本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法。

背景技術(shù)：
在現(xiàn)有的集成電路工藝中，大馬士革結(jié)構(gòu)（Damascene）和金屬-絕緣層-金屬（MIM）結(jié)構(gòu)的金屬電容器均為目前集成電路中的常用結(jié)構(gòu)。其中，由于金屬-絕緣層-金屬結(jié)構(gòu)的金屬電容器具有電阻值低、寄生電容（ParasiticCapacitance）小的優(yōu)點(diǎn)，而且沒有耗盡層感應(yīng)電壓（InducedVoltage）偏移的問題，因此所述金屬-絕緣層-金屬結(jié)構(gòu)的電容器得以在模擬電路、射頻電路或混合信號電路中被廣泛應(yīng)用。請參考圖1，是現(xiàn)有技術(shù)的具有金屬-絕緣層-金屬結(jié)構(gòu)的金屬電容器的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，包括：位于半導(dǎo)體襯底100內(nèi)的導(dǎo)電層101；位于所述半導(dǎo)體襯底100和導(dǎo)電層101表面的第一介質(zhì)層102，所述第一介質(zhì)層102內(nèi)具有暴露出導(dǎo)電層101和部分半導(dǎo)體襯底100的開口（未示出）；位于所述開口的側(cè)壁和底部表面的第一金屬層103和所述第一金屬層103表面的第二介質(zhì)層104；位于所述第二介質(zhì)層104表面且填充滿所述開口的第二金屬層105。其中，所述第二金屬層105的材料為銅，由于銅具有低電阻的特性，使所述金屬電容器具有更良好的特性。此外，隨著集成電路的集成度不斷提高，半導(dǎo)體器件的特征尺寸不斷減小，銅以其低電阻的特性成為了金屬互連結(jié)構(gòu)的主流材料；為了克服銅材料難以被刻蝕的問題，大馬士革結(jié)構(gòu)成為制作銅金屬互連的主要結(jié)構(gòu)。然而，在現(xiàn)有的集成電路制造工藝中，形成所述金屬-絕緣層-金屬結(jié)構(gòu)電容器和大馬士革結(jié)構(gòu)的工藝集成度較低，工藝流程過于復(fù)雜。更多大馬士革和金屬-絕緣層-金屬結(jié)構(gòu)電容器及其形成方法的相關(guān)資料請參考公開號為US2007/0057305的美國專利文件。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明解決的問題是提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，簡化形成金屬-絕緣層-金屬結(jié)構(gòu)電容器和大馬士革結(jié)構(gòu)的工藝。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)具有第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層的表面和半導(dǎo)體襯底的表面齊平，所述半導(dǎo)體襯底、第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層的表面具有第一介質(zhì)層；在所述第一介質(zhì)層表面形成掩膜層，所述掩膜層內(nèi)具有第三開口和第四開口，所述第三開口暴露出與第一導(dǎo)電層的位置對應(yīng)的第一介質(zhì)層表面，所述第四開口暴露出與第二導(dǎo)電層的位置對應(yīng)的第一介質(zhì)層表面第二導(dǎo)電層；以所述掩膜層為掩膜，刻蝕所述第一介質(zhì)層，形成暴露出第一導(dǎo)電層的第一開口、和暴露出第二導(dǎo)電層的第二開口，所述第二開口包括暴露出第二導(dǎo)電層的第一子開口、以及底部與所述第一子開口貫通的第二子開口，所述第二子開口的開口尺寸大于所述第一子開口的開口尺寸；在所述第一開口和第二開口的側(cè)壁和底部表面、以及第一介質(zhì)層表面形成第一金屬層；在所述第一開口的側(cè)壁和底部的第一金屬層表面形成第二介質(zhì)層；在形成所述第二介質(zhì)層后，在所述第一開口和第二開口內(nèi)形成填充滿所述第一開口和第二開口的第二金屬層；去除高于第一介質(zhì)層表面的第二金屬層、第二介質(zhì)層、第一金屬層和掩膜層?？蛇x的，所述第一開口和第二開口的形成工藝為：在所述掩膜層表面、以及第四開口的側(cè)壁和部分底部表面形成光刻膠層，所述光刻膠層暴露出第二導(dǎo)電層的對應(yīng)位置；以所述光刻膠層為掩膜，采用各向異性的干法刻蝕工藝刻蝕所述第三開口和第四開口底部的第一介質(zhì)層，形成與第一導(dǎo)電層位置對應(yīng)的第五開口，以及與第二導(dǎo)電層位置對應(yīng)的第六開口；去除所述光刻膠層，并以所述掩膜層為掩膜，采用各向異性的干法刻蝕工藝刻蝕所述第四開口、第五開口和第六開口的底部直至暴露出半導(dǎo)體襯底為止，形成暴露出第一導(dǎo)電層的第一開口，和暴露出第二導(dǎo)電層的第二開口?？蛇x的，所述光刻膠層還覆蓋第三開口的側(cè)壁和部分底部的第一介質(zhì)層表面?？蛇x的，所述掩膜層包括第一子掩膜層，所述第一子掩膜層的材料為氮化鈦、鈦、氮化鉭和鉭中的一種或多種組合?？蛇x的，所述掩膜層還包括第二子掩膜層，所述第二子掩膜層位于所述第一子掩膜層和第一介質(zhì)層之間，或位于所述第一子掩膜層表面，所述第二子掩膜層的材料為氧化硅、氮碳化硅和氮化硅中的一種或多種組合。可選的，還包括：所述第二介質(zhì)層表面具有第三金屬層，所述第三金屬層的材料為釕、鈦、鈦、氮化鉭、鉭或銅錳合金?？蛇x的，所述第二介質(zhì)層和第三金屬層的形成工藝為：在所述第一金屬層表面覆蓋第二介質(zhì)薄膜；在所述第二介質(zhì)薄膜表面形成第三金屬薄膜；去除第二開口的第一子開口和第二子開口的側(cè)壁和底部表面的第三金屬薄膜和第二介質(zhì)薄膜?？蛇x的，所述第三金屬層還覆蓋第一介質(zhì)層表面的第一金屬層表面，以及第二開口內(nèi)的第一金屬層表面?？蛇x的，所述第二介質(zhì)層和第三金屬層的形成工藝為：在所述第一金屬層表面覆蓋第二介質(zhì)薄膜；去除第二開口的第一子開口和第二子開口的側(cè)壁和底部表面的第二介質(zhì)薄膜，形成第二介質(zhì)層；在所述第二介質(zhì)層和第一金屬層表面覆蓋第三金屬層。可選的，所述第二金屬層的材料為銅?？蛇x的，所述第二金屬層的形成工藝為化學(xué)氣相沉積工藝、物理氣相沉積工藝、電鍍工藝、或物理氣相沉積工藝和電鍍工藝相結(jié)合?？蛇x的，所述第一金屬層的材料為釕、鈦、鈦、氮化鉭、鉭或銅錳合金?？蛇x的，所述第二介質(zhì)層的材料為高K介質(zhì)材料。可選的，所述高K介質(zhì)材料包括：HfO2、ZrO2、HfSiNO、Al2O3或SbO?？蛇x的，所述第一介質(zhì)層的材料為氧化硅、氮化硅或低K介質(zhì)材料?？蛇x的，所述半導(dǎo)體襯底和第一介質(zhì)層之間具有刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層的材料為氧化硅、氮化硅或低K介質(zhì)材料，且所述刻蝕阻擋層與所述第一介質(zhì)層的材料不同?？蛇x的，所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層的材料為銅、鎢或鋁。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：在第一介質(zhì)層表面形成掩膜層，所述掩膜層定義了后續(xù)所需形成的第一開口和第二開口的位置及開口形狀；以所述掩膜層為掩膜刻蝕所述第一介質(zhì)層直至暴露出第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層為止，于第一導(dǎo)電層表面形成第一開口，用于形成電容結(jié)構(gòu)，于第二導(dǎo)電層表面形成第二開口，用于形成大馬士革結(jié)構(gòu)；其中，所述第二開口包括暴露出第二導(dǎo)電層的第一子開口、以及底部與所述第一子開口貫通的第二子開口，所述第二子開口的開口尺寸大于所述第一子開口的開口尺寸；所述第一開口和第二開口采用同一掩膜層，在同一刻蝕工藝中形成，能夠節(jié)省工藝步驟和工藝時間，而且節(jié)約成本。此外，在形成第一開口和第二開口之后，第一開口和第二開口的側(cè)壁和底部表面同時形成第一金屬層；并在第一開口的第一金屬層表面形成第二介質(zhì)層之后，同時在所述第一開口和第二開口內(nèi)形成填充滿第二金屬層，并去除高于第一介質(zhì)層的第二金屬層、第二介質(zhì)層、第一金屬層和掩膜層；由于所述第一開口和第二開口內(nèi)的第一金屬層和第二金屬層同時形成，能夠進(jìn)一步簡化工藝；而且，高于第一介質(zhì)層表面的第二金屬層、第二介質(zhì)層、第一金屬層和掩膜層同時被去除，減少了所述去除工藝的次數(shù)，能夠避免因多次去除工藝而造成對第一介質(zhì)層表面和形成于半導(dǎo)體襯底表面的其他器件表面的損傷，使所形成的半導(dǎo)體器件的形貌良好，且性能穩(wěn)定。附圖說明圖1是現(xiàn)有技術(shù)的具有金屬-絕緣層-金屬結(jié)構(gòu)的金屬電容器的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2至圖5是現(xiàn)有形成金屬-絕緣層-金屬結(jié)構(gòu)電容器和大馬士革結(jié)構(gòu)的過程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖6至圖13是本發(fā)明的實施例所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。具體實施方式制作所述金屬-絕緣層-金屬結(jié)構(gòu)電容器和大馬士革結(jié)構(gòu)的工藝流程不易集成，使集成電路的制造工藝過于復(fù)雜。本發(fā)明的發(fā)明人經(jīng)過研究發(fā)現(xiàn)，由于用于形成所述金屬-絕緣層-金屬結(jié)構(gòu)電容器和大馬士革結(jié)構(gòu)的開口形狀不同，因此其形成工藝也不同；而且，如圖1所示，所述金屬-絕緣層-金屬結(jié)構(gòu)電容器由第一金屬層103、第二介質(zhì)層104和第二金屬層105構(gòu)成。而現(xiàn)有技術(shù)的大馬士革結(jié)構(gòu)僅由金屬構(gòu)成；由于所述金屬-絕緣層-金屬結(jié)構(gòu)電容器的結(jié)構(gòu)和大馬士革結(jié)構(gòu)不同，因此，在現(xiàn)有的集成電路工藝中，所述金屬-絕緣層-金屬結(jié)構(gòu)電容器和大馬士革結(jié)構(gòu)采用各自的工藝流程分別形成，使集成電路的制造工藝復(fù)雜；具體的，圖2至圖5是現(xiàn)有形成金屬-絕緣層-金屬結(jié)構(gòu)電容器和大馬士革結(jié)構(gòu)的過程的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，包括：請參考圖2，提供具有第一導(dǎo)電層201和第二導(dǎo)電層202的半導(dǎo)體襯底200，所述第一導(dǎo)電層201和第二導(dǎo)電層202的表面與半導(dǎo)體襯底200表面齊平，所述第一導(dǎo)電層201、第二導(dǎo)電層202和半導(dǎo)體襯底200表面具有第一介質(zhì)層203，所述介質(zhì)層203具有暴露出第一導(dǎo)電層201和部分半導(dǎo)體襯底200的第一開口204。請參考圖3，在所述第一介質(zhì)層203表面、和第一開口204（如圖2所示）的側(cè)壁和底部表面形成第一金屬層205、第一金屬層205表面的第二介質(zhì)層206、以及第二介質(zhì)層206表面的第二金屬層207，且所述第二金屬層207填充滿所述第一開口204；采用第一次化學(xué)機(jī)械拋光工藝去除高于第一介質(zhì)層203表面的第一金屬層205、第二介質(zhì)層206和第二金屬層207，形成電容結(jié)構(gòu)。請參考圖4，在第一次化學(xué)機(jī)械拋光工藝之后，在所述第一介質(zhì)層203內(nèi)形成暴露出第二導(dǎo)電層202的第二開口208，所述第二開口208包括暴露出第二導(dǎo)電層的第一子開口（未示出），以及底部與第一子開口貫通的第二子開口（未示出），所述第二子開口的尺寸大于所述第一子開口的尺寸。請參考圖5，在所述第二開口208內(nèi)填充滿金屬材料，并采用第二次化學(xué)機(jī)械拋光工藝去除高于第一介質(zhì)層203表面的金屬材料，形成大馬士革結(jié)構(gòu)209。在上述形成金屬-絕緣層-金屬結(jié)構(gòu)電容器和大馬士革結(jié)構(gòu)209的過程中，在形成完電容結(jié)構(gòu)之后，再形成大馬士革結(jié)構(gòu)，其工藝過程復(fù)雜；而且，在第一開口204（如圖2所示）內(nèi)形成第一金屬層205、第二介質(zhì)層206和第二金屬層207之后，需要進(jìn)行第一次化學(xué)機(jī)械拋光工藝，而在第二開口208內(nèi)填充金屬材料之后，需要進(jìn)行第二次化學(xué)機(jī)械拋光工藝，而兩次化學(xué)機(jī)械拋光工藝容易造成第一介質(zhì)層203的凹陷，或在第二次化學(xué)機(jī)械拋光過程中，對已形成的電容結(jié)構(gòu)表面造成損傷；使所形成的器件形貌和性能不良。經(jīng)過本發(fā)明的發(fā)明人進(jìn)一步研究，在第一介質(zhì)層表面形成掩膜層，所述掩膜層暴露出第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層對應(yīng)位置的第一介質(zhì)層表面；以所述掩膜層為掩膜刻蝕所述第一介質(zhì)層直至暴露出第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層為止，于第一導(dǎo)電層表面形成第一開口，于第二導(dǎo)電層表面形成第二開口；所述第二開口包括暴露出第二導(dǎo)電層的第一子開口、以及底部與所述第一子開口貫通的第二子開口，所述第二子開口的開口尺寸大于所述第一子開口的開口尺寸，能夠用于形成大馬士革結(jié)構(gòu)，而所述第一開口能夠用于形成電容結(jié)構(gòu)；所述第一開口和第二開口采用同一掩膜層，在同一刻蝕工藝中形成，能夠節(jié)省工藝步驟和工藝時間，而且節(jié)約成本。此外，在形成第一開口和第二開口之后，第一開口和第二開口的側(cè)壁和底部表面、以及第一介質(zhì)層表面覆蓋第一金屬層；并在第一開口的第一金屬層表面形成第二介質(zhì)層之后，同時在所述第一開口和第二開口內(nèi)形成填充滿第二金屬層，并去除高于第一介質(zhì)層的第二金屬層；由于所述第一開口和第二開口內(nèi)的第一金屬層和第二金屬層同時形成，能夠進(jìn)一步簡化工藝；而且，高于第一介質(zhì)層表面的第二金屬層、第二介質(zhì)層、第一金屬層和掩膜層能夠同時被去除，從而減少了化學(xué)機(jī)械拋光的次數(shù)；進(jìn)而，減少了工藝對第一介質(zhì)層表面和形成于半導(dǎo)體襯底表面的其他器件的損傷，使所形成的半導(dǎo)體器件的形貌良好，且性能穩(wěn)定。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式做詳細(xì)的說明。圖6至圖13是本發(fā)明的實施例所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。請參考圖6，提供半導(dǎo)體襯底300，所述半導(dǎo)體襯底300內(nèi)具有第一導(dǎo)電層301和第二導(dǎo)電層302，所述第一導(dǎo)電層301和第二導(dǎo)電層302的表面和半導(dǎo)體襯底300的表面齊平，所述半導(dǎo)體襯底300、第一導(dǎo)電層301和第二導(dǎo)電層302的表面具有第一介質(zhì)層303。所述半導(dǎo)體襯底300用于為后續(xù)工藝提供工作平臺；所述半導(dǎo)體襯底300為硅襯底、硅鍺襯底、碳化硅襯底、絕緣體上硅（SOI）襯底、絕緣體上鍺（GOI）襯底、玻璃襯底或III-V族化合物襯底（例如氮化硅或砷化鎵等）?；蛘撸霭雽?dǎo)體襯底300包括：基底，以及形成于所述基底表面具有若干層重疊設(shè)置的器件層或介質(zhì)層，所述基底包括上述各類襯底，而所述器件層或介質(zhì)層由前序工藝形成，所述第一導(dǎo)電層301和第二導(dǎo)電層302位于頂層的器件層或介質(zhì)層內(nèi)，且所述第一導(dǎo)電層301和第二導(dǎo)電層302的表面與所述器件層或介質(zhì)層的表面齊平。所述第一導(dǎo)電層301和第二導(dǎo)電層302的材料為銅、鎢或鋁；所述第一導(dǎo)電層301用于電連接后續(xù)所形成的電容結(jié)構(gòu)的電極，所述第二導(dǎo)電層302用于與后續(xù)形成的大馬士革結(jié)構(gòu)電連接；所述第一導(dǎo)電層301和第二導(dǎo)電層302的形成工藝為：在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成兩個開口；在所述兩個開口的側(cè)壁和底部表面形成停止層，所述停止層的材料為鈦、鉭、氮化鈦和氮化鉭中的一種或多種組合；在所述停止層表面形成填充滿所述兩個開口的金屬材料；采用化學(xué)機(jī)械拋光工藝去除高于所述半導(dǎo)體襯底300表面的金屬材料和停止層，在所述兩個開口內(nèi)形成第一導(dǎo)電層301和第二導(dǎo)電層302。其中，由于所填充的金屬材料與所述停止層的材料不同，因此所述停止層用于定義化學(xué)機(jī)械拋光工藝的停止位置，并通過一定程度的過拋光暴露出半導(dǎo)體襯底300表面。所述第一介質(zhì)層303的材料為氧化硅、氮化硅、低K介質(zhì)材料或超低K（UltraLow-k）材料，所述第一介質(zhì)層303內(nèi)在后續(xù)工藝中形成電容結(jié)構(gòu)和大馬士革結(jié)構(gòu)；在本實施例中，所述半導(dǎo)體襯底300、第一導(dǎo)電層301和第二導(dǎo)電層302與所述第一介質(zhì)層304之間具有刻蝕阻擋層320，所述刻蝕阻擋層320的材料為氧化硅、氮化硅或低K介質(zhì)材料，且所述刻蝕阻擋層320與所述第一介質(zhì)層303的材料不同；所述刻蝕阻擋層320用于在后續(xù)采用刻蝕工藝形成用于形成電容結(jié)構(gòu)和大馬士革結(jié)構(gòu)的開口時，定義刻蝕工藝的停止位置，并在刻蝕停止后，通過一定的過刻蝕工藝以暴露出第一導(dǎo)電層301或第二導(dǎo)電層302，從而使所述刻蝕工藝更容易控制。請參考圖7，在所述第一介質(zhì)層303表面形成掩膜層304，所述掩膜層304內(nèi)具有第三開口305和第四開口306，所述第三開口305暴露出與第一導(dǎo)電層301的位置對應(yīng)的第一介質(zhì)層303表面，所述第四開口306暴露出與第二導(dǎo)電層302的位置對應(yīng)的第一介質(zhì)層303表面第二導(dǎo)電層302。所述掩膜層304用于在后續(xù)刻蝕用于形成電容結(jié)構(gòu)和大馬士革結(jié)構(gòu)的開口時，作為掩膜，從而能夠使后續(xù)用于形成電容結(jié)構(gòu)和大馬士革結(jié)構(gòu)的開口同時形成，進(jìn)而能夠簡化工藝步驟和工藝時間。在本實施例中，由于所述第一導(dǎo)電層301表面后續(xù)形成電容結(jié)構(gòu)，所述第二導(dǎo)電層302表面后續(xù)形成大馬士革結(jié)構(gòu)，因此貫穿所述掩膜層304的第三開口305定義了后續(xù)形成的電容結(jié)構(gòu)的位置及表面圖形，第四開口306定義了后續(xù)形成的大馬士革結(jié)構(gòu)的位置及表面圖形。所述掩膜層304的形成工藝為：在所述第一介質(zhì)層303表面形成掩膜薄膜；在所述掩膜薄膜表面形成第一光刻膠層（未示出），所述第一光刻膠層定義了第三開口305和第四開口306的對應(yīng)位置；以所述第一光刻膠層為掩膜，刻蝕所述掩膜薄膜直至暴露出第一介質(zhì)層303表面為止，形成第三開口305和第四開口306。本實施例中，所述掩膜層304的材料為氮化鈦、鈦、氮化鉭和鉭中的一種或多種組合；在另一實施例中，所述掩膜層304包括第一子掩膜層和第二子掩膜層，所述第一子掩膜層的材料為氮化鈦、鈦、氮化鉭和鉭中的一種或多種組合，所述第二子掩膜層的材料為氧化硅、氮碳化硅和氮化硅中的一種或多種組合；所述第二子掩膜層位于所述第一子掩膜層和第一介質(zhì)層303之間，或位于所述第一子掩膜層表面；當(dāng)所述第二子掩膜層位于所述第一子掩膜層表面時，所述第二子掩膜層用于在曝光形成第一光刻膠層時，作為抗反射層；當(dāng)所述第二子掩膜位于第一子掩膜層和第一介質(zhì)層303之間時，所述第二子掩膜層用于作為刻蝕形成第三開口305和第四開口306時的刻蝕停止層，并通過一定的過刻蝕暴露出第一介質(zhì)層303表面。請參考圖8，在所述掩膜層304表面、以及第四開口306（如圖7所示）的側(cè)壁和部分底部表面形成第二光刻膠層307，所述第二光刻膠層307暴露出與第二導(dǎo)電層302位置對應(yīng)的第一介質(zhì)層303表面；以所述第二光刻膠層307為掩膜，刻蝕所述第一介質(zhì)層303，形成與第一導(dǎo)電層301位置對應(yīng)的第五開口308，以及與第二導(dǎo)電層302位置對應(yīng)的第六開口309。所述第二光刻膠層307在第四開口306底部定義了后續(xù)形成的第二開口內(nèi)的第一子開口的位置及開口形狀；由于后續(xù)形成的第二開口用于形成大馬士革結(jié)構(gòu)，而所述大馬士革結(jié)構(gòu)包括接觸孔部分及電連接層部分，因此所述第二開口需要通過兩次刻蝕工藝，以形成尺寸不同的第一子開口，以及與第一子開口貫通的第二子開口，且所述第二子開口的尺寸大于所述第一子開口；而本實施例中，為了簡化工藝步驟，所述第二開口與用于形成電容結(jié)構(gòu)的第一開口同時形成，因此所述第一開口也通過兩次刻蝕工藝形成。所述第二光刻膠層307通過旋涂工藝和旋涂工藝之后的曝光工藝形成，暴露出第四開口306的部分底部表面，以及第三開口305；所述第二光刻膠層307定義了后續(xù)所形成的第二開口中第一子開口的尺寸，而所述第一子開口在后續(xù)工藝中用于形成大馬士革結(jié)構(gòu)中的接觸孔。所述第五開口308和第六開口309的形成工藝為：以所述第二光刻膠層307為掩膜，采用各向異性的干法刻蝕工藝刻蝕所述第三開口305（如圖7所示）和第四開口306（如圖7所示）底部的第一介質(zhì)層303，形成所述第五開口308和第六開口309；所述第六開口309的底部到刻蝕阻擋層320的距離不大于后續(xù)所需形成的第二開口內(nèi)的第二子開口的深度，從而保證了后續(xù)形成第二開口的刻蝕工藝在形成所需深度的第二子開口的同時，能夠使第一子開口暴露出刻蝕阻擋層303表面；此外，所述第五開口308為后續(xù)所形成的第一開口的一部分，由于所述第五開口308與第六開口309在同一刻蝕工藝中形成，因此其深度相同；進(jìn)而，在后續(xù)去除所述第二光刻膠層307之后，再次刻蝕所述第六開口309底部，以暴露出第二導(dǎo)電層302時，能夠同時刻蝕第五開口308的底部，以形成暴露出第一導(dǎo)電層301的第一開口。在本實施例中，所述第二光刻膠層307完全暴露出第三開口305，使后續(xù)所形成的第一開口的側(cè)壁與半導(dǎo)體襯底300表面垂直；由于所述第一開口的側(cè)壁和底部的面積決定了后續(xù)所形成的電容結(jié)構(gòu)內(nèi)兩層電極之間的重疊面積，而所述重疊面積決定了后續(xù)所形成電容結(jié)構(gòu)的電容值；因此，所述第一開口的側(cè)壁形狀能夠根據(jù)所形成的電容器所需的電容值而具體調(diào)整，以增大或減小后續(xù)所形成與第一開口內(nèi)的第一金屬層和第二金屬層之間的重疊面積，使所產(chǎn)生的電容值滿足工藝需求。在其他實施例中，所述第二光刻膠層（未示出）還覆蓋第三開口305的側(cè)壁和部分底部的第一介質(zhì)層303表面，從而使所形成的第五開口（未示出）的尺寸小于所述第三開口305的尺寸；在后續(xù)去除所述第二光刻膠層，并再次進(jìn)行刻蝕工藝暴露出第一導(dǎo)電層301之后，所形成的第一開口由暴露出第一導(dǎo)電層301的第三子開口（未示出），以及與所述第三子開口貫通的第四子開口（未示出）構(gòu)成，且所述第四子開口的尺寸大于所述第三子開口的尺寸；從而，能夠增加了后續(xù)所形成的第一開口的側(cè)壁面積，以增加后續(xù)所形成的電容結(jié)構(gòu)的電容值。請參考圖9，去除所述第二光刻膠層307（如圖8所示），并以所述掩膜層304為掩膜，采用各向異性的干法刻蝕工藝同時刻蝕所述第四開口306（如圖7所示）、第五開口308（如圖8所示）和第六開口309（如圖8所示）的底部的第一介質(zhì)層303，直至暴露出半導(dǎo)體襯底300為止，形成暴露出第一導(dǎo)電層301的第一開口310，和暴露出第二導(dǎo)電層302的第二開口311。所述第二開口311包括暴露出第二導(dǎo)電層302的第一子開口311a、以及底部與所述第一子開口311a貫通的第二子開口311b，所述第二子開口311b的開口尺寸大于所述第一子開口311a的開口尺寸；所形成的第二開口3111在后續(xù)工藝中用于形成大馬士革結(jié)構(gòu)。其中，所述第一子開口311a通過刻蝕所述第六開口309底部形成，所述第二子開口311b通過刻蝕所述第四開口306底部形成；而所述第六開口309的尺寸小于所述第四開口306的尺寸，因此能夠形成開口尺寸小于第二子開口311b的第一子開口311a；所述第一子開口311a在后續(xù)工藝中用于形成大馬士革結(jié)構(gòu)中的接觸孔，而所述第二子開口311b用于在后續(xù)工藝中形成大馬士革結(jié)構(gòu)中的導(dǎo)電層。本實施例中，當(dāng)去除第二光刻膠層307之后，干法刻蝕工藝之前，所述掩膜層304暴露出與第一導(dǎo)電層301位置對應(yīng)的第五開口308，以及與第二導(dǎo)電層302位置對應(yīng)的第四開口306，而所述第四開口306的底部與所述第六開口309貫通，且所述第六開口309的尺寸小于所述第四開口306的尺寸；因此，在所述去除第二光刻膠層307之后的各向異性的干法刻蝕工藝中，所述第四開口306、第五開口308和第六開口309的底部同時被刻蝕；由于所述第五開口308和第六開口309的深度相同，因此，當(dāng)刻蝕所述第六開口309至暴露出第二導(dǎo)電層302時，也能夠刻蝕所述第五開口308至暴露出第一導(dǎo)電層301，從而使第一開口310和第二開口311同時形成，能夠簡化工藝步驟，并節(jié)省工藝時間和成本。而且，所述第六開口309的底部到刻蝕阻擋層320的距離不大于所述第二子開口311b的深度，當(dāng)刻蝕所述第四開口306的底部以形成所需深度的第二子開口311b時，能夠保證刻蝕所述第六開口309底部所形成的第一子開口311a能夠完全暴露出刻蝕阻擋層320；而所述刻蝕阻擋層320的材料與第一介質(zhì)層303的材料不同，在刻蝕所述第一介質(zhì)層303時，所述刻蝕阻擋層320相對于所述第一介質(zhì)層303具有刻蝕選擇比，因此，所述刻蝕工藝在所述刻蝕阻擋層320處停止；且當(dāng)形成第一開口310和第二開口312之后，去除所述第一開口310和第二開口312底部的刻蝕阻擋層320，而由于所述刻蝕阻擋層320的材料與第一介質(zhì)層303的材料不同，因此去除所述刻蝕阻擋層320的工藝不會損傷所述第一開口310和第二開口312的形貌。此外，同時形成第一開口310和第二開口310，使后續(xù)能夠同時在所述第一開口310與第二開口311內(nèi)填充金屬并進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光工藝，以形成大馬士革結(jié)構(gòu)和電容結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步簡化工藝；而同時填充金屬并拋光不僅能夠節(jié)省工藝步驟，還能夠減少化學(xué)機(jī)械拋光工藝的次數(shù)，以減少拋光工藝對所形成的半導(dǎo)體器件表面的損傷，使所形成的半導(dǎo)體器件的性能穩(wěn)定。在其他實施例中，所述第二光刻膠層（未示出）還覆蓋第三開口305的側(cè)壁和部分底部的第一介質(zhì)層303表面，從而使所形成的第五開口（未示出）的尺寸小于所述第三開口305的尺寸；從而在去除所述第二光刻膠層之后，刻蝕所述第五開口308時，所述第三開口的底部也同時被刻蝕，能夠形成暴露出第一導(dǎo)電層301的第三子開口（未示出），以及與所述第三子開口貫通的第四子開口（未示出）構(gòu)成，且所述第四子開口的尺寸大于所述第三子開口的尺寸；從而，所述第一開口的側(cè)壁面積增加，能夠增加后續(xù)形成于所述第一開口內(nèi)的第一金屬層和第二金屬層之間的重疊面積，以此增加后續(xù)所形成的電容結(jié)構(gòu)的電容值。請參考圖10，在所述第一開口310和第二開口311的側(cè)壁和底部表面、以及第一介質(zhì)層303表面形成第一金屬層312。所述第一金屬層312的材料為釕、鈦、鈦、氮化鉭、鉭或銅錳合金；所述第一金屬層312的形成工藝為化學(xué)氣相沉積工藝或物理氣相沉積工藝；位于所述第一開口310內(nèi)的第一金屬層312用于作為所形成的電容結(jié)構(gòu)中的一層電極，通過所述第一導(dǎo)電層301被施加偏壓；位于所述第二開口311內(nèi)的第一金屬層312用于在后續(xù)采用電鍍工藝形成第二金屬層時作為導(dǎo)電層以生長銅材料；此外，位于所述第一介質(zhì)層303表面的第一金屬層312還能夠在后續(xù)形成第二金屬層之后，進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光工藝時，作為拋光停止層。請參考圖11，在所述第一開口310的側(cè)壁和底部的第一金屬層312表面形成第二介質(zhì)層313、以及第二介質(zhì)層313表面的第三金屬層314。所述第二介質(zhì)層313的材料為高K介質(zhì)材料；所述高K介質(zhì)材料包括：HfO2、ZrO2、HfSiNO、Al2O3或SbO；所述第三金屬層314的材料為釕、鈦、鈦、氮化鉭、鉭或銅錳合金；所述第二介質(zhì)層313用于作為后續(xù)所形成的電容結(jié)構(gòu)中兩層電極之間的電介質(zhì)層；由于所述第二介質(zhì)層313無法導(dǎo)電，因此需要形成所述第三金屬層314，用于在后續(xù)采用電鍍工藝在所述第一開口310內(nèi)形成第二金屬層時，作為導(dǎo)電層。在本實施例中，所述第二介質(zhì)層313和第三金屬層314的形成工藝為：在所述第一金屬層312表面覆蓋第二介質(zhì)薄膜；在所述第二介質(zhì)薄膜表面形成第三金屬薄膜；在所述第一開口310內(nèi)以及部分第一介質(zhì)層303表面的第三金屬薄膜表面形成光刻膠層；以所述光刻膠層為掩膜，刻蝕所述第三金屬薄膜和第二介質(zhì)薄膜。在所述刻蝕工藝之后，所述第一子開口311a和第二子開口311b的側(cè)壁和底部表面的第三金屬薄膜和第二介質(zhì)薄膜被去除，后續(xù)能夠在第二開口311內(nèi)的第一金屬層312表面形成第二金屬層，以形成大馬士革結(jié)構(gòu)。在其他實施例中，所述第三金屬層（未示出）還覆蓋第一介質(zhì)層303上的第一金屬層312表面，以及第二開口311內(nèi)的第一金屬層312表面；所述第二介質(zhì)層313和第三金屬層的形成工藝為：在所述第一金屬層312表面覆蓋第二介質(zhì)薄膜；在所述第一開口310內(nèi)以及部分第一介質(zhì)層303上的第二介質(zhì)薄膜表面形成光刻膠層；以所述光刻膠層為掩膜，刻蝕第二開口311的第一子開口和第二子開口的側(cè)壁和底部表面的第二介質(zhì)薄膜，形成第二介質(zhì)層；在所述第二介質(zhì)層和第一金屬層表面覆蓋第三金屬層。請參考圖12，在形成所述第二介質(zhì)層313和第三金屬層314后，在所述第一開口310（如圖11所示）和第二開口311（如圖11所示）內(nèi)形成填充滿所述第一開口310和第二開口311的第二金屬層315。本實施例中，所述第二金屬層315的材料為銅；位于所述第一開口310內(nèi)的第二金屬層315作為所形成的電容結(jié)構(gòu)中的另一層電極，位于第二開口311內(nèi)的第二金屬層315用于形成大馬士革結(jié)構(gòu)；因此，所形成的電容結(jié)構(gòu)的一層電極和大馬士革結(jié)構(gòu)的材料均為銅；而銅的電阻較低，以銅作為電容結(jié)構(gòu)的電極時，能夠降低電容結(jié)構(gòu)的能耗，提高電容結(jié)構(gòu)的性能；相應(yīng)的，由于銅的低電阻特性，當(dāng)半導(dǎo)體器件的特征尺寸不斷減小時，以銅為材料的大馬士革結(jié)構(gòu)能夠滿足器件中電互連的工藝需求。由于所述第二金屬層315的材料為銅，因此所述第二金屬層315的形成工藝為電鍍工藝，能夠形成質(zhì)量較好的第二金屬層315；而所述第一金屬層312和第三金屬層314用于在形成第二金屬層315的電鍍工藝中，作為導(dǎo)電層以生長銅材料。在其他實施例中，所述第二金屬層315的形成工藝還能夠為化學(xué)氣相沉積工藝、物理氣相沉積工藝、或物理氣相沉積工藝和電鍍工藝相結(jié)合；其中，當(dāng)所述第二金屬層315的形成工藝為化學(xué)氣相沉積工藝或物理氣相沉積工藝時，能夠不形成所述第三金屬層314，而直接在第一開口310和第二開口311內(nèi)形成所述第二金屬層315。請參考圖13，去除高于第一介質(zhì)層303表面的第二金屬層315、第二介質(zhì)層313、第一金屬層312和掩膜層304（如圖12所示）。由于本實施例中，所述第一開口305和第二開口312內(nèi)同時形成第二金屬層315（如圖11所示），因此僅需采用一次化學(xué)機(jī)械拋光工藝即能去除高于第一介質(zhì)層303表面的第二金屬層315、第三金屬層314、第二介質(zhì)層313、第一金屬層312和掩膜層304；從而，避免為了分別形成電容結(jié)構(gòu)和大馬士革結(jié)構(gòu)而多次采用化學(xué)機(jī)械拋光工藝，能夠減少了化學(xué)機(jī)械拋光工藝的次數(shù)；而減少化學(xué)機(jī)械拋光工藝的次數(shù)不僅能夠節(jié)省工藝成本，還能夠減少化學(xué)機(jī)械拋光工藝對于所形成的半導(dǎo)體器件表面的損傷，使所形成的半導(dǎo)體器件的性能更為穩(wěn)定。位于所述第一開口310內(nèi)的第二金屬層315和第一金屬層312作為所形成的電容結(jié)構(gòu)的兩層電極，而所述第二介質(zhì)層313用于隔離所述兩層電極，構(gòu)成金屬-絕緣層-金屬的電容結(jié)構(gòu)；而形成于第二介質(zhì)層313和第二金屬層315之間的第三金屬層314為導(dǎo)電材料形成，因此不會影響所形成的電容結(jié)構(gòu)的性能。位于所述第二開口311內(nèi)的第二金屬層315用于作為大馬士革結(jié)構(gòu)；其中，所述第一子開口311a內(nèi)的第二金屬層315作為大馬士革結(jié)構(gòu)的接觸孔，而所述第二子開口311b內(nèi)的第二金屬層315作為大馬士革結(jié)構(gòu)的電互連層。本實施例中，用于形成電容結(jié)構(gòu)的第一開口310，和用于形成大馬士革結(jié)構(gòu)的第二開口311以掩膜層304為掩膜，同時刻蝕形成，能夠節(jié)省工藝步驟及工藝成本；此外，由于所述第一開口310和第二開口311同時形成，能夠同時在所述第一開口310和第二開口311內(nèi)形成第一金屬層312；并在第一開口310內(nèi)形成第二介質(zhì)層313之后，同時在所述第二開口311和第一開口310內(nèi)形成第二金屬層315；而且，僅采用一次化學(xué)機(jī)械拋光工藝即可去除高于第一介質(zhì)層303表面的第二金屬層315、第二介質(zhì)層313、第一金屬層312和掩膜層304；因此，化學(xué)機(jī)械拋光的次數(shù)減少，避免了因多次化學(xué)機(jī)械拋光工藝對所形成的半導(dǎo)體器件表面的損傷，提高了所形成的半導(dǎo)體器件的穩(wěn)定性。綜上所述，在第一介質(zhì)層表面形成掩膜層，所述掩膜層定義了后續(xù)所需形成的第一開口和第二開口的位置及開口形狀；以所述掩膜層為掩膜刻蝕所述第一介質(zhì)層直至暴露出第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層為止，于第一導(dǎo)電層表面形成第一開口，用于形成電容結(jié)構(gòu)，于第二導(dǎo)電層表面形成第二開口，用于形成大馬士革結(jié)構(gòu)；其中，所述第二開口包括暴露出第二導(dǎo)電層的第一子開口、以及底部與所述第一子開口貫通的第二子開口，所述第二子開口的開口尺寸大于所述第一子開口的開口尺寸；所述第一開口和第二開口采用同一掩膜層，在同一刻蝕工藝中形成，能夠節(jié)省工藝步驟和工藝時間，而且節(jié)約成本。此外，在形成第一開口和第二開口之后，第一開口和第二開口的側(cè)壁和底部表面同時覆蓋第一金屬層；并在第一開口的第一金屬層表面形成第二介質(zhì)層之后，同時在所述第一開口和第二開口內(nèi)形成填充滿第二金屬層，并去除高于第一介質(zhì)層的第二金屬層、第二介質(zhì)層、第一金屬層和掩膜層；由于所述第一開口和第二開口內(nèi)的第一金屬層和第二金屬層同時形成，能夠進(jìn)一步簡化工藝；而且，高于第一介質(zhì)層表面的第二金屬層、第二介質(zhì)層、第一金屬層和掩膜層同時被去除，減少了所述去除工藝的次數(shù)，能夠避免因多次去除工藝而造成對第一介質(zhì)層表面和形成于半導(dǎo)體襯底表面的其他器件表面的損傷，使所形成的半導(dǎo)體器件的形貌良好，且性能穩(wěn)定。本發(fā)明雖然已以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。