本發(fā)明涉及一種用于制造太陽能電池的方法。

背景技術(shù)：
硅薄層太陽能電池得到多種多樣的應(yīng)用。這種太陽能電池經(jīng)常具有過低的效率，因為光線只有一小部分在至少一個硅層中得到吸收。其原因部分地在于：在現(xiàn)有技術(shù)已知的一些太陽能電池中沒有或者不能使用厚的硅層。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
基于本發(fā)明的問題是文首述及類型的方法的目的，該方法能夠?qū)崿F(xiàn)以較高的效率生產(chǎn)太陽能電池。這根據(jù)本發(fā)明通過文首述及類型的用于制造太陽能電池的方法得以實現(xiàn)其包括下列工藝步驟：將TCO層施設(shè)到玻璃基底上；將至少一個硅層施設(shè)到TCO層上；其特征在于：在施設(shè)TCO層之前給玻璃基底施加電子輻射，從而產(chǎn)生玻璃基底的散射光的層，將TCO層施設(shè)到該散射光的層上，其中，在施加電子輻射之前和/或期間將玻璃基底加熱到200℃與700℃之間的溫度。根據(jù)本發(fā)明規(guī)定：在施設(shè)TCO層之前為玻璃基底施加電子輻射，從而產(chǎn)生玻璃基底的散射光的層，將TCO層施設(shè)到該層上。通過這個散射光的層可以如下地散射需由太陽能電池吸收的光線，使得這個光線的部分被向側(cè)向轉(zhuǎn)向或者與入射法線成大于0°的夾角延伸。因此光線的這些部分可以經(jīng)過貫穿至少一個硅層的較長的路程，使得其吸收得以擴大。可以規(guī)定：在施加電子輻射之前和/或期間對玻璃基底進行加熱，特別是加熱到200℃與700℃之間的溫度、優(yōu)選到300℃與500℃之間的溫度、例如到400℃的溫度。通過在加溫的同時照射電子射線，可以使玻璃的較輕的成份至少部分地從表面中擴散出來。通過玻璃成份的這種向外擴散而在所述層中產(chǎn)生散射光的結(jié)構(gòu)。存在的可能性有：電子輻射具有線狀的橫截面并且與線的縱向延伸垂直地在玻璃基底的表面上運動。通過這種方式一方面可以比較快地給玻璃基底的表面施加電子輻射。另一方面，局部功率密度不像在玻璃基底表面上的點狀強度分布的運動的情況中那么高。根據(jù)本發(fā)明還規(guī)定：將第一硅層施設(shè)到TCO層上，給第一硅層施加激光輻射或電子輻射并且將第二硅層施設(shè)到經(jīng)輻射的第一硅層上。由于硅層的模塊化構(gòu)造，這個硅層比較穩(wěn)定。因此至少第二硅層可以設(shè)置較大的厚度，通過這種方式還可以擴大光線的吸收。在此可以規(guī)定：第二硅層比第一硅層更厚。存在的可能性有：第一硅層具有小于3.0μm的層厚、特別是小于2.0μm的層厚、優(yōu)選小于1.0μm的層厚、例如0.5μm與1.0μm之間的層厚。另外在此可以規(guī)定：第二硅層具有2.0μm與20μm之間的層厚、特別是3.5μm與15μm之間的層厚、優(yōu)選5μm與10μm之間的層厚。通過這樣的構(gòu)造可以實現(xiàn)：硅層可靠地保持在TCO層上，并且盡管如此通過第二硅層的大的厚度也實現(xiàn)高的吸收和因此太陽能電池的大效率。特別是可以規(guī)定：在300℃以下的溫度下、優(yōu)選在200℃以下的溫度下、特別是在100℃以下的溫度下、例如在室溫下施設(shè)TCO層和/或至少一個硅層。通過這種措施一方面簡化了根據(jù)本發(fā)明的方法，這是因為在施設(shè)TCO層和/或至少一個硅層期間不必進行加熱。另一方面，通過在所謂的低溫下、特別是在室溫下的涂覆防止由溫度誘發(fā)的對需加工的太陽能電池的損傷或損害。附圖說明借助下面參照附圖對優(yōu)選實施例的說明對本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點加以說明。附圖中：圖1為利用根據(jù)本發(fā)明的方法制造的第一太陽能電池的示意性剖視圖；圖2為利用根據(jù)本發(fā)明的方法制造的第二太陽能電池的示意性剖視圖；圖3為利用根據(jù)本發(fā)明的方法制造的第三太陽能電池的示意性剖視圖。具體實施方式在附圖中相同的或功能相同的部件或?qū)訕俗⑾嗤母綀D標記。在根據(jù)本發(fā)明的方法的第一實施變型中，將玻璃基底1加熱到200℃與700℃之間的溫度、優(yōu)選300℃與500℃之間的溫度、例如400℃的溫度并且在設(shè)置在圖1上部的表面上施加電子輻射。特別是在此具有線狀橫截面的電子射線與線方向垂直地在玻璃基底1的表面上運動。通過在加溫的同時輻射電子射線，...