技術(shù)特征：
1.一種半導(dǎo)體的絕緣封裝裝置，該半導(dǎo)體具有一基板，及至少一設(shè)置于該基板上的半導(dǎo)體組件，該半導(dǎo)體的絕緣封裝裝置適用于覆蓋于該半導(dǎo)體上，并包含：一金屬基材，為片狀，并具有一第一表面及一相反的第二表面，該第二表面為該金屬基材的底面；一金屬鍍層，設(shè)置于該金屬基材的第二表面上，該金屬鍍層的材質(zhì)為選自于鎳、鉻或兩者的組合；及一絕緣黏著層，結(jié)合于該金屬鍍層的一側(cè)，并與該半導(dǎo)體基板上的半導(dǎo)體組件連接在一起，該絕緣黏著層的材質(zhì)是環(huán)氧樹(shù)脂，且該絕緣黏著層是直接形成于該金屬鍍層上。2.如權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體的絕緣封裝裝置，其特征在于，該金屬基材設(shè)置于該半導(dǎo)體基板上，為一倒U型，并具有一本體部，及一環(huán)繞于該本體部周緣且向下延伸至該半導(dǎo)體基板的環(huán)繞部，該本體部、環(huán)繞部及該半導(dǎo)體基板共同界定出一容置空間，該絕緣黏著層是位于該容置空間中并設(shè)置于該本體部下方。3.如權(quán)利要求2所述半導(dǎo)體的絕緣封裝裝置，其特征在于，該金屬基材更具有一與該半導(dǎo)體基板連接的延伸部，該延伸部是與該環(huán)繞部的底端連接并向外延伸，且與該本體部平行設(shè)置。4.一種半導(dǎo)體的絕緣封裝裝置的制造方法，該半導(dǎo)體具有一基板，及至少一設(shè)置于該基板上的半導(dǎo)體組件，該半導(dǎo)體的絕緣封裝裝置適用于覆蓋于該半導(dǎo)體上，并包含下列步驟：A)制備一片狀金屬基材，該金屬基材具有一第一表面及一相反的第二表面，該第二表面為該金屬基材的底面；B)在該金屬基材的第二表面上鍍覆一金屬鍍層，該金屬鍍層是選自鎳、鉻或兩者的組合；及C)在該金屬鍍層上涂覆環(huán)氧樹(shù)脂并形成一絕緣黏著層，并與該半導(dǎo)體組件黏著為一體。5.如權(quán)利要求4所述半導(dǎo)體的絕緣封裝裝置的制造方法，其特征在于，更包括一介于步驟B)與步驟C)間的步驟D)，將該金屬基材沖壓成型為倒U狀，以使其覆蓋于該基板上，該金屬基材沖壓之后，形成有一本體部，及一環(huán)繞于該本體部周緣且向下延伸至該半導(dǎo)體基板的環(huán)繞部，該本體部、環(huán)繞部，及該半導(dǎo)體基板共同界定出一容置空間。6.如權(quán)利要求5所述半導(dǎo)體的絕緣封裝裝置的制造方法，其特征在于，該步驟D)中該金屬基材經(jīng)沖壓之后，更形成有一與該半導(dǎo)體基板連接的延伸部，該延伸部是與該環(huán)繞部的底端連接并向外延伸，且與該本體部平行設(shè)置。7.如權(quán)利要求6所述半導(dǎo)體的絕緣封裝裝置的制造方法，其特征在于，該步驟A)的金屬基材的材質(zhì)是選自于銅、鋁、鐵，及不銹鋼其中之一。