技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供用于晶圓切片的等離子體刻蝕裝置及其裝載、卸載晶圓的方法。待切片的晶圓隨薄膜框架結(jié)構(gòu)一同進(jìn)入所述刻蝕裝置，所述薄膜框架結(jié)構(gòu)包括呈環(huán)形的框架以及安裝在框架上并覆蓋所述框架中心處開口的薄膜，所述晶圓安裝在所述開口內(nèi)所述薄膜的上表面，所述刻蝕裝置包括：由頂壁、側(cè)壁與底壁圍成的反應(yīng)腔室；設(shè)置在反應(yīng)腔室內(nèi)、用于支撐晶圓的基座；設(shè)置在基座外周、可升降的升降環(huán)，所述升降環(huán)在升降的過(guò)程中接觸并抬升或沉降位于晶圓外周的框架；用于帶動(dòng)所述升降環(huán)作升降運(yùn)動(dòng)的升降桿，所述升降桿的一端用于連接所述升降環(huán)，另一端穿過(guò)反應(yīng)腔室底壁上的孔洞而延伸至所述反應(yīng)腔室外；位于所述反應(yīng)腔室外的驅(qū)動(dòng)部件，用于驅(qū)動(dòng)所述升降桿。

技術(shù)研發(fā)人員：黃允文;陳妙娟;何乃明
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司
文檔號(hào)碼：201410843927
技術(shù)研發(fā)日：2014.12.25
技術(shù)公布日：2017.09.19