技術(shù)特征：
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：提供半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底上形成層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層的材料為低k材料或者超低k材料，并在所述層間介質(zhì)層中形成金屬層，所述金屬層的上表面與所述層間介質(zhì)層的上表面齊平；在所述層間介質(zhì)層和金屬層上形成包含納米孔洞的掩膜層；所述掩膜層的材料為氧化鋁，形成包含納米孔洞的掩膜層包括：在所述層間介質(zhì)層和金屬層上形成鋁金屬層；對(duì)所述鋁金屬層進(jìn)行陽(yáng)極氧化處理，形成包含納米孔洞的氧化鋁層；以所述掩膜層為掩模，刻蝕所述層間介質(zhì)層，在所述層間介質(zhì)層中形成管狀開口；所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法還包括：在所述氧化鋁層上形成阻擋層。2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成鋁金屬層的方法為物理氣相沉積工藝。3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，進(jìn)行陽(yáng)極氧化處理的溶液呈堿性。4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，進(jìn)行陽(yáng)極氧化處理的溶液為包括NaOH、Na2CO3和C2H5OH的混合溶液。5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述掩膜層的厚度為5nm～50nm。6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述納米孔洞在與掩膜層表面平行方向上的橫截面的直徑為10nm～100...