯度)。在其他實施例中，調(diào)整NFT的該凹進區(qū)和該栓柱區(qū)的尺寸以便于熱梯度的增長，而相對于缺少凹進區(qū)的相同的NFT沒有任何或可感知(例如，不超過約3、4或5°K)的栓柱溫度的增長。在其他實施例中，調(diào)整NFT的凹進區(qū)和栓柱區(qū)的尺寸以便于增加熱梯度而相對于缺少凹進區(qū)的相同的NFT不可感知的增加栓柱溫度或減少效率。在某些實施例中，調(diào)整NFT的凹進區(qū)便于增加熱梯度而相對于缺少凹進區(qū)的相同的NFT不可感知的增加臨近軌跡擦除(Adjacent-Track Erasure ,ATE)、交叉軌跡擦除(Cross-Track Erasure，CTE)以及下行軌跡擦除(Down-Track Erasure ,DTE) ο
[0032]正如這里描述的具有接近栓柱區(qū)域的凹進區(qū)的NFT的實施例在保持好的可靠性(例如，在栓柱溫度、效率、ATE、CTE或DTE方面沒有可感知的困難)的同時提供了增長的性能(例如，在介質(zhì)上更多限制的熱梯度)AAMR讀/寫元件，有時被稱作為滑塊或讀/寫磁頭，可包括類似于在當(dāng)前硬盤驅(qū)動上的那些磁性讀和寫換能器。例如，數(shù)據(jù)可由磁阻換能器讀取，磁阻換能器在其移動到換能器下面的時候檢測磁介質(zhì)的磁波動。數(shù)據(jù)可由磁性地耦合至寫線圈的寫磁極寫至磁介質(zhì)。當(dāng)介質(zhì)移動至該寫磁極下面時，該寫磁極在介質(zhì)區(qū)域中改變磁導(dǎo)向。HAMR滑塊還包括或耦合至能量源，例