嵌入式存儲(chǔ)芯片、嵌入式電子設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及存儲(chǔ)設(shè)備，特別是涉及一種嵌入式存儲(chǔ)芯片和嵌入式電子設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的電子產(chǎn)品如智能手表、智能手環(huán)等設(shè)備，功能越來(lái)越多，但容納內(nèi)部電路的空間確有限，且產(chǎn)品越來(lái)越朝著輕薄化，小型化的方向發(fā)展，因此對(duì)嵌入式芯片的集成度要求越來(lái)越高，而現(xiàn)有的嵌入式存儲(chǔ)芯片在使用時(shí)，都需要再另外配置一個(gè)內(nèi)存芯片以存儲(chǔ)一些啟動(dòng)代碼等程序，這樣，由于嵌入式存儲(chǔ)芯片以及內(nèi)存芯片都需要在印刷電路板上占據(jù)一定的面積，因此對(duì)電子產(chǎn)品的進(jìn)一步小型化造成了限制。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]基于此，有必要針對(duì)現(xiàn)有的嵌入式存儲(chǔ)芯片結(jié)構(gòu)給嵌入式電子設(shè)備進(jìn)一步小型化造成限制的問(wèn)題，提供一種高度集成的嵌入式存儲(chǔ)芯片。
[0004]此外，還有必要提供一種集成度高的嵌入式電子設(shè)備。
[0005]一種嵌入式存儲(chǔ)芯片，包括本體，封裝在本體內(nèi)的控制集成電路晶粒和NandFlash存儲(chǔ)集成電路晶粒，以及設(shè)置在本體上的第一接口接點(diǎn)，所述控制集成電路晶粒設(shè)置有第一接口，所述Nand Flash存儲(chǔ)集成電路晶粒與所述控制集成電路晶粒電連接，所述第一接口接點(diǎn)與所述第一接口電連接，所述嵌入式存儲(chǔ)芯片還包括封裝在所述本體內(nèi)的SPINor Flash存儲(chǔ)集成電路晶粒，以及與所述SPINor Flash存儲(chǔ)集成電路晶粒電連接的第二接口接點(diǎn)，所述第二接口接點(diǎn)設(shè)置在所述本體上，所述第二接口接點(diǎn)為SPI接口接點(diǎn)，所述第二接□接點(diǎn)至少包括電源線、地線、數(shù)據(jù)輸出線、數(shù)據(jù)輸入線、片選線、時(shí)鐘線6個(gè)接點(diǎn)。
[0006]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第二接口接點(diǎn)還包括狀態(tài)保持線接點(diǎn)和寫(xiě)保護(hù)線接點(diǎn)。
[0007]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一接口為SD接口，所述第一接口接點(diǎn)為SD接口接點(diǎn)，所述第一接口接點(diǎn)至少包括電源線、地線、數(shù)據(jù)線0、數(shù)據(jù)線1、數(shù)據(jù)線2、數(shù)據(jù)線3、時(shí)鐘線、命令線八個(gè)接點(diǎn)。
[0008]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一接口為USB接口，所述第一接口接點(diǎn)為USB接口接點(diǎn)，所述第一接口接點(diǎn)至少包括電源線、地線、正數(shù)據(jù)線、負(fù)數(shù)據(jù)線四個(gè)接點(diǎn)。
[0009]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一接口為eMMC接口，所述第一接口接點(diǎn)為eMMC接口接點(diǎn)，所述第一接口接點(diǎn)至少包括電源線1、電源線2、地線、時(shí)鐘線、命令線、復(fù)位線、8個(gè)數(shù)據(jù)線14個(gè)接點(diǎn)。
[0010]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述嵌入式存儲(chǔ)芯片的本體上設(shè)置有30個(gè)接點(diǎn)，除第一接口接點(diǎn)和第二接口接點(diǎn)外，還包括內(nèi)核電源線接點(diǎn)以及保留的電源線接點(diǎn)，其余接點(diǎn)為暫時(shí)不使用的保留接點(diǎn)。
[0011]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述嵌入式存儲(chǔ)芯片長(zhǎng)、寬、高的尺寸為8mm*8mm*0.8mm，其中長(zhǎng)、寬的公差尺寸為正負(fù)0.1mm，高的公差尺寸為正負(fù)0.01mm。
[0012]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述30個(gè)接點(diǎn)按5行6列的方式在所述本體表面居中均勻分布，所述接點(diǎn)為圓形焊盤(pán)接點(diǎn)，半徑為0.6_，其中第I列接點(diǎn)到第6列接點(diǎn)的距離為6mm，第I行接點(diǎn)到第5行接點(diǎn)的距離為4.8mm，相鄰兩個(gè)接點(diǎn)的距離為1.2mm。
[0013]一種嵌入式電子設(shè)備，包括如上述的嵌入式存儲(chǔ)芯片。
[0014]上述嵌入式存儲(chǔ)芯片和嵌入式電子設(shè)備，將Nand Flash存儲(chǔ)集成電路晶粒和SPINor Flash存儲(chǔ)集成電路晶粒封裝在一個(gè)芯片內(nèi)，并在芯片本體上設(shè)置SPINor Flash存儲(chǔ)集成電路晶粒的接口接點(diǎn)，使一個(gè)芯片具備多種存儲(chǔ)功能，便于嵌入式電子設(shè)備印刷電路板的設(shè)計(jì)，且能夠有效減少芯片占用印刷電路板的面積，從而節(jié)約印刷電路板的空間，便于產(chǎn)品的小型化設(shè)計(jì)。
【附圖說(shuō)明】
[0015]圖1為一個(gè)實(shí)施例中嵌入式存儲(chǔ)芯片的電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖2為一個(gè)實(shí)施例中嵌入式存儲(chǔ)芯片的焊盤(pán)分布示意圖；
[0017]圖3為一個(gè)實(shí)施例中嵌入式存儲(chǔ)芯片的結(jié)構(gòu)尺寸示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
[0019]圖1為一個(gè)實(shí)施例中嵌入式存儲(chǔ)芯片的電路結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為一個(gè)實(shí)施例中的焊盤(pán)分布示意圖。如圖1和圖2所示，該嵌入式存儲(chǔ)芯片10，包括本體106，封裝在本體106內(nèi)的控制集成電路晶粒101和Nand Flash存儲(chǔ)集成電路晶粒102，以及設(shè)置在本體上的第一接口接點(diǎn)103，所述控制集成電路晶粒101設(shè)置有第一接口，所述Nand Flash存儲(chǔ)集成電路晶粒102與所述控制集成電路晶粒101電連接，所述第一接口接點(diǎn)103與所述第一接口電連接，所述嵌入式存儲(chǔ)芯片10還包括封裝在所述本體106內(nèi)的SPI Nor Flash存儲(chǔ)集成電路晶粒104，以及與所述SPI Nor Flash存儲(chǔ)集成電路晶粒104電連接的第二接口接點(diǎn)105，所述第二接口接點(diǎn)105設(shè)置在所述本體106上，所述第二接口接點(diǎn)105為SPI接口接點(diǎn)，所述第二接口接點(diǎn)105至少包括電源線(SP1-VCC)、地線(GND)、數(shù)據(jù)輸出線(SP1-DO)、數(shù)據(jù)輸入線(SP1-DI)、片選線(SP1-CS)、時(shí)鐘線(SP1-CLK) 6個(gè)接點(diǎn)。
[0020]在一個(gè)具體的實(shí)施例中，如圖2所示，所述第二接口接點(diǎn)105還包括狀態(tài)保持線接點(diǎn)(SP1-HOLD)和寫(xiě)保護(hù)線接點(diǎn)(SP1-WP)。
[0021 ] 在一個(gè)具體的實(shí)施例中，如圖2所示，所述第一接口為SD接口，所述第一接口接點(diǎn)103為SD接口接點(diǎn)，所述第一接口接點(diǎn)103至少包括電源線(VCCSD)、地線(GND)、數(shù)據(jù)線O(SDDO)、數(shù)據(jù)線1(3001)、數(shù)據(jù)線2(3002)、數(shù)據(jù)線3(3003)、時(shí)鐘線(SDCLK)、命令線(SDCMD)八個(gè)接點(diǎn)。
[0022]在一個(gè)具體的實(shí)施例中，所述第一接口為USB接口，所述第一接口接點(diǎn)103為USB接口接點(diǎn)，所述第一接口接點(diǎn)103至少包