用于轉(zhuǎn)變無(wú)機(jī)層的基板、有機(jī)發(fā)光裝置及其制備方法本申請(qǐng)要求于2012年3月5日提交到韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的第10-2012-0022519號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)及其權(quán)益，該申請(qǐng)的內(nèi)容通過(guò)引用全部包含于此。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種制備有機(jī)發(fā)光裝置的方法，用于轉(zhuǎn)變無(wú)機(jī)層的基板以及有機(jī)發(fā)光裝置。

背景技術(shù)：
作為自發(fā)射裝置的有機(jī)發(fā)光裝置具有諸如寬視角、優(yōu)異的對(duì)比度、快速的響應(yīng)、高亮度。優(yōu)異的驅(qū)動(dòng)電壓特性的優(yōu)點(diǎn)，并且可顯示多彩的圖像。有機(jī)發(fā)光裝置包括有機(jī)發(fā)射單元，有機(jī)發(fā)射單元包括第一電極、有機(jī)層以及第二電極。由于有機(jī)發(fā)射單元對(duì)于諸如氧和濕氣的外部環(huán)境來(lái)說(shuō)是脆弱的，所以使用了使有機(jī)發(fā)射單元相對(duì)于外部環(huán)境密封的密封結(jié)構(gòu)。同時(shí)，需要開(kāi)發(fā)薄的有機(jī)發(fā)光裝置和/或柔性的有機(jī)發(fā)光裝置。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供一種制備有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，該方法包括下述步驟：在第二基板上形成包含低溫粘度轉(zhuǎn)變（LVT）無(wú)機(jī)材料的至少一個(gè)預(yù)無(wú)機(jī)層；在第一基板上形成至少一個(gè)有機(jī)發(fā)射單元；將粘合劑施加到第二基板和第一基板中的至少一個(gè)基板的邊緣部分；利用粘合劑使第二基板與第一基板結(jié)合，以使預(yù)無(wú)機(jī)層與有機(jī)發(fā)射單元彼此面對(duì)；通過(guò)在大于LVT無(wú)機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度的溫度條件下對(duì)預(yù)無(wú)機(jī)層執(zhí)行復(fù)原工藝，使預(yù)無(wú)機(jī)層轉(zhuǎn)變?yōu)闊o(wú)機(jī)層，以覆蓋有機(jī)發(fā)射單元。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，提供一種制備有機(jī)發(fā)光裝置的方法，該方法包括下述步驟：在第二基板上形成包含低溫粘度轉(zhuǎn)變（LVT）無(wú)機(jī)材料的預(yù)無(wú)機(jī)層；在第一基板上形成至少一個(gè)有機(jī)發(fā)射單元；在第一基板以及有機(jī)發(fā)射單元上形成至少一個(gè)第一有機(jī)層，以覆蓋有機(jī)發(fā)射單元；將粘合劑施加到第二基板和第一基板中的至少一個(gè)基板的邊緣部分；利用粘合劑使第二基板與第一基板結(jié)合，使得預(yù)無(wú)機(jī)層和第一有機(jī)層彼此面對(duì)；通過(guò)在大于LVT無(wú)機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度的溫度條件下對(duì)預(yù)無(wú)機(jī)層執(zhí)行復(fù)原工藝，使預(yù)無(wú)機(jī)層轉(zhuǎn)變?yōu)闊o(wú)機(jī)層，以覆蓋第一有機(jī)層。所述方法還可包括將無(wú)機(jī)層與第二基板分開(kāi)的步驟。第二基板可包含玻璃、塑料或金屬。形成有機(jī)層的步驟和/或形成第一有機(jī)層的步驟可包括提供可固化前驅(qū)物并使可固化前驅(qū)物固化?？衫瞄W蒸器來(lái)執(zhí)行提供可固化前驅(qū)物的步驟?？赏ㄟ^(guò)使用UV線、紅外線和激光束來(lái)執(zhí)行使可固化前驅(qū)物固化的步驟。形成預(yù)無(wú)機(jī)層的步驟可包括：將包含LVT無(wú)機(jī)材料粉體的糊施加到第二基板；對(duì)糊進(jìn)行燒結(jié)。形成預(yù)無(wú)機(jī)層的步驟可包括：通過(guò)噴涂將包含LVT無(wú)機(jī)材料的粉體的分散體系施加到基板；對(duì)分散體系進(jìn)行熱處理?？稍谡婵罩?、在減小的壓強(qiáng)條件下或者在基本去除了濕氣或氧的影響的不活潑氣氛中執(zhí)行使第二基板與第一基板結(jié)合的步驟，從而第二基板與第一基板之間的空間基本保持為真空。LVT無(wú)機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度可以是能夠向LVT無(wú)機(jī)材料提供流動(dòng)性的最低溫度。LVT無(wú)機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度可小于有機(jī)發(fā)射單元中包含的材料的變性溫度的最小值。LVT無(wú)機(jī)材料可包含錫的氧化物。LVT無(wú)機(jī)材料可包括從由磷的氧化物、硼的磷酸鹽、錫的氟化物、鈮的氧化物以及鎢的氧化物組成的組中選擇的至少一種。LVT無(wú)機(jī)材料可包括：SnO；SnO和P2O5；SnO和BPO4；SnO、SnF2和P2O5；SnO、SnF2、P2O5和NbO；或者SnO、SnF2、P2O5和WO3?？赏ㄟ^(guò)在LVT無(wú)機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度與有機(jī)發(fā)射單元中包含的材料的變性溫度的最小值之間的溫度條件下對(duì)預(yù)無(wú)機(jī)層進(jìn)行熱處理來(lái)執(zhí)行轉(zhuǎn)變的步驟。轉(zhuǎn)變的步驟可包括在大約80℃至大約132℃的溫度條件下對(duì)預(yù)無(wú)機(jī)層進(jìn)行熱處理長(zhǎng)達(dá)大約1小時(shí)至3小時(shí)?？稍谡婵罩谢蛟诓换顫姎怏w氣氛中執(zhí)行轉(zhuǎn)變的步驟。轉(zhuǎn)變的步驟可包括在利用激光束照射預(yù)無(wú)機(jī)層的同時(shí)掃描預(yù)無(wú)機(jī)層。所述方法還可包括在第二基板和預(yù)無(wú)機(jī)層之間形成至少一個(gè)第二有機(jī)層的步驟。使無(wú)機(jī)層與第二基板分開(kāi)的步驟可包括通過(guò)利用激光束照射第二有機(jī)層來(lái)使第二有機(jī)層與第二基板分開(kāi)。第二有機(jī)層可覆蓋無(wú)機(jī)層的至少一部分。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，提供一種用于轉(zhuǎn)變無(wú)機(jī)層的基板，所述基板包括：基底；至少一個(gè)無(wú)機(jī)層，形成在基底的一個(gè)表面上，并且包含低溫粘度轉(zhuǎn)變（LVT）無(wú)機(jī)材料。所述基板還可包括在無(wú)機(jī)層和基底之間的至少一個(gè)有機(jī)層。有機(jī)層可包含耐熱有機(jī)材料。LVT無(wú)機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度可以是能夠向LVT無(wú)機(jī)材料提供流動(dòng)性的最小溫度。LVT無(wú)機(jī)材料可包含錫的氧化物。LVT無(wú)機(jī)材料可包括從由磷的氧化物、硼的磷酸鹽、錫的氟化物、鈮的氧化物以及鎢的氧化物組成的組中選擇的至少一種。LVT無(wú)機(jī)材料可包括：SnO；SnO和P2O5；SnO和BPO4；SnO、SnF2和P2O5；SnO、SnF2、P2O5和NbO；或者SnO、SnF2、P2O5和WO3。第二基板可包含玻璃、塑料或金屬。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，提供一種有機(jī)發(fā)光裝置，所述有機(jī)發(fā)光裝置包括：第一基板；有機(jī)發(fā)光單元，在第一基板的一個(gè)表面上；無(wú)機(jī)層，包括低溫粘度轉(zhuǎn)變（LVT）無(wú)機(jī)材料并覆蓋有機(jī)發(fā)射單元；第二基板，在無(wú)機(jī)層上，與無(wú)機(jī)層接觸并面對(duì)第一基板。有機(jī)發(fā)光裝置還可包括在無(wú)機(jī)層和有機(jī)發(fā)射單元之間的第一有機(jī)層。無(wú)機(jī)層可轉(zhuǎn)變到有機(jī)發(fā)射單元上，以覆蓋有機(jī)發(fā)射單元。有機(jī)發(fā)光裝置還可包括在第二基板和無(wú)機(jī)層之間的第二有機(jī)層。有機(jī)發(fā)光裝置還可包括在第一基板和第二基板之間并設(shè)置在有機(jī)發(fā)光單元外部的粘合劑。LVT無(wú)機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度可以是能夠向LVT無(wú)機(jī)材料提供流動(dòng)性的最小溫度。LVT無(wú)機(jī)材料可包含錫的氧化物。LVT無(wú)機(jī)材料可包括從由磷的氧化物、硼的磷酸鹽、錫的氟化物、鈮的氧化物以及鎢的氧化物組成的組中選擇的至少一種。LVT無(wú)機(jī)材料可包括：SnO；SnO和P2O5；SnO和BPO4；SnO、SnF2和P2O5；SnO、SnF2、P2O5和NbO；或者SnO、SnF2、P2O5和WO3。第二基板可包含玻璃、塑料或金屬。附圖說(shuō)明通過(guò)參照附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，本發(fā)明的上述和其它特征和方面將變得明顯，在附圖中：圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的示意性剖視圖；圖2是圖1的部分II的剖視圖；圖3是圖1的部分III的剖視圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的示意性剖視圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的示意性剖視圖；圖6A至圖6J是描述圖1的有機(jī)發(fā)光裝置的制備方法的圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的示意性剖視圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的示意性剖視圖；圖9是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的示意性剖視圖；圖10A至圖10H是描述圖9的有機(jī)發(fā)光裝置的制備方法的圖；圖11是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的示意性剖視圖；圖12是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的示意性剖視圖；圖13是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的示意性剖視圖；圖14A至圖14I是描述圖13的有機(jī)發(fā)光裝置的制備方法的圖；圖15是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的示意性剖視圖；圖16是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的示意性剖視圖；圖17是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的示意性剖視圖；圖18A至圖18H是描述圖17的有機(jī)發(fā)光裝置的制備方法的圖；圖19是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的示意性剖視圖；圖20是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的示意性剖視圖。具體實(shí)施方式在下文中，將參照附圖更充分地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施例。如在這里使用的，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)所列項(xiàng)的任意組合和全部組合。當(dāng)諸如“至少一個(gè)”的描述引導(dǎo)一列元件時(shí)，其修飾整列的元件，而不修飾該列中的單個(gè)元件。圖1是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光裝置的示意性剖視圖。圖2是圖1的部分II的剖視圖，圖3是圖1的部分III的剖視圖。參照?qǐng)D1至圖3，有機(jī)發(fā)射單元2形成在第一基板1的一個(gè)表面上，有機(jī)層3和無(wú)機(jī)層4的層疊件形成在基板1上，使得該層疊件覆蓋有機(jī)發(fā)射單元2。第一基板1由玻璃形成，然而不限于此。第一基板1還可由金屬或塑料形成。第一基板1可以是能夠彎曲的柔性基板。在一個(gè)實(shí)施例中，第一基板1的彎曲半徑可以是10cm或更小。如圖2中所示，形成在第一基板1上的有機(jī)發(fā)射單元2包括層疊件，該層疊件包括第一電極21、第二電極22以及設(shè)置在第一電極21和第二電極22之間的有機(jī)發(fā)射層。雖然未在這里示出，但是有機(jī)發(fā)射單元2包括多個(gè)像素，并且每個(gè)像素包括一個(gè)像素電路，像素電路可包括至少一個(gè)薄膜晶體管（TFT）（未示出）和電容器（未示出）。第一電極21電連接到TFT。第一電極21和第二電極22彼此面對(duì)并且通過(guò)有機(jī)發(fā)射層23彼此絕緣。第一電極21的邊緣可由像素限定層24覆蓋，有機(jī)發(fā)射層23和第二電極22形成在像素限定層24和第一電極21上。第二電極22可以是用于覆蓋全部像素的共電極，第一電極21可形成在彼此獨(dú)立的每個(gè)像素中。第一電極21可通過(guò)在基板1上沉積或?yàn)R射用于形成第一電極21的材料來(lái)形成。當(dāng)?shù)谝浑姌O21是陽(yáng)極時(shí)，用于形成第一電極21的材料可以是高功函數(shù)材料，以有助于空穴注入。第一電極21可以是反射電極、半透明電極或透明電極。透明且導(dǎo)電的材料可被用于形成第一電極21，例如氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅（IZO）、氧化錫（SnO2）和氧化鋅（ZnO）?？墒褂面V（Mg）、鋁（Al）、鋁-鋰（Al-Li）、鈣（Ca）、鎂-銦（Mg-In）或鎂-銀（Mg-Ag）等來(lái)將第一電極21形成為反射電極。第一電極21可具有單層或多層結(jié)構(gòu)。例如，第一電極21可具有ITO/Ag/ITO的三層結(jié)構(gòu)，然而不限于此。有機(jī)發(fā)射層23形成在第一電極21上。有機(jī)發(fā)射層23可包括從由空穴注入層、空穴傳輸層、同時(shí)具有空穴注入和空穴傳輸能力的功能層、緩沖層、電子阻擋層、發(fā)射層、空穴阻擋層、電子傳輸層和電子注入層組成的組中選擇的至少一個(gè)層。例如，有機(jī)發(fā)射層23可包括下面的化合物301、311或321中的至少一種。第二電極22形成在有機(jī)發(fā)射層23上。第二電極22可以是作為電子注入電極的陰極。用于形成第二電極22的材料可以是具有低功函數(shù)的金屬、合金、導(dǎo)電化合物或它們的混合物。例如，第二電極22可以是通過(guò)利用鋰（Li）、鎂（Mg）、鋁（Al）、鋁-鋰（Al-Li）、鈣（Ca）、鎂-銦（Mg-In）或鎂-銀（Mg-Ag）等形成的薄膜的反射電極、透明電極或半透明電極。為了制造頂部發(fā)射式有機(jī)發(fā)光裝置，可使用由ITO或IZO形成的透明第二電極22，并可對(duì)此進(jìn)行各種修改。在朝第一基板1形成圖像的底部發(fā)射式有機(jī)發(fā)光裝置中，第二電極22可以相對(duì)厚，從而可提高朝第一基板1的發(fā)射效率。在朝第二基板電極22形成圖像的頂部發(fā)射式有機(jī)發(fā)光裝置中，第二電極22可以相對(duì)薄，從而第二電極22可以是反射層，或者可由透明導(dǎo)電材料形成第二電極22。在這種情況下，第一電極21還可包括反射層。雖然未在圖1至圖3中示出，但是可在第二電極22上形成保護(hù)層。例如，保護(hù)層可由LiF、羥基喹啉鋰或Alg3等形成。根據(jù)參照?qǐng)D1至圖3描述的實(shí)施例，有機(jī)發(fā)射單元2覆蓋有順序地堆疊的第一有機(jī)層31、無(wú)機(jī)層4和第二有機(jī)層32的層疊件，因此有機(jī)發(fā)射單元2通過(guò)層疊件而被相對(duì)于外部空氣進(jìn)行了密封。這樣，如圖3中所示，層疊件與環(huán)境元件51或51'接觸，以圍繞環(huán)境元件51或51'中的至少一個(gè)的邊界。環(huán)境元件51或51'可以是在形成有機(jī)發(fā)光顯示裝置的過(guò)程中附著的不期望的顆粒，并且可包括有機(jī)材料和/或無(wú)機(jī)材料。例如，環(huán)境元件51或51'可以是來(lái)自外部環(huán)境的微小顆粒（例如，外部環(huán)境中存在的灰塵和塵埃），或者用于形成有機(jī)發(fā)射單元2并且殘留在有機(jī)發(fā)射單元2上的材料的微小顆粒（例如，由用于形成第二電極22并且在形成第二電極22之后殘留的材料形成的微小顆粒）等。環(huán)境元件51或51'可包括各種有機(jī)材料、無(wú)機(jī)材料和有機(jī)/無(wú)機(jī)復(fù)合物。在圖3中，環(huán)境元件51或51'可設(shè)置在第二電極22上。雖然未在這里示出，但是其它環(huán)境元件可設(shè)置在第二電極22中或第二電極22下。有機(jī)發(fā)射單元2的上表面可具有彎曲部分。雖然未在這里示出，但是其它環(huán)境元件可形成在第一有機(jī)層31的上表面301上。在形成有機(jī)發(fā)射單元2之后，環(huán)境元件51或51'不能通過(guò)諸如洗滌的濕法工藝去除。環(huán)境元件51或51'的尺寸在1μm至5μm的范圍內(nèi)。小于環(huán)境元件51的環(huán)境元件51′可被第一有機(jī)層31覆蓋，環(huán)境元件51可通過(guò)第一有機(jī)層31暴露。在圖3中，為了便于描述，將環(huán)境元件51或51'概念性地示出為兩個(gè)具有不同尺寸的球形顆粒。無(wú)機(jī)層4可覆蓋因環(huán)境元件51的厚度大于第一有機(jī)層31的厚度而未被第一有機(jī)層31覆蓋并且通過(guò)第一有機(jī)層31暴露的環(huán)境元件51。第一有機(jī)層31可由聚合物材料形成。聚合物材料可包括丙烯酸材料（acrylicmaterial）。如圖2中所示，第一有機(jī)層31的上表面301可為基本平坦的。這里，第一有機(jī)層31的下表面302由于像素限定層24的彎曲部分而可以是不平坦的?；酒教沟纳媳砻?01和不平坦的下表面302是第一有機(jī)層31的相對(duì)的表面。由于第一有機(jī)層31的上表面301是基本平坦的，所以第一有機(jī)層31的在環(huán)境元件51的周圍的厚度t31與有機(jī)層31的在遠(yuǎn)離環(huán)境元件51的部分處的厚度t32基本相同，如圖3中所示。這表明除了如圖2中所示的下表面302的彎曲部分之外，有機(jī)層3可具有均勻的厚度。因此，有機(jī)發(fā)射單元2的整個(gè)表面可被均勻地保護(hù)。無(wú)機(jī)層4形成在有第一有機(jī)層31上，因此，無(wú)機(jī)層4沿平面方向與第一有機(jī)層31接觸。無(wú)機(jī)層4可包括低溫粘度轉(zhuǎn)變（LVT）無(wú)機(jī)材料。可通過(guò)熔化并固化來(lái)形成無(wú)機(jī)層4，這將在后面進(jìn)行描述。LVT無(wú)機(jī)材料是具有低的粘度轉(zhuǎn)變溫度的無(wú)機(jī)材料。如在這里使用的，“粘度轉(zhuǎn)變溫度”不是LVT無(wú)機(jī)材料的相從固相完全改變?yōu)橐合嗟臏囟?，而是使LVT無(wú)機(jī)材料具有流動(dòng)性的最低溫度，即，使LVT無(wú)機(jī)材料的粘度改變的最低溫度。LVT無(wú)機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度可小于有機(jī)發(fā)射單元2中包含的材料的變性溫度。例如，LVT無(wú)機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度可小于有機(jī)發(fā)射單元2中包含的材料的變性溫度的最小值?！坝袡C(jī)發(fā)射單元2中包含的材料的變性溫度”表示能夠?qū)е掠袡C(jī)發(fā)射單元2中包含的材料發(fā)生化學(xué)和/或物理變性的溫度，根據(jù)包含在其中的材料的種類和數(shù)量，該材料可具有多個(gè)變性溫度。例如，“LVT無(wú)機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度”和“有機(jī)發(fā)射單元2中包含的材料的變性溫度”可指LVT無(wú)機(jī)材料和有機(jī)發(fā)射單元2的有機(jī)層23中包含的有機(jī)材料的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg?？赏ㄟ^(guò)對(duì)LVT無(wú)機(jī)材料和有機(jī)發(fā)射單元2的有機(jī)層23中包含的有機(jī)材料進(jìn)行熱重分析（TGA）來(lái)測(cè)量Tg。例如，可通過(guò)在N2氣氛下的TGA和差式掃描量熱法（DSC）對(duì)有機(jī)發(fā)射單元2中包含的材料進(jìn)行熱分析來(lái)獲得Tg，其中，對(duì)于TGA來(lái)說(shuō)，溫度范圍為從室溫至大約600℃（10℃/分鐘），對(duì)DSC來(lái)說(shuō)，溫度范圍為從室溫至大約400℃（盤類型（PanType）：一次性Al盤（AlPan）中的Pt盤（PtPan）（TGA）、一次性Al盤（AlPan）（DSC）），這些條件是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解的。有機(jī)發(fā)射單元2中包含的材料的變性溫度可以是但不限于大于大約130℃，并可如上所述地通過(guò)對(duì)有機(jī)發(fā)射單元2中包含的材料的TGA分析來(lái)有效地測(cè)量?；?中包含的材料的變性溫度的最小值可在大約130℃至大約140℃的范圍內(nèi)。有機(jī)發(fā)射單元2中包含的材料的變性溫度的最小值可以是但不限于大約132℃，并且通過(guò)如上所述的經(jīng)對(duì)有機(jī)發(fā)射單元2中包含的材料的TGA分析來(lái)測(cè)量該材料的Tg、并選擇最小的Tg，可以進(jìn)行有效地確定。例如，LVT無(wú)機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度可為大約80℃或更高，例如，在大約80℃至大約132℃的范圍內(nèi)，然而不限于此。例如，LVT無(wú)機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度可以在大約80℃至大約120℃的范圍內(nèi)，或可以在大約100℃至大約120℃的范圍內(nèi)，然而不限于此。例如，LVT無(wú)機(jī)材料的粘度轉(zhuǎn)變溫度可為大約110℃。LVT無(wú)機(jī)材料可以是單種化合物或者至少兩種化合物的混合物。LVT無(wú)機(jī)材料可包括諸如SnO或SnO2的錫的氧化物。如果LVT無(wú)機(jī)材料包括SnO，則SnO的含量可在按重量計(jì)大約20%至按重量計(jì)大約100%的范圍內(nèi)。在一個(gè)實(shí)施例中，LVT無(wú)機(jī)材料還可包括從由磷的氧化物（例如P2O5）、硼的磷酸鹽（例如BPO4）、錫的氟化物（例如SnF2）、鈮的氧化物（例如NbO）以及鎢的氧化物（例如WO3）組成的組中選擇的至少一種，然而不限于此。在多種實(shí)施例中，LVT無(wú)機(jī)材料可包括：SnO；SnO和P2O5；SnO和BPO4；SnO、SnF2和P2O5；SnO、SnF2、P2O5和NbO；或者SnO、SnF2、P2O5和WO3，然而不限于此。在多種實(shí)施例中，LVT無(wú)機(jī)材料可包括下面的成分，然而不限于此。SnO（100wt%）；SnO（80wt%）和P2O5（20wt%）；SnO（90wt%）和BPO4（10wt%）；SnO（20-50wt%）、SnF2（30-60wt%）和P2O5（10-30wt%），其中，SnO、SnF2、和P2O5的重量百分比的和為100wt%；SnO（20-50wt%）、SnF2（30-60wt%）、P2O5（10-30wt%）和NbO（1-5wt%）,其中，SnO、SnF2、P2O5和NbO的重量百分比的和為100wt%；或者SnO（20-50wt%）、SnF2（30-60wt%）、P2O5（10-30wt%）和WO3（1-5wt%）,其中，SnO、SnF2、P2O5和WO3的重量百分比的和為100wt%。在多種實(shí)施例中，LVT無(wú)機(jī)材料可包括SnO（42.5wt%）、SnF2(40wt%）、P2O5（15wt%）和WO3（2.5wt%），然而不限于此。如果無(wú)機(jī)層4具有上述成分，則粘度轉(zhuǎn)變溫度可保持為低于有機(jī)發(fā)射單元2中包含的材料的變性溫度，從而可以通過(guò)復(fù)原（healing）工藝來(lái)糾正可在無(wú)機(jī)層4中形成的各種缺陷，這將在下面描述。如圖3中所示，無(wú)機(jī)層4可包括膜形成元件52。膜形成元件52可以是在無(wú)機(jī)層4的形成過(guò)程中沉積在第一有機(jī)層31上的無(wú)機(jī)材料的顆粒，并且膜形成元件52可通過(guò)將在下面描述的復(fù)原工藝來(lái)糾正，從而構(gòu)成無(wú)機(jī)層4的一部分。如圖3中所示，環(huán)境元件51由無(wú)機(jī)層4圍繞，因此，無(wú)機(jī)層4的下表面402可以是不平坦的。更具體地說(shuō)，無(wú)機(jī)層4的上表面401是基本平坦的。這是由于無(wú)機(jī)層4是這樣形成的，即，通過(guò)在復(fù)原工藝過(guò)程中使無(wú)機(jī)層4具有流動(dòng)性，并使無(wú)機(jī)層4固化。因此，基本平坦的上表面401和不平坦的下表面402是無(wú)機(jī)層4的相對(duì)表面。由于無(wú)機(jī)層4的上表面401基本平坦，所以無(wú)機(jī)層4的在環(huán)境元件51附近的厚度t41與無(wú)機(jī)層4的在遠(yuǎn)離環(huán)境元件51的部分處的厚度t42基本相同，如圖3中所示。這表示除了如圖3中所示的下表面402的彎曲部分之外，無(wú)機(jī)層4可具有均勻的厚度。因此，有機(jī)發(fā)射單元2的整個(gè)表面可以被均勻地保護(hù)。如圖1中所示，無(wú)機(jī)層4可具有比第一有機(jī)層31的面積大的面積，從而無(wú)機(jī)層4的所有邊緣均與第一基板1接觸。因此，第一有機(jī)層31完全被無(wú)機(jī)層4覆蓋。這里，由于無(wú)機(jī)層4與第一基板1接觸，所以提高了無(wú)機(jī)層4和第一基板1之間的粘合強(qiáng)度，并且可以更有效地阻擋或減少外部空氣滲透到有機(jī)發(fā)射單元2中。雖然未在這里示出，但是有機(jī)發(fā)射單元2還可包括如上所述的包括TFT的像素電路，無(wú)機(jī)層4可接觸像素電路（例如TFT）的任意絕緣層。例如，在TFT的層中，從柵極絕緣層延伸的部分可與無(wú)機(jī)層4接觸。這樣，由于構(gòu)成TFT的絕緣層是諸如氧化硅層、氮化硅層或氮氧化硅層的無(wú)機(jī)絕緣層，所以它們的特性可以與當(dāng)無(wú)機(jī)層4與第一基板1接觸時(shí)的特性相同或相似。無(wú)機(jī)層4的至少一部分被第二有機(jī)層32覆蓋。第一有機(jī)層31和第二有機(jī)層32可由相同的有機(jī)材料形成。然而，本發(fā)明不限于此，第二有機(jī)層32可包括耐熱有機(jī)材料。這樣，耐熱有機(jī)材料可具有與第一有機(jī)層31的組成相同或相似的組成。第二有機(jī)層32的結(jié)構(gòu)可被形成為覆蓋無(wú)機(jī)層4的上表面，如圖1中所示，然而不限于此。在一個(gè)實(shí)施例中，如圖4中所示，第二有機(jī)層32'可被形成為覆蓋無(wú)機(jī)層4的整個(gè)表面。這樣，如圖4中所示，第二有機(jī)層32'可以不覆蓋無(wú)機(jī)層4的邊緣的一部分，然而本發(fā)明不限于此。第二有機(jī)層32'可以完全地覆蓋無(wú)機(jī)層4，包括其邊緣。在一個(gè)實(shí)施例中，如圖5中所示，第二有機(jī)層32″可被形成為覆蓋無(wú)機(jī)層4的上表面以及側(cè)部的一部分。如圖1、圖4和圖5中分別示出的第二有機(jī)層32、32'和32″可保護(hù)無(wú)機(jī)層免受外部沖擊等的影響，并且可補(bǔ)償無(wú)機(jī)層4的彎曲特性。雖然沒(méi)有在此示出，但是還可形成至少一個(gè)無(wú)機(jī)層和/或無(wú)機(jī)層/有機(jī)層的堆疊件，以覆蓋第二有機(jī)層32、32'和32″?？赏ㄟ^(guò)復(fù)原工藝?yán)肔VT無(wú)機(jī)材料來(lái)形成無(wú)機(jī)層，然而不限于此。也可應(yīng)用與無(wú)機(jī)層4不同的無(wú)機(jī)材料，例如基于硅的氧化物、基于硅的氮化物、基于鋁的氧化物和/或基于鋁的氮化物。將參照?qǐng)D6A至圖6J描述制備圖1的有機(jī)發(fā)光裝置的方法。首先，在第二基板11上形成至少一個(gè)第二有機(jī)層32。在圖6A中，三個(gè)第二有機(jī)層32形成在第二基板11上，然而本發(fā)明不限于此，只要在第二基板11上形成至少一個(gè)第二有機(jī)層32即可。如果在第二基板11上形成多個(gè)第二有機(jī)層32，則可同時(shí)地制備多個(gè)有機(jī)發(fā)光裝置，從而提高生產(chǎn)率。第二基板11可以是透明玻璃基板，然而不限于此，其也可為塑料基板。利用諸如絲網(wǎng)印刷或狹縫涂覆工藝在第二基板11的預(yù)選的或預(yù)定的區(qū)域上形成第二有機(jī)層32。第二有機(jī)層32可由透明的丙烯酸（acrylic）或耐熱聚合物形成為具有范圍在大約1μ...