本發(fā)明涉及一種用于制造至少一個(gè)功率半導(dǎo)體器件的基底的方法以及一種與此有關(guān)的基底。此外，本發(fā)明涉及一種與此有關(guān)的基底。

背景技術(shù)：
功率半導(dǎo)體器件，例如像IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor，絕緣柵雙極型晶體管)、MOSFETs(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)、晶閘管或者二極管，尤其還例如用于對(duì)電壓和電流進(jìn)行整流和逆變，其中，一般將多個(gè)功率半導(dǎo)體器件彼此電連接，例如用于實(shí)現(xiàn)變流器。在此，功率半導(dǎo)體器件一般布置在基底上，該基底一般直接或者間接與冷卻體連接。功率半導(dǎo)體器件通常為了制造功率半導(dǎo)體模塊而布置在基底上，并且與基底連接。在此，基底能夠以DCB基底的形式存在。在此，基底具有結(jié)構(gòu)化的導(dǎo)電的金屬層，該金屬層由于其結(jié)構(gòu)而構(gòu)成有導(dǎo)體軌跡。功率半導(dǎo)體器件通過導(dǎo)體軌跡彼此連接，從而使得流過該功率半導(dǎo)體器件的負(fù)載電流也流過導(dǎo)電金屬層的導(dǎo)體軌跡，其中，負(fù)載電流具有很高的電流強(qiáng)度。為了制造DCB基底，在技術(shù)上通常將統(tǒng)一厚度的金屬板材鍵合到絕緣材料體上，該絕緣材料體通常由陶瓷組成，并且緊接著從金屬板中蝕刻出導(dǎo)體軌跡結(jié)構(gòu)。因?yàn)樨?fù)載電流必定流過具有很高的載流能力的導(dǎo)體軌跡，所以金屬板材必須很厚并且附加地導(dǎo)體軌跡必須很寬。在此，負(fù)載電流例如從功率半導(dǎo)體模塊流至與功率半導(dǎo)體模塊連接的負(fù)載，像例如電動(dòng)機(jī)。尤其例如為了實(shí)現(xiàn)用于操控功率半導(dǎo)體器件的操控電子器件，現(xiàn)在使用如下集成電路，該集成電路例如能夠以微芯片的形式存在。集成電路由于其規(guī)格很小而需要很窄的導(dǎo)體軌跡，集成電路可以與該很窄的導(dǎo)體軌跡連接。在此，一般具有僅很小電流強(qiáng)度的電流流過用于集成電路的導(dǎo)體軌跡，從而用于集成電路的導(dǎo)體軌跡可以實(shí)施成很窄并且具有很小的厚度。但是，由于金屬板材的相對(duì)較大的厚度，例如在技術(shù)上常見的DSB基底中不能通過金屬板材相應(yīng)精細(xì)的結(jié)構(gòu)化來產(chǎn)生像集成電路所需要那樣的很窄的導(dǎo)體軌跡，這是因?yàn)橛捎诮饘侔宀牡南鄬?duì)較大的厚度(該厚度需要為了實(shí)現(xiàn)用于功率半導(dǎo)體的負(fù)載電流所需要的載流能力)，在蝕刻用于集成電路的很窄的導(dǎo)體軌跡時(shí)，酸也會(huì)蝕刻覆蓋漆下側(cè)的材料(該覆蓋漆覆蓋著應(yīng)該形成導(dǎo)體軌跡的部位)并因此損壞很窄的導(dǎo)體軌跡。因此，在現(xiàn)有技術(shù)中，與其上布置有功率半導(dǎo)體器件的基底分開的電路板通常設(shè)置在例如用于實(shí)現(xiàn)操控電子器件的集成電路上，該操控電子器件用于操控功率半導(dǎo)體器件。這具有如下缺點(diǎn)，即，必須在基底與電路板之間設(shè)置導(dǎo)電連接(例如引線連接)，這對(duì)如下功率半導(dǎo)體模塊的可靠性產(chǎn)生負(fù)面影響，該功率半導(dǎo)體模塊具有帶有功率半導(dǎo)體器件的相應(yīng)基底和帶有集成電路的相應(yīng)電路板，并且使得功率半導(dǎo)體模塊的制造成本高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的任務(wù)在于，提供一種基底，該基底不僅具有至少一個(gè)能承載負(fù)載電流的導(dǎo)體軌跡而且具有能與集成電路連接的導(dǎo)體軌跡。該任務(wù)通過一種用于制造至少一個(gè)功率半導(dǎo)體器件的基底的方法來解決，該方法具有如下方法步驟：a)提供不導(dǎo)電的絕緣材料體；b)將結(jié)構(gòu)化的導(dǎo)電的第一金屬化層施布在絕緣材料體的第一側(cè)上，其中，第一金屬化層具有第一和第二區(qū)域，其中，第一區(qū)域具有窄導(dǎo)體軌跡，而第二區(qū)域具有至少一個(gè)寬導(dǎo)體軌跡；以及c)在至少一個(gè)寬導(dǎo)體軌跡上電沉積第一金屬層。此外，該任務(wù)通過用于至少一個(gè)功率半導(dǎo)體器件的基底來解決，其中，基底具有不導(dǎo)電的絕緣材料體和布置在該絕緣材料體的第一側(cè)上的、結(jié)構(gòu)化的第一金屬化層，其中，第一金屬化層具有第一和第二區(qū)域，其中，第一區(qū)域具有窄導(dǎo)體軌跡，而第二區(qū)域具有至少一個(gè)寬導(dǎo)體軌跡，其中，在至少一個(gè)寬導(dǎo)體軌跡上布置有第一金屬層。通過本發(fā)明，能夠?qū)⒐餐幕子糜谥辽僖粋€(gè)功率半導(dǎo)體器件和至少一個(gè)集成電路。因此，通過本發(fā)明，提供單獨(dú)的電路板用于至少一個(gè)集成電路不再是必需的。因此，功率半導(dǎo)體模塊的制造通過本發(fā)明得以簡化，并且同時(shí)提高了功率半導(dǎo)體模塊的可靠性。本方法的具有優(yōu)點(diǎn)的構(gòu)造方式類似于基底的具有優(yōu)點(diǎn)的構(gòu)造方式地得知，反之亦然。已表明具有優(yōu)點(diǎn)的是，在方法步驟b)與c)之間：-將不導(dǎo)電的漆層施布到窄導(dǎo)體軌跡上，并且在方法步驟c)之后，-將不導(dǎo)電的漆層去除。通過將不導(dǎo)電的漆層施布到窄導(dǎo)體軌跡上，能夠以簡單的方式和方法防止第一金屬層在窄導(dǎo)體軌跡上電沉積。已表明具有優(yōu)點(diǎn)的是，執(zhí)行如下隨后的方法步驟：-在窄導(dǎo)體軌跡和/或第一金屬層上電沉積第二金屬層。第二金屬層優(yōu)選充當(dāng)用于第一金屬層的保護(hù)層和/或充當(dāng)用于材料鎖合(stoffschlüssig,)的連接(例如像燒結(jié)連接或者熔焊連接)的增附連接層。已表明具有優(yōu)點(diǎn)的是，至少一個(gè)寬導(dǎo)體軌跡具有至少3000μm的寬度，這是因?yàn)殡S著至少一個(gè)寬導(dǎo)體軌跡的寬度的增加，導(dǎo)體軌跡的載流能力也增加。此外，已表明具有優(yōu)點(diǎn)的是，窄導(dǎo)體軌跡具有100μm至1000μm的寬度，這是因?yàn)樗谐Ｓ玫募呻娐范伎梢耘c窄導(dǎo)體軌跡連接。此外，已表明具有優(yōu)點(diǎn)的是，第一金屬化層具有1μm至30μm的厚度，這是因?yàn)檫@樣確保了第一金屬化層的良好的機(jī)械穩(wěn)定性。此外，已表明具有優(yōu)點(diǎn)的是，第一金屬化層包含銀和/或銅，這是因?yàn)橛纱藢?shí)現(xiàn)了第一金屬化層的很高的導(dǎo)電能力和導(dǎo)熱能力。此外，已表明具有優(yōu)點(diǎn)的是，第一金屬層具有100μm至500μm的厚度，這是因?yàn)檫@樣實(shí)現(xiàn)了很高的載流能力。此外，已表明具有優(yōu)點(diǎn)的是，在方法步驟b)中附加地，-將第二金屬化層施布到絕緣材料體的與該絕緣材料體的第一側(cè)對(duì)置地布置的第二側(cè)上；并且在方法步驟c)中附加地，-在第二金屬化層上電沉積第三金屬層。第三金屬層優(yōu)選用于將基底與電路板或者冷卻體連接。此外，已表明具有優(yōu)點(diǎn)的是，第一金屬化層具有連接導(dǎo)體軌跡，其中，第二區(qū)域具有至少一個(gè)第一寬導(dǎo)體軌跡和至少一個(gè)第二寬導(dǎo)體軌跡，其中，連接導(dǎo)體軌跡通過第一數(shù)量的導(dǎo)電的、由第一金屬化層形成的第一連接片與第一寬導(dǎo)體軌跡連接，并且第一寬導(dǎo)體軌跡通過第二數(shù)量的導(dǎo)電的、由第一金屬化層形成的第二連接片與第二寬導(dǎo)體軌跡連接，其中，連接片的各自的數(shù)量和/或連接片的各自的寬度依賴于各自的寬導(dǎo)體軌跡與連接導(dǎo)體軌跡的間距并且隨著間距的增加而增加。通過這些措施，確保了第一和第二寬導(dǎo)體軌跡上的第一金屬層的基本上統(tǒng)一的厚度。此外，已表明具有優(yōu)點(diǎn)的是，第一金屬化層具有連接導(dǎo)體軌跡，其中，第二區(qū)域具有至少一個(gè)第一寬導(dǎo)體軌跡和至少一個(gè)第二寬導(dǎo)體軌跡，其中，連接導(dǎo)體軌跡相對(duì)于第一和第二寬導(dǎo)體軌跡具有基本上相同的間距，其中，連接導(dǎo)體軌跡通過由第一金屬化層形成的第一連接片與第一寬導(dǎo)體軌跡連接，并且通過由第一金屬化層形成的第二連接片與第二寬導(dǎo)體軌跡連接。通過這些措施，確保了第一和第二寬導(dǎo)體軌跡上的第一金屬層的基本上統(tǒng)一的厚度。此外，已表明具有優(yōu)點(diǎn)的是，第一金屬層由銅組成，這是因?yàn)殂~具有很高的導(dǎo)電能力。此外，已表明具有優(yōu)點(diǎn)的是，將至少一個(gè)功率半導(dǎo)體器件與第一金屬層連接或者在第一金屬層上布置有第二金屬層的情況下與布置在第一金屬層上的第二金屬層連接，并且將至少一個(gè)集成電路與窄導(dǎo)體軌跡連接或者在窄導(dǎo)體軌跡上布置有第二金屬層的情況下與布置在窄導(dǎo)體軌跡上的第二金屬層連接，因?yàn)檫@樣能夠以簡單的方式和方法來制造功率半導(dǎo)體模塊。此外，已表明具有優(yōu)點(diǎn)的是，各自的連接材料鎖合地、尤其是借助于燒結(jié)連接或者熔焊連接來進(jìn)行，因?yàn)椴牧湘i合的連接，例如像燒結(jié)連接或者熔焊連接，代表功率半導(dǎo)體模塊中的常見連接。此外，已表明具有優(yōu)點(diǎn)的是，至少一個(gè)功率半導(dǎo)體器件布置在基底上并且與第一金屬層導(dǎo)電連接，并且至少一個(gè)集成電路布置在基底上并且與窄導(dǎo)體軌跡導(dǎo)電連接。由此得到特別可靠的功率半導(dǎo)體模塊。附圖說明本發(fā)明的實(shí)施例在附圖中示出并且下面對(duì)其進(jìn)行詳細(xì)闡述。其中：圖1以示意性剖面圖的形式示出實(shí)施根據(jù)本發(fā)明的方法步驟之后的基底坯件；圖2以示意性剖面圖的形式示出實(shí)施另一方法步驟之后的基底坯件；圖3以示意性剖面圖的形式示出實(shí)施另一方法步驟之后的基底坯件；圖4以示意性剖面圖的形式示出實(shí)施另一方法步驟之后根據(jù)本發(fā)明的基底；圖5以基底坯件的示意性俯視圖的形式示出實(shí)施根據(jù)本發(fā)明的方法步驟之后的基底坯件；圖6以基底坯件的示意性俯視圖的形式示出實(shí)施方法步驟之后的基底坯件的另一種構(gòu)造方式；圖7以基底坯件的示意性俯視圖的形式示出實(shí)施方法步驟之后的基底坯件的另一種構(gòu)造方式；圖8以示意性剖面圖的形式示出實(shí)施另一方法步驟之后根據(jù)本發(fā)明的基底的另一種構(gòu)造方式；圖9以示意性剖面圖的形式示出根據(jù)本發(fā)明的功率半導(dǎo)體模塊；以及圖10以示意性剖面圖的形式示出另一根據(jù)本發(fā)明的功率半導(dǎo)體模塊。具體實(shí)施方式在第一方法步驟中，提供不導(dǎo)電的絕緣材料體1。在圖1中以示意性剖面圖的形式示出實(shí)施另一根據(jù)本發(fā)明的方法步驟之后的基底坯件7a。在圖5中示出基底坯件7a的配屬于圖1的示意性俯視圖。在該方法步驟中，將結(jié)構(gòu)化的導(dǎo)電的第一金屬化層2a施布在絕緣材料體1的第一側(cè)15a上，其中，第一金屬化層2a具有第一和第二區(qū)域，其中，第一區(qū)域22a具有窄導(dǎo)體軌跡21，而第二區(qū)域22b具有至少一個(gè)寬導(dǎo)體軌跡。在本實(shí)施例的范圍內(nèi)，第二區(qū)域22b具有第一寬導(dǎo)體軌跡20a和第二寬導(dǎo)體軌跡20b。在圖1和圖5中，為了概覽，僅一個(gè)窄導(dǎo)體軌跡設(shè)有附圖標(biāo)記。在這里需要說明的是，在圖5中僅示意地示出窄導(dǎo)體軌跡，并且窄導(dǎo)體軌跡顯然可以從第一區(qū)域22a中伸出并且例如可以伸入第二區(qū)域22b中。此外，在這里需要說明的是，在圖5中同樣僅示意地示出寬導(dǎo)體軌跡，并且寬導(dǎo)體軌跡顯然可以從第二區(qū)域22b中伸出。寬導(dǎo)體軌跡優(yōu)選具有至少3000μm的寬度，尤其是具有至少4000μm的寬度。窄導(dǎo)體軌跡優(yōu)選具有100μm至1000μm的寬度，尤其是具有100μm至300μm的寬度。在本實(shí)施例的范圍內(nèi)，在該方法步驟中，還將第二金屬化層2b電施布到絕緣材料體1的與該絕緣材料體1的第一側(cè)15a對(duì)置地布置的第二側(cè)15b上。這樣，絕緣材料體1布置在第一金屬化層2a與第二金屬化層2b之間。絕緣材料體1例如可以由陶瓷(例如像氧化鋁或者AIN)組成并且優(yōu)選具有300μm至1000μm的厚度。金屬化層2a和2b例如可以基本上由銅和/或銀組成或者由銅合金和/或銀合金組成。第一金屬化層2a具有相應(yīng)于窄導(dǎo)體軌跡和寬導(dǎo)體軌跡的有意的分布地構(gòu)造的結(jié)構(gòu)。因此，在本實(shí)施例的范圍內(nèi)，第一金屬化層2a例如具有中斷部4和4’，該中斷部將導(dǎo)體軌跡彼此隔開。第二金屬化層2b優(yōu)選是非結(jié)構(gòu)化的，但是也可以同樣是結(jié)構(gòu)化地實(shí)施。第一和第二金屬化層2a、2b優(yōu)選具有1μm至30μm的厚度，其中，第一和第二金屬化層2a、2b可以具有不同的厚度。優(yōu)選將第一和第二金屬化層施布到絕緣材料體1的第一和第二側(cè)上，方法是：首先將例如包括含銅和/或銀微粒和溶劑的金屬化膏體在應(yīng)該存在金屬化層的部位上覆加到絕緣材料體1的第一和第二側(cè)15a和15b上，緊接著例如在180℃下將金屬化膏體烘干，然后在爐子中(優(yōu)選在真空中)優(yōu)選在大約1000℃下加熱金屬化膏體并且這樣焙燒金屬化膏體。在這里需要說明的是，圖1至圖10都是示意性圖示，并且尤其是，并沒有以合乎尺寸的方式示出層厚度。在圖2中以示意性剖面圖的形式示出實(shí)施另一在本實(shí)施例的范圍內(nèi)實(shí)施的方法步驟之后的基底坯件7a。在該方法步驟中，將不導(dǎo)電的漆層3施布到窄導(dǎo)體軌跡21上。漆層3優(yōu)選具有5μm至300μm的厚度。在圖3中以示意性剖面圖的形式示出實(shí)施另一方法步驟之后的基底坯件7a。在該方法步驟中，第一金屬層5在至少一個(gè)寬導(dǎo)體軌跡上電沉積，也就是說在本實(shí)施例的范圍內(nèi)在第一和第二寬導(dǎo)體軌跡20a和20b上電沉積。此外，在本實(shí)施例的范圍內(nèi)，第三金屬層6在第二金屬化層2b上電沉積。為此，將基底坯件7a浸入裝有電鍍液的容器中，并且第一和第二金屬化層2a、2b與電壓源的負(fù)極導(dǎo)電連接，并且布置在電鍍液中的電極與電壓源的正極導(dǎo)電連接，從而使得電流開始流動(dòng)并且使得第一金屬層5沉積到寬導(dǎo)體軌跡20a和20b上而第三金屬層6沉積到第二金屬化層2b上。漆層3阻止了第一金屬層電沉積到窄導(dǎo)體軌跡21上?？蛇x地，也可以放棄施布漆層3，而僅使寬導(dǎo)體軌跡并且如果存在的話附加地使第二金屬化層2b與電壓源的負(fù)極導(dǎo)電連接，從而防止第一金屬層電沉積到窄導(dǎo)體軌跡21上。在此，在本實(shí)施例的范圍內(nèi)，電鍍液包含銅離子，從而在本實(shí)施例中第一和第三金屬層5和6由銅組成。第一和第三金屬層5和6優(yōu)選具有100μm至500μm的厚度。第一和第三金屬層5和6的厚度不必相同。因?yàn)樵诒緦?shí)施例中，第三金屬層6的厚度小于第一金屬層5的厚度，所以在本實(shí)施例中，在進(jìn)行電沉積時(shí)，當(dāng)?shù)谌饘賹?達(dá)到所設(shè)置的厚度時(shí)，將第二金屬化層2b至電壓源的電連接斷開，從而在進(jìn)一步進(jìn)行電沉積時(shí)僅還使第一金屬層5增長，直至該第一金屬層達(dá)到所設(shè)置的厚度。但是，也可以利用其他方法來獲得不同的沉積厚度，因此可以例如在第三金屬層6達(dá)到所設(shè)置的厚度之后中斷電沉積并且在第三金屬層6上施布不導(dǎo)電的漆，并且接下來繼續(xù)進(jìn)行電沉積直至第一金屬層5達(dá)到所設(shè)置的高度h，其中，由于施布到第三金屬層6上的漆，在此第三金屬層6不再增長。布置在寬導(dǎo)體軌跡20a和20b上的第一金屬層5加固了導(dǎo)體軌跡20a和20b，從而形成能承載負(fù)載電流的導(dǎo)體軌跡，具有相應(yīng)大的電流強(qiáng)度的負(fù)載電流可以流過該導(dǎo)體軌跡。在圖3中，能承載負(fù)載電流的導(dǎo)體軌跡設(shè)有附圖標(biāo)記25。在此，能承載負(fù)載電流的導(dǎo)體軌跡25由導(dǎo)體軌跡20a和布置在該導(dǎo)體軌跡20a上的第一金屬層5組成。當(dāng)?shù)谝唤饘賹釉趯拰?dǎo)體軌跡上電沉積時(shí)，具有優(yōu)點(diǎn)的是，寬導(dǎo)體軌跡在電沉積時(shí)通過第一金屬化層彼此連接，這是因?yàn)樵陔姵练e時(shí)并不是每一個(gè)寬導(dǎo)體軌跡都必須通過分別配屬于寬導(dǎo)體軌跡的電導(dǎo)線與電壓源的負(fù)極導(dǎo)電連接。因此，優(yōu)選地，如圖6中所示，第一金屬化層2a具有連接導(dǎo)體軌跡8，其中，連接導(dǎo)體軌跡8在圖6中通過第一數(shù)量的導(dǎo)電的、由第一金屬化層2a形成的第一連接片9與第一寬導(dǎo)體軌跡20a連接，并且第一寬導(dǎo)體軌跡20a通過第二數(shù)量的導(dǎo)電的、由第一金屬化層2a形成的第二連接片9’與第二寬導(dǎo)體軌跡20b連接，其中，連接片的相應(yīng)數(shù)量和/或連接片的相應(yīng)寬度c依賴于各自的寬導(dǎo)體軌跡與連接導(dǎo)體軌跡8的間距a并且隨著間距a的增加而增加。在本實(shí)施例的情況下，第一數(shù)量是“1”而第二數(shù)量是“2”，其中，所有的連接片9都具有統(tǒng)一的寬度c。對(duì)此可選地，如圖7中所示，連接導(dǎo)體軌跡8可以相對(duì)于第一和第二寬導(dǎo)體軌跡20a和20b具有基本上相同的間距a(尤其是相同的間距a)，其中，連接導(dǎo)體軌跡8通過由第一金屬化層2a形成的第一連接片9與第一寬導(dǎo)體軌跡20a連接，并且通過由第一金屬化層2a形成的第二連接片9’與第二寬導(dǎo)體軌跡20b連接。第一和第二連接片9和9’具有基本上相同的長度，尤其是具有相同的長度。本發(fā)明的在圖6和圖7中示出的具有優(yōu)點(diǎn)的構(gòu)造方式能夠在電沉積時(shí)在第一和第二寬導(dǎo)體軌跡20a和20b上沉積第一金屬層5的基本上統(tǒng)一的厚度。連接導(dǎo)體軌跡和/或連接片優(yōu)選在電沉積第一金屬層之前就利用不導(dǎo)電的漆來覆蓋，從而在電沉積時(shí)，在連接導(dǎo)體軌跡和/或連接片上沒有第一金屬層沉積。在本實(shí)施例中，在電沉積第一金屬層之后，再次去除在本實(shí)施例的范圍內(nèi)施布到窄導(dǎo)體軌跡21上的漆層3。圖4示出實(shí)施該步驟之后的根據(jù)本發(fā)明的基底7。在本實(shí)施例的范圍內(nèi)，緊接著如圖8中所示將第二金屬層10電沉積到窄導(dǎo)體軌跡21上并且電沉積到第一金屬層5上以及電沉積到第三金屬層6上。第二金屬層10優(yōu)選由銀組成。第二金屬層10優(yōu)選充當(dāng)?shù)谝缓偷谌饘賹拥谋Ｗo(hù)層以及窄導(dǎo)體軌跡21的保護(hù)層，和/或充當(dāng)燒結(jié)連接或者熔焊連接的增附連接層。第二金屬層10優(yōu)選具有0.1μm至10μm的厚度。在這里需要說明的是，并非必須將第二金屬層10施布到第一金屬層5、窄導(dǎo)體軌跡21或者第三金屬層6上。此外，在這里需要說明的是，如果例如應(yīng)該僅在窄導(dǎo)體軌跡21上電沉積第二金屬層10的話，那么在電沉積第二金屬層10之前就可以用電絕緣的漆來覆蓋第一和第三金屬層5和6，從而使得僅在窄導(dǎo)體軌跡21上電沉積第二金屬層10。此外，在這里需要說明的是，如果例如應(yīng)該僅在第一金屬層5上電沉積第二金屬層10的話，那么在電沉積第二金屬層10之前就可以用電絕緣的漆來覆蓋窄導(dǎo)體軌跡21和第三金屬層6，從而使得僅在第一金屬層5上電沉積第二金屬層10。在電沉積第二金屬層10之前，分別利用電絕緣的漆來覆蓋如下元件，該元件不應(yīng)該用第二金屬層10來覆層。圖8示出電沉積第二金屬層10之后的基底7。緊接著，優(yōu)選將連接片從絕緣材料體1上去除，例如通過機(jī)械去除連接片方式。如果連接片在電沉積第一金屬層5并且必要時(shí)電沉積第二金屬層10之前沒有用電絕緣漆覆蓋的話，那么例如通過機(jī)械去除連接片方式來去除連接片，包括去除布置在連接片上的第一金屬層5和必要時(shí)布置在連接片的第一金屬層5上的第二金屬層10。為了制造根據(jù)本發(fā)明的功率半導(dǎo)體模塊26，緊接著在另一方法步驟中(如圖9中所示)，將至少一個(gè)功率半導(dǎo)體器件與第一金屬層5連接或者(如根據(jù)圖9的實(shí)施例中那樣)在第一金屬層5上布置有第二金屬層10的情況下與布置在第一金屬層5上的第二金屬層10連接，并且將至少一個(gè)集成電路17與窄導(dǎo)體軌跡21連接或者(如本實(shí)施例中那樣)在窄導(dǎo)體軌跡21上布置有第二金屬層10的情況下與布置在窄導(dǎo)體軌跡21上的第二金屬層10連接。在本實(shí)施例的范圍內(nèi)，例如構(gòu)造為IGBT的第一功率半導(dǎo)體器件18和例如構(gòu)造為二極管的第二功率半導(dǎo)體器件19與第二金屬層10連接。在此，至少一個(gè)功率半導(dǎo)體器件的連接在第一方法分步驟中實(shí)現(xiàn)，而集成電路17的連接在第二方法分步驟中實(shí)現(xiàn)。在此，第一方法分步驟可以在第二方法分步驟之前進(jìn)行，與第二方法分步驟同時(shí)進(jìn)行或者在第二方法分步驟之后進(jìn)行。在此，在本實(shí)施例的范圍內(nèi)，根據(jù)圖9，第一功率半導(dǎo)體器件18和第二功率半導(dǎo)體器件19與布置在第一金屬層5上的第二金屬層10借助于燒結(jié)連接或熔焊連接彼此連接，從而在功率半導(dǎo)體器件18、19與第一金屬層5之間布置有燒結(jié)層或者熔焊層14。此外，在本實(shí)施例的范圍內(nèi)，集成電路17通過其接頭引腳16與布置在窄導(dǎo)體軌跡上的第二金屬層10借助于燒結(jié)連接或者熔焊連接彼此連接，從而在集成電路17與第二金屬層10之間布置有燒結(jié)層或者熔焊層14’。在此，各自的燒結(jié)層優(yōu)選至少基本上由銀組成，而各自的熔焊層至少基本上由錫組成。在圖10中示出本發(fā)明的另一實(shí)施例，該實(shí)施例基本上相應(yīng)于本發(fā)明根據(jù)圖9的實(shí)施例，其中，不同于根據(jù)圖9的實(shí)施例的是，在根據(jù)圖10的實(shí)施例中第一金屬層5并沒有用第二金屬層10來覆層，從而使得第一功率半導(dǎo)體器件18和第二功率半導(dǎo)體器件19例如借助于熔焊連接或者燒結(jié)連接與第一金屬層5連接。在根據(jù)圖9和圖10的實(shí)施例中，功率半導(dǎo)體器件18和19布置在基底7上并且與第一金屬層5導(dǎo)電連接，并且集成電路17布置在基底7上并且與窄導(dǎo)體軌跡21導(dǎo)電連接。在此，各自的導(dǎo)電連接通過燒結(jié)層或者熔焊層14來進(jìn)行，并且如果存在的話還附加地通過第二金屬層10來進(jìn)行，并且如果可能還附加地在第二金屬層10上布置有至少一個(gè)另外的金屬層的話附加地通過該至少一個(gè)另外的金屬層來進(jìn)行。在這里需要說明的是，如前面描述的那樣，在第二金屬層10上還可以附加地布置有至少一個(gè)另外的金屬層，其中，在本發(fā)明的意義上，將至少一個(gè)功率半導(dǎo)體器件和/或至少一個(gè)集成電路與至少一個(gè)另外的金屬層的連接理解為至少一個(gè)功率半導(dǎo)體器件和/或至少一個(gè)集成電路與第二金屬層的連接。此外，在這里需要說明的是，尤其在燒結(jié)連接的情況下，作為兩個(gè)分別待連接的元件的連接組件，該兩個(gè)待連接的元件在該元件的應(yīng)該彼此連接的側(cè)上可以設(shè)有各自的增附連接層，該增附連接層例如可以至少基本上由銀組成。在此，各自的待連接的元件并非一定需要借助于電沉積來配設(shè)增附連接層。在這里需要說明的是，相同的元件在附圖中設(shè)有相同的附圖標(biāo)記。