本發(fā)明涉及天線裝置，更具體地說，涉及一種基于復(fù)合材料介質(zhì)基板內(nèi)置型的天線裝置。

背景技術(shù)：
天線作為最終射頻信號的輻射單元和接收器件，其工作特性將直接影響整個(gè)電子系統(tǒng)的工作性能。然而天線的尺寸、帶寬、增益等重要指標(biāo)卻受到了基本物理原理的限制(固定尺寸下的增益極限、帶寬極限等)。在射頻天線技術(shù)領(lǐng)域，基于覆銅箔層壓板設(shè)計(jì)天線由于呈板狀等優(yōu)點(diǎn)，也使得其大量使用于各種各樣的電子設(shè)備中，經(jīng)研究測試發(fā)現(xiàn)：現(xiàn)有的覆銅箔層壓板相關(guān)參數(shù)如介電常數(shù)值、介電損耗值等相關(guān)參數(shù)，對天線輻射效率乃至整個(gè)天線效率影響很大。同時(shí)，對于天線設(shè)計(jì)業(yè)者來說，天線的尺寸、大小、長短、諧振頻段、諧振頻寬、適用設(shè)備環(huán)境、增益效益、場性等各個(gè)因素制約天線開發(fā)和設(shè)計(jì)。尤天線輻射場型與天線要求高增益性能是一對突出的矛盾。而天線選型對天線的設(shè)計(jì)、開發(fā)有著重要影響。因此在考慮在較小天線在有限尺寸條件下，使得天線的整體性能符合相對應(yīng)電子設(shè)備需求，又可節(jié)省天線開發(fā)、設(shè)計(jì)及制造的成本是天線開發(fā)者面臨綜合性的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于，提供一種成本低、小型化及效率高的內(nèi)置型的天線裝置。因此，本發(fā)明提供一種基于復(fù)合材料介質(zhì)基板內(nèi)置型的天線裝置。一種天線裝置包括：一介質(zhì)基板，包括一第一表面和與所述第一表面相對的一第二表面；一天線導(dǎo)體，設(shè)置于所述介質(zhì)基板表面上，包括一饋電引腳、由所述饋電引腳延伸成一第一導(dǎo)電分支和一第二導(dǎo)電分支、再由所述第二導(dǎo)電分支延伸成一第一諧振臂和一第二諧振臂、在所述第一諧振臂與第一導(dǎo)電分支之間設(shè)置一短接分支及所述第一導(dǎo)電分支的一端形成一接地引腳。進(jìn)一步地，所述天線導(dǎo)體呈平面狀且附著在所述第一表面上。進(jìn)一步地，天線裝置還包括設(shè)置于第二表面上的饋電引腳和接地引腳，所述第一表面的饋電引腳和接地引腳分別與所述第二表面上的饋電引腳和接地引腳相互鏡像設(shè)置于介質(zhì)基板相對的表面上，并且饋電引腳和接地引腳對應(yīng)的介質(zhì)基板上設(shè)置有若干個(gè)金屬化孔。進(jìn)一步地，所述介質(zhì)基板在1GHz頻率下工作，具有≤0.008的電損耗正切量。進(jìn)一步地，所述第一諧振臂主要影響2.4GHz頻段的諧振，第二諧振臂主要影響5.8GH頻段的諧振。進(jìn)一步地，所述短接分支與所述第二導(dǎo)電分支平行設(shè)置，所述第一諧振臂與第一導(dǎo)電分支平行設(shè)置；所述第一諧振臂且靠近短接分支挖設(shè)一缺口。進(jìn)一步地，所述第一諧振臂還設(shè)置若干個(gè)孔。進(jìn)一步地，所述第一諧振臂和第二諧振臂設(shè)置在同一直線上。進(jìn)一步地，所述孔為圓形孔或多邊形孔。進(jìn)一步地，所述天線導(dǎo)體垂直設(shè)置或成一定角度的設(shè)置于所述第一表面或第二表面上。進(jìn)一步地，所述介質(zhì)基板在1GHz頻率下工作，具有≤0.0002的電損耗正切量。相對現(xiàn)有技術(shù)，通過引入極性與非極性高分子共聚物的形式來降低介質(zhì)基基板的介電常數(shù)以及介電損耗，從而使得天線裝置損耗較少，能量轉(zhuǎn)換率提高；同時(shí)通過天線選型、優(yōu)化天線選型設(shè)計(jì)進(jìn)一步提高了天線裝置的增益等綜合性能。附圖說明下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明：圖1為本發(fā)明天線裝置一實(shí)施例平面圖；圖2為圖1所示天線裝置的第一表面示意圖；圖3為圖1所示天線裝置的第二表面示意圖；圖4為圖1所示天線裝置的S11仿真參數(shù)圖；圖5為本發(fā)明天線裝置另一實(shí)施例的第一表面示意圖。具體實(shí)施方式現(xiàn)在詳細(xì)參考附圖中描述的實(shí)施例。為了全面理解本發(fā)明，在以下詳細(xì)描述中提到了眾多具體細(xì)節(jié)。但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，本發(fā)明可以無需這些具體細(xì)節(jié)而實(shí)現(xiàn)。在其他實(shí)施方式中，不詳細(xì)描述公知的方法。過程、組件和電路，以免不必要地使實(shí)施例模糊。請參閱圖1和圖2，為本發(fā)明天線裝置一實(shí)施例雙面示意圖及第一表面示意圖。天線裝置包括一介質(zhì)基板11及一天線導(dǎo)體12，所述介質(zhì)基板11包括一第一表面111和與所述第一表面111相對的一第二表面112(如圖3所示)。在本實(shí)施方式中，所述天線導(dǎo)體12呈平面狀且附著在所述第一表面111上。在其他實(shí)施方式中，所述天線導(dǎo)體12垂直設(shè)置或成一定角度的設(shè)置于所述第一表面111或第二表面112上。天線導(dǎo)體12包括一饋電引腳15、由所述饋電引腳15延伸成一第一導(dǎo)電分支GD和一第二導(dǎo)電分支GE、再由所述第二導(dǎo)電分支GE延伸成一第一諧振臂EA和一第二諧振臂EF、在所述第一諧振臂EA與第一導(dǎo)電分支GD之間設(shè)置一短接分支BC及所述第一導(dǎo)電分支GD端形成一接地引腳16。在本實(shí)施方式中，所述第一諧振臂EA和第二諧振臂EF設(shè)置在同一直線上。所述第一諧振臂EA還設(shè)置若干個(gè)孔13。在其他實(shí)施方式中，所述第一諧振臂EA和第二諧振臂EF相互成一定角度設(shè)置。所述孔13為圓形孔或多邊形孔等各種各樣的孔。在本實(shí)施方式中，請參閱圖3，為圖1所示天線裝置的第二表面示意圖。天線裝置還包括設(shè)置于第二表面112上的饋電引腳15和接地引腳16，所述第一表面111的饋電引腳15和接地引腳16分別與所述第二表面112上的饋電引腳15和接地引腳16相互鏡像設(shè)置于介質(zhì)基板11相對的表面111、112上，并且饋電引腳15和接地引腳16對應(yīng)的介質(zhì)基板上設(shè)置有若干個(gè)金屬化孔14。設(shè)置第一表面111的饋電引腳15與所述第二表面112上的饋電引腳15通過所述金屬化孔14電連接；設(shè)置第一表面111的接地引腳16與所述第二表面112上的接地引腳16通過所述金屬化孔14電連接。在本實(shí)施方式中，第一諧振臂EA的長度決定天線的諧振頻率，BCD長度決定電感量的大小，第二諧振臂EF決定天線裝置的電容量，兩者協(xié)調(diào)調(diào)整天線的端口阻抗。在本實(shí)施方式中，所述第一諧振臂EA主要影響2.4GHz頻段的諧振，第二諧振臂EF主要影響5.8GH頻段的諧振。請參考圖5，為本發(fā)明天線裝置另一實(shí)施例的第一表面示意圖。上述實(shí)施方式中與本發(fā)明的第一實(shí)施方式中區(qū)別在于，所述第一諧振臂EA未設(shè)置若干個(gè)圓孔。天線裝置的介質(zhì)基板的設(shè)計(jì)：為了降低天線單元的能量損耗，提高整個(gè)天線裝置的性能，采用低介電常數(shù)低損耗介質(zhì)基板作為本發(fā)明的天線裝置的介質(zhì)基板，要求天線介質(zhì)基板在1GHz工作頻率下，具有≤4.0的標(biāo)稱介電常數(shù)和≤0.008的電損耗正切量。在本實(shí)施方式中，所述介質(zhì)基板在1GHz工作頻率下，具有≤0.0002的電損耗正切量。所述介質(zhì)基板包括玻纖布、環(huán)氧樹脂及包含與所述環(huán)氧樹脂發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)的化合物。所述介質(zhì)基板第一類實(shí)施方式如下：所述介質(zhì)基板制作工藝如下：首先，提供一浸潤溶液包括：第一組份，包含有環(huán)氧樹脂；第二組份，包含與所述環(huán)氧樹脂發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)的化合物；及一種或者多種溶劑。其中第一組份和第二組份按照一定比例配置混合。所述浸潤溶液經(jīng)過攪拌后、將所述一玻纖布浸潤所述浸潤溶液中使第一組份與第二組份吸附在玻纖布中或者表面上；然后烘拷所述玻纖布使所述一種或者多種溶劑揮發(fā)，并使第一組份與第二組份相互化合交聯(lián)形成半固化片或者固化片。半固化片是指將吸附第一組份與第二組份的玻纖布在烘拷溫度相對較低環(huán)境中，第一組份包含環(huán)氧樹脂與第二組份包含化合物部分發(fā)生化合交聯(lián)反應(yīng)的軟性混合物。固化物是指將吸附第一組份與第二組份的玻纖布在烘拷溫度相對較高環(huán)境中，第一組份包含環(huán)氧樹脂與第二組份包含化合物部分發(fā)生化合交聯(lián)反應(yīng)的相對較硬的混合物。在本實(shí)施方式中，所述浸潤過的玻纖布通過低溫烘烤形成半固化物(呈片狀)，然后所述半固化物剪裁成剪裁片，根據(jù)厚度需要將所述多片剪裁片疊合并進(jìn)行熱壓成本實(shí)施所述的多層介質(zhì)基板(即多層層壓板或片)。在具體的實(shí)施例中，所述第二組份的化合物可選用包含由極性高分子與非極性高分子化合的共聚物，如苯乙烯馬來酸酐共聚物?？梢岳斫獾氖?，可以與環(huán)氧樹脂發(fā)生化合交聯(lián)反應(yīng)的共聚物均可用于本實(shí)施方式的配方成份。其中本實(shí)施方式的苯乙烯馬來酸酐共聚物，其分子式如下：在上述苯乙烯馬來酸酐共聚物分子式中包含4個(gè)苯乙烯。在其他實(shí)施方式中，可以選擇相應(yīng)分子量，如苯乙烯馬來酸酐共聚物分子式中包含6、8個(gè)苯乙烯或者任意個(gè)數(shù)。環(huán)氧樹脂是泛指分子中含有兩個(gè)或兩個(gè)以上環(huán)氧基團(tuán)的有機(jī)高分子化合物。在其他的實(shí)施例中，所述第二組份的化合物還可以選用氰酸酯預(yù)聚體或者選用苯乙烯馬來酸酐共聚物與氰酸酯預(yù)聚體按照任意比例混合的混合物。在具體的實(shí)施例中，所述環(huán)氧樹脂與苯乙烯馬來酸酐共聚物按照官能值的比例進(jìn)行配制，然后加入一定量的溶劑配成溶液。所述環(huán)氧樹脂與苯乙烯馬來酸酐共聚物混合工藝采用常規(guī)設(shè)備進(jìn)行加工，如普通攪拌桶以及反應(yīng)釜使環(huán)氧樹脂與苯乙烯馬來酸酐共聚物均勻混合，從而使所述溶液中的環(huán)氧樹脂與苯乙烯馬來酸酐共聚物均勻混合。在具體的實(shí)施例中，通過加入一定的促進(jìn)劑促使上述浸潤溶液200-400秒時(shí)間內(nèi)膠化(選用膠化環(huán)境溫度171℃)，其中促進(jìn)上述浸潤溶液膠化時(shí)間260秒左右(如258-260秒、或250-270秒等)效果較好。所述促進(jìn)劑可選用包括但不限于叔胺類，咪唑類以及三氟化硼單乙胺中的任意一類或他們之間混合物。所述一種或者多種溶劑可以選用包括但不限于丙酮、丁酮、N，N-二甲基甲酰胺、乙二醇甲醚、甲苯中任意一種或上述兩種以上溶劑之間混合形成的混合溶劑。在另一實(shí)施例中，所述浸潤溶液包括：第一組份，包含環(huán)氧樹脂；第二組份，包含與所述環(huán)氧樹脂發(fā)生交聯(lián)反應(yīng)的化合物；及一種或者多種溶劑。所述第二組份的化合物選用苯乙烯馬來酸酐共聚物與氰酸酯預(yù)聚體按照任意比例混合的混合物。其中所述氰酸酯預(yù)聚體濃度75％。促進(jìn)劑選用二甲基咪唑；所述溶劑選用丁酮。介質(zhì)基板的第二類實(shí)施方式如下：在本發(fā)明第二類實(shí)施方式中，所述低介電常數(shù)低損耗的介質(zhì)基板制造過程還包括如下工藝：首先，將第二組份包含與所述環(huán)氧樹脂發(fā)生交聯(lián)的反應(yīng)的化合物與所述環(huán)氧樹脂按照官能值的比例進(jìn)行配制，然后加入一定量的溶劑配成溶液。在具體的實(shí)施例中，所述化合物包含極性高分子與非極性高分子化合的共聚物，其中較佳實(shí)施例的共聚物可以選用苯乙烯馬來酸酐共聚物。所述環(huán)氧樹脂與苯乙烯馬來酸酐共聚物混合工藝采用常規(guī)設(shè)備進(jìn)行加工，如普通攪拌桶以及反應(yīng)釜使環(huán)氧樹脂與苯乙烯馬來酸酐共聚物均勻混合。其中本實(shí)施方式的苯乙烯馬來酸酐共聚物，其分子式如下：在上述苯乙烯馬來酸酐共聚物分子式中包含4個(gè)苯乙烯。在其他實(shí)施方式中，可以選擇相應(yīng)分子量，如苯乙烯馬來酸酐共聚物分子式中包含6、或8個(gè)苯乙烯。環(huán)氧樹脂是泛指分子中含有兩個(gè)或兩個(gè)以上環(huán)氧基團(tuán)的有機(jī)高分子化合物。在其他的實(shí)施例中，所述第二組份的化合物還可以選用氰酸酯預(yù)聚體或者選用苯乙烯馬來酸酐共聚物與氰酸酯預(yù)聚體按照任意比例混合的混合物。在具體的實(shí)施例中，使所述溶液中的環(huán)氧樹脂與苯乙烯馬來酸酐共聚物在一定條件下能進(jìn)行化合交聯(lián)反應(yīng)，發(fā)生化合交聯(lián)反應(yīng)后依附于所述玻纖布，從而形成本發(fā)明的介質(zhì)基板。所述一種或者多種溶劑可以選用包括但不限于丙酮、丁酮、N，N-二甲基甲酰胺、乙二醇甲醚、甲苯中任意一種或上述之間混合溶劑。所述溶液一具體實(shí)施例各種成分比例如下表：上述溶液配方包括環(huán)氧樹脂、苯乙烯馬來酸酐共聚物、氰酸酯預(yù)聚體、促進(jìn)劑二甲基咪唑及一種溶劑丁酮。在上述配方中同時(shí)加入了苯乙烯馬來酸酐共聚物和氰酸酯預(yù)聚體，兩者均與環(huán)氧樹脂能化合交聯(lián)。然后，從上述溶液中提取所述少量測試樣本，在某一特定溫度環(huán)境測試所述溶液膠化時(shí)間，通過添加促進(jìn)劑來調(diào)節(jié)所述溶液在該定溫度環(huán)境膠化時(shí)間?？梢酝ㄟ^加入一種或多種促進(jìn)劑促使上述溶液在200-400秒時(shí)間內(nèi)膠化，其中所述某一特定溫度環(huán)境可是單一一溫度值或者一選定的特定溫度范圍，在本實(shí)施方式，通過設(shè)定在171攝氏度環(huán)境進(jìn)行膠化時(shí)間，使得上述溶液在膠化時(shí)間260秒左右(如258-260秒、或250-270秒等)效果較佳。所述促進(jìn)劑可選用包括但不限于選用叔胺類，咪唑類以及三氟化硼單乙胺中的任意一類或他們之間混合物。第三步，當(dāng)上述測試樣本在200-400秒時(shí)間范圍內(nèi)膠化時(shí)，將玻纖布在所述溶液中浸潤后取出烘干，形成組合物。在該具體步驟中，將玻纖布浸入溶液中充分浸潤保證所述環(huán)氧樹脂與苯乙烯馬來酸酐共聚物吸附在玻纖布中或者表面上，然后浸入溶液的玻璃布通過懸掛于鼓風(fēng)干燥箱在180℃烘烤5分鐘左右，目的就是將溶劑丁酮充分揮發(fā)，并且使得所述環(huán)氧樹脂與苯乙烯馬來酸酐共聚物化合交聯(lián)反應(yīng)，玻璃布與所述化合交聯(lián)反應(yīng)的產(chǎn)物制得半固化組合物?？梢岳斫獾氖?，延長烘烤時(shí)間和或提高烘烤溫度，即可形成固化組合物。一般大量工業(yè)生產(chǎn)采用垂直上膠機(jī)中浸膠子系統(tǒng)和烘箱子系統(tǒng)中完成。最后，將烘干的化組合物與導(dǎo)電箔進(jìn)行壓合。在該具體步驟中，將烘干的化組合物(半固化板或半固化片)與導(dǎo)電箔在真空熱壓機(jī)中壓合。所述導(dǎo)電箔選用包含銅、銀、金、鋁或上述材料合金材料等制得的導(dǎo)電材料。由于銅材料的價(jià)格相對較低，因此選用銅制成的導(dǎo)電箔適用產(chǎn)業(yè)化。最后通過蝕刻工藝將上述覆銅介質(zhì)基板蝕刻成本發(fā)明所對應(yīng)的天線導(dǎo)體。請參閱圖4，為本發(fā)明所示天線裝置的S11仿真參數(shù)圖。所述天線裝置在2.4GHz和5.8GHz兩個(gè)頻段分別選擇5個(gè)頻點(diǎn)的駐波比參數(shù)如下表：頻點(diǎn)頻率(f)電壓駐波比(VSWR)m12.4GHz1.74m22.45GHz1.6m32.5GHz1.69m45.7GHz1.25m55.8GHz1.29通過引入極性與非極性高分子共聚物的形式來降低介質(zhì)基基板的介電常數(shù)以及介電損耗，從而使得天線裝置損耗較少，能量轉(zhuǎn)換率提高；同時(shí)通過天線選型、優(yōu)化天線選型設(shè)計(jì)進(jìn)一步提高了天線裝置的增益等綜合性能。上面結(jié)合附圖對本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行了描述，但是本發(fā)明并不局限于上述的具體實(shí)施方式，上述的具體實(shí)施方式僅僅是示意性的，而不是限制性的，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的啟示下，在不脫離本發(fā)明宗旨和權(quán)利要求所保護(hù)的范圍情況下，還可做出很多形式，這些均屬于本發(fā)明的保護(hù)之內(nèi)。