本發(fā)明整體涉及功率分離器或組合器，并且更具體地涉及無終止件的功率分離器或組合器。

背景技術(shù)：
在射頻（RF）應(yīng)用中，分離和/或組合信號很常見，并且存在多種方式實(shí)現(xiàn)分離和/或組合信號。一個示例是Wilkinson（威爾金森）分離器/組合器100，可以參考圖1所示。通常，Wilkinson分離器（或組合器）100是具有輸入端口WIN以及輸出端口WOUT1和WOUT2的2-1分離器（或組合器）。沿著分離器100的外直徑的距離D2和D3大約是感興趣頻率的四分之一波長，沿著分離器100的內(nèi)直徑的距離D1大約是感興趣頻率的二分之一波長。此外，阻抗元件（例如電阻器）102被耦合在端口WOUT1和WOUT2之間，以允許隔離和合適的阻抗匹配。在另一個可替換方法中，可以使用混合耦合器或商業(yè)競爭產(chǎn)品（rat-race）200（如圖2中所示）。如圖所示，該耦合器200一般是具有內(nèi)直徑（其可以是例如感興趣頻率的一倍半波長）的曲線型（例如，圓形的）。該耦合器200具有輸入端口RIN以及輸出端口ROUT1和ROUT2（能夠以大約一半的輸入功率輸出信號）。此外，存在以阻抗元件202（例如，電阻器）終止的隔離端口RISO。這些不同方法中的每個方法在合適的條件下（例如，<10GHz）可能是足夠的；然而，對于高速應(yīng)用（例如，百萬兆赫茲波或毫米波）來說，這些方法可能是不夠的。特別地，在成本和尺寸方面，物理終止件（例如，阻抗元件102和202）可能是禁止的。因此，需要一種改進(jìn)的組合器/分離器。傳統(tǒng)系統(tǒng)的某些示例是：美國專利號4,254,386；美國專利號4,956,621；美國專利號6,674,410；和歐洲專利號EP1042843。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
因此，本發(fā)明提供一種裝置。該裝置包括具有第一端口、第二端口、第三端口和第四端口的第一混合耦合器，其中第一混合耦合器的第四端口是第一隔離端口，并且其中第一混合耦合器的第一端口被配置為傳送差分信號的第一部分，并且其中第一混合耦合器是充分曲線型的；以及具有第一端口、第二端口、第三端口和第四端口的第二混合耦合器，其中第二混合耦合器的第四端口是第二隔離端口，并且其中第二混合耦合器的第一端口被配置為傳送所述差分信號的第二部分，并且其中第二混合耦合器是充分曲線型的，并且其中第一和第二隔離端口是相互耦合的。根據(jù)本發(fā)明，該裝置進(jìn)一步包括：具有第一端口、第二端口、第三端口和第四端口的第三混合耦合器，其中第三混合耦合器的第四端口是第三隔離端口，并且其中第三混合耦合器的第一端口被配置為傳送所述差分信號的第一部分，并且其中第三混合耦合器是充分曲線型的；以及具有第一端口、第二端口、第三端口和第四端口的第四混合耦合器，并且其中第四混合耦合器的第一端口被配置為傳送所述差分信號的第二部分，并且其中第四混合耦合器是充分曲線型的，并且其中第三和第四隔離端口是互相耦合的。根據(jù)本發(fā)明，第一、第二、第三和第四耦合器被對稱地布置。根據(jù)本發(fā)明，該裝置進(jìn)一步包括：襯底；以及在襯底上方形成的金屬化層，其中所述金屬化層被圖案化以形成第一、第二、第三和第四混合耦合器。根據(jù)本發(fā)明，第一混合耦合器的第三和第四端口被耦合到第一天線，并且其中第二混合耦合器的第三和第四端口被耦合到第二天線，并且其中第三混合耦合器的第三和第四端口被耦合到第三天線，并且其中第四混合耦合器的第三和第四端口被耦合到第四天線。根據(jù)本發(fā)明，所述金屬化層進(jìn)一步包括第一金屬化層，并且其中第一、第二、第三和第四天線進(jìn)一步包括：在第一金屬化層上方形成的第一組通孔，其中來自第一組通孔的每個通孔被電耦合到來自第一、第二、第三和第四混合耦合器的第二端口中的至少一個端口；在第一金屬化層上方形成的第二組通孔，其中來自第二組通孔的每個通孔被電耦合到來自第一、第二、第三和第四混合耦合器的第三端口中的至少一個端口；以及在第一和第二組通孔上方形成的第二金屬化層，所述第二金屬化層被圖案化以形成第一、第二、第三和第四天線的部分。根據(jù)本發(fā)明，該裝置進(jìn)一步包括：在第一金屬化層和襯底之間形成的第三組通孔，其中來自第三組通孔的每個通孔被電耦合到來自第一、第二、第三和第四的第四端口中的至少一個端口；以及在襯底和第一金屬化層之間形成的第三金屬化層，其中第三金屬化層被圖案化以使得第一和第二混合耦合之間的互耦以及第三和第四混合耦合器之間的互耦都是電耦合。根據(jù)本發(fā)明，該裝置進(jìn)一步包括在第一金屬化層和襯底之間形成的第三金屬化層。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供一種方法。該方法包括在襯底上形成金屬化層；以及圖案化所述金屬化層以形成：具有第一端口、第二端口、第三端口和第四端口的第一混合耦合器，其中第一混合耦合器的第四端口是第一隔離端口，并且其中第一混合耦合器的第一端口被配置為傳送差分信號的第一部分，并且其中第一混合耦合器是充分曲線型的；具有第一端口、第二端口、第三端口和第四端口的第二混合耦合器，其中第二混合耦合器的第四端口是第二隔離端口，并且其中第二混合耦合器的第一端口被配置為傳送所述差分信號的第二部分，并且其中第二混合耦合器是充分曲線型的，并且其中第一和第二隔離端口是互相耦合的；具有第一端口、第二端口、第三端口和第四端口的第三混合耦合器，其中第三混合耦合器的第四端口是第三隔離端口，并且其中第三混合耦合器的第一端口被配置為傳送所述差分信號的第一部分，并且其中第三混合耦合器是充分曲線型的；以及具有第一端口、第二端口、第三端口和第四端口的第四混合耦合...