技術(shù)特征：
1.一種半導(dǎo)體器件，包括：襯底；金屬焊盤，位于所述襯底上方；鈍化層，覆蓋所述金屬焊盤的邊緣部分，所述鈍化層包括與所述金屬焊盤重疊的第一開口，并且所述第一開口具有在與所述襯底的主面平行的方向上測(cè)量的第一橫向尺寸；聚合物層，位于所述鈍化層上方并覆蓋所述金屬焊盤的所述邊緣部分，所述聚合物層包括與所述金屬焊盤重疊的第二開口，所述第二開口具有在所述方向上測(cè)量的第二橫向尺寸，并且所述第一橫向尺寸比所述第二橫向尺寸大7μm以上；以及凸塊下金屬化層(UBM)，包括位于所述第二開口中的第一部分和覆蓋部分所述聚合物層的第二部分，其中，所述金屬焊盤的尺寸對(duì)于減小所述半導(dǎo)體器件中的應(yīng)力沒有影響。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述凸塊下金屬化層具有在所述方向上測(cè)量的第三橫向尺寸，所述第一橫向尺寸比所述第三橫向尺寸小2μm以上。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，進(jìn)一步包括位于所述凸塊下金屬化層上方的金屬柱。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的器件，其中，器件管芯包括所述金屬焊盤、所述鈍化層、所述聚合物層和所述凸塊下金屬化層，并且所述金屬柱通過銅柱導(dǎo)線直連接合而接合至封裝襯底的金屬線。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述凸塊下金屬化層具有細(xì)長(zhǎng)的俯視形狀并包括一長(zhǎng)度和小于所述長(zhǎng)度的寬度，并且所述方向與所述凸塊下金屬化層的縱向平行。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述凸塊下金屬化層具有細(xì)長(zhǎng)的俯視形狀并包括一長(zhǎng)度和小于所述長(zhǎng)度的寬度，并且所述方向與所述凸 塊下金屬化層的橫向平行。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述第一開口、所述第二開口和所述凸塊下金屬化層具有細(xì)長(zhǎng)的俯視形狀。8.一種半導(dǎo)體器件，包括：襯底；金屬焊盤，位于所述襯底上方；鈍化層，覆蓋所述金屬焊盤的邊緣部分，所述鈍化層包括與所述金屬焊盤重疊的第一開口，并且所述第一開口具有在與所述襯底的主面平行的方向上測(cè)量的第一橫向尺寸；聚合物層，位于所述鈍化層上方并覆蓋所述金屬焊盤的邊緣部分，所述聚合物層包括與所述金屬焊盤重疊的第二開口；以及凸塊下金屬化層(UBM)，包括位于所述第二開口中的第一部分和覆蓋部分所述聚合物層的第二部分，所述凸塊下金屬化層具有在所述方向上測(cè)量的第二橫向尺寸，并且所述第一橫向尺寸比所述第二橫向尺寸小2μm以上，其中，所述金屬焊盤的尺寸對(duì)于減小所述半導(dǎo)體器件中的應(yīng)力沒有影響。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的器件，其中，所述第二開口具有在所述方向上測(cè)量的第三橫向尺寸，所述第一橫向尺寸比所述第三橫向尺寸大7μm以上。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的器件，進(jìn)一步包括位于所述凸塊下金屬化層上方的金屬柱，所述金屬柱的邊緣與所述凸塊下金屬化層的對(duì)應(yīng)邊緣對(duì)齊。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的器件，其中，器件管芯包括所述金屬焊盤、所述鈍化層、所述聚合物層和所述凸塊下金屬化層，并且所述金屬柱通過銅柱導(dǎo)線直連接合而接合至封裝襯底的金屬線。12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的器件，其中，所述凸塊下金屬化層具有細(xì)長(zhǎng)的俯視形狀并包括一長(zhǎng)度和小于所述長(zhǎng)度的寬度，并且所述方向與所述凸塊下金屬化層的縱向平行。13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的器件，其中，所述凸塊下金屬化層具有細(xì)長(zhǎng)的俯視形狀并包括一長(zhǎng)度和小于所述長(zhǎng)度的寬度，并且所述方向與所述凸塊下金屬化層的橫向平行。14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的器件，其中，所述第一開口、所述第二開口和所述凸塊下金屬化層具有細(xì)長(zhǎng)的俯視形狀。15.一種半導(dǎo)體器件，包括：襯底；金屬焊盤，位于所述襯底上方；鈍化層，覆蓋所述金屬焊盤的邊緣部分，所述鈍化層包括第一開口，所述金屬焊盤的一部分設(shè)置在所述第一開口的下方，并且所述第一開口具有在第一方向和第二方向上測(cè)量的第一長(zhǎng)度和第一寬度，所述第一方向和所述第二方向平行于所述襯底的主面；聚合物層，位于所述鈍化層上方并覆蓋所述鈍化層，所述聚合物層具有第二開口，部分所述金屬焊盤設(shè)置在所述第二開口下方，所述第二開口具有分別在所述第一方向和所述第二方向上測(cè)量的第二長(zhǎng)度和第二寬度，并且所述第一長(zhǎng)度比所述第二長(zhǎng)度大7μm以上且所述第一寬度比所述第二寬度大7μm以上；以及凸塊下金屬化層(UBM)，包括位于所述第二開口中的第一部分和位于部分所述聚合物層上方的第二部分，所述凸塊下金屬化層具有分別在所述第一方向和所述第二方向上測(cè)量的第三長(zhǎng)度和第三寬度，并且所述第一長(zhǎng)度比所述第三長(zhǎng)度小2μm以上且所述第一寬度比所述第三寬度小2μm以上，其中，所述金屬焊盤的尺寸對(duì)于減小所述半導(dǎo)體器件中的應(yīng)力沒有影響。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的器件，其中，所述第一長(zhǎng)度、所述第二長(zhǎng)度和所述第三長(zhǎng)度分別大于所述第一寬度、所述第二寬度和所述第三寬度。17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的器件，進(jìn)一步包括位于所述金屬焊盤下方的低k介電層。18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的器件，其中，所述凸塊下金屬化層包括銅。19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的器件，進(jìn)一步包括位于所述凸塊下金屬化層上方的金屬柱，所述金屬柱的邊緣與所述凸塊下金屬化層的對(duì)應(yīng)邊緣對(duì)齊。20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的器件，其中，器件管芯包括所述金屬焊盤、所述鈍化層、所述聚合物層和所述凸塊下金屬化層，并且所述金屬柱通過銅柱導(dǎo)線直連接合而接合至封裝襯底的金屬線。