本發(fā)明主要涉及到一種超級(jí)結(jié)溝槽MOS半導(dǎo)體裝置，并將超結(jié)結(jié)構(gòu)引入到半導(dǎo)體裝置中，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置是超級(jí)勢(shì)壘整流器和功率MOSFET器件的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)，本發(fā)明還涉及一種超級(jí)結(jié)溝槽MOS半導(dǎo)體裝置的制造工藝。

背景技術(shù)：
具有溝槽結(jié)構(gòu)和超結(jié)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件，已成為器件發(fā)展的重要趨勢(shì)。對(duì)于功率半導(dǎo)體器件，不斷降低導(dǎo)通電阻和不斷提高電流密度的要求成為器件發(fā)展的重要趨勢(shì)。傳統(tǒng)溝槽MOS器件在溝槽內(nèi)壁生長(zhǎng)有柵氧，溝槽內(nèi)填充有多晶硅，溝槽邊側(cè)半導(dǎo)體材料依次設(shè)置有源區(qū)、體區(qū)和漏區(qū)。器件開(kāi)通狀態(tài)下的導(dǎo)通電阻主要受到漏區(qū)的漂移層電阻影響。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明針對(duì)上述問(wèn)題提出，提出一種超級(jí)結(jié)溝槽MOS半導(dǎo)體裝置，其具有較低的導(dǎo)通電阻。一種超級(jí)結(jié)溝槽MOS半導(dǎo)體裝置，其特征在于：包括：襯底層，為半導(dǎo)體材料；漂移層，為第一傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體材料，位于襯底層之上；體區(qū)，為第二傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體材料，位于漂移層之上；多個(gè)溝槽，位于漂移層和體區(qū)中，溝槽側(cè)壁上部表面有絕緣層，溝槽底部表面沒(méi)有絕緣層，同時(shí)，溝槽內(nèi)上部填充有第一傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體材料，溝槽內(nèi)下部填充有第二傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體材料；多個(gè)源區(qū)，為第一傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體材料，臨靠溝槽和體區(qū)。其中所述的溝槽內(nèi)填充的第一傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體材料可以為多晶半導(dǎo)體材料，并且為高濃度雜質(zhì)摻雜，作為器件的柵電極。一種超級(jí)結(jié)溝槽MOS半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于：包括如下步驟：在襯底層上通過(guò)外延生產(chǎn)形成第一傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體材料漂移層；在表面形成鈍化層，在待形成溝槽區(qū)域表面去除鈍化層；進(jìn)行第二傳導(dǎo)類型雜質(zhì)擴(kuò)散，然后進(jìn)行第一傳導(dǎo)類型雜質(zhì)擴(kuò)散；進(jìn)行刻蝕半導(dǎo)體材料，形成溝槽；在溝槽內(nèi)形成第二傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體材料；進(jìn)行第二傳導(dǎo)類型的半導(dǎo)體材料反刻蝕，在溝槽內(nèi)形成絕緣層，去除溝槽底部絕緣層，在溝槽內(nèi)形成第一傳導(dǎo)類型的多晶半導(dǎo)體材料；在器件表面形成鈍化層，然后去除器件表面部分鈍化層。本發(fā)明的一種超級(jí)結(jié)溝槽MOS半導(dǎo)體裝置，通過(guò)柵極和PN結(jié)，將超結(jié)結(jié)構(gòu)引入到溝槽MOS結(jié)構(gòu)中，與傳統(tǒng)的溝槽MOS器件相比，降低了器件的導(dǎo)通電阻。附圖說(shuō)明圖1為本發(fā)明一種超級(jí)結(jié)溝槽MOS半導(dǎo)體裝置剖面示意圖；其中，1、襯底層；2、漂移層；3、體區(qū)；4、源區(qū)；5、氧化層；6、P型單晶半導(dǎo)體材料；7、...