技術(shù)特征：
1.一種用于處理半導體基板的腔室，所述腔室包含：輻射能源，所述輻射能源定位于所述腔室的周邊區(qū)域處，以在所述腔室的處理位置與輸送位置之間提供輻射源，其中所述輻射能源安置于多個不連續(xù)的支撐件上，所述多個不連續(xù)的支撐件自所述腔室的側(cè)壁徑向向內(nèi)延伸；反射體，所述反射體定位于所述處理位置下方，所述反射體向上朝向所述處理位置定向，以及所述反射體安置于所述輻射能源周圍；以及氣源，所述氣源安置于所述處理位置上方。2.如權(quán)利要求1所述的腔室，其中所述輻射能源包含環(huán)形的弧光燈。3.如權(quán)利要求1所述的腔室，其中所述反射體為凹狀且環(huán)形的。4.如權(quán)利要求1所述的腔室，其中所述反射體經(jīng)成形以將來自所述輻射能源的輻射向所述處理位置反射。5.如權(quán)利要求1所述的腔室，所述腔室進一步包含：基板支撐件及升降銷組件，所述基板支撐件耦接至垂直致動器，所述升降銷組件耦接至所述基板支撐件且所述升降銷組件延伸穿過所述基板支撐件的基板容納表面，其中所述升降銷組件包含多個升降銷，所述多個升降銷各自具有長度，所述長度足以在所述基板支撐件的所述基板容納表面定位于所述輻射源與所述輸送位置之間時將基板保持在所述處理位置。6.如權(quán)利要求1所述的腔室，其中所述反射體包含徑向延伸部，所述徑向延伸部在所述腔室內(nèi)部的所述輻射能源與所述處理位置的周邊部分之間伸出。7.如權(quán)利要求1所述的腔室，所述腔室進一步包含基板支撐件，所述基板支撐件具有陰影環(huán)，所述陰影環(huán)具有反射表面。8.如權(quán)利要求7所述的腔室，其中所述基板支撐件具有溝槽化的基板容納表面，且所述溝槽的深度隨著距所述基板支撐件的中心的距離增加。9.如權(quán)利要求1所述的腔室，其中所述輻射能源在所述輻射能源背向所述反射體的表面上具有涂層。10.一種用于處理單一基板的腔室，所述腔室包含：基板支撐件，所述基板支撐件經(jīng)致動以在所述腔室內(nèi)部的處理位置與基板輸送位置之間移動，所述基板支撐件包含：基板容納表面，所述基板容納表面具有多個通道，所述多個通道形成于所述基板容納表面中；升降銷組件，所述升降銷組件耦接至所述基板支撐件，所述升降銷組件包含多個升降銷，所述多個升降銷經(jīng)致動以在所述基板容納表面上方延伸；環(huán)形燈，所述環(huán)形燈安置于多個不連續(xù)的支撐件上，所述多個不連續(xù)的支撐件自所述腔室的側(cè)壁徑向向內(nèi)延伸，所述環(huán)形燈界定位于所述處理位置與所述基板輸送位置之間的輻射源平面；以及凹狀的環(huán)形反射體，所述凹狀的環(huán)形反射體定位于所述處理位置下方，所述凹狀的環(huán)形反射體向上朝向所述處理位置定向，以及所述凹狀的環(huán)形反射體安置于所述環(huán)形燈周圍。11.如權(quán)利要求10所述的腔室，其中在所述基板容納表面中形成的通道具有深度，所述深度自所述基板容納表面的中心至所述基板容納表面的周邊部分而增加。12.如權(quán)利要求10所述的腔室，所述腔室進一步包含遮蔽環(huán)，所述遮蔽環(huán)安置于所述基板支撐件周圍且所述遮蔽環(huán)具有反射性的上表面，其中所述基板支撐件也具有反射性的上表面。13.如權(quán)利要求10所述的腔室，其中所述基板支撐件具有反射性的基板容納表面，所述反射性的基板容納表面包含電介質(zhì)反射鏡。14.如權(quán)利要求10所述的腔室，其中所述環(huán)形燈在所述環(huán)形燈的表面上具有反射涂層。