技術(shù)特征：
1.一種導(dǎo)電膜，其特征在于，包括：透明基底，包括第一表面以及與所述第一表面相對設(shè)置的第二表面；導(dǎo)電層，設(shè)于所述第一表面，所述導(dǎo)電層包括多個(gè)導(dǎo)電條帶，所述每一導(dǎo)電條帶是由導(dǎo)電絲線相互交叉形成網(wǎng)格狀結(jié)構(gòu)；引線電極，設(shè)于所述第一表面，所述引線電極呈網(wǎng)格狀，包括引線觸頭及與所述引線觸頭相連的引線線路，所述引線觸頭設(shè)于所述導(dǎo)電條帶的網(wǎng)格內(nèi)部且與所述導(dǎo)電層電連接，所述引線觸頭呈條狀，并沿所述導(dǎo)電條帶的寬度方向延伸。2.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述導(dǎo)電層的網(wǎng)格為規(guī)則網(wǎng)格或隨機(jī)網(wǎng)格。3.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述第一表面形成有網(wǎng)格凹槽，所述導(dǎo)電絲線收容于所述網(wǎng)格凹槽，所述網(wǎng)格凹槽的寬度為d1，深度為h，其中，1μm≤d1≤5μm，2μm≤h≤6μm，h/d1>1。4.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述第一表面形成有網(wǎng)格凹槽，所述導(dǎo)電絲線收容于所述網(wǎng)格凹槽，所述網(wǎng)格凹槽為底部為“V”字形、弧形、或波浪形的微型槽。5.如權(quán)利要求4所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述微型槽的深度為500nm～1μm。6.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述透明基底的材料為熱塑性材料。7.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，還包括基質(zhì)層，所述基質(zhì)層設(shè)于所述透明基底的第一表面，所述導(dǎo)電層及所述引線電極設(shè)于所述基質(zhì)層遠(yuǎn)離透明基底的一側(cè)。8.如權(quán)利要求7所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述基質(zhì)層的材料為UV膠、壓印膠或聚碳酸酯。9.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，還包括覆蓋所述導(dǎo)電層及所述引線電極表面的透明保護(hù)層。10.如權(quán)利要求9所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述透明保護(hù)層的材料為UV膠、壓印膠或聚碳酸酯。11.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膜，其特征在于，所述導(dǎo)電層及所述引線電極的材料為銀、銅、導(dǎo)電聚合物或ITO。