技術(shù)特征：
1.一種制備二元第13族硒化物納米粒子的方法，所述二元第13族硒化物納米粒子具有通式MxSey，其中M是Ga或In，0＜x，并且0＜y，所述方法包括：通過在第一溫度將第13族離子前體分散在非配位溶劑、配位溶劑或非配位溶劑和配位溶劑的組合中，而形成分散體；將硒醇化合物添加到所述分散體中而形成混合物；以及將所述混合物的溫度升高到第二溫度，并且將所述混合物在第二溫度保持一定時間，以形成所述二元第13族硒化物納米粒子；其中所述二元第13族硒化物納米粒子基本上不含硫。2.權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第13族離子前體是第13族元素的氯化物、乙酸鹽或乙酰丙酮化物。3.權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第13族離子前體選自由以下各項(xiàng)組成的組：InCl3、In(OAc)3、In(acac)3、GaCl3、Ga(OAc)3和Ga(acac)3。4.權(quán)利要求1所述的方法，其中所述硒醇是烷基、烯基、炔基或芳基硒醇。5.權(quán)利要求1所述的方法，其中所述硒醇含有4至14個碳原子。6.權(quán)利要求1所述的方法，其中所述硒醇化合物是辛烷硒醇。7.權(quán)利要求1所述的方法，所述方法還包括將第二硒化合物添加至所述第13族離子前體。8.權(quán)利要求7所述的方法，其中所述第二硒源是硒化三辛基膦。9.權(quán)利要求1所述的方法，其中所述納米粒子的直徑為等于或小于200nm。10.權(quán)利要求1所述的方法，其中所述納米粒子的直徑為2至100nm。11.權(quán)利要求1所述的方法，其中所述納米粒子的直徑為等于或小于10nm。12.一種組合物，所述組合物包含：納米粒子，所述納米粒子包含核和有機(jī)覆蓋配體，其中所述核包含二元第13族硒化物半導(dǎo)體，所述二元第13族硒化物納米粒子具有通式MxSey，其中M是Ga或In，0＜x，并且0＜y，并且其中所述有機(jī)覆蓋配體通過碳-硒共價鍵結(jié)合到所述納米粒子。13.權(quán)利要求12所述的組合物，其中所述有機(jī)覆蓋配體是烷基、烯基、炔基或芳基基團(tuán)。14.權(quán)利要求12所述的組合物，其中所述有機(jī)覆蓋配體含有8至12個碳原子。15.一種形成半導(dǎo)體膜的方法，所述方法包括：使第13族離子前體與硒醇化合物在混合物中反應(yīng)而形成二元第13族硒化物納米粒子，所述二元第13族硒化物納米粒子具有通式MxSey，其中M是Ga或In，0＜x，并且0＜y，所述硒醇化合物是烷基、烯基、炔基或芳基硒醇中的任一種，將所形成的二元第13族硒化物納米粒子從所述混合物中分離，將CuSe納米粒子和分離的二元第13族硒化物納米粒子共沉積在基材上，以及加熱所述基材以使所述CuSe納米粒子和所述二元第13族硒化物納米粒子熔化；其中加熱所述基材以使所述CuSe納米粒子和所述二元第13族硒化物納米粒子熔化也移除了烷基、烯基、炔基或芳基部分。16.權(quán)利要求15所述的方法，其中所述半導(dǎo)體膜基本上不含硫。17.權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一溫度介于50℃-150℃之間。18.權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二溫度介于100℃-220℃之間。19.權(quán)利要求1所述的方法，其中所述一定時間介于30分鐘-2小時之間。