技術(shù)特征：
1.一種用于提供導(dǎo)電接觸層的材料，所述材料包含基體材料，所述基體材料為Ag、Cu、Ni、Co中的任意一種、其任意一種的第一金屬鹽或其任意一種或多種的合金，其中所述材料還包含：在0.01at.％至10at.％的范圍內(nèi)的In及在0.01at.％至10at.％的范圍內(nèi)的選自包括Au、Ag、Pd、Pt、Rh、Ir、Ru、Os、Re或其任意組合的組的至少一種不同于所述基體材料的元素。2.如權(quán)利要求1所述的材料，其中所述材料包含小于5at.％或5at.％的In及小于5at.％或5at.％的選自包括Au、Ag、Pd、Pt、Rh、Ir、Ru、Os、Re或其任意組合的組的所述至少一種不同于所述基體材料的元素。3.如權(quán)利要求1所述的材料，其中所述材料包含在80at.％至99.8at.％的范圍內(nèi)的所述基體材料，使得所述材料中的所有成分的總和為100at.％。4.如權(quán)利要求2所述的材料，其中所述材料包含在80at.％至99.8at.％的范圍內(nèi)的所述基體材料，使得所述材料中的所有成分的總和為100at.％。5.如前述權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的材料，其中所述基體材料為Ag。6.如權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的材料，其中所述材料還包含至少0.01at.％的第二金屬鹽，所述第二金屬鹽是金屬鹵化物或金屬硫化物。7.如權(quán)利要求6所述的材料，其中所述第二金屬鹽包含以下金屬中的一種或多種：Ag、Sn和Cu。8.如權(quán)利要求6所述的材料，其中所述第二金屬鹽為包括以下鹵化物中的一種或多種的金屬鹵化物：碘化物、氯化物和溴化物。9.如權(quán)利要求7所述的材料，其中所述第二金屬鹽為包括以下鹵化物中的一種或多種的金屬鹵化物：碘化物、氯化物和溴化物。10.一種用于提供導(dǎo)電接觸層的材料，所述材料包含基體材料，所述基體材料為Ag、Cu、Ni、Co中的任意一種、其任意一種的第一金屬鹽或其任意一種或多種的合金，其中所述材料還包含：在0.01at.％至10at.％的范圍內(nèi)的In、在0.01at.％至10at.％的范圍內(nèi)的Sn以及在0.01at.％至10at.％的范圍內(nèi)的選自包括Au、Ag、Pd、Pt、Rh、Ir、Ru、Os、Re或其任意組合的組的至少一種不同于所述基體材料的元素。11.如權(quán)利要求10所述的材料，其中所述材料包含小于5at.％或5at.％的In、小于10at.％或10at.％的Sn以及小于5at.％或5at.％的選自包括Au、Ag、Pd、Pt、Rh、Ir、Ru、Os、Re或其任意組合的組的所述至少一種不同于所述基體材料的元素。12.如權(quán)利要求10所述的材料，其中所述材料包含在70at.％至99.7at.％的范圍內(nèi)的所述基體材料，使得所述材料中的所有成分的總和為100at.％。13.如權(quán)利要求11所述的材料，其中所述材料包含在70at.％至99.7at.％的范圍內(nèi)的所述基體材料，使得所述材料中的所有成分的總和為100at.％。14.如前述權(quán)利要求10-13中任一項(xiàng)所述的材料，其中所述基體材料為Ag。15.如權(quán)利要求10-13中任一項(xiàng)所述的材料，其中所述材料還包含至少0.01at.％的第二金屬鹽，所述第二金屬鹽是金屬鹵化物或金屬硫化物。16.如權(quán)利要求15所述的材料，其中所述第二金屬鹽包含以下金屬中的一種或多種：Ag、Sn和Cu。17.如權(quán)利要求15所述的材料，其中所述第二金屬鹽為包括以下鹵化物中的一種或多種的金屬鹵化物：碘化物、氯化物和溴化物。18.如權(quán)利要求16所述的材料，其中所述第二金屬鹽為包括以下鹵化物中的一種或多種的金屬鹵化物：碘化物、氯化物和溴化物。19.一種用于提供導(dǎo)電接觸層的材料，所述材料包含基體材料，所述基體材料為Ag、Cu、Ni、Co中的任意一種、其任意一種的第一金屬鹽或其任意一種或多種的合金，其中所述材料還包含：在0.01at.％至10at.％的范圍內(nèi)的Sn和在0.01at.％至10at.％的范圍內(nèi)的選自包括Au、Ag、Pd、Pt、Rh、Ir、Ru、Os或其任意組合的組的至少一種不同于所述基體材料的元素。20.如權(quán)利要求19所述的材料，其中所述材料包含小于10at.％或10at.％的Sn和小于5at.％或5at.％的選自包括Au、Ag、Pd、Pt、Rh、Ir、Ru、Os或其任意組合的組的所述至少一種不同于所述基體材料的元素。21.如權(quán)利要求19所述的材料，其中所述材料包含在80at.％至99.8at.％的范圍內(nèi)的所述基體材料，使得所述材料中的所有成分的總和為100at.％。22.如權(quán)利要求20所述的材料，其中所述材料包含在80at.％至99.8at.％的范圍內(nèi)的所述基體材料，使得所述材料中的所有成分的總和為100at.％。23.如前述權(quán)利要求19-22中任一項(xiàng)所述的材料，其中所述基體材料為Ag。24.如權(quán)利要求19-22中任一項(xiàng)所述的材料，其中所述材料還包含至少0.01at.％的第二金屬鹽，所述第二金屬鹽是金屬鹵化物或金屬硫化物。25.如權(quán)利要求24所述的材料，其中所述第二金屬鹽包含以下金屬中的一種或多種：Ag、Sn和Cu。26.如權(quán)利要求24所述的材料，其中所述第二金屬鹽為包括以下鹵化物中的一種或多種的金屬鹵化物：碘化物、氯化物和溴化物。27.如權(quán)利要求25所述的材料，其中所述第二金屬鹽為包括以下鹵化物中的一種或多種的金屬鹵化物：碘化物、氯化物和溴化物。28.一種用于提供導(dǎo)電接觸層的材料，所述材料包含Sn的基體材料、其第一金屬鹽或其合金，其中所述材料還包含：在0.01at.％至10at.％的范圍內(nèi)的In和在0.01at.％至10at.％的范圍內(nèi)的選自包括Au、Pd、Pt、Rh、Ir、Ru、Os或其任意組合的組的至少一種元素。29.如權(quán)利要求28所述的材料，其中所述材料包含在80at.％至99.8at.％的范圍內(nèi)的所述基體材料，使得所述材料中的所有成分的總和為100at.％。30.如權(quán)利要求28-29中任一項(xiàng)所述的材料，其中所述材料還包含至少0.01at.％的第二金屬鹽，所述第二金屬鹽是金屬鹵化物或金屬硫化物。31.如權(quán)利要求30所述的材料，其中所述第二金屬鹽包含以下金屬中的一種或多種：Ag、Sn和Cu。32.如權(quán)利要求30所述的材料，其中所述第二金屬鹽為包括以下鹵化物中的一種或多種的金屬鹵化物：碘化物、氯化物和溴化物。33.如權(quán)利要求31所述的材料，其中所述第二金屬鹽為包括以下鹵化物中的一種或多種的金屬鹵化物：碘化物、氯化物和溴化物。34.一種導(dǎo)電接觸元件(2)，所述導(dǎo)電接觸元件(2)包括襯底(4)和涂覆在其上的接觸層(6)，所述接觸層(6)包含如前述權(quán)利要求1-33中任一項(xiàng)所述的材料。35.如權(quán)利要求34所述的導(dǎo)電接觸元件(2)，所述導(dǎo)電接觸元件(2)還包括沉積在所述接觸層(6)上的外部保護(hù)層(8)，所述外部保護(hù)層(8)包含Si、O和C。36.如權(quán)利要求34所述的導(dǎo)電接觸元件(2)，所述導(dǎo)電接觸元件(2)還包括沉積在所述接觸層上的外部保護(hù)層(8)，所述外部保護(hù)層(8)包含氧化銦和氧化錫。37.一種用于提供導(dǎo)電接觸元件(2)的方法，所述方法包括以下步驟：提供(102)襯底(4)；且為所述襯底提供(104)接觸層(6)，其中所述接觸層包含如權(quán)利要求1-33中任一項(xiàng)所述的材料。38.如權(quán)利要求37所述的方法，其中所述接觸層通過物理氣相沉積從包含如權(quán)利要求1-33中任一項(xiàng)所述的材料的靶材料被涂覆到所述襯底上。39.如權(quán)利要求37-38中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述方法還包括以下步驟：用外部保護(hù)層(8)涂覆所述接觸層(6)的表面，所述外部保護(hù)層(8)通過由Si、O和C組成的聚合物涂層或通過由氧化銦和氧化錫組成的金屬氧化物的PVD或CVD所產(chǎn)生。40.如權(quán)利要求1-33中任一項(xiàng)所述的材料作為導(dǎo)電接觸元件(2)的接觸層(6)的用途。41.如權(quán)利要求1-33中任一項(xiàng)所述的材料作為用于通過物理氣相沉積進(jìn)行沉積的靶材料的用途。