本發(fā)明的實施方案涉及電子系統(tǒng)，并且更具體來說，涉及集成電子系統(tǒng)的保護電路。

背景技術(shù)：
某些電子系統(tǒng)可能遭受具有快速變化的電壓和高功率的相對較短的持續(xù)時間的瞬態(tài)電事件或電信號。例如，瞬態(tài)電事件可以包括起因于從物體或人突然釋放電荷到電子系統(tǒng)的靜電放電(ESD)事件。例如，瞬態(tài)電事件也可以包括產(chǎn)生于將變化的電流遞送到電感負載的電壓尖峰、通過電磁電感耦合接收的信號，或起因于啟動電機的瞬態(tài)電事件（例如，產(chǎn)生于啟動汽車發(fā)動機的負載突降瞬態(tài)電事件）。由于在相對較小區(qū)域的IC上的過電壓狀態(tài)和/或高電平的功耗，瞬態(tài)電事件可能損壞電子系統(tǒng)內(nèi)的集成電路(IC)。高功耗可能增加IC溫度，并且可能導致眾多問題，例如，柵氧化層穿通現(xiàn)象、結(jié)損害、金屬損傷和表面電荷積累。此外，瞬態(tài)電事件可能引起閉鎖（換句話說，無意形成低阻抗路徑），由此干擾IC的運行并且可能由于在閉鎖電流路徑中自加熱而導致對IC的永久性損傷。需要某些集成電路（例如，用于汽車信號調(diào)節(jié)和傳感應用的集成電路）來容許相對較高水平的過電壓應力，以及在輸入引腳和/或輸出引腳處的假條件（例如，電池短路條件）。因此，需要為IC提供防御此類瞬態(tài)電事件的保護。此外，需要一種保護組件，其提供非對稱電流相對于電壓特性并且能夠安全地承受在相對嚴厲的汽車環(huán)境應用中遇到的過電壓應力和假條件。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
在一個實施方案中，一種裝置包括半導體襯底，其包括第一p阱和鄰近第一p阱的第二p阱。第一p阱與第二p阱由n型區(qū)分離。第一n型有源區(qū)安置在第一p阱上面并且電連接到第一高反向阻斷電壓(HRBV)設備的陰極。第一p型有源區(qū)安置在第二p阱上面并且電連接到第一HRBV設備的陽極。第一n型有源區(qū)、第一p阱和n型區(qū)被配置成分別操作為NPN雙極晶體管的發(fā)射極、基極和集電極，并且第二p阱、n型區(qū)和第一p阱被配置成分別操作為PNP雙極晶體管的發(fā)射極、基極和集電極。NPN雙極晶體管定義第一HRBV設備的正向觸發(fā)電壓，并且PNP雙極晶體管定義第一HRBV設備的反向擊穿電壓。裝置被配置成提供防御瞬態(tài)電事件的保護。在另一實施方案中，一種用于提供防御瞬態(tài)電事件的保護的方法包括：提供半導體襯底，在襯底中形成第一p阱，在襯底中形成鄰近第一p阱的第二p阱以使得第一p阱與第二p阱由n型區(qū)分離，在第一p阱上面形成第一n型有源區(qū)，以及在第二p阱上面形成第一p型有源區(qū)。第一n型有源區(qū)電連接到第一高反向阻斷電壓(HRBV)設備的陰極，并且第一p型有源區(qū)電連接到第一HRBV設備的陽極。第一n型有源區(qū)、第一p阱和n型區(qū)被配置成分別操作為NPN雙極晶體管的發(fā)射極、基極和集電極，并且第二p阱、n型區(qū)和第一p阱被配置成分別操作為PNP雙極晶體管的發(fā)射極、基極和集電極。NPN雙極晶體管定義第一HRBV設備的正向觸發(fā)電壓，并且PNP雙極晶體管定義第一HRBV設備的反向擊穿電壓。在另一實施方案中，一種裝置包括半導體襯底，其包括第一阱和鄰近第一阱的第二阱。第一阱和第二阱具有第一類型的摻雜并且由具有與第一類型相反的第二類型的摻雜的摻雜區(qū)分離。第一有源區(qū)在第一阱上面，并且具有第二類型的摻雜。第一有源區(qū)電連接到第一高反向阻斷電壓(HRBV)設備的第一端子。第二有源區(qū)在第二阱上面，并且具有第一類型的摻雜。第二有源區(qū)電連接到第一HRBV設備的第二端子。第一有源區(qū)、第一阱和摻雜區(qū)被配置成分別操作為第一雙極晶體管的發(fā)射極、基極和集電極，并且第二阱、摻雜區(qū)和第一阱被配置成分別操作為第二雙極晶體管的發(fā)射極、基極和集電極。第一雙極晶體管定義第一HRBV設備的正向觸發(fā)電壓，并且第二雙極晶體管定義第一HRBV設備的反向擊穿電壓。裝置被配置成提供防御瞬態(tài)電事件的保護。在另一實施方案中，一種用于提供防御瞬態(tài)電事件的保護的方法包括：提供半導體襯底，在襯底中形成第一阱，以及在襯底中形成鄰近第一阱的第二阱以使得第一阱與第二阱由摻雜區(qū)分離。第一阱和第二阱具有第一類型的摻雜，并且摻雜區(qū)具有與第一類型相反的第二類型的摻雜。方法進一步包括在第一阱上面形成第一有源區(qū)，第一有源區(qū)具有第二類型的摻雜并且電連接到第一高反向阻斷電壓(HRBV)設備的第一端子。方法進一步包括在第二阱上面形成第二有源區(qū)，第二有源區(qū)具有第一類型的摻雜并且電連接到第一HRBV設備的第二端子。第一有源區(qū)、第一阱和摻雜區(qū)被配置成分別操作為第一雙極晶體管的發(fā)射極、基極和集電極，并且第二阱、摻雜區(qū)和第一阱被配置成分別操作為第二雙極晶體管的發(fā)射極、基極和集電極。第一雙極晶體管定義第一HRBV設備的正向觸發(fā)電壓，并且第二雙極晶體管定義第一HRBV設備的反向擊穿電壓。附圖說明圖1為包括集成電路(IC)和保護系統(tǒng)的電子系統(tǒng)的一個實例的示意性方框圖。圖2為根據(jù)一個實施方案的IC保護電路電流相對于瞬態(tài)電事件電壓的曲線圖。圖3為根據(jù)一個實施方案的襯墊保護電路的示意性方框圖。圖4A為根據(jù)另一實施方案的IC保護電路電流相對于瞬態(tài)電事件電壓的曲線圖。圖4B為根據(jù)又一實施方案的IC保護電路電流相對于瞬態(tài)電事件電壓的曲線圖。圖5為高反向阻斷電壓(HRBV)設備的一個實施方案的帶注釋的截面。圖6為圖5的HRBV設備的等效電路圖。圖7為HRBV設備的另一實施方案的截面。圖8為HRBV設備的另一實施方案的帶注釋的截面。圖9為圖8的HRBV設備的等效電路圖。圖10為HRBV設備的另一實施方案的截面。圖11A為根據(jù)一個實施方案的使用保護電路的輸入驅(qū)動器的示意圖。圖11B為用于圖11A的輸入驅(qū)動器的保護電路的一個實例的示意圖。圖11C為圖11B的保護電路的一個實例的傳輸線脈沖(TLP)實驗數(shù)據(jù)的曲線圖。圖12為用于圖11B的保護電路的MOSPNP設備的實例的截面。圖13A為根據(jù)一個實施方案的使用保護電路的輸出驅(qū)動器的示意圖。圖13B為用于圖13A的輸出驅(qū)動器的保護電路的一個實例的示意圖。圖13C為圖13B的保護電路的一個實例的傳輸線脈沖(TLP)實驗數(shù)據(jù)的曲線圖。圖13D為圖13A的保護電路的另一實例的示意圖。圖13E為圖13D的保護電路的一個實例的傳輸線脈沖(TLP)實驗數(shù)據(jù)的曲線圖。圖14為用于圖13D的保護電路的P-MOS可控硅整流器(SCR)設備的帶注釋的截面。圖15為圖14的P-MOSSCR設備的等效電路圖。具體實施方式某些實施方案的以下詳細描述提供本發(fā)明的具體實施方案的各種描述。然而，本發(fā)明可以用由權(quán)利要求書定義和覆蓋的多種不同的方法來實施。在這個描述中，參考附圖，其中相似的參考數(shù)字指示相同或功能類似的元件。某些電子系統(tǒng)被配置成保護其中的電路或組件不受瞬態(tài)電事件。此外，為了幫助保證電子系統(tǒng)為可靠的，制造商可以在規(guī)定的應力條件下測試電子系統(tǒng)，這些應力條件可以由各種組織設置的標準來描述，例如，聯(lián)合電子設備工程委員會(JEDEC)、國際電工委員會(IEC)和汽車工程委員會(AEC)。標準可以覆蓋如上所述的大量瞬態(tài)電事件，包括ESD事件?？梢酝ㄟ^將襯墊保護電路提供到IC的襯墊（pad）來提高電子電路可靠性。在本文件中此襯墊保護電路也可以一般稱為“IC保護電路”。襯墊保護電路可以將襯墊處的電壓電平保持在預定義的安全范圍內(nèi)。在某些應用中，可能期望襯墊保護電路呈現(xiàn)雙向操作以使得在瞬態(tài)電事件的電壓超過在正向上的正向觸發(fā)電壓或低于在逆向上的反向觸發(fā)電壓時，襯墊保護電路從高阻抗狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榈妥杩範顟B(tài)。襯墊保護電路可以被配置成在處于低阻抗狀態(tài)時分路與瞬態(tài)電事件相關(guān)聯(lián)的一部分電流，以便防止瞬態(tài)電事件的電壓到達與損壞IC相關(guān)聯(lián)的正向或反向破壞電壓。如后面參照圖2詳細地描述，對于具有正電壓的瞬態(tài)電事件，只要瞬態(tài)電事件電壓保持高于正向保持電壓，襯墊保護電路就可以保持處于低阻抗狀態(tài)。同樣地，對于負瞬態(tài)信號事件，只要瞬態(tài)電事件電壓保持低于反向保持電壓，襯墊保護電路就可以保持低阻抗狀態(tài)。需要一種襯墊保護電路，其可以用于提供防御負瞬態(tài)信號和正瞬態(tài)信號的瞬態(tài)電事件保護，并且可以具有快速操作性能、低靜態(tài)功耗和小的電路面積。此外，需要一種襯墊保護電路，其可以提供非對稱雙向瞬態(tài)電事件保護。例如，這些特性在IC中可以是可取的以用于具有零缺陷的目標并且通過嚴厲的測試條件（例如，輸入和/或輸出電池短路條件）所需的某些汽車、醫(yī)療和工業(yè)過程，以便最小化可能由IC失效引起的對人類健康或生命的風險。具有保護系統(tǒng)的電子系統(tǒng)的概述圖1為電子系統(tǒng)10的示意性方框圖，電子系統(tǒng)10可以包括根據(jù)一些實施方案的一個或多個襯墊保護電路。說明性電子系統(tǒng)10包括集成電路(IC)1，其包括保護系統(tǒng)2、內(nèi)部電路3和引腳或襯墊4-7。內(nèi)部電路3可以電連接到襯墊4-7中的一個或多個。例如，襯墊4-7中的每個可以是電源襯墊、接地襯墊、輸入襯墊、輸出襯墊或雙向襯墊中的一個。IC1可能遭受瞬態(tài)電事件（例如，ESD事件），其可能導致IC損壞并且引起閉鎖。例如，襯墊5可以接收瞬態(tài)電事件14，其可以沿著IC1的電連接行進并且到達內(nèi)部電路3。瞬態(tài)電事件14可能產(chǎn)生過電壓狀態(tài)并且可能耗散高電平的功率，這可能干擾內(nèi)部電路3的運行并且可能導致永久性損傷。在一些實施方案中，通過將IC1的襯墊處的電壓電平保持在特定范圍的電壓（這個電壓可以在不同襯墊中變化）內(nèi)，可以提供保護系統(tǒng)2以確保IC1的可靠性。保護系統(tǒng)2可以包括一個或多個襯墊保護電路，例如，襯墊保護電路15a-15c。襯墊保護電路15a-15c可以被配置成將與在IC的襯墊上接收的瞬態(tài)電事件相關(guān)聯(lián)的電流轉(zhuǎn)移到其他節(jié)點或IC的襯墊，由此提供瞬態(tài)電事件保護，如下文進一步詳細地描述。例如，襯墊保護電路可以放置在電源襯墊與輸入襯墊之間、電源襯墊與輸出襯墊之間、電源襯墊與雙向襯墊之間、接地襯墊與輸入襯墊之間、接地襯墊與輸出襯墊之間、接地襯墊與雙向襯墊之間，和/或電源襯墊與接地襯墊之間。當不存在瞬態(tài)電事件時，襯墊保護電路可以保持處于高阻抗/低漏電狀態(tài)，由此減少由漏電流引起的靜態(tài)功耗。保護系統(tǒng)2可以與IC1片上集成。然而，在其他實施方案中，保護系統(tǒng)2可以布置在單獨的IC中。例如，保護系統(tǒng)2可以包括在單獨封裝的IC中，或保護系統(tǒng)2可以密封在與IC1的公共封裝中。在此類實施方案中，一個或多個襯墊保護電路可以放置在獨立的IC中、系統(tǒng)級封裝應用的公共封裝中，或與系統(tǒng)級芯片應用的公共半導體襯底中的IC集成在一起。例如，IC1可以用于車載信息娛樂的視頻放大器系統(tǒng)、傳輸線系統(tǒng)、工業(yè)控制系統(tǒng)、電源管理系統(tǒng)、微機電系統(tǒng)(MEMS)傳感器、換能器、汽車本地互連網(wǎng)絡(LIN)和控制器接口網(wǎng)絡(CAN)接口系統(tǒng)，或多種其他系統(tǒng)。IC1可以用于電子系統(tǒng)，其中IC的引腳通過低阻抗連接暴露至用戶接觸。襯墊保護電路圖2為根據(jù)一個實施方案的IC保護電路電流相對于瞬態(tài)電事件電壓的曲線圖18。如上所述，襯墊保護電路可以被配置成將襯墊處的電壓電平保持在預定義的安全范圍內(nèi)。因此，對于具有正電壓的瞬態(tài)電事件，在瞬態(tài)信號的電壓VTRANSIENT達到原本可能導致?lián)p壞IC1的正向破壞電壓VFAIL-F之前，襯墊保護電路可以分路與瞬態(tài)信號事件相關(guān)聯(lián)的一大部分的電流。另外，對于具有負電壓的瞬態(tài)電事件，在瞬態(tài)信號的電壓VTRANSIENT低于原本可能導致?lián)p壞IC1的反向破壞電壓VFAIL-R之前，襯墊保護電路可以分路與瞬態(tài)信號事件相關(guān)聯(lián)的一大部分的電流。此外，以下情形會是期望的：襯墊保護電路在正常操作電壓VOPERATING下傳導相對較低的電流，由此使用襯墊保護電路減少或最小化由漏電流ILEAKAGE引起的靜態(tài)功耗并且增強IC的能量效率。如曲線圖18中所示，對于具有正電壓的瞬態(tài)電事件，在瞬態(tài)信號的電壓VTRANSIENT達到正向觸發(fā)電壓VT-F時，襯墊保護電路可以從高阻抗狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榈妥杩範顟B(tài)。此后，襯墊保護電路可以在大范圍的瞬態(tài)電事件電壓電平內(nèi)分路大電流。只要瞬態(tài)信號電壓電平保持高于預選的正向保持電壓VH-F，襯墊保護電路就可以保持處于低阻抗狀態(tài)。對于具有負電壓的瞬態(tài)電事件，襯墊保護電路也可以分路大電流，以使得保護電路可以通過為具有正電壓信號電平和/或負電壓信號電平的瞬態(tài)電事件提供保護電流而提供雙向瞬態(tài)電事件保護。因此，在瞬態(tài)信號的電壓VTRANSIENT達到反向觸發(fā)電壓VT-R時，襯墊保護電路可以提供電流路徑。此后，襯墊保護電路可以在大范圍的瞬態(tài)電事件電壓電平內(nèi)分路大電流。只要瞬態(tài)信號的電壓低于保持電壓VH-R以使得瞬態(tài)信號能夠遞送足以保持襯墊保護電路在低阻抗狀態(tài)中被激活的能量，襯墊保護電路就可以保持處于低阻抗狀態(tài)。通過配置襯墊保護電路具有正向觸發(fā)電壓VT-F、正向保持電壓VH-F、反向觸發(fā)電壓VT-F、反向保持電壓VH-R和反向觸發(fā)電壓VT-R，襯墊保護電路可以呈現(xiàn)雙向操作，同時具有防止意外激活的增強穩(wěn)定性和/或每一單位面積改善的性能。另外，如圖2中所示，襯墊保護電路可以呈現(xiàn)防御相反極性的瞬態(tài)電事件的非對稱操作。如本文中將描述，提供具有雙向操作的襯墊保護電路，其中正向觸發(fā)電壓、正向保持電壓、反向觸發(fā)電壓和反向保持電壓可以被獨立選擇以實現(xiàn)所需的襯墊保護電路保護響應。圖3為根據(jù)一個實施方案的襯墊保護電路15的示意性方框圖。襯墊保護電路15包括正向襯墊保護電路23a和反向襯墊保護電路23b，這些襯墊保護電路中的每個電連接在襯墊27與節(jié)點28之間。襯墊27可以是集成電路的襯墊，例如，圖1的襯墊4。例如，節(jié)點28可以是被配置成處理相對較大的分路電流的集成電路的低阻抗節(jié)點或襯墊。正向襯墊保護電路23a和反向襯墊保護電路23b可以分別用于保護襯墊27不受正瞬態(tài)電事件和負瞬態(tài)電事件。正向襯墊保護電路23a包括第一高反向阻斷電壓(HRBV)設備25a，并且反向襯墊保護電路23b包括第二HRBV設備25b。第一HRBV設備25a和第二HRBV設備25b各自包括陽極和陰極。HRBV設備25a的陽極電連接到襯墊27，并且HRBV設備25a的陰極電連接到節(jié)點28。相反，HRBV設備25b的陽極電連接到節(jié)點28，并且HRBV設備25b的陰極電連接到襯墊27。第一HRBV設備25a和第二HRBV設備25b可以各自具有相對較大的反向擊穿電壓和相對較低的正向觸發(fā)電壓，這可以幫助將不對稱的雙向瞬態(tài)電事件保護提供到襯墊27。例如，正向襯墊保護電路23a可以包括單獨的第一HRBV設備25a或結(jié)合與第一HRBV設備25a端到端串聯(lián)電連接的一個或多個其他襯墊保護設備以幫助調(diào)整正向響應。由于第一HRBV設備25a可以具有相對較低的正向觸發(fā)電壓，故正向襯墊保護電路23a可以包括被調(diào)整以實現(xiàn)所需的正向保護性能（包括特定所需的正向保持電壓VH-F和正向觸發(fā)電壓VT-F）的設備的級聯(lián)。此外，由于第一HRBV設備25a可以具有相對較大的反向擊穿電壓，故在級聯(lián)中包括第一HRBV設備25a可以防止正向襯墊保護電路23a激活具有負信號電壓的瞬態(tài)信號事件，由此允許由單獨的電路提供反向保護。類似地，反向襯墊保護電路23b可以包括單獨的第二HRBV設備25b或結(jié)合端到端級聯(lián)電連接的一個或多個其他襯墊保護設備以實現(xiàn)所需的反向響應。第二HRBV設備25b的相對較低的正向觸發(fā)電壓可以允許調(diào)整電路的所需的反向保持電壓VH-R和反向觸發(fā)電壓VT-R，同時第二HRBV設備25b的相對較高的反向擊穿電壓可以幫助防止反向襯墊保護電路23b意外激活具有正信號電壓的瞬態(tài)信號事件。因此，包括第一HRBV設備25a和第二HRBV設備25b可以幫助允許單獨調(diào)整正向襯墊保護電路23a和反向襯墊保護電路23b，由此實現(xiàn)特定應用（例如，包括新興的車載信息娛樂應用）所需的襯墊保護電路響應。盡管圖3圖示在正向襯墊保護電路23a和反向襯墊保護電路23b的每個中包括HRBV設備的情況，但是在某些實施方案中，不需要在正向襯墊保護電路和反向襯墊保護電路二者中均包括HRBV設備。例如，在所需的反向保持電壓和觸發(fā)電壓為相對較低的并且高反向擊穿電壓不為正向襯墊保護電路所需的實施中，可以從正向襯墊保護電路中省略HRBV設備。類似地，當所需的正向保持電壓和觸發(fā)電壓為相對較低的并且在反向襯墊保護電路中不需要高反向擊穿電壓時，可以從反向襯墊保護電路23b中省略HRBV設備。圖4A為根據(jù)另一實施方案的IC保護電路電流相對于瞬態(tài)電事件電壓的曲線圖20。曲線圖20以實線圖示具有HRBV設備（例如，圖3的第一HRBV設備25a）的正向襯墊保護電路的襯墊保護電流的實例。如曲線圖20中所示，襯墊保護電路的反向擊穿電壓VB可以具有實質(zhì)上大于目標反向觸發(fā)電壓VT-R和反向保持電壓VH-R的量值。因此，包括HRBV設備允許由單獨的電路提供防御具有負信號電壓的瞬態(tài)電事件（例如，在圖表中示出為虛線的電流-電壓特性）的保護。圖4B為根據(jù)又一實施方案的IC保護電路電流相對于瞬態(tài)電事件電壓的曲線圖。曲線圖22以實線圖示具有HRBV設備（例如，圖3的第二HRBV設備25b）的反向襯墊保護電路的襯墊保護電流的實例。如曲線圖22中所示，在襯墊保護電路的正側(cè)上的擊穿電壓VB可以具有大于目標正向觸發(fā)電壓VT-F和正向保持電壓VH-F的相對較大的量值。因此，包括HRBV設備允許由單獨的電路（例如，具有圖4A中所示的電流相對于電壓響應的電路）提供防御具有正信號電壓的瞬態(tài)電事件（例如，在圖表中示出為虛線的電流-電壓特性）的保護?？梢圆⒙?lián)電連接對應于曲線圖20、曲線圖22的正向襯墊保護電路和反向襯墊保護電路以提供具有類似于圖2中所示的電流相對于電壓響應的有效的襯墊保護電路。包括可以經(jīng)受大的正瞬態(tài)電事件而不擊穿的反向襯墊保護電路允許襯墊保護電路具有由正向襯墊保護電路確定的正向觸發(fā)電壓VT-F和正向保持電壓VH-F。同樣地，包括可以經(jīng)受大的負瞬態(tài)電事件而不擊穿的正向襯墊保護電路允許襯墊保護電路具有由反向襯墊保護電路確定的反向觸發(fā)電壓VT-R和反向保持電壓VH-R。如本文中將描述，提供具有相對較大的擊穿電壓和相對較低的正向觸發(fā)電壓的HRBV設備?？梢詥为毣蚪Y(jié)合其他襯墊保護電路使用HRBV設備以實現(xiàn)在正向和反向的每個上的所需的保持電壓和觸發(fā)電壓。HRBV設備具有相對較高的反向擊穿電壓，由此允許單獨調(diào)整正向襯墊保護電路和反向襯墊保護電路以實現(xiàn)整體所需的襯墊保護電路響應。因此，在正向保護電路和/或反向保護電路中包括HRBV設備可以允許獨立地確定襯墊保護電路的正I-V特性和負I-V特性而不由于無意的寄生設備傳導路徑彼此互動。圖5為HRBV設備40的一個實施方案的帶注釋的截面。圖6為圖5的HRBV設備40的等效電路圖。HRBV設備40的帶注釋的截面包括p型襯底47、n型有源區(qū)43a-43d、p型有源區(qū)42a-42g、n阱41a、41b、p阱44a-44e、深n阱46以及隔離區(qū)48。截面已帶注釋以示出由布局形成的某些電路設備，例如，第一PNP雙極晶體管51a、51b、第二PNP雙極晶體管52a、52b、第三PNP雙極晶體管53a、53b、第四PNP雙極晶體管54a、54b、NPN雙極晶體管58a、58b、第一電阻器61a、61b、第二電阻器62a、62b、第三電阻器63a、63b、第四電阻器68a、68b以及第五電阻器69a、69b。說明性HRBV設備可以經(jīng)受后端處理以形成觸點和金屬化。本領(lǐng)域技術(shù)人員將了解，為清楚起見已從這個圖中省略這些細節(jié)。第一PNP雙極晶體管51a、51b可以由p阱44b、44d、n阱41a、41b以及襯底47形成，并且可以是橫向寄生PNP設備。第一PNP雙極晶體管51a可以具有由p阱44b形成的發(fā)射極、由n阱41a形成的基極，以及由襯底47形成的集電極。類似地，第一PNP雙極晶體管51b可以具有由p阱44d形成的發(fā)射極、由n阱41b形成的基極，以及由襯底47形成的集電極。第二PNP雙極晶體管52a、52b可以由p阱44b、44d、深n阱46和襯底47形成，并且可以是垂直寄生PNP設備。第二PNP雙極晶體管52a可以具有由p阱44b形成的發(fā)射極、由深n阱46形成的基極，以及由襯底47形成的集電極。類似地，第二PNP雙極晶體管52b可以具有由p阱44d形成的發(fā)射極、由深n阱46形成的基極，以及由襯底47形成的集電極。第三PNP雙極晶體管53a、53b可以由p阱44b-44d和深n阱46形成，并且可以是橫向寄生PNP設備。例如，第三PNP雙極晶體管53a可以具有由p阱44b形成的發(fā)射極、由深n阱46形成的基極，以及由p阱44c形成的集電極。類似地，第三PNP雙極晶體管53b可以具有由p阱44d形成的發(fā)射極、由深n阱46形成的基極，以及由p阱44c形成的集電極。第四PNP雙極晶體管54a、54b可以由p阱44c、深n阱46和襯底47形成，并且可以是垂直寄生PNP設備。第四PNP雙極晶體管54a、54b可以各自具有由p阱44c形成的發(fā)射極、由深n阱46形成的基極，以及由襯底47形成的集電極。NPN雙極晶體管58a、58b可以由n型有源區(qū)43b、43c、p阱44c和深n阱46形成，并且可以是橫向寄生NPN設備。例如，NPN雙極晶體管58a可以具有由n型有源區(qū)43b形成的發(fā)射極、由p阱44c形成的基極，以及由深n阱46形成的集電極。同樣地，NPN雙極晶體管58b可以具有由n型有源區(qū)43c形成的發(fā)射極、由p阱44c形成的基極，以及由深n阱46形成的集電極。第一電阻器61a、61b可以由第一PNP雙極晶體管51a、51b的集電極與p型有源區(qū)42a、42g之間的電阻形成。例如，沿著橫向PNP雙極晶體管51a、51b的集電極與p型有源區(qū)42a、42g之間的路徑的電阻可以由第一電阻器61a、61b模擬。類似地，第二電阻器62a、62b可以由第二PNP雙極晶體管52a、52b的集電極與p型有源區(qū)42a、42g之間的電阻形成，并且第三電阻器63a、63b可以由第四PNP雙極晶體管54a、54b的集電極與p型有源區(qū)42a、42g之間的電阻形成。另外，第四電阻器68a、68b可以由NPN雙極晶體管58a、58b的基極與p型有源區(qū)42d之間的電阻形成。此外，第五電阻器69a、69b可以由PNP雙極晶體管51a、51b的基極與深n阱46之間的電阻形成。p型有源區(qū)42a、42g和p阱44a、44e可以形成在HRBV設備40周圍的保護環(huán)。保護環(huán)可以用于消除形成在片上集成時HRBV設備40與周圍的半導體組件之間的無意的寄生路徑。另外，p型有源區(qū)42a、42g和p阱44a、44e可以進一步幫助從襯底收集移動電荷并且消除形成無意的寄生路徑，由此保護HRBV設備40不受閉鎖，例如，核心電路阱和/或與襯墊相關(guān)聯(lián)的另一阱的閉鎖?？梢允褂胣阱41a、41b和深n阱46使p阱44b-44d與襯底47電隔離。電隔離p阱44b-44d允許p阱操作為說明性雙極設備的發(fā)射極、基極或集電極。如本文中所用，并且如本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，術(shù)語“深n阱”指的是任何適合的n型埋層，例如，包括用于絕緣體上硅(SOI)技術(shù)的n型埋層。隔離區(qū)48可以減少連接到不同電節(jié)點的有源區(qū)之間的靜態(tài)電流泄漏。形成隔離區(qū)48可以涉及在襯底47中蝕刻溝槽、用電介質(zhì)（例如，二氧化硅）填充溝槽，以及使用任何適合的方法（例如，化學機械平坦化）移除多余的電介質(zhì)。盡管將隔離區(qū)48圖示為淺溝槽隔離區(qū)，但是隔離區(qū)48可以是任何適合的隔離區(qū)，例如，包括深溝槽或硅的局部氧化(LOCOS)區(qū)。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將了解，圖5中所示的截面可以對應于圖6中所示的等效電路。例如，第一PNP雙極晶體管51a、51b可以由第一PNP雙極晶體管51表示，第二PNP雙極晶體管52a、52b可以由第二PNP雙極晶體管52表示，第三PNP雙極晶體管53a、53b可以由第三PNP雙極晶體管53表示，并且第四PNP雙極晶體管54a、54b可以由第四PNP雙極晶體管54表示。類似地，NPN雙極晶體管58a、58b可以由NPN雙極晶體管58表示，第一電阻器61a、61b可以由第一電阻器61表示，第二電阻器62a、62b可以由第二電阻器62表示，第三電阻器63a、63b可以由第三電阻器63表示，第四電阻器68a、68b可以由第四電阻器68表示，并且第五電阻器69a、69b可以由第五電阻器69表示。參照圖6，第一PNP雙極晶體管51的發(fā)射極在標示為陽極的節(jié)點處電連接到第二PNP雙極晶體管52和第三PNP雙極晶體管53的發(fā)射極。第一PNP雙極晶體管51的基極電連接到NPN雙極晶體管58的集電極、第五電阻器69的第一端，以及第二PNP雙極晶體管52和第三PNP雙極晶體管53的基極。第一PNP雙極晶體管51的集電極電連接到第一電阻器61的第一端。第一電阻器61進一步包括電連接到參考電壓V1的第二端，參考電壓V1可以是任何適合的低阻抗節(jié)點，例如，接地節(jié)點或負電壓電源。第二PNP雙極晶體管52的集電極電連接到第二電阻器62的第一端。第二電阻器62進一步包括電連接到參考電壓V1的第二端。NPN雙極晶體管58的基極電連接到第三PNP雙極晶體管53的集電極以及第四電阻器68的第一端。NPN雙極晶體管58的發(fā)射極在標示為陰極的節(jié)點處電連接到第四電阻器68的第二端以及第四PNP雙極晶體管54的發(fā)射極。第四PNP雙極晶體管54的基極電連接到第五電阻器69的第二端。第四PNP雙極晶體管54的集電極電連接到第三電阻器63的第一端。第三電阻器63進一步包括電連接到參考電壓V1的第二端。HRBV設備50可以保護IC不受導致陽極的電壓相對于陰極的電壓增加的瞬態(tài)電事件。PNP雙極晶體管51-53的發(fā)射極-基極結(jié)可以提供約等于NPN雙極晶體管58的集電極的陽極電壓的電壓。在增加陽極電壓的瞬態(tài)電事件期間，在NPN雙極晶體管58的集電極處的電壓可以增加直到達到NPN雙極晶體管58的集電極-發(fā)射極擊穿電壓。NPN雙極晶體管58的集電極-發(fā)射極的擊穿可以刺激電流流過PNP雙極晶體管53，一部分電流可以流過第四電阻器68。隨著橫跨第四電阻器68的電壓增加，NPN雙極晶體管58的基極-發(fā)射極結(jié)可以變得正向偏壓，由此刺激放大的電流流過NPN雙極晶體管58并且將HRBV設備50轉(zhuǎn)變?yōu)槎x設備的正向觸發(fā)電壓的低阻抗雙載流子注入再生狀態(tài)。由于HRBV設備50在正向上的正向觸發(fā)電壓可以相對較低，故HRBV設備50可以被稱為低正向觸發(fā)電壓(LFTV)或HRBV-LFTV設備。p阱44c與p阱44b、44d之間的距離d1可以定義NPN雙極晶體管58的基極的寬度，并且可以用于調(diào)整HRBV設備50的正向觸發(fā)電壓。在一個實施中，距離d1被選擇在約1.5μm至約6.5μm的范圍中，例如，約4.5μm。為了幫助防止其他結(jié)（例如，與橫向寄生PNP晶體管51和垂直寄生PNP晶體管52、54相關(guān)聯(lián)的結(jié)）定義HRBV設備50的正向觸發(fā)電壓，第一電阻器61、第二電阻器62和第三電阻器63可以具有被選擇為相對較大的量值。繼續(xù)參照圖5，在某些實施方案中，p阱44a與n阱41a之間以及p阱44e與n阱41b之間的距離d2被選擇以避免在低于NPN雙極晶體管58的擊穿電壓的電壓下第一PNP雙極晶體管51、第二PNP雙極晶體管52和/或第四PNP雙極晶體管54的擊穿。在一個實施中，距離d2被選擇為在約0.5μm至約2.5μm的范圍中，例如，約2μm。圖5至圖6中所示的HRBV設備可以在陰極與陽極之間經(jīng)受相對較大的電壓，同時保持相對較低的泄漏。例如，在某些實施中，對于約40V的反向電壓，HRBV設備40可以具有小于約40pA的漏電流?？梢曰谏頽阱46與p阱44b、44d中的每個之間的擊穿確定相對較高的反向擊穿電壓。由于p阱44b、44d和深n阱46可以相對輕摻雜，故可以在相對較高的電壓下發(fā)生結(jié)擊穿。例如，在某些先進的CMOS、高電壓CMOS和BCDMOS工序中，形成在p阱44b、44d與深n阱46之間的結(jié)可以處在最高的電壓阻斷結(jié)中。如上所述，HRBV設備40可以具有相對較高的反向阻斷電壓和相對較低的正向觸發(fā)電壓。因此，當分別使用正向襯墊保護電路和反向襯墊保護電路保護襯墊以保護不受正瞬態(tài)電事件和負瞬態(tài)電事件時，正向襯墊保護電路可以包括具有電連接到襯墊的陽極的第一HRBV設備，并且反向襯墊保護電路可以包括具有電連接到襯墊的陰極的第二HRBV設備。由于第一HRBV設備可以具有相對較低的正向觸發(fā)電壓，故第一HRBV設備可以單獨或結(jié)合其他保護元件用于正向保護電路中以實現(xiàn)所需的正向保護響應。另外，由于第一HRBV設備可以具有相對較大的反向阻斷電壓并且可以在襯墊處經(jīng)受大的負瞬態(tài)電事件而不發(fā)生擊穿，故第一HRBV設備可以用于防止正向保護電路激活負瞬態(tài)電事件。類似地，第二HRBV設備可以單獨或結(jié)合其他保護元件用于反向保護電路中以實現(xiàn)所需的反向保護響應，并且可以用于防止反向保護電路激活正瞬態(tài)電事件。因此，可以在正向保護電路和/或反向保護電路中的每個中包括HRBV設備以幫助單獨地調(diào)整正向保護響應和反向保護響應，由此實現(xiàn)特定應用所需的襯墊保護電路響應。圖7為HRBV設備60的另一實施方案的截面。圖7的HRBV設備60類似于圖4的HRBV設備40。然而，與圖4的HRBV設備40相比，圖7的HRBV設備60進一步包括n阱41c、41d。例如，已在p阱44b與p阱44c之間提供n阱41c，并且已在p阱44c與p阱44d之間提供n阱41d。HRBV設備60可以具有由圖6的電路示出的等效電路。另外，n阱41c、41d可以操作為NPN雙極晶體管58的基極，并且操作為第三PNP雙極晶體管53的集電極。包括n阱41c、41d可以減少NPN雙極晶體管58的集電極-發(fā)射極擊穿，由此允許將HRBV設備60的觸發(fā)電壓調(diào)整到較低的值。圖8為HRBV設備70的另一實施方案的帶注釋的截面。圖9為圖8的HRBV設備70的等效電路圖。HRBV設備70的帶注釋的截面包括p型襯底47、n型有源區(qū)73a-73e、p型有源區(qū)72a-72f、n阱41a、41b、p阱44a-44e、深n阱46和隔離區(qū)48。截面已帶注釋以示出由布局形成的某些電路設備，例如，第一PNP雙極晶體管51a、51b、第二PNP雙極晶體管52a、52b、第三PNP雙極晶體管53a、53b、第四PNP雙極晶體管54a、54b、NPN雙極晶體管58a、58b、第一電阻器61a、61b、第二電阻器62a、62b、第三電阻器63a、63b以及第五電阻器69a、69b。第一PNP雙極晶體管51a、51b可以由p阱44b、44d、n阱41a、41b和襯底47形成，并且可以是橫向寄生PNP設備。第一PNP雙極晶體管51a可以具有由p阱44b形成的發(fā)射極、由n阱41a形成的基極，以及由襯底47形成的集電極。類似地，第一PNP雙極晶體管51b可以具有由p阱44d形成的發(fā)射極、由n阱41b形成的基極，以及由襯底47形成的集電極。第二PNP雙極晶體管52a、52b可以由p阱44b、44d、深n阱46和襯底47形成，并且可以是垂直寄生PNP設備。第二PNP雙極晶體管52a可以具有由p阱44b形成的發(fā)射極、由深n阱46形成的基極，以及由襯底47形成的集電極。類似地，第二PNP雙極晶體管52b可以具有由p阱44d形成的發(fā)射極、由深n阱46形成的基極，以及由襯底47形成的集電極。第三PNP雙極晶體管53a、53b可以由p阱44b-44d和深n阱46形成，并且可以是橫向寄生PNP設備。例如，第三PNP雙極晶體管53a可以具有由p阱44b形成的發(fā)射極、由深n阱46形成的基極，以及由p阱44c形成的集電極。類似地，第三PNP雙極晶體管53b可以具有由p阱44d形成的發(fā)射極、由深n阱46形成的基極，以及由p阱44c形成的集電極。第四PNP雙極晶體管54a、54b可以由p阱44c、深n阱46和襯底47形成，并且可以是垂直寄生PNP設備。第四PNP雙極晶體管54a、54b可以各自具有由p阱44c形成的發(fā)射極、由深n阱46形成的基極，以及由襯底47形成的集電極。NPN雙極晶體管58a、58b可以由n型有源區(qū)73c、p阱44c和深n阱46形成，并且可以是橫向寄生NPN設備。例如，NPN雙極晶體管58a可以具有由n型有源區(qū)73c形成的發(fā)射極、由p阱44c形成的基極，以及由深n阱46形成的集電極。同樣地，NPN雙極晶體管58b可以具有由n型有源區(qū)73c形成的發(fā)射極、由p阱44c形成的基極，以及由深n阱46形成的集電極。第一電阻器61a、61b可以由第一PNP雙極晶體管51a、51b的集電極與p型有源區(qū)72a、72f之間的電阻形成。例如，沿著橫向PNP雙極晶體管51a、51b的集電極與p型有源區(qū)72a、72f之間的路徑的電阻可以由第一電阻器61a、61b模擬。類似地，第二電阻器62a、62b可以由第二PNP雙極晶體管52a、52b的集電極與p型有源區(qū)72a、72f之間的電阻形成，并且第三電阻器63a、63b可以由第四PNP雙極晶體管54a、54b的集電極與p型有源區(qū)72a、72f之間的電阻形成。另外，第五電阻器69a、69b可以由PNP雙極晶體管51a、51b的基極與深n阱46之間的電阻形成。p型有源區(qū)72a、72f和p阱44a、44e可以形成在HRBV設備70周圍的保護環(huán)。如上所述，保護環(huán)可以用于消除形成無意的寄生路徑并且用于從襯底收集移動電荷，由此保護HRBV設備70不受閉鎖。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將了解，圖8中所示的截面可以對應于圖9中所示的等效電路。例如，第一PNP雙極晶體管51a、51b可以由第一PNP雙極晶體管51表示，第二PNP雙極晶體管52a、52b可以由第二PNP雙極晶體管52表示，第三PNP雙極晶體管53a、53b可以由第三PNP雙極晶體管53表示，并且第四PNP雙極晶體管54a、54b可以由第四PNP雙極晶體管54表示。類似地，NPN雙極晶體管58a、58b可以由NPN雙極晶體管58表示，第一電阻器61a、61b可以由第一電阻器61表示，第二電阻器62a、62b可以由第二電阻器62表示，第三電阻器63a、63b可以由第三電阻器63表示，并且第五電阻器69a、69b可以由第五電阻器69表示。在圖8和圖9中所示的實施方案中不存在第四電阻器68（圖6）。參照圖9，第一PNP雙極晶體管51的發(fā)射極在標示為陽極的節(jié)點處電連接到第二PNP雙極晶體管52和第三PNP雙極晶體管53的發(fā)射極。第一PNP雙極晶體管51的基極電連接到NPN雙極晶體管58的集電極、第五電阻器69的第一端，以及第二PNP雙極晶體管52和第三PNP雙極晶體管53的基極。第一PNP雙極晶體管51的集電極電連接到第一電阻器61的第一端。第一電阻器61進一步包括電連接到參考電壓V1的第二端，參考電壓V1可以是任何適合的低阻抗節(jié)點，例如，接地節(jié)點或負電壓電源。第二PNP雙極晶體管52的集電極電連接到第二電阻器62的第一端。第二電阻器62進一步包括電連接到參考電壓V1的第二端。NPN雙極晶體管58的基極電連接到第三PNP雙極晶體管53的集電極以及第四PNP雙極晶體管54的發(fā)射極。NPN雙極晶體管58的發(fā)射極電連接到標示為陰極的節(jié)點。第四PNP雙極晶體管54的基極電連接到第五電阻器69的第二端，并且第四PNP雙極晶體管54的集電極電連接到第三電阻器63的第一端。第三電阻器63進一步包括電連接到參考電壓V1的第二端。HRBV設備80可以保護IC不受導致陽極的電壓相對于陰極的電壓增加的瞬態(tài)電事件。PNP雙極晶體管51-53的發(fā)射極-基極結(jié)可以提供約等于NPN雙極晶體管58的集電極的陽極電壓的電壓。在相對于陰極電壓增加陽極電壓的瞬態(tài)電事件期間，在NPN雙極晶體管58的集電極處的電壓可以增加直到達到開放式基極NPN雙極晶體管58的相對較低的集電極-發(fā)射極擊穿電壓。NPN雙極晶體管58的集電極-發(fā)射極的擊穿可以在相對較低的電壓（例如，用于某些車載信息娛樂應用的低電壓）下刺激電流流過開放式基極PNP雙極晶體管53。電流流過PNP雙極晶體管53可以使NPN雙極晶體管58的基極-發(fā)射極結(jié)變得正向偏壓，由此刺激放大的電流流過NPN雙極晶體管58并且將HRBV設備80轉(zhuǎn)變?yōu)槎xHRBV設備80的正向觸發(fā)電壓的低阻抗雙載流子注入再生狀態(tài)。如上所述，HRBV設備80的正向觸發(fā)電壓可以相對較低并且可以由開放式基極NPN雙極晶體管58和開放式基極PNP雙極晶體管53的耦合放大效應定義。由于HRBV設備80的正向觸發(fā)電壓可以相對較低并且可以小于圖6的HRBV-LFTV設備的電壓，故圖9的HRBV設備80可以被稱為極低正向觸發(fā)電壓(VLFTV)或HRBV-VLFTV設備。圖8至圖9中所示的HRBV設備可以在陰極與陽極之間經(jīng)受相對較大的電壓，同時保持相對較低的泄漏。可以基于深n阱46與p阱44b、44d中的每個之間的擊穿確定相對較高的反向擊穿電壓。由于p阱44b、44d和深n阱46可以相對輕摻雜，故可以在相對較高的電壓下發(fā)生結(jié)擊穿。例如，在某些先進的CMOS、高電壓CMOS和BCDMOS工序中（例如，在為約20V電路應用優(yōu)化的工序中大于約45V），p阱44b、44d與深n阱46之間的擊穿可以處在最高的電壓阻斷結(jié)中。圖10為HRBV設備90的另一實施方案的截面。圖10的HRBV設備90類似于圖8的HRBV設備70。然而，與圖8的HRBV設備70相比，圖10的HRBV設備90進一步包括n阱41c、41d。例如，已在p阱44b與p阱44c之間提供n阱41c，并且已在p阱44c與p阱44d之間提供n阱41d。包括n阱41c、41d可以幫助實現(xiàn)HRBV設備90的極低觸發(fā)電壓。HRBV設備90可以具有由圖9的電路示出的等效電路。另外，n阱41c、41d可以操作為NPN雙極晶體管58的基極，并且操作為第三PNP雙極晶體管53的集電極。包括n阱41c、41d可以減少NPN雙極晶體管58的集電極-發(fā)射極擊穿，由此幫助調(diào)整HRBV設備90的極低觸發(fā)電壓。圖11A為根據(jù)一個實施方案的使用保護電路的輸入驅(qū)動器100的示意圖。輸入驅(qū)動器100電連接在第一參考電壓V1與第二參考電壓V2之間，例如，第一參考電壓V1和第二參考電壓V2可以分別是負電源和正電源。輸入驅(qū)動器100包括通過第一電阻器102a電耦合到第一襯墊27a的反相輸入，以及通過第二電阻器102b電耦合到第二襯墊27b的非反相輸入。為了向輸入驅(qū)動器100提供防御瞬態(tài)電事件的保護，已提供保護電路85a、85b和二次保護電路101a、101b。輸入驅(qū)動器100可以用于車載信息娛樂應用的視頻放大器中或用于任何其他適合的電路中。保護電路85a包括電連接到第一襯墊27a的第一端，以及電連接到第一參考電壓V1的第二端，并且保護電路85b包括電連接到第二襯墊27b的第一端，以及電連接到第一參考電壓V1的第二端。如下文將參照圖11B至圖11C所述，襯墊保護電路85a、85b可以包括被調(diào)整以實現(xiàn)輸入驅(qū)動器100的所需的正向保護響應和反向保護響應的HRBV設備。如圖11A中所示，除包括HRBV設備的保護電路之外，可以提供二次保護電路。例如，二次保護電路101a已電連接在第二參考電壓V2與輸入驅(qū)動器100的反相輸入之間，并且二次保護電路101b已電連接在第二參考電壓V2與輸入驅(qū)動器100的非反相輸入之間。包括二次保護電路（例如，二次保護電路101a、101b）可以幫助在輸入驅(qū)動器的輸入處直接提供防御瞬態(tài)電事件的輔助保護和鉗位功能性。圖11B為用于圖11A的輸入驅(qū)動器的保護電路85的一個實例的示意圖。保護電路85包括正向襯墊保護電路23a和反向襯墊保護電路23b，這些襯墊保護電路中的每個電連接在襯墊27與參考電壓V1之間。正向襯墊保護電路23a包括第一HRBV設備50a、第一高保持電壓MOSPNP雙極設備105a和第二高保持電壓MOSPNP雙極設備105b。反向襯墊保護電路23b包括第二HRBV設備50b。保護電路85可以用于保護任何適合的襯墊（例如，圖11A的襯墊27a、27b）不受瞬態(tài)電事件。第一HRBV設備50a包括電連接到襯墊27的陽極以及電連接到第一MOSPNP設備105a的第一端的陰極。第一MOSPNP設備105a進一步包括電連接到第二MOSPNP設備105b的第一端的第二端。第二MOSPNP設備105b進一步包括電連接到參考電壓V1的第二端。第二HRBV設備50b包括電連接到參考電壓V1的陽極以及電連接到襯墊27的陰極。第一HRBV設備50a和第二HRBV設備50b可以是任何適合的HRBV設備，例如包括圖6中所示的HRBV-LFTV設備50。如圖所示，可以單獨或結(jié)合其他保護設備提供第一HRBV設備50a和第二HRBV設備50b以獲得所需的正向保護響應和反向保護響應。例如，第一HRBV設備50a與第一MOSPNP設備105a和第二MOSPNP設備105b級聯(lián)電連接以提供所需的正向保護響應，并且在沒有額外設備的情況下提供了第二HRBV設備50b以提供所需的反向保護響應。HRBV設備50a、50b可以用于即使當被添加以實現(xiàn)目標操作條件的其他設備（例如，與第一HRBV設備50a串聯(lián)的MOSPNP設備105a、105b）的反向擊穿電壓不具有相對較高的反向擊穿電壓時也獲得所需的正向保護響應和反向保護響應。由于第一HRBV設備25a可以具有相對較大的反向擊穿電壓，故在正向保護電路23a中包括第一HRBV設備50a（其中陽極電耦合到襯墊27并且陰極電耦合到參考電壓V1）可以防止正向襯墊保護電路23a激活具有負信號電壓的瞬態(tài)信號事件，由此允許反向襯墊保護電路23b提供防御負瞬態(tài)電事件的所需的保護。類似地，在反向保護電路23b中包括第二HRBV設備50b（其中陰極電耦合到襯墊27并且陽極電耦合到參考電壓V1）可以防止反向保護電路23b激活具有正信號電壓的瞬態(tài)信號事件，由此允許正向襯墊保護電路23a提供防御正瞬態(tài)電事件的所需的保護。另外，第一HRBV設備25a和第二HRBV設備25b可以具有相對較低的正向觸發(fā)電壓，從而允許正向保護電路23a和反向保護電路23b與其他設備級聯(lián)以實現(xiàn)所需的正向保護響應和反向保護響應。因此，包括第一HRBV設備50a和第二HRBV設備50b可以幫助允許單獨調(diào)整正向襯墊保護電路23a和反向襯墊保護電路23b，由此實現(xiàn)特定應用所需的襯墊保護電路響應。MOSPNP設備105a、105b中的每個包括第一端、第二端、電阻器106以及由P-MOS晶體管形成的MOSPNP雙極晶體管107。寄生MOSPNP雙極晶體管107可以具有由P-MOS晶體管的源極形成的發(fā)射極、由P-MOS晶體管的漏極形成的集電極，以及由P-MOS晶體管的阱形成的基極。每個寄生P-MOS設備的第一端電連接到MOSPNP雙極晶體管107的發(fā)射極、電阻器106的第一端，以及P-MOS晶體管的柵極。每個寄生MOSPNP設備的第二端電連接到MOSPNP雙極晶體管107的集電極。電阻器106進一步包括電連接到MOSPNP雙極晶體管107的基極的第二端。MOSPNP設備105a、105b的額外細節(jié)可以如下文參照圖12所述。盡管第一HRBV設備50a因與發(fā)射極-集電極應力條件的高保持電壓性質(zhì)有關(guān)而圖示為與MOSPNP雙極設備105a、105b級聯(lián)，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將了解，MOSPNP雙極設備105a、105b僅為可以與本文所述的HRBV設備級聯(lián)的保護設備的一個實例。例如，在某些實施中，任何適合的保護設備（例如包括P-MOS晶體管、N-MOS晶體管、PNP晶體管、NPN晶體管、可控硅整流器結(jié)構(gòu)和/或二極管）可以與HRBV設備級聯(lián)。例如，第一HRBV設備50a可以與以下元件級聯(lián)：N-MOS、兩個N-MOS、N-MOS和P-MOS、N-MOS和可控硅整流器、P-MOS和可控硅整流器、兩個可控硅整流器設備、PNP晶體管、兩個PNP晶體管、NPN晶體管、兩個NPN晶體管、NPN和PNP晶體管，和/或被設定大小和選擇以使用相對較小的單元覆蓋區(qū)維持相對較大的電流的保護設備的任何適合的組合。圖11C為圖11B的保護電路85的一個實例的傳輸線脈沖(TLP)實驗數(shù)據(jù)的曲線圖110。說明性曲線圖110示出對于保護電路85的一個實施，TLP電壓與TLP電流的關(guān)系曲線以及TLP電流與漏電流的關(guān)系曲線。曲線圖110圖示襯墊保護電路85可以呈現(xiàn)非對稱雙向保護響應。例如，根據(jù)準靜態(tài)的電流-電壓TLP實驗室測量，襯墊保護電路可以具有約29.5V的正向觸發(fā)電壓VT-F、約18.5V的正向保持電壓VH-F、約-12.5V的反向觸發(fā)電壓VT-F以及約-2.4V的反向保持電壓VH-R。另外，在這個配置的情況下，對于在約10V與約18V之間操作并且在正向上約25V至約30V的范圍中以及在逆向上約-12V至約-15V的范圍中觸發(fā)所需的應用，襯墊保護電路在正常操作電壓下在正常操作條件下具有小于約500pA的相對較低的泄漏。上文所述的相對嚴格的操作條件為零缺陷汽車IC應用中新興信號調(diào)節(jié)電路的需求的一個實例，新興信號調(diào)節(jié)電路也需要維持在特定輸入/輸出引腳處可以經(jīng)受超過8000VHBM（人體模型）的相對較高的應力條件下。盡管曲線圖110示出正向保護響應和反向保護響應的一個實例，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將了解，可以在保護電路85中級聯(lián)保護設備的不同布置以實現(xiàn)所需的保護響應。例如，第一HRBV設備50a可以與以下元件級聯(lián)：N-MOS、兩個N-MOS、N-MOS和P-MOS、N-MOS和可控硅整流器、P-MOS和可控硅整流器、兩個可控硅整流器設備、PNP晶體管、兩個PNP晶體管、NPN晶體管、兩個NPN晶體管、NPN和PNP晶體管，和/或被設定大小和選擇以使用相對較小的單元覆蓋區(qū)維持相對較大的電流的保護設備的任何適合的組合。圖12為用于圖11B的保護電路的MOSPNP設備105的實例的截面。MOSPNP設備105圖示圖11B的MOSPNP設備105a、105b的一個實施。MOSPNP設備105包括p型襯底47、n型有源區(qū)113a、113b、p型有源區(qū)112a-112f、n阱111、p阱114a、114b、深n阱46、隔離區(qū)48、柵氧化層115a、115b以及柵極116a、116b。MOSPNP雙極晶體管可以由說明性截面形成。例如，p型有源區(qū)112c、112d可以操作為PNP雙極晶體管的集電極，p型有源區(qū)112b、112e可以操作為PNP雙極晶體管的發(fā)射極，并且n阱111和n型有源區(qū)113a、113b可以操作為PNP雙極晶體管的基極。盡管說明性截面也包括與p型有源區(qū)112b-112e、柵極116a、116b、柵氧化層115a、115b和n阱111相關(guān)聯(lián)的P-MOS結(jié)構(gòu)，但是說明性P-MOS結(jié)構(gòu)在提供瞬態(tài)電事件保護方面發(fā)揮相對較小的作用。實情為，P-MOS結(jié)構(gòu)已用于建立寄生MOSPNP雙極設備。由P-MOS結(jié)構(gòu)形成MOSPNP雙極晶體管由于種種原因可以是有用的，例如，在缺乏專用雙極晶體管掩模的工序中為PNP雙極設備提供瞬態(tài)電事件保護。p型有源區(qū)112a、112f和p阱114a、114b可以形成在MOSPNP設備105周圍的保護環(huán)。保護環(huán)可以用于消除形成無意的寄生路徑并且用于從襯底收集移動電荷，由此保護設備不受閉鎖。如圖所示，p阱114a、114b可以與n阱111隔開以幫助防止無意激活具有分別由p阱114a、n阱111和p型有源區(qū)112b-112e形成的發(fā)射極、基極和集電極結(jié)的PNP設備。圖13A為根據(jù)一個實施方案的使用保護電路的輸出驅(qū)動器120的示意圖。輸出驅(qū)動器120電連接在第一參考電壓V1與第二參考電壓V2之間，例如，第一參考電壓V1和第二參考電壓V2可以分別是負電源和正電源。輸出驅(qū)動器120包括非反相輸入、反相輸入和輸出。說明性示意圖也包括襯墊27、第一電阻器126、第二電阻器127、n型場效應晶體管122、p型場效應晶體管123、輸出控制塊121以及保護電路125。輸出驅(qū)動器120可以用于車載信息娛樂應用的視頻放大器或用于任何其他適合的電路。輸出驅(qū)動器120的輸出電連接到n型場效應晶體管122和p型場效應晶體管123的源極和體。n型場效應晶體管122和p型場效應晶體管123的漏極電連接到襯墊27，并且n型場效應晶體管122和p型場效應晶體管123的柵極電連接到輸出控制塊121。輸出控制塊121可以用于改變n型場效應晶體管122和p型場效應晶體管123的溝道阻抗，由此允許輸出驅(qū)動器120驅(qū)動襯墊27。第一電阻器126包括電連接到襯墊27的第一端，以及電連接到第二電阻器127的第一端和輸出驅(qū)動器120的反相輸入的第二端。第二電阻器127進一步包括電連接到第一參考電壓V1的第二端。第一電阻器126和第二電阻器127可以用于將指示襯墊27的電壓電平的信號提供到輸出驅(qū)動器120的反相輸入。襯墊保護電路125包括電連接到襯墊27的第一端，以及電連接到第一參考電壓V1的第二端。襯墊保護電路125可以包括被調(diào)整以實現(xiàn)所需的正向保護響應和反向保護響應（包括輸出驅(qū)動器120的非對稱正向保護響應和反向保護響應）的一個或多個HRBV設備，如下文參照圖13B至圖13E所述。圖13B為用于圖13A的輸出驅(qū)動器120的保護電路125的一個實例的示意圖。保護電路125包括正向襯墊保護電路23a和反向襯墊保護電路23b，這些襯墊保護電路中的每個電連接在襯墊27與參考電壓V1之間。正向襯墊保護電路23a包括第一HRBV設備50、第一MOSPNP雙極設備105a以及第二MOSPNP雙極設備105b。反向襯墊保護電路23b包括第二HRBV設備80。保護電路125可以用于保護任何適合的襯墊不受瞬態(tài)電事件，例如，圖13A的襯墊27。第一HRBV設備50包括電連接到襯墊27的陽極，以及電連接到第一MOSPNP設備105a的第一端的陰極。第一MOSPNP設備105a進一步包括電連接到第二MOSPNP設備105b的第一端的第二端。第二MOSPNP設備105b進一步包括電連接到參考電壓V1的第二端。第二HRBV設備80包括電連接到參考電壓V1的陽極以及電連接到襯墊27的陰極。第一HRBV設備50和第二HRBV設備80可以是任何適合的HRBV設備。例如，第一HRBV設備50可以是圖6中所示的HRBV-LFTV設備50，并且第二HRBV設備80可以是圖9中所示的HRBV-VLFTV設備80。如圖所示，可以單獨或結(jié)合其他保護設備提供第一HRBV設備50和第二HRBV設備80以獲得所需的正向保護響應和反向保護響應。例如，第一HRBV設備50與第一MOSPNP設備105a和第二MOSPNP設備105b級聯(lián)以提供所需的正向保護響應，并且在沒有額外設備的情況下提供第二HRBV設備80以提供所需的反向保護響應。第一MOSPNP設備105a和第二MOSPNP設備105b的額外細節(jié)可以如前所述。盡管將第一HRBV設備50圖示為與寄生PNP雙極設備105a、105b級聯(lián)，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將了解，MOSPNP雙極設備105a、105b僅為可以與本文所述的HRBV設備級聯(lián)的保護設備的一個實例。例如，在某些實施中，任何適合的設備（例如，包括P-MOS晶體管、N-MOS晶體管、PNP晶體管、NPN晶體管、可控硅整流器結(jié)構(gòu)或/或二極管）可以與HRBV設備級聯(lián)。另外，盡管第二HRBV設備80為反向保護電路23b中所示的唯一保護設備，但是可以在反向保護電路23b中包括其他保護設備以實現(xiàn)所需的操作響應。例如，如由本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所了解，HRBV設備80可以與被適當設定大小和優(yōu)化以維持相對較大的電流的一個或多個其他設備級聯(lián)，例如，N-MOS晶體管、P-MOS晶體管、可控硅整流器、PNP晶體管、NPN晶體管，和/或可以用于使用相對較小的保護單元覆蓋區(qū)實現(xiàn)某些操作條件的上述任何適合的組合。圖13C為對負應力條件和正應力條件測試的圖13B的保護電路125的一個實例的傳輸線脈沖(TLP)實驗數(shù)據(jù)的曲線圖129。說明性曲線圖129示出在預定泄漏測試電壓下TLP電壓與TLP電流的關(guān)系曲線以及TLP電流與漏電流的關(guān)系曲線。曲線圖129圖示襯墊保護電路125可以呈現(xiàn)非對稱雙向保護響應。例如，襯墊保護電路具有約29.5V的正向觸發(fā)電壓VT-F、約18.5V的正向保持電壓VH-F、約-3.2V的反向觸發(fā)電壓VT-F以及約-1.3V的反向保持電壓VH-R。另外，在這個配置的情況下，對于在約-0.7V與約18V之間操作并且被調(diào)整以在正向上約25V至約30V的范圍中以及在逆向上低于約-5V觸發(fā)所需的應用，襯墊保護電路在操作條件下具有小于500pA的相對較低的泄漏。圖13D為圖13A的保護電路125的另一示例性實施的示意圖。例如，說明性保護電路可以用于具有低正向操作和保持電壓（例如，高于約15V但小于約18V的保持電壓）并且具有極低反向觸發(fā)電壓的應用。保護電路125包括正向襯墊保護電路23a和反向襯墊保護電路23b，這些襯墊保護電路中的每個電連接在襯墊27與參考電壓V1之間。正向襯墊保護電路23a包括第一MOSPNP雙極設備105a、第二MOSPNP雙極設備105b以及P-MOS可控硅整流器(SCR)設備140。反向襯墊保護電路23b包括HRBV設備50。保護電路125可以用于保護任何適合的襯墊不受瞬態(tài)電事件，例如，圖13A的襯墊27。第一MOSPNP設備105a包括電連接到襯墊27的第一端，以及電連接到第二MOSPNP設備105b的第一端的第二端。第二MOSPNP設備105b進一步包括電連接到P-MOSSCR設備140的陽極的第二端。P-MOSSCR設備140進一步包括電連接到參考電壓V1的陰極。HRBV設備50包括電連接到參考電壓V1的陽極以及電連接到襯墊27的陰極。HRBV設備80可以是適合的HRBV設備，例如，圖9中所示的HRBV-VLFTV設備80。如上所述，可以單獨或結(jié)合其他保護設備提供HRBV設備80以獲得所需的反向保護響應。與反向保護設備23b相比，正向保護設備23a不包括HRBV設備。在某些實施方案中，不需要在正向襯墊保護電路23a和反向襯墊保護電路23b二者中均包括HRBV設備。例如，在所需的反向保持電壓和反向觸發(fā)電壓相對較低（例如，小于約10V）的實施中，可以從正向襯墊保護電路23a中省略HRBV設備。類似地，當所需的正向保持電壓和正向觸發(fā)電壓相對較低時，可以從反向襯墊保護電路23b中省略HRBV設備。正向襯墊保護電路23a包括第一MOSPNP設備105a、第二MOSPNP設備105b以及P-MOSSCR設備140。第一MOSPNP設備105a和第二MOSPNP設備105b可以如前所述并且可以包括例如具有大于約1M-Ohm的電阻的高值電阻器106。P-MOSSCR設備140可以如下文參照圖14至圖15所述。圖13E為圖13D的保護電路125的一個實例的傳輸線脈沖(TLP)實驗數(shù)據(jù)的曲線圖139。說明性曲線圖139示出TLP電壓與TLP電流的關(guān)系曲線以及TLP電流與漏電流的關(guān)系曲線。曲線圖139示出襯墊保護電路125可以呈現(xiàn)非對稱雙向保護響應和極低反向傳導。例如，襯墊保護電路具有約23.5V的正向觸發(fā)電壓VT-F、約17V的正向保持電壓VH-F、約-3.2V的反向觸發(fā)電壓VT-F以及約-1.3V的反向保持電壓VH-R。另外，在這個配置的情況下，對于在約-0.7V與約15V之間操作并且被調(diào)整以在正向上約20V至約25V的范圍中以及在逆向上低于約-5V觸發(fā)所需的應用，襯墊保護電路在操作電壓下具有小于約500pA的相對較低的泄漏。圖14為用于圖13D的保護電路125的P-MOS可控硅整流器(SCR)設備140的帶注釋的截面。圖15為圖14的P-MOSSCR設備140的等效電路圖。P-MOSSCR設備140的帶注釋的截面包括p型襯底147、n型有源區(qū)143a-143c、p型有源區(qū)142a-142h、n阱141a-141c、p阱144a-144d、深n阱146、隔離區(qū)148、柵極150a、150b以及柵氧化層151a、151b。截面已帶注釋以示出由布局形成的某些電路設備，例如，第一PNP雙極晶體管170a、170b、第二PNP雙極晶體管171a、171b、第三PNP雙極晶體管172a、172b、第四PNP雙極晶體管173a、173b、第五PNP雙極晶體管174a、174b、NPN雙極晶體管177a、177b、P-MOS晶體管178a、178b、第一電阻器179a、179b、第二電阻器180a、180b、第三電阻器181a、181b、第四電阻器182a、182b、第五電阻器183a、183b、第六電阻器184a、184b以及第七電阻器185a、185b。說明性P-MOSSCR設備140可以經(jīng)受后端處理以形成觸點和金屬化。本領(lǐng)域技術(shù)人員將了解，為清楚起見已從這個圖中省略這些細節(jié)。第一PNP雙極晶體管170a、170b可以由p阱144b、144c、n阱141a、141c和襯底147形成，并且可以是橫向寄生PNP設備。第一PNP雙極晶體管170a可以具有由p阱144b形成的發(fā)射極、由n阱141a形成的基極，以及由襯底147形成的集電極。類似地，第一PNP雙極晶體管170b可以具有由p阱144c形成的發(fā)射極、由n阱141c形成的基極，以及由襯底147形成的集電極。第二PNP雙極晶體管171a、171b可以由p阱144b、144c、深n阱146和襯底147形成，并且可以是垂直寄生PNP設備。第二PNP雙極晶體管171a可以具有由p阱144b形成的發(fā)射極、由深n阱146形成的基極，以及由襯底147形成的集電極。類似地，第二PNP雙極晶體管171b可以具有由p阱144c形成的發(fā)射極、由深n阱146形成的基極，以及由襯底147形成的集電極。第三PNP雙極晶體管172a、172b可以由p型有源區(qū)142d、142e、n阱141b、p阱144b、144c和p型有源區(qū)142b、142c、142f、142g形成，并且可以是橫向寄生PNP設備。例如，第三PNP雙極晶體管172a可以具有由p型有源區(qū)142d形成的發(fā)射極、由n阱141b形成的基極，以及由p型有源區(qū)142c、p阱144b形成并且通過電阻器179a連接到p型有源區(qū)142b的集電極。類似地，第三PNP雙極晶體管172b可以具有由p型有源區(qū)142e形成的發(fā)射極、由n阱141b形成的基極，以及由p型有源區(qū)142f、p阱144c形成并且通過電阻器179b連接到p型有源區(qū)142g的集電極。第四PNP雙極晶體管173a、173b可以由p型有源區(qū)142d、142e、n阱141b、深n阱146和襯底147形成，并且可以是橫向寄生PNP雙極設備。例如，第四PNP雙極晶體管173a可以具有由p型有源區(qū)142d形成的發(fā)射極、由n阱141b和深n阱146形成的基極，以及由襯底147形成的集電極。類似地，第四PNP雙極晶體管173b可以具有由p型有源區(qū)142e形成的發(fā)射極、由n阱141b和深n阱146形成的基極，以及由襯底147形成的集電極。第五PNP雙極晶體管174a、174b可以由p型有源區(qū)142d、142e、n阱141b、深n阱146和襯底147形成，并且可以是垂直寄生PNP雙極設備。例如，第五PNP雙極晶體管174a可以具有由p型有源區(qū)142d形成的發(fā)射極、由n阱141b和深n阱146形成的基極，以及由襯底147形成的集電極。類似地，第五PNP雙極晶體管174b可以具有由p型有源區(qū)142e形成的發(fā)射極、由n阱141b和深n阱146形成的基極，以及由襯底147形成的集電極。NPN雙極晶體管177a、177b可以由n型有源區(qū)143a、143b、p阱144b、144c和n阱141b形成，并且可以是橫向寄生NPN設備。例如，NPN雙極晶體管177a可以具有由n型有源區(qū)143a形成的發(fā)射極、由p阱144b形成的基極，以及由n阱141b形成的集電極。類似地，NPN雙極晶體管177b可以具有由n型有源區(qū)143b形成的發(fā)射極、由p阱144b形成的基極，以及由n阱141b形成的集電極。P-MOS晶體管178a、178b可以由p型有源區(qū)142c-142f、柵極150a、150b、柵氧化層151a、151b和n阱141b形成。例如，第一P-MOS晶體管178a可以具有由p型有源區(qū)142d形成的源極、由p型有源區(qū)142c形成的漏極、由柵極150a和柵氧化層151a形成的柵極，以及由n阱141b形成的體。類似地，第二P-MOS晶體管178b可以具有由p型有源區(qū)142e形成的源極、由p型有源區(qū)142f形成的漏極、由柵極150b和柵氧化層151b形成的柵極，以及由n阱141b形成的體。p型有源區(qū)142a、142h和p阱144a、144d可以形成在P-MOSSCR設備140周圍的保護環(huán)。保護環(huán)可以用于消除形成在片上集成時P-MOSSCR設備140與周圍的半導體組件之間的無意的寄生路徑?？梢允褂胣阱141a、141c和深n阱146使p阱144b、144c與襯底147電隔離。電隔離p阱144b、144c允許p阱操作為說明性雙極設備的發(fā)射極、基極或集電極。隔離區(qū)148可以減少連接到不同電節(jié)點的有源區(qū)之間的靜態(tài)電流泄漏并且可以建立有源區(qū)之間的電阻阱路徑。形成隔離區(qū)148可以涉及在襯底147中蝕刻溝槽、用電介質(zhì)（例如，二氧化硅）填充溝槽，以及使用任何適合的方法（例如，化學機械平坦化）移除多余的電介質(zhì)。隔離區(qū)148的額外細節(jié)可以如上所述。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將了解，圖14中所示的截面可以對應于圖15中所示的等效電路。例如，第一PNP雙極晶體管170a、170b可以由第一PNP雙極晶體管170表示，第二PNP雙極晶體管171a、171b可以由第二PNP雙極晶體管171表示，第三PNP雙極晶體管172a、172b可以由第三PNP雙極晶體管172表示，第四PNP雙極晶體管173a、173b可以由第四PNP雙極晶體管173表示，并且第五PNP雙極晶體管174a、174b可以由第五PNP雙極晶體管174表示。類似地，NPN雙極晶體管177a、177b可以由NPN雙極晶體管177表示，第一電阻器179a、179b可以由第一電阻器179表示，第二電阻器180a、180b可以由第二電阻器180表示，第三電阻器181a、181b可以由第三電阻器181表示，第四電阻器182a、182b可以由第四電阻器182表示，第五電阻器183a、183b可以由第五電阻器183表示，第六電阻器184a、184b可以由第六電阻器184表示，并且第七電阻器185a、185b可以由第七電阻器185表示。此外，P-MOS晶體管178a、178b可以由P-MOS晶體管178表示。參照圖15，第一PNP雙極晶體管170的發(fā)射極電連接到第一電阻器179的第一端、第二PNP雙極晶體管171的發(fā)射極以及NPN雙極晶體管177的發(fā)射極。第一PNP雙極晶體管170的集電極電連接到第二電阻器180的第一端。第二電阻器180進一步包括電連接到參考電壓V1的第二端。第一PNP雙極晶體管170的基極電連接到第二PNP雙極晶體管171的基極以及第四電阻器182的第一端。第二PNP雙極晶體管171的集電極電連接到第三電阻器181的第一端。第三電阻器181進一步包括電連接到參考電壓V1的第二端。第四電阻器182進一步包括第二端，其電連接到NPN雙極晶體管177的集電極、第三PNP雙極晶體管172的基極、P-MOS晶體管178的體、第七電阻器185的第一端以及第四PNP晶體管173和第五PNP晶體管174的基極。第三PNP雙極晶體管172的集電極電連接到P-MOS晶體管178的漏極、第一電阻器179的第二端，以及NPN晶體管177的基極。第三PNP雙極晶體管172的發(fā)射極在標示為陽極的節(jié)點處電連接到P-MOS晶體管178的源極和柵極、第七電阻器185的第二端，以及第四PNP晶體管173和第五PNP晶體管174的發(fā)射極。第四PNP晶體管173的集電極電連接到第五電阻器183的第一端。第五電阻器183進一步包括電連接到參考電壓V1的第二端。第五PNP晶體管174的集電極電連接到第六電阻器184的第一端。第六電阻器184進一步包括電連接到參考電壓V1的第二端。盡管將P-MOSSCR設備圖示為包括第七電阻器185，但是在替代實施方案中，第七電阻器185可以是非常大的（例如，大于約1M-Ohm），或被省略。例如，圖14的n型有源區(qū)143b不需要電連接到陽極。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將了解，可以選擇性地調(diào)整和/或包括第七電阻器185以幫助控制說明性SCR設備的反向擊穿電壓、觸發(fā)電壓和/或保持電壓。P-MOSSCR設備140可以保護IC不受具有相對于陰極而言施加到陽極的正電壓的瞬態(tài)電事件。例如，瞬態(tài)電事件可以使陽極電壓相對于陰極增加直到達到NPN雙極晶體管177的集電極-發(fā)射極擊穿電壓。對于相對于陰極電壓減少陽極電壓的瞬態(tài)電事件，P-MOSSCR設備140可以具有基于n阱141b與p阱144a、144c中的每個之間的擊穿而確定的擊穿電壓。然而，與前面所描述的HRBV設備相比，在相對較低的電壓下發(fā)生反向結(jié)擊穿。因此，可以與HRBV設備級聯(lián)組合P-MOSSCR設備140，例如，在某些高反向擊穿電壓應用中。盡管在p型半導體襯底的情況下加以說明，但是本文所述的原理和優(yōu)勢也適用于摻雜極性相反的n型配置。例如，可以提供n型襯底而不是p型襯底，并且可以在n型襯底中提供相反的摻雜類型的阱和有源區(qū)。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將了解，在此類配置中陽極與陰極的操作可以是相反的。此外，本文所述的某些實施可以適用于無摻雜的襯底，例如，用于某些絕緣體上硅(SOI)技術(shù)的襯底。上述描述和權(quán)利要求書可以指的是“連接”或“耦合”在一起的元件或特征。如本文所用，除非另有明確說明，否則“連接”指的是一個元件/特征直接或間接連接到另一元件/特征，并且未必是機械連接的。同樣地，除非另有明確說明，否則“耦合”指的是一個元件/特征直接或間接耦合到另一元件/特征，并且未必是機械耦合的。因此，盡管圖中所示的各種示意圖描繪元件和組件的示例性布置，但是額外的介入元件、設備、特征或組件可以存在于實際的實施方案中（假定所述電路的功能性沒有受到不利影響）。應用使用上述方案的設備可以實施成各種電子設備。電子設備的實例可以包括（但不限于）消費性電子產(chǎn)品、消費性電子產(chǎn)品的零件、電子測試裝備等。電子設備的實例也可以包括存儲芯片、存儲器模塊、光學網(wǎng)絡或其他通信網(wǎng)絡的電路以及磁盤驅(qū)動器電路。消費性電子產(chǎn)品可以包括（但不限于）移動電話、電話、電視、計算機顯示器、計算機、手持式計算機、個人數(shù)字助理(PDA)、微波爐、冰箱、汽車、立體音響系統(tǒng)、盒式錄音機或播放器、DVD播放器、CD播放器、VCR、MP3播放器、收音機、攝像錄像機、相機、數(shù)碼相機、便攜式存儲芯片、洗衣機、烘干機、洗衣機/烘干機、復印機、傳真機、掃描器、多功能外圍設備、手表、時鐘等。此外，電子設備可以包括未成品，包括用于工業(yè)、醫(yī)療和汽車應用的產(chǎn)品。盡管已用某些實施方案來描述本發(fā)明，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員顯而易見的其他實施方案（包括不提供本文陳述的所有特征和優(yōu)勢的實施方案）也在本發(fā)明的范圍內(nèi)。此外，可以組合上述各種實施方案以提供其他實施方案。另外，在一個實施方案的情況下示出的某些特征也可以并入其他實施方案中。因此，僅通過參考附加權(quán)利要求書來定義本發(fā)明的范圍。