本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體器件及其形成方法。

背景技術(shù)：
在現(xiàn)有技術(shù)中，為提高晶體管的溝道區(qū)的應(yīng)力，常采用嵌入式鍺硅（EmbeddedSiGe）技術(shù)引入應(yīng)力以提高晶體管的性能。在2009年8月4日公開的公開號為US7569443B2的美國專利公開了一種采用嵌入式鍺硅（EmbeddedSiGe）技術(shù)提高PMOS晶體管的性能的方法，即在需要形成源極和漏極的區(qū)域先形成鍺硅（SiGe）層，然后再進(jìn)行離子注入形成晶體管的源極和漏極。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的工藝節(jié)點降低到28nm以下，現(xiàn)有技術(shù)采用形成凸出源極和漏極的技術(shù)，即在源極和漏極區(qū)域形成的鍺硅層或碳硅層具有高出半導(dǎo)體襯底表面的凸出部分。一方面，該凸出部分可以方便作為晶體管與其他半導(dǎo)體器件的連接點。另一方面，該凸出部分可以降低晶體管的電阻。這進(jìn)一步提高了晶體管的性能。在現(xiàn)有技術(shù)中，形成帶有凸出源極和漏極的晶體管的方法，包括：參照圖1，提供半導(dǎo)體襯底100，在半導(dǎo)體襯底100上形成第一柵極101和第二柵極102，形成覆蓋襯底100、第一柵極101和第二柵極102的第一帽層103，在半導(dǎo)體襯底100中還形成有隔離結(jié)構(gòu)104；參照圖1和圖2，形成圖形化的光刻膠層105，定義第二柵極102所在有源區(qū)的位置；以圖形化的光刻膠層105為掩模，刻蝕第一帽層103，在第二柵極102側(cè)壁形成側(cè)墻106；接著以圖形化的光刻膠層105和側(cè)墻106為掩模，在第二柵極102兩側(cè)的襯底100中形成Σ形凹槽107；參照圖2和圖3，去除圖形化的光刻膠層105；接著，以剩余第一帽層103和側(cè)墻106為掩模，在Σ形凹槽107中外延生長鍺硅層108，鍺硅層108高于襯底100表面；之后，去除剩余的第一帽層103；參照圖3和圖4，形成第二帽層109，第二帽層109覆蓋第一柵極101所在有源區(qū)和第二柵極102所在有源區(qū)；參照圖4和圖5，形成圖形化的光刻膠層110，定義第一柵極101所在的有源區(qū)的位置；以圖形化的光刻膠層110為掩模，刻蝕第二帽層109，在第一柵極101側(cè)壁形成側(cè)墻111；接著以圖形化的光刻膠層110和側(cè)墻111為掩模，在第一柵極101兩側(cè)的襯底中形成Σ形凹槽112；參照圖5和圖6，去除圖形化的光刻膠層110；接著，以側(cè)墻111為掩模，在Σ形凹槽112中外延生長碳硅層113，碳硅層113高于襯底100表面；之后去除圖形化的光刻膠層110和剩余第二帽層109。但是，使用現(xiàn)有技術(shù)的形成凸出源極和漏極的方法制造的晶體管性能不佳。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明解決的問題是，使用現(xiàn)有技術(shù)的形成凸出源極和漏極的方法制造的晶體管性能不佳。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的形成方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底，在半導(dǎo)體襯底中形成隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)將半導(dǎo)體襯底隔開為第一有源區(qū)和第二有源區(qū)，所述第一有源區(qū)、第二有源區(qū)的類型相反；形成位于第一有源區(qū)的第一柵極和位于第二有源區(qū)的第二柵極；形成第一帽層，第一帽層覆蓋所述半導(dǎo)體襯底、第一柵極和第二柵極；圖形化第一帽層，形成位于第一柵極周圍的第一側(cè)墻；在第一側(cè)墻兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中形成第一凹槽，在所述第一凹槽中外延生長第一半導(dǎo)體材料，所述第一半導(dǎo)體材料高于所述襯底表面，其中，第一帽層的材料保證在第一側(cè)墻表面不會生長第一半導(dǎo)體材料，且圖形化第一帽層時不會損傷隔離結(jié)構(gòu)；在形成第一半導(dǎo)體材料后，形成第二帽層，所述第二帽層覆蓋第一有源區(qū)和第二有源區(qū)；圖形化剩余的第一帽層和第二帽層，在第二柵極周圍形成第二側(cè)墻；在第二側(cè)墻兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中形成第二凹槽，在所述第二凹槽中外延生長第二半導(dǎo)體材料，所述第二半導(dǎo)體材料高于所述襯底表面，其中，第二帽層的材料保證在第二側(cè)墻表面不會生長第二半導(dǎo)體材料；去除剩余的第二帽層，其中，第二帽層的材料保證去除剩余的第二帽層時不會損傷隔離結(jié)構(gòu)?？蛇x的，當(dāng)?shù)谝话雽?dǎo)體材料為鍺硅，第二半導(dǎo)體材料為碳硅時，第一帽層包括氮化硅層，第二帽層包括氮化硅層、位于氮化硅層上的氧化硅層；或者，當(dāng)?shù)谝话雽?dǎo)體材料為碳硅，第二半導(dǎo)體材料為鍺硅時，第一帽層包括氮化硅層、位于氮化硅層上的氧化硅層，第二帽層包括氮化硅層?？蛇x的，在所述半導(dǎo)體襯底上形成第一帽層前，還包括：形成氧化硅層，覆蓋半導(dǎo)體襯底、第一柵極和第二柵極，在圖形化第一帽層時、圖形化剩余的第一帽層和第二帽層時，也圖形化所述第一帽層下、剩余的第一帽層下的氧化硅層?？蛇x的，所述第一凹槽、第二凹槽均為sigma形凹槽?？蛇x的，當(dāng)?shù)谝话雽?dǎo)體材料為鍺硅、第二半導(dǎo)體材料為碳硅時，第一凹槽為sigma形凹槽，第二凹槽為碗狀凹槽；當(dāng)?shù)谝话雽?dǎo)體材料為碳硅、第二半導(dǎo)體材料為鍺硅時，第一凹槽為碗狀凹槽，第二凹槽為sigma形凹槽。可選的，形成所述sigma形凹槽的方法，包括：使用干法刻蝕工藝，在半導(dǎo)體襯底中形成矩形凹槽；清洗所述矩形凹槽，以去除形成矩形凹槽過程中產(chǎn)生的聚合物；在清洗之后，使用濕法腐蝕法刻蝕所述矩形凹槽形成所述sigma形凹槽?？蛇x的，形成所述碗狀凹槽的方法，包括：使用各向異性干法刻蝕工藝，在半導(dǎo)體襯底中形成矩形凹槽；使用各向同性干法刻蝕工藝，刻蝕所述矩形凹槽，形成碗狀凹槽?？蛇x的，所述氧化硅層、氮化硅層的厚度范圍均為：可選的，去除剩余的第二帽層的方法為濕法腐蝕法?？蛇x的，所述隔離結(jié)構(gòu)的材料為氧化硅?？蛇x的，所述第一柵極、第二柵極為前柵工藝中的柵極；或者，所述第一柵極和第二柵極均為后柵工藝的偽柵極，在去除剩余的第二帽層后，還包括：去除所述偽柵極形成溝槽；在所述溝槽中填充導(dǎo)電材料，形成柵極。本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體器件，包括：位于半導(dǎo)體襯底中的隔離結(jié)構(gòu)，將半導(dǎo)體襯底隔開為第一有源區(qū)和第二有源區(qū)，第一有源區(qū)、第二類型有源區(qū)類型相反；位于所述第一有源區(qū)的第一柵極和第二有源區(qū)的第二柵極；位于所述第一柵極周圍的第一側(cè)墻；位于所述第二柵極周圍的第二側(cè)墻；位于所述第一側(cè)墻兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中的第一凹槽、位于第一凹槽中的第一半導(dǎo)體材料，所述第一半導(dǎo)體材料高于所述襯底表面；位于所述第二側(cè)墻兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中的第二凹槽、位于第二凹槽中的第二半導(dǎo)體材料，所述第二半導(dǎo)體材料高于所述襯底表面，所述第一側(cè)墻最里層的材料、第二側(cè)墻最里層的材料與所述隔離結(jié)構(gòu)具有高刻蝕選擇比，確保在形成第一側(cè)墻、第二側(cè)墻過程中，不會損傷隔離結(jié)構(gòu)，且在第一側(cè)墻高于第一半導(dǎo)體材料的表面沒有第一半導(dǎo)體材料，第二側(cè)墻高于第二半導(dǎo)體材料的表面沒有第二半導(dǎo)體材料?？蛇x的，當(dāng)?shù)谝话雽?dǎo)體材料為鍺硅，第二半導(dǎo)體材料為碳硅時，第一側(cè)墻包括氮化硅層，第二側(cè)墻包括氮化硅層、位于氮化硅層上的氧化硅層；或者，當(dāng)?shù)谝话雽?dǎo)體材料為碳硅，第二半導(dǎo)體材料為鍺硅時，第一側(cè)墻包括氮化硅層、位于氮化硅層上的氧化硅層，第二側(cè)墻包括氮化硅層、位于氮化硅層上的氧化硅層、位于氧化硅層上的氮化硅層?？蛇x的，還包括：位于第一柵極與第一側(cè)墻之間的氧化硅層，位于第二柵極與第二側(cè)墻之間的氧化硅層?？蛇x的，所述第一凹槽、第二凹槽均為sigma形凹槽?？蛇x的，當(dāng)?shù)谝话雽?dǎo)體材料為鍺硅、第二半導(dǎo)體材料為碳硅時，第一凹槽為sigma形凹槽，第二凹槽為碗狀凹槽；當(dāng)?shù)谝话雽?dǎo)體材料為碳硅、第二半導(dǎo)體材料為鍺硅時，第一凹槽為碗狀凹槽，第二凹槽為sigma形凹槽?？蛇x的，所述氧化硅層、氮化硅層的厚度范圍均為：與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點：本發(fā)明首先形成位于第一有源區(qū)的第一柵極、位于第二有源區(qū)的第二柵極。之后，形成覆蓋半導(dǎo)體襯底、第一柵極和第二柵極的第一帽層；圖形化第一帽層，形成位于第一柵極周圍的第一側(cè)墻；在第一側(cè)墻兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中形成第一凹槽，在第一凹槽中外延生長第一半導(dǎo)體材料，所述第一半導(dǎo)體材料高于襯底表面，其中，第一帽層的材料保證在第一側(cè)墻表面不會生長第一半導(dǎo)體材料，且圖形化第一帽層時不會損傷隔離結(jié)構(gòu)；在形成第一半導(dǎo)體材料后，形成第二帽層，覆蓋第一有源區(qū)和第二有源區(qū)；圖形化剩余的第一帽層和第二帽層，在第二柵極周圍形成第二側(cè)墻；在第二側(cè)墻兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中形成第二凹槽，在第二凹槽中外延生長第二半導(dǎo)體材料，第二半導(dǎo)體材料高于所述襯底表面，其中，第二帽層材料保證在第二側(cè)墻表面不會生長第二半導(dǎo)體材料；去除剩余的第二帽層，第二帽層的材料保證在去除剩余的第二帽層時不會損傷隔離結(jié)構(gòu)。由于第一帽層、第二帽層的材料相比于隔離結(jié)構(gòu)的材料具有較高的刻蝕選擇比，在圖形化第一帽層、圖形化剩余第一帽層和去除剩余第二帽層過程中，不會損傷隔離結(jié)構(gòu)，進(jìn)而保證隔離結(jié)構(gòu)的電隔離性能，提升半導(dǎo)體器件的電學(xué)性能。另外，由于第一帽層相比于第一半導(dǎo)體材料具有較低的外延生長選擇比，則在外延生長第一半導(dǎo)體材料時，第一半導(dǎo)體材料不會在第一側(cè)墻表面生長；由于第二帽層相比于第二半導(dǎo)體材料具有較低的外延生長選擇比，則在外延生長第二半導(dǎo)體材料時，第二半導(dǎo)體材料不會在第二側(cè)墻表面生長。這樣，第一半導(dǎo)體材料和第二半導(dǎo)體材料的生長區(qū)域符合預(yù)期定義，在第一有源區(qū)形成的晶體管和第二有源區(qū)形成的晶體管具有較好性能，最后形成的半導(dǎo)體器件具有較好性能。進(jìn)一步，第一半導(dǎo)體材料為碳硅或第二半導(dǎo)體材料為碳硅時，對應(yīng)第一半導(dǎo)體材料的第一凹槽和對應(yīng)第二半導(dǎo)體材料的第二凹槽設(shè)計成碗狀凹槽。碗狀凹槽的形成工藝簡單，而且碗狀凹槽中的碳硅層可以為溝道區(qū)提供更大的拉應(yīng)力，提高溝道區(qū)中載流子的遷移率，進(jìn)一步提高晶體管的性能。附圖說明圖1～圖6是現(xiàn)有技術(shù)的形成帶有凸出源極和漏極的晶體管的方法的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖7是本發(fā)明具體實施例的半導(dǎo)體器件的形成方法的流程示意圖；圖8～圖18是本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體器件的形成方法的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖19～圖23是本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體器件的形成方法的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。具體實施方式發(fā)明人針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題進(jìn)行了研究，發(fā)現(xiàn)：參照圖1～圖6，現(xiàn)有技術(shù)的第一帽層103和第二帽層109的材料相同，通常使用氧化硅（SiO2）或氮化硅（Si3N4）的單層結(jié)構(gòu)，而隔離結(jié)構(gòu)104通常使用氧化硅。當(dāng)?shù)谝幻睂?03和第二帽層109均選擇氧化硅時，由于氧化硅對隔離結(jié)構(gòu)104的氧化硅具有接近的刻蝕選擇比，在刻蝕第一帽層103形成第一側(cè)墻106、去除剩余的第一帽層103時會損傷隔離結(jié)構(gòu)104。在后續(xù)刻蝕第二帽層109形成第二側(cè)墻111、去除剩余的第二帽層109時也會損傷隔離結(jié)構(gòu)104。隔離結(jié)構(gòu)104遭到損傷，會降低隔離結(jié)構(gòu)104的電隔離效果，進(jìn)而導(dǎo)致半導(dǎo)體元件電性能不正常，例如Id/Vg（Id為晶體管的漏電流，Vg為柵極電壓）曲線產(chǎn)生不佳的雙隆起(doublehump)變異，使得晶體管性能不可靠。雖然，在現(xiàn)有技術(shù)中嘗試圖形化光刻膠層105全覆蓋隔離結(jié)構(gòu)104、圖形化的光刻膠層110全覆蓋隔離結(jié)構(gòu)104，但隨著半導(dǎo)體元件的特征尺寸越來越小，并受工藝限制，圖形化的光刻膠層105、圖形化的光刻膠層110并不能完全覆蓋隔離結(jié)構(gòu)104，會有隔離結(jié)構(gòu)104部分暴露出來。因此，現(xiàn)有技術(shù)并沒有有效解決隔離結(jié)構(gòu)104遭損傷的問題。另外，當(dāng)?shù)谝幻睂?03和第二帽層109選擇氮化硅時，可以避免損傷隔離結(jié)構(gòu)104的問題。但是，參照圖5，當(dāng)?shù)诙睂?09選擇氮化硅時，在外延生長碳硅層113時，氮化硅相比于碳硅具有接近的外延生長選擇比，使得在氮化硅側(cè)面不需要生長碳硅層的區(qū)域也生長碳硅層，進(jìn)而造成晶體管性能不佳。發(fā)明人經(jīng)過創(chuàng)造性勞動，得到一種新的半導(dǎo)體器件的形成方法。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的實施例進(jìn)行詳細(xì)的說明。下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其他方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施例的限制。本文將分兩個實施例闡述本發(fā)明的技術(shù)方案。第一實施例參照圖8，并結(jié)合參照圖7，執(zhí)行步驟S71，提供半導(dǎo)體襯底300，在半導(dǎo)體襯底300中形成有隔離結(jié)構(gòu)303，該隔離結(jié)構(gòu)303將半導(dǎo)體襯底300隔開為第一有源區(qū)I和第二有源區(qū)II，其中，第一有源區(qū)I和第二有源區(qū)II的類型相反。在本實施例中，第一有源區(qū)I定義為P型有源區(qū)，第二有源區(qū)II定義為N型有源區(qū)。在具體實施例中，所述半導(dǎo)體襯底300為硅襯底、鍺襯底、氮化硅襯底或者絕緣體上硅襯底等；或者還可以包括其它的材料，例如砷化鎵等Ⅲ-Ⅴ族化合物。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以根據(jù)半導(dǎo)體襯底300上形成的半導(dǎo)體器件選擇所述半導(dǎo)體襯底300的類型，因此所述半導(dǎo)體襯底的類型不應(yīng)限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。繼續(xù)參照圖8，并結(jié)合參照圖7，執(zhí)行步驟S72，在半導(dǎo)體襯底300上形成位于第一有源區(qū)I的第一柵極301和位于第二有源區(qū)II的第二柵極302。在具體實施例中，第一柵極301和第二柵極302的材料均為多晶硅。在其他實施例中，第一柵極301和第二柵極302的材料也可選擇其他可作為柵極的材料。形成第一柵極301和第二柵極302的方法為：沉積柵極材料，覆蓋半導(dǎo)體襯底300；圖形化柵極材料，在隔離結(jié)構(gòu)303兩側(cè)形成位于第一有源區(qū)I的第一柵極301和位于第二有源區(qū)II的第二柵極302。在具體實施例中，在沉積柵極材料時，也在柵極材料上沉積硬掩模材料；圖形化柵極材料時也圖形化硬掩模材料，形成位于第一柵極301上、第二柵極302上的硬掩模層304。該硬掩模層304用于保護(hù)第一柵極301、第二柵極302上表面，避免后續(xù)第一半導(dǎo)體材料、第二半導(dǎo)體材料形成在第一柵極301、第二柵極302上表面。在具體實施例中，第一柵極301和第二柵極302為前柵工藝中的柵極，也可為后柵工藝中的偽柵極。若第一柵極301和第二柵極302為后柵工藝中的偽柵極，在后續(xù)形成源極和漏極后，去除偽柵極并接著形成金屬柵極或其他材料柵極。參照圖9，并結(jié)合參照圖7，執(zhí)行步驟S73，形成第一帽層305，第一帽層305覆蓋襯底300、第一柵極301和第二柵極302，也就是覆蓋隔離結(jié)構(gòu)303、第一有源區(qū)I和第二有源區(qū)II。若在第一柵極301和第二柵極302上還形成有硬掩模層304，第一帽層305覆蓋硬掩模層304。在具體實施例中，第一帽層305的形成方法可根據(jù)第一帽層的材料選擇。第一帽層的材料要確保：首先，在后續(xù)圖形化第一帽層、圖形化剩余的第一帽層時，不會損傷隔離結(jié)構(gòu)303；其次，在后續(xù)第一柵極301兩側(cè)的襯底300中外延生長第一半導(dǎo)體材料時，第一半導(dǎo)體材料不會在后續(xù)第一側(cè)墻表面生長。而第一半導(dǎo)體材料是否會生長在后續(xù)第一側(cè)墻表面，受到第一半導(dǎo)體材料與第一帽層之間外延生長選擇比高低的影響。因此，第一帽層305的材料選擇又與第一半導(dǎo)體材料有關(guān)。在本實施例中，在第一有源區(qū)為P型有源區(qū)，待形成的第一半導(dǎo)體材料為鍺硅，則第一帽層305選擇氮化硅層。氮化硅層的厚度范圍為可以更好地實現(xiàn)本發(fā)明的效果。若氮化硅層的厚度小于會降低第一帽層305相比于隔離結(jié)構(gòu)303的刻蝕選擇比，在后續(xù)圖形化第一帽層、圖形化剩余的第一帽層時，有可能損傷到隔離結(jié)構(gòu)303。若氮化硅層的厚度大于圖形化第一帽層、圖形化剩余的第一帽層時，很難刻蝕去除第一帽層、剩余第一帽層，給工藝帶來難度的同時還增加了成本。在本實施例中，第一帽層305選擇氮化硅層，形成氮化硅層的方法為化學(xué)氣相沉積法?？蛇x的，在形成氮化硅層前，可以先形成一層較薄的氧化硅層306，覆蓋第一有源區(qū)I和第二有源區(qū)II。形成較薄的氧化硅層306的方法可以選擇沉積或熱氧化生長。氧化硅層306可以在第一柵極301上表面與側(cè)面拐角處、第二柵極302上表面與側(cè)面拐角處、第一柵極301和第二柵極302分別與半導(dǎo)體襯底300的拐角處形成良好的緩沖面，后續(xù)氮化硅層可以在該緩沖面形成均勻沉積。參照圖10～圖11，并結(jié)合參照圖7，執(zhí)行步驟S74，圖形化第一帽層305，形成位于第一柵極301周圍的第一側(cè)墻315。其中，在圖形化第一帽層305時，不會損傷隔離結(jié)構(gòu)303。在具體實施例中，圖形化第一帽層305的方法，包括：（1）首先，參照圖10，在半導(dǎo)體襯底300上形成圖形化的掩模層307，定義第一有源區(qū)I的位置。但是，不可避免地，會有部分隔離結(jié)構(gòu)303表面處于暴露狀態(tài)。（2）然后，參照圖11，以該圖形化的掩模層307為掩模，回刻蝕去除第一帽層305部分，剩余第一柵極301側(cè)壁的第一帽層作為第一側(cè)墻315。在具體實施例中，難以避免地會去除隔離結(jié)構(gòu)303上的第一帽層部分。在本實施例中，第一帽層305為氮化硅層，在刻蝕氮化硅層過程中，在刻蝕反應(yīng)腔內(nèi)通入的氣體為CxFy，如CF4、C3F8、或C4F8等氣體，特別的還摻雜有H2氣體。由于氮化硅相比于隔離結(jié)構(gòu)303的氧化硅材料具有較高的刻蝕選擇比，在刻蝕去除氮化硅層時，不會損傷隔離結(jié)構(gòu)303。當(dāng)在第一帽層305下還形成有較薄氧化硅層306時，也刻蝕去除位于第一有源區(qū)I的半導(dǎo)體襯底300上、第一柵極301上的該氧化硅層306。由于該氧化硅層306較薄，因此在刻蝕氧化硅層306時，并不會損傷到隔離結(jié)構(gòu)303。參照圖11～圖14，并結(jié)合參照圖7，并執(zhí)行步驟S75，在第一側(cè)墻315兩側(cè)的襯底300中形成第一凹槽308，在第一凹槽308中外延生長第一半導(dǎo)體材料309，第一半導(dǎo)體材料309高于襯底300表面。其中，第一帽層305的材料保證在第一半導(dǎo)體材料不會在第一側(cè)墻315表面生長。參照圖14，第一半導(dǎo)體材料309高于襯底300表面的部分為襯底300中的第一半導(dǎo)體材料外延生長的結(jié)果，并非第一側(cè)墻315表面外延生長第一半導(dǎo)體材料。在具體實施例中，確保高于第一半導(dǎo)體材料309的第一側(cè)墻315表面不會生長第一半導(dǎo)體材料。另外，圖中的第一半導(dǎo)體材料309的形狀只是示意圖，由于第一半導(dǎo)體材料是沿晶向生長，不必然為圖14中的形狀，但這不影響到本發(fā)明的技術(shù)效果和要達(dá)到的目的。在本實施例中，第一半導(dǎo)體材料309為鍺硅。在具體實施例中，首先，參照圖11和圖12，以圖形化的掩模層307和第一側(cè)墻315為掩模，在第一側(cè)墻315兩側(cè)的襯底300中形成第一凹槽308。若在第一柵極301上形成有硬掩模層304時，硬掩模層304起到掩模作用，避免第一柵極301上表面遭到刻蝕。第一凹槽308的形狀可以為Σ（sigma）形或碗狀。在本實施例中，第一半導(dǎo)體材料為鍺硅，第一凹槽308選擇Σ（sigma）形凹槽可以增大對溝道區(qū)的壓應(yīng)力，進(jìn)而提高溝道區(qū)中載流子遷移率。然后，參照圖12和圖13，去除圖形化的掩模層307。去除圖形化的掩模層307的方法可以為濕法刻蝕、干法刻蝕或其他方法，并不構(gòu)成對本發(fā)明保護(hù)范圍的限制。最后，參照圖13和圖14，以第一側(cè)墻315和第二有源區(qū)II中的第一帽層305為掩模，在第一凹槽308中外延生長第一半導(dǎo)體材料309，第一半導(dǎo)體材料309高于襯底300表面。第一半導(dǎo)體材料309為鍺硅，在外延生長過程中，由于第一側(cè)墻315的氮化硅相比于鍺硅具有較低的生長選擇性，則第一側(cè)墻315表面不會生長鍺硅。在第一柵極301上的硬掩模層304可保護(hù)第一柵極301上表面免于生成鍺硅。其中，外延生長鍺硅的工藝為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的技術(shù)，在此不再贅述。在具體實施例中，在第一柵極301兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底300中形成Σ形凹槽308的方法，包括：使用干法刻蝕工藝，在第一柵極301兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底300中形成矩形凹槽，其中，干法刻蝕法可選擇等離子體刻蝕工藝；清洗該矩形凹槽，以去除形成矩形凹槽過程中產(chǎn)生的聚合物，其中使用的清洗液可選擇稀釋的氫氟酸溶液（DHF）；在清洗之后，使用濕法腐蝕法刻蝕矩形凹槽形成Σ形凹槽，其中，使用的腐蝕劑可為氫氧化鉀、氨水或四甲基氫氧化氨溶液。在具體實施例中，在形成第一半導(dǎo)體材料309后，需要對第一半導(dǎo)體材料309進(jìn)行離子注入，形成源極和漏極。此為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的技術(shù)，在此不再贅述。參照圖15，并結(jié)合參照圖7，執(zhí)行步驟S76，在形成第一半導(dǎo)體材料309后，形成第二帽層310，覆蓋第一有源區(qū)I和第二有源區(qū)II。由于第二有源區(qū)II中的第一帽層305并未去除，因此在第二有源區(qū)II形成有第一帽層305、位于第一帽層305上的第二帽層310。第二帽層310的材料要保證后續(xù)的外延生長第二半導(dǎo)體材料時，第二半導(dǎo)體材料不會生長在第二柵極側(cè)面。在本實施例中，第二有源區(qū)II為N型有源區(qū)，待形成的第二半導(dǎo)體材料為碳硅，第二帽層310的材料包括氮化硅層311、位于氮化硅層311上的氧化硅層312。氧化硅層312的厚度范圍為可以更好地實現(xiàn)本發(fā)明的效果。參照圖15和圖16，并結(jié)合參照圖7，執(zhí)行步驟S77，圖形化剩余的第一帽層305和第二帽層310，在第二柵極302周圍形成第二側(cè)墻325。第二側(cè)墻325包括最內(nèi)層的氮化硅層、位于氮化硅層外側(cè)的氧化硅層。當(dāng)然地，若在第一帽層305下還形成有氧化硅層306時，也圖形化該氧化硅層306，剩余第二柵極302側(cè)壁的氧化硅層306作為第二側(cè)墻325的一部分。在具體實施例中，結(jié)合參照圖15，圖形化剩余第一帽層305和第二帽層310部分的方法，包括：（1）形成圖形化的掩模層（未示出），定義第二有源區(qū)II的位置。（2）以該圖形化的掩模層為掩模，回刻蝕去除位于剩余的第一帽層305和第二帽層310，剩余第二柵極302側(cè)壁的剩余第一帽層和位于剩余第一帽層上的第二帽層，共同作為第二側(cè)墻325。在本實施例中，第一帽層305為氮化硅層，第二帽層310為氮化硅層311、位于氮化硅層311上的氧化硅層312，在去除氮化硅層和氧化硅層時所使用的氣體會有不同。去除氮化硅層的刻蝕氣體可參照圖7所示的步驟S74的介紹，而刻蝕氧化硅層312的刻蝕氣體也包括CxFy氣體，只是對x，y值的選擇會不同，此為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的技術(shù)，不再贅述?？紤]到氮化硅相比于隔離結(jié)構(gòu)的材料具有較高的刻蝕選擇比，因此該刻蝕過程不會損傷到隔離結(jié)構(gòu)。參照圖16～圖17，并結(jié)合參照圖7，執(zhí)行步驟S78，在第二側(cè)墻325兩側(cè)的襯底300中形成第二凹槽313，在第二凹槽313中外延生長第二半導(dǎo)體材料314，第二半導(dǎo)體材料314高于襯底300表面。正如前文所述，第二帽層310材料保證第二半導(dǎo)體材料314不會在第二側(cè)墻325表面生長。參照圖17，第二半導(dǎo)體材料314高于襯底300表面的部分為襯底300中的第二半導(dǎo)體材料外延生長的結(jié)果，并非第二側(cè)墻325表面外延生長第二半導(dǎo)體材料。在具體實施例中，確保高于第二半導(dǎo)體材料314的第二側(cè)墻325表面不會生長第二半導(dǎo)體材料。另外，圖中的第二半導(dǎo)體材料314的形狀只是示意圖，由于第二半導(dǎo)體材料是沿晶向生長，不必然為圖17中的形狀，但這不影響到本發(fā)明的技術(shù)效果和要達(dá)到的目的。在本實施例中，第二半導(dǎo)體材料314為碳硅。在具體實施例中，首先參照圖16，在第二側(cè)墻325兩側(cè)的襯底300中形成第二凹槽313。在本實施例中，第二半導(dǎo)體材料為碳硅，第二凹槽313的形狀設(shè)計為碗狀。碗狀凹槽的側(cè)壁可以更接近溝道區(qū)，向溝道區(qū)提供更大更均勻的拉應(yīng)力，提高晶體管性能。然后，結(jié)合參照圖16和圖17，以第二側(cè)墻325和第一有源區(qū)I中的第二帽層310為掩模，在第二凹槽313中外延生長碳硅層，碳硅層高于襯底300表面。其中，第二柵極302上的硬掩模層304亦起到掩模作用，保護(hù)第二柵極302的上表面免于生長碳硅。考慮到第二側(cè)墻325的最外層為氧化硅層，氧化硅相比于碳硅具有較低的生長選擇性，因此碳硅不會在第二側(cè)墻325側(cè)壁生長。對碳硅的外延生長工藝為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的技術(shù)，在此不再贅述。在具體實施例中，形成碗狀凹槽的方法，包括：使用各向異性干法刻蝕工藝，刻蝕半導(dǎo)體襯底300，在半導(dǎo)體襯底300內(nèi)形成矩形凹槽，所述各向異性的干法刻蝕工藝的刻蝕氣體包括CF4和HBr；接著，使用各向同性干法刻蝕工藝，刻蝕矩形凹槽以形成碗狀凹槽，各向同性的干法刻蝕工藝的刻蝕氣體包括Cl2和NF3。在具體實施中，在形成第二半導(dǎo)體材料314后，需要向第二半導(dǎo)體材料314中進(jìn)行離子注入，形成源極和漏極。此為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的技術(shù)，在此不再贅述。參照圖17和圖18，并結(jié)合參照圖7，執(zhí)行步驟S79，去除剩余的第二帽層310，第二帽層310的材料保證不會損傷隔離結(jié)構(gòu)303。剩余的第二帽層310主要存在于第一有源區(qū)I，還覆蓋隔離結(jié)構(gòu)303。在具體實施中，去除剩余的第二帽層310的方法可以為干法刻蝕或濕法腐蝕法。具體地，包括：形成圖形化的光刻膠層，定義第一有源區(qū)I的位置；以該圖形化的光刻膠層為掩模，刻蝕去除剩余的第二帽層310；去除圖形化的光刻膠層。第二帽層310包括最內(nèi)層氮化硅層311、位于氮化硅層311外側(cè)的氧化硅層312（參照圖17），刻蝕第二帽層310時依次刻蝕氧化硅層312、氮化硅層311，氮化硅相比于隔離結(jié)構(gòu)303的材料具有較高的刻蝕選擇比，因此在干法刻蝕或濕法腐蝕中不會損傷隔離結(jié)構(gòu)303。在本實施例中，選擇濕法腐蝕法，可以最徹底地去除第二帽層310。去除剩余的第二帽層310的方法不構(gòu)成對本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)范圍的限制。在具體實施例中，若第一柵極301和第二柵極302均作為偽柵極，則在去除剩余的第二帽層310后，去除作為偽柵極的第一柵極301和第二柵極302，形成溝槽；在該溝槽中填充導(dǎo)電材料，如金屬，形成柵極。第二實施例參照圖7，執(zhí)行步驟S71、步驟S72，可相應(yīng)參照第一實施例的執(zhí)行步驟S71、步驟S72，具體工藝、結(jié)構(gòu)及結(jié)構(gòu)位置相同。參照圖19，并結(jié)合參照圖7，執(zhí)行步驟S73，形成第一帽層505，覆蓋襯底500、第一柵極501和第二柵極502。在本實施中，后續(xù)第一柵極501兩側(cè)襯底500中形成的第一半導(dǎo)體材料為碳硅，則第一帽層505包括氮化硅層551、位于氮化硅層551上的氧化硅層552?？蛇x的，在形成第一帽層505之前，先形成較薄的氧化硅層506，覆蓋第一有源區(qū)I和第二有源區(qū)II。較薄氧化硅層506為沉積氮化硅層551提供良好的緩沖面，具體可參見第一實施例的相關(guān)介紹。參照圖20，并結(jié)合參照圖7，執(zhí)行步驟S74、步驟S75，在位于第一有源區(qū)I的第一柵極501兩側(cè)的襯底500中形成第一半導(dǎo)體材料507。在本實施例中，第一半導(dǎo)體材料507為碳硅，碳硅高于襯底500表面。襯底500中的碳硅層可以為碗狀或sigma形，在本實施例中，襯底500中的碳硅層形狀為碗狀。相關(guān)工藝可參照第一實施例的碳硅層形成工藝的介紹。在具體實施例中，在形成碳硅層后，接著對碳硅層進(jìn)行離子注入，在第一柵極兩側(cè)形成源極和漏極。參照圖20和圖21，并結(jié)合參照圖7，執(zhí)行步驟S76，在形成第一半導(dǎo)體材料507后，形成第二帽層508，覆蓋第一有源區(qū)I和第二有源區(qū)II。在本實施例中，后續(xù)形成的第二半導(dǎo)體材料為鍺硅，則第二帽層508包括氮化硅層，可以達(dá)到本發(fā)明的目的。對第二帽層508的形成工藝，可參照第一實施例的第一帽層的介紹。參照圖21和圖22，并結(jié)合參照圖7，執(zhí)行步驟S77和步驟S78，在第二有源區(qū)II形成位于第二柵極502兩側(cè)襯底500中的第二半導(dǎo)體材料509。在本實施例中，第二半導(dǎo)體材料509為鍺硅，鍺硅高于襯底500表面。襯底500中的鍺硅形狀可以為sigma形。相關(guān)工藝可參照第一實施例的鍺硅層形成工藝的介紹。在具體實施例中，在形成鍺硅層后，接著對鍺硅層進(jìn)行離子注入，在第二柵極兩側(cè)形成源極和漏極。參照圖22和圖23，并結(jié)合參照圖7，執(zhí)行步驟S79，去除剩余的第二帽層508。第二帽層508為氮化硅層，去除氮化硅層的方法可以為干法刻蝕或濕法刻蝕。在本實施例中，選擇濕法刻蝕法，可以更徹底去除氮化硅層。在第二實施例中，在去除剩余的第二帽層508后，在第二半導(dǎo)體材料509中進(jìn)行離子注入，形成源極和漏極。若第一柵極501和第二柵極502均作為后柵工藝中的偽柵極，則在形成源極和漏極后，去除該偽柵極形成凹槽；之后，在凹槽中填充導(dǎo)電材料，如金屬，形成柵極。本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體器件，對本發(fā)明的半導(dǎo)體器件將分兩個實施例進(jìn)行介紹。第一實施例參照圖18，第一實施例的半導(dǎo)體器件，包括：位于襯底300中的隔離結(jié)構(gòu)303，將襯底300隔開為第一有源區(qū)I和第二有源區(qū)II，第一有源區(qū)I和第二有源區(qū)II類型相反；位于第一有源區(qū)I的第一柵極301和第二有源區(qū)II的第二柵極302；位于第一柵極301周圍的第一側(cè)墻315；位于第二柵極302周圍的第二側(cè)墻325；位于第一側(cè)墻315兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底300中的第一凹槽308（參照圖12）、位于第一凹槽308中的第一半導(dǎo)體材料309，第一半導(dǎo)體材料309高于襯底300表面；位于第二側(cè)墻325兩側(cè)的襯底300中的第二凹槽313（參照圖16）、位于第二凹槽313中的第二半導(dǎo)體材料314，第二半導(dǎo)體材料314高于襯底300表面，在第一側(cè)墻315最里層的材料、第二側(cè)墻325最里層的材料與隔離結(jié)構(gòu)303具有高刻蝕選擇比，確保在形成第一側(cè)墻315、第二側(cè)墻325過程中，不會損傷隔離結(jié)構(gòu)303，且在第一側(cè)墻315高于第一半導(dǎo)體材料309的表面沒有第一半導(dǎo)體材料，第二側(cè)墻325高于第二半導(dǎo)體材料314的表面沒有第二半導(dǎo)體材料。在本實施例中，第一半導(dǎo)體材料為鍺硅、第二半導(dǎo)體材料為碳硅，第一側(cè)墻315包括氮化硅層、第二側(cè)墻325包括氮化硅層311、位于氮化硅層311上的氧化硅層312。其中，氧化硅層、氮化硅層的厚度范圍為在具體實施例中，半導(dǎo)體器件還包括：位于第一柵極301與第一側(cè)墻315之間的較薄氧化硅層306（參照圖6）；位于第二柵極302與第二側(cè)墻325之間的氧化硅層306。在具體實施例中，第一凹槽和第二凹槽均為sigma形凹槽，或者第一凹槽為sigma形凹槽，第二凹槽為碗狀凹槽。第二實施例參照圖23，在第二實施例中，第一凹槽為碗狀凹槽，對應(yīng)的第一半導(dǎo)體材料507為碳硅；第二凹槽為sigma形凹槽，對應(yīng)的第二半導(dǎo)體材料509為鍺硅。其中，第一側(cè)墻包括氮化硅層、位于氮化硅層上的氧化硅層；第二側(cè)墻包括氮化硅層、位于氮化硅層上的氧化硅層、位于氧化硅層上的氮化硅層。在第二實施例中，其他結(jié)構(gòu)、結(jié)構(gòu)位置與第一實施例相同，可參考第一實施例的介紹。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制。任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。