電容器及其制造方法相關(guān)申請的交叉引用本申請要求2012年5月8日提交的韓國專利申請No.10-2012-0048557的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用合并于此。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明的示例性實施例涉及一種半導(dǎo)體器件，更具體而言涉及一種電容器及其制造方法。

背景技術(shù)：
隨著設(shè)計規(guī)則參數(shù)減小，在制造具有下電極的電容器時必然會用到全浸出工藝（fulldip-outprocess）。全浸出工藝指的是用于在形成下電極之后完全去除模具層的工藝。然而，在全浸出工藝中，可能會發(fā)生下電極的傾斜。為了應(yīng)對這種特性，使用NFC（nitridefloatingcapacitor，氮化物浮置電容器）結(jié)構(gòu)，其中形成包括氮化物層的支撐層來固定多個下電極，以便防止下電極的傾斜。近來，由于使用具有高的高寬比的電容器，因此需要通過NFC結(jié)構(gòu)來防止下電極的傾斜。然而，由于用于形成筒型下電極（儲存節(jié)點）的高度集成的有限空間的緣故，形成電介質(zhì)層和上電極變得困難。盡管可以減少筒型下電極的厚度來保證筒型下電極的內(nèi)部空間，但由于用于筒型下電極的支撐變?nèi)?，仍可能在全浸出工藝中發(fā)生傾斜。同樣地，即使使用NFC結(jié)構(gòu)，如果減少筒型下電極的厚度，則筒型下電極仍可能在全浸出工藝中傾斜并彼此碰觸。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明的實施例涉及一種能防止下電極傾斜的電容器及其制造方法。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，一種制造電容器的方法可以包括以下步驟：形成多個筒型下電極；形成位于筒型下電極的內(nèi)部的第一上電極；形成位于筒型下電極的外部的第二上電極；以及形成連接第一上電極和第二上電極的第三上電極。根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，一種制造電容器的方法可以包括以下步驟：在襯底之上形成模具結(jié)構(gòu)，其中所述模具結(jié)構(gòu)具有多個開口部分，并具有與支撐層層疊的模具層；在開口部分中形成筒型下電極；在包括筒型下電極的結(jié)構(gòu)的整個表面之上形成第一上電極，以填充筒型下電極；限定出穿通孔洞，所述穿通孔洞穿通第一上電極和支撐層的部分；經(jīng)由所述穿通孔洞去除模具層，并暴露出筒型下電極；形成第二上電極，以填充所述穿通孔洞和位于所述筒型下電極之間的空間；以及形成第三上電極，以使第二上電極和第一上電極彼此連接。根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，一種制造電容器的方法包括以下步驟：在襯底之上形成模具層，其中模具層具有多個開口部分；在開口部分中形成筒型下電極；在包括筒型下電極的結(jié)構(gòu)的整個表面之上形成第一上電極，以填充筒型下電極；限定出穿通孔洞，所述穿通孔洞穿通第一上電極的一部分；經(jīng)由所述穿通孔洞去除模具層，并暴露出筒型下電極；形成第二上電極，以填充所述穿通孔洞和位于筒型下電極之間的空間；以及形成第三上電極，以使第二上電極和第一上電極彼此連接。根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，一種電容器可以包括：多個筒型下電極；支撐層，所述支撐層支撐筒型下電極的外壁，并具有使位于筒型下電極之間的空間開放的穿通孔洞；第一上電極，所述第一上電極被形成在筒型下電極中；第二上電極，所述第二上電極包圍筒型下電極的外壁；以及第三上電極，所述第三上電極將第一上電極和第二上電極彼此連接。附圖說明圖1A是說明根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的電容器的截面圖。圖1B是沿著圖1A的線A-A'截取的截面圖。圖2A至2I是說明制造根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的電容器的方法的截面圖。圖3A是說明根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的電容器的截面圖。圖3B是沿著圖3A的線A-A'截取的截面圖。圖4A至4I是說明制造根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的電容器的方法的截面圖。具體實施方式下面將參照附圖更詳細地描述本發(fā)明的示例性實施例。但是，本發(fā)明可以用不同的方式實施，而不應(yīng)解釋為限定為本文所提供的實施例。確切地說，提供這些實施例是為了使本說明書清楚且完整，并向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分傳達本發(fā)明的范圍。在說明書中，相同的附圖標記在本發(fā)明的不同附圖與實施例中表示相似的部分。附圖并非按比例繪制，在某些情況下，為了清楚地示出實施例的特征可能對比例進行了夸大處理。當(dāng)提及第一層在第二層“上”或在襯底“上”時，其不僅涉及第一層直接形成在第二層上或在襯底上的情況，還涉及在第一層與第二層之間或在第一層與襯底之間存在第三層的情況。圖1A是說明根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的電容器的截面圖。圖1B是沿著圖1A的線A-A’截取的截面圖。參照圖1A和圖1B，在半導(dǎo)體襯底21之上形成有層間電介質(zhì)層22。在限定于層間電介質(zhì)層22中的接觸孔中形成有多個接觸插塞23。在接觸插塞23之上形成有筒型下電極30。在下電極30的下端部的外壁上形成有刻蝕停止層24A。在下電極30的上端部的外壁上形成有支撐層26A。支撐層26A被部分地去除。在下電極30中形成有第一上電極32A。第一上電極32A可以包括填充下電極30的柱體部分32B。在第一上電極32A與下電極30之間形成有第一電介質(zhì)層31A。在下電極30的外部即在下電極30之間形成有第二上電極37A。第二上電極37A具有包圍下電極30的外壁的形狀。第二上電極37A可以包括連接部分37B，所述連接部分填充支撐層26A被部分去除后的部分。在第二上電極37A與下電極30之間形成有第二電介質(zhì)層36A。在第一上電極32A和第二上電極37A之上形成有第三上電極38。第二上電極37A的連接部分37B與第一上電極32A經(jīng)由第三上電極38彼此連接。可以通過層疊鍺硅層38A和鎢層38B來形成第三上電極38。根據(jù)圖1A和圖1B，在筒型下電極30中形成有第一上電極32A，在筒型下電極30的外部形成有第二上電極37A，且在第二上電極37A之上形成有第三上電極38。第二上電極37A具有用于包圍筒型下電極30的外壁的形狀。第三上電極38將第一上電極32A和第二上電極37A電連接。如上所述，在根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的電容器中，由第一至第三上電極32A、37A及38組成上電極。第一上電極32A用作防止下電極30傾斜或彎曲的支柱。更具體地，由于第一上電極32A的柱體部分32B填充下電極30，因此支撐力增加。此外，由于支撐力通過第一上電極32A的柱體部分32B而增加，因此可以減小下電極30的厚度。圖2A至圖2I是說明制造根據(jù)本發(fā)明的第一實施例的電容器的方法的截面圖。參照圖2A，在半導(dǎo)體襯底21上形成穿通層間電介質(zhì)層22的多個接觸插塞23。半導(dǎo)體襯底21包括含硅物質(zhì)。例如，半導(dǎo)體襯底21可以包括硅襯底、鍺硅襯底之類。層間電介質(zhì)層22可以包括諸如BPSG的硅氧化物。盡管未示出，在形成層間電介質(zhì)層22之前，可以在半導(dǎo)體襯底21上額外執(zhí)行用于形成晶體管和導(dǎo)線的工藝。接觸插塞23可經(jīng)由限定在層間電介質(zhì)層22中的接觸孔而與形成在半導(dǎo)體襯底21中的雜質(zhì)區(qū)域（未示出）連接?？梢酝ㄟ^在接觸孔中形成導(dǎo)電層且隨后將導(dǎo)電層平坦化直到暴露出層間電介質(zhì)層22的上表面來形成接觸插塞23。接觸插塞23可以包括金屬層、金屬氮化物層、貴金屬層、難熔金屬層、多晶硅之類。在包括接觸插塞23的層間電介質(zhì)層22上形成刻蝕停止層24?？涛g停止層24可以包括電介質(zhì)物質(zhì)。例如，刻蝕停止層24可以包括諸如氮化硅的氮化物。在刻蝕停止層24上形成模具層25。模具層25是為了形成下電極（或儲存節(jié)點）而提供的物質(zhì)。模具層25包括相對于刻蝕停止層24具有高刻蝕選擇性的物質(zhì)。此外，模具層25包括可經(jīng)由濕法刻蝕而容易去除的物質(zhì)。例如，模具層25可以包括諸如硅氧化物的氧化物。在另一個實施例中，模具層25可以包括多層的氧化物。例如，模具層25可以包括BPSG、USG、PETEOS、PSG、HDP之類。在另一個實施例中，模具層25可以包括含硅物質(zhì)。例如，模具層25可以包括多晶硅層或鍺硅層。在模具層25上形成支撐層26。支撐層26可以包括諸如氮化硅的氮化物。支撐層26防止下電極在后續(xù)的全浸出工藝中傾斜。支撐層26可以包括相對于模具層25具有高刻蝕選擇性的物質(zhì)。在將模具層25形成為氧化硅層的情況下，可以將支撐層26形成為氮化硅層。然而，支撐層26的物質(zhì)不限于上述材料。接下來，在支撐層26之上形成硬掩模圖案27?？梢允褂玫谝还庵驴刮g劑圖案28來形成硬掩模圖案27。硬掩模圖案27可以包括氮化硅層、非晶碳之類。參照圖2B，在剝離第一光致抗蝕劑圖案28之后，使用硬掩模圖案27作為刻蝕阻擋層來刻蝕支撐層26。接著，通過刻蝕模具層25來限定出開口部分29，以暴露出接觸插塞23。開口部分29分別暴露出接觸插塞23的表面。開口部分29可具有接觸孔的形狀。為了限定開口部分29，可以刻蝕支撐層26和模具層25，直到停止在刻蝕停止層24，隨后，可刻蝕所述刻蝕停止層24。因此，在刻蝕停止層24A、模具層25A和支撐層26A的層疊結(jié)構(gòu)中限定出開口部分29。在后續(xù)工藝中在開口部分29中形成下電極。接下來，去除硬掩模圖案27。參照圖2C，在開口部分29中形成下電極30。下電極30可以是筒型或柱型。此處，下電極30將稱為筒型下電極。為了形成下電極30，可在包括開口部分29的整個表面上沉積第一導(dǎo)電層，且隨后可以執(zhí)行下電極分離工藝。作為下電極30的第一導(dǎo)電層可以形成為金屬層、金屬氮化物層或?qū)盈B有金屬層和金屬氮化物層的疊層?？山?jīng)由化學(xué)氣相沉積（CVD）或原子層沉積（ALD）來形成第一導(dǎo)電層。例如，可將下電極30形成為層疊有鈦層和氮化鈦層的疊層。由于下電極30為筒型，因此下電極30具有內(nèi)壁和外壁，且相鄰的下電極30的上端部的外壁由支撐層26A來固定。參照圖2D，在包括下電極30的整個表面之上順序地形成第一電介質(zhì)層31和第二導(dǎo)電層32。第二導(dǎo)電層32成為第一上電極。第二導(dǎo)電層32包括金屬氮化物層。例如，第二導(dǎo)電層32可以包括氮化鈦層（TiN）。第二導(dǎo)電層32填充在第一電介質(zhì)層31之上的下電極30的筒中。參照圖2E，在第二導(dǎo)電層32上形成氮化物浮置電容器（NitrideFloatingCapacitor,NFC）掩模33。NFC掩模33是用于選擇性地刻蝕支撐層26A的一部分的掩模。使用NFC掩模33作為刻蝕阻擋層來刻蝕第二導(dǎo)電層32和第一電介質(zhì)層31，接著，刻蝕支撐層26A的部分。因此，限定出后續(xù)化學(xué)品要流經(jīng)的穿通孔洞34。穿通孔洞34用作使化學(xué)品通過的路徑，以去除模具層25A。可選擇性地控制穿通孔洞34的數(shù)目。通過以此方式限定出穿通孔洞34，第二導(dǎo)電層32變?yōu)榈谝簧想姌O32A。第一上電極32A包括填充筒型下電極30的柱體部分32B，并覆蓋筒型下電極30的上部部分。在限定出穿通孔洞34之后，第一電介質(zhì)層31保留下來，如附圖標記31A所標示的。由于第一上電極32A的柱體部分32B填充下電極30，因此支撐力增加。參照圖2F，去除NFC掩模33。完全去除經(jīng)由穿通孔洞34暴露出的模具層25A。為此，執(zhí)行全浸出工藝。可使用濕化學(xué)品來執(zhí)行全浸出工藝。不去除下電極30、第一電介質(zhì)層31A和第一上電極32A。具體地，由于使用類似模具層25A的氧化物的第一電介質(zhì)層31A被插入在下電極30與第一上電極32A之間且未暴露于化學(xué)品中，因而第一電介質(zhì)層31A未被刻蝕。同樣地，接觸插塞23并未受損，因為存在刻蝕停止層24A。此處，全浸出工藝可以使用基于氫氟酸的化學(xué)品。由于如上所述完全去除模具層25A，因此在下電極30的外部限定出空白空間（emptyspace）35。由于第一電介質(zhì)層31A和第一上電極32A的柱體部分32B填充在下電極30中，因此獲得了用于防止下電極30傾斜或彎曲的結(jié)構(gòu)。換言之，由于第一電介質(zhì)層31A和第一上電極32A填充在下電極30的筒中，因此即使在執(zhí)行全浸出工藝時也能防止下電極30傾斜或彎曲。參照圖2G，形成第二電介質(zhì)層36。在下電極30的外壁上形成第二電介質(zhì)層36。同樣地，第二電介質(zhì)層36也形成在第一上電極32A上。隨后，在第二電介質(zhì)層36上形成第三導(dǎo)電層37。第三導(dǎo)電層37可以包括金屬氮化物。例如，第三導(dǎo)電層37可以包括氮化鈦。第三導(dǎo)電層37被形成在第二電介質(zhì)層36上，同時填充位于下電極30之間的空間。由于第二電介質(zhì)層36的存在，第三導(dǎo)電層37并未與第一上電極32A連接。參照圖2H，將第三導(dǎo)電層37平坦化。因此，可以去除存在于第一上電極32A上的第三導(dǎo)電層37和第二電介質(zhì)層36的部分。執(zhí)行平坦化工藝直到暴露出第一上電極32A的表面。因此，第三導(dǎo)電層37保留在下電極30的外部，即保留在下電極30之間，并稱為第二上電極37A。第二上電極37A包括填充在穿通孔洞34中的連接部分37B。第二上電極37A具有用于包圍下電極30的外壁的形狀。在平坦化之后，第二電介質(zhì)層36保留下來，如附圖標記36A所標示的。參照圖2I，通過形成第四導(dǎo)電層和隨后將第四導(dǎo)電層圖案化來形成第三上電極38?？赏ㄟ^層疊鍺硅層38A和鎢層38B來形成第三上電極38，從而降低電阻。第三上電極38與第一上電極32A和第二上電極37A電連接。第二上電極37A經(jīng)由連接部分37B與第三上電極38電連接，且第一上電極32A和第三上電極38彼此直接連接。圖3A是說明根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的電容器的截面圖。圖3B是沿著圖3A的線A-A’截取的截面圖。參照圖3A和圖3B，在半導(dǎo)體襯底41上形成有層間電介質(zhì)層42。在限定于層間電介質(zhì)層42中的接觸孔中形成有多個接觸插塞43。在接觸插塞43上分別形成有筒型下電極49。在下電極49的下端部的外壁上形成有刻蝕停止層44A。在下電極49中形成有第一上電極51A。第一上電極51A可以包括填充下電極49的柱體部分51B。在第一上電極51A與下電極49之間形成有第一電介質(zhì)層50A。在下電極49的外部，即在下電極49之間形成有第二上電極56A。第二上電極56A具有用于包圍下電極49的外壁的形狀。第二上電極56A可以包括連接部分56B。在第二上電極56A與下電極49之間形成有第二電介質(zhì)層55A。在第一上電極51A和第二上電極56A之上形成有第三上電極57。第二上電極56A的連接部分56B和第一上電極51A經(jīng)由第三上電極57彼此連接?？赏ㄟ^層疊鍺硅層57A和鎢層57B來形成第三上電極57。根據(jù)圖3A和圖3B，在筒型下電極49中形成有第一上電極51A，在筒型下電極49的外部形成有第二上電極56A，且在第二上電極56A上形成有第三上電極57。第二上電極56A具有用于包圍筒型下電極49的外壁的形狀。第三上電極57將第一上電極51A與第二上電極56A電連接。如上文所述，在根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的電容器中，由第一至第三上電極51A、56A及57組成上電極。第一上電極51A用作支柱/支撐，以用于防止下電極49傾斜或彎曲。更具體地，由于第一上電極51A的柱體部分51B填充下電極49，因此支撐力增加。此外，由于支撐力通過第一上電極51A的柱體部分51B而增加，因此可以減小下電極49的厚度。圖4A至圖4I是說明制造根據(jù)本發(fā)明的第二實施例的電容器的方法的截面圖。參照圖4A，在半導(dǎo)體襯底41之上形成穿通層間電介質(zhì)層42的多個接觸插塞43。半導(dǎo)體襯底41包括含硅物質(zhì)。例如，半導(dǎo)體襯底41可以包括硅襯底或鍺硅襯底之類。層間電介質(zhì)層42可以包括諸如BPSG的氧化硅。雖然未示出，在形成層間電介質(zhì)層42之前，可以在半導(dǎo)體襯底41上額外執(zhí)行用于形成晶體管和導(dǎo)線的工藝。接觸插塞43可經(jīng)由限定在層間電介質(zhì)層42中的接觸孔而連接至形成在半導(dǎo)體襯底41中的雜質(zhì)區(qū)域（未示出）。可以通過在接觸孔中形成導(dǎo)電層且隨后將導(dǎo)電層平坦化直到暴露出層間電介質(zhì)層42的上表面，來形成接觸插塞43。接觸插塞43可以包括金屬層、金屬氮化物層、貴金屬層、難熔金屬層、多晶硅之類。在包括接觸插塞43的層間電介質(zhì)層42之上形成刻蝕停止層44?？涛g停止層44可包電介質(zhì)物質(zhì)。例如，刻蝕停止層44可以包括例如氮化硅的氮化物。在刻蝕停止層44上形成模具層45。模具層45是為了形成下電極（或儲存節(jié)點）而提供的物質(zhì)。模具層45包括相對于刻蝕停止層44具有高刻蝕選擇性的物質(zhì)。同樣地，模具層45包括可經(jīng)由濕法刻蝕而容易去除的物質(zhì)。例如，模具層45可包括例如硅氧化物的氧化物。在另一個實施例中，模具層45可以包括多層的氧化物。例如，模具層45可以包括BPSG、USG、PETEOS、PSG、HDP之類。在另一個實施例中，模具層45可以包括含硅物質(zhì)。例如，模具層45可以包括多晶硅層或鍺硅層。在模具層45上形成硬掩模圖案46?？梢允褂玫谝还庵驴刮g劑圖案47來形成硬掩模圖案46。硬掩模圖案46可以包括氮化硅層、非晶碳之類。參照圖4B，在剝離第一光致抗蝕劑圖案47后，使用硬掩模圖案46作為刻蝕阻擋層來刻蝕模具層45和刻蝕停止層44。因而，限定出開口部分48，以暴露出接觸插塞43。開口部分48暴露出接觸插塞43的表面。開口部分48可以具有接觸孔的形狀。為了限定開口部分48，可以刻蝕模具層45，直到停止在刻蝕停止層44，且隨后，可以刻蝕所述刻蝕停止層44。因此，在刻蝕停止層44A和模具層45A的層疊結(jié)構(gòu)中限定出開口部分48。在后續(xù)工藝中，在開口部分48中形成下電極。接下來，去除硬掩模圖案46。參照圖4C，在開口部分48中形成下電極49。下電極49可以是筒型或柱型。在下文，在本實施例中，下電極49將稱為筒型下電極。為了形成下電極49，可以在包括開口部分48的整個表面上沉積第一導(dǎo)電層，且隨后可以執(zhí)行下電極分離工藝。作為下電極49的第一導(dǎo)電層可以形成為金屬層、金屬氮化物層或?qū)盈B有金屬層和金屬氮化物層的疊層。可經(jīng)由化學(xué)氣相沉積（CVD）或原子層沉積（ALD）來形成第一導(dǎo)電層。例如，下電極49可形成為層疊有鈦層和氮化鈦層的疊層。由于下電極49為筒型，因此下電極49具有內(nèi)壁和外壁。參照圖4D，在包括下電極49的整個表面之上順序地形成第一電介質(zhì)層50和第二導(dǎo)電層51。第二導(dǎo)電層51變?yōu)榈谝簧想姌O。第二導(dǎo)電層51包括金屬氮化物層。例如，第二導(dǎo)電層51可以包括氮化鈦層（TiN）。第二導(dǎo)電層51填充在第一電介質(zhì)層50之上的下電極49的圓筒中。參照圖4E，在第二導(dǎo)電層51上形成第二光致抗蝕劑圖案52。第二光致抗蝕劑圖案52是用于選擇性刻蝕第二導(dǎo)電層51的一部分的掩模。使用第二光致抗蝕劑圖案52作為刻蝕阻擋層來刻蝕第二導(dǎo)電層51和第一電介質(zhì)層50。因此，限定出后續(xù)的化學(xué)品要流經(jīng)的穿通孔洞53。使用穿通孔洞53作為化學(xué)品流經(jīng)的路徑，以去除模具層45A?？梢赃x擇性地控制穿通孔洞53的數(shù)目。通過以此方式限定出穿通孔洞53，第二導(dǎo)電層51成為第一上電極51A。第一上電極51A包括填充筒型下電極49的柱體部分51B，并覆蓋筒型下電極49的上部部分。此處，在形成穿通孔洞53之后，第一電介質(zhì)層50保留下來，如附圖標記50A所標示的。由于第一上電極51A的柱體部分51B填充下電極49，因此支撐力增加。參照圖4F，在去除第二光致抗蝕劑圖案52之后，完全去除經(jīng)由穿通孔洞53暴露出的模具層45A。為此，執(zhí)行全浸出工藝?？梢允褂脻窕瘜W(xué)品來執(zhí)行全浸出工藝。下電極49、第一電介質(zhì)層50A和第一上電極51A并未去除。具體地，由于使用類似模具層45A的氧化物的第一電介質(zhì)層50A被插入在下電極49與第一上電極51A之間且未暴露于化學(xué)品中，因而第一電介質(zhì)層50A未被刻蝕。同樣地，接觸插塞43并未受損，因為存在刻蝕停止層44A。此處，全浸出工藝可以使用基于氫氟酸的化學(xué)品。由于如上所述完全去除模具層45A，因此在下電極49的外部限定出空白空間54。由于第一電介質(zhì)層50A和第一上電極51A的柱體部分51B填充在下電極49中，因此獲得了用于防止下電極49傾斜或彎曲的結(jié)構(gòu)。換言之，由于第一電介質(zhì)層50A和第一上電極51A填充在下電極49的圓筒中，因此即使在執(zhí)行全浸出工藝時也能防止下電極49傾斜或彎曲。參照圖4G，形成第二電介質(zhì)層55。在下電極49的外壁上形成第二電介質(zhì)層55。同樣地，在第一上電極51A上形成第二電介質(zhì)層55。隨后，在第二電介質(zhì)層55上形成第三導(dǎo)電層56。第三導(dǎo)電層56可以包括金屬氮化物。例如，第三導(dǎo)電層56可以包括氮化鈦。第三導(dǎo)電層56被形成在第二電介質(zhì)層55上，同時填充位于下電極49之間的空間。由于第二電介質(zhì)層55的存在，第三導(dǎo)電層56并未與第一上電極51A連接。參照圖4H，將第三導(dǎo)電層56平坦化。因此，可以去除存在于第一上電極51A上的第三導(dǎo)電層56和第二電介質(zhì)層55的部分。執(zhí)行平坦化工藝，直到暴露出第一上電極51A的表面。因此，第三導(dǎo)電層56保留在下電極49的外部，即位于下電極49之間，并且稱為第二上電極56A。第二上電極56A包括填充在穿通孔洞53中的連接部分56B。第二上電極56A具有用于包圍下電極49的外壁的形狀。在平坦化之后，第二電介質(zhì)層55保留下來，如附圖標記55A所標示的。參照圖4I，通過形成第四導(dǎo)電層并隨后將第四導(dǎo)電層圖案化來形成第三上電極57?？梢酝ㄟ^層疊鍺硅層57A和鎢層57B來形成第三上電極57，由此降低電阻。第三上電極57與第一上電極51A和第二上電極56A電連接。第二上電極56A經(jīng)由連接部分56B與第三上電極57電連接，且第一上電極51A與第三上電極57例如彼此直接連接。如從以上描述可知的，在本發(fā)明的實施例中，由于預(yù)先在筒型下電極中形成柱型上電極，因而防止下電極在后續(xù)的浸出工藝中傾斜或彎曲。此外，由于支撐力因為柱型上電極的存在而增加，因此可以減小下電極的厚度。雖然已經(jīng)參照具體的實施例描述了本發(fā)明，但是對于本領(lǐng)域技術(shù)人員明顯的是，在不脫離所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以進行各種變化和修改。