本發(fā)明涉及具有由REBaCuO(RE表示從Y、Nd、Sm、Gd、Eu、Yb、Pr及Ho中選擇的一種以上的元素，以下，也稱為“REBCO”)的元素構(gòu)成的超導(dǎo)層的、RE類的氧化物超導(dǎo)線材及氧化物超導(dǎo)線材的制造方法。

背景技術(shù)：
與以往的Nb3Sn系等合金類超導(dǎo)體相比，RE類的氧化物超導(dǎo)線材(以下，為了方便而稱為“氧化物超導(dǎo)線材”)能夠在臨界溫度(Tc)較高的液氮溫度下使用。由此，能夠在高溫狀態(tài)下使用一直在液氦溫度附近的低溫下使用的超導(dǎo)設(shè)備(輸電電纜、變壓器、發(fā)動(dòng)機(jī)、蓄電系統(tǒng)等)。氧化物超導(dǎo)線材不但要求使結(jié)晶的CuO面一致，而且還要求使面內(nèi)的晶體位向也一致。為了實(shí)現(xiàn)該要求，在氧化物超導(dǎo)線材中，在由Ni合金構(gòu)成的基板上，形成使面內(nèi)取向度和面向度提高的中間層，將該中間層的晶格作為模板使用，由此使REBaCuO超導(dǎo)層的結(jié)晶的面內(nèi)取向度和面向度提高。作為使中間層的取向性變高的材料，例如專利文獻(xiàn)1所示，一般使用晶格常數(shù)與超導(dǎo)層近似的MgO。通過將與超導(dǎo)層的反應(yīng)性較小的、具有高取向性的CeO2層疊在該MgO層上，并在該CeO2上形成超導(dǎo)層，來制造氧化物超導(dǎo)線材?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1：日本特開2012-072445號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
發(fā)明要解決的問題如上所述，為了提高REBaCuO超導(dǎo)層的超導(dǎo)特性，可以考慮在中間層中含有MgO層，實(shí)現(xiàn)該MgO層的高取向化。本發(fā)明的目的在于，提供通過使被超導(dǎo)層層疊其上的中間層的MgO層高取向化，而具有更高的超導(dǎo)特性的氧化物超導(dǎo)線材及氧化物超導(dǎo)線材的制造方法。解決問題的方案本發(fā)明的氧化物超導(dǎo)線材的一個(gè)形態(tài)采用以下結(jié)構(gòu)，包括：基板；形成在所述基板上的中間層；以及形成在所述中間層上的REBayCu3Oz系超導(dǎo)層，所述RE由從Y、Nd、Sm、Gd、Eu、Yb、Pr及Ho中選擇的一種以上的元素構(gòu)成，其中，所述中間層包括：LaMnO3層；以及以與所述LaMnO3層接觸的方式形成在所述LaMnO3層上的MgO層，所述LaMnO3層的膜厚是5～100nm。本發(fā)明的氧化物超導(dǎo)線材的制造方法的一個(gè)形態(tài)為，包括以下步驟：中間層形成步驟，在基板上形成中間層；以及超導(dǎo)層形成步驟，在所述中間層上形成REBayCu3Oz系超導(dǎo)層(RE由從Y、Nd、Sm、Eu、Gd及Ho中選擇的一種以上的元素構(gòu)成)，所述中間層形成步驟包括：形成膜厚為5～100nm的LaMnO3層的步驟；以及以與所述LaMnO3層接觸的方式在所述LaMnO3層上形成MgO層的步驟。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，能夠在被超導(dǎo)層層疊其上的中間層中，將MgO層配置在LaMnO3層上，來實(shí)現(xiàn)MgO層的高取向化，由此，能夠?qū)崿F(xiàn)制膜于MgO層的上方的、超導(dǎo)層的超導(dǎo)特性的提高。附圖說明圖1是表示本發(fā)明實(shí)施方式的氧化物超導(dǎo)線材的結(jié)構(gòu)例的圖。圖2是表示本發(fā)明實(shí)施方式的氧化物超導(dǎo)線材的變形例的結(jié)構(gòu)的圖。符號(hào)說明100、100A氧化物超導(dǎo)線材110基板120、120A中間層121Al2O3層122LaMnO3層123MgO層124LaMnO3層125CeO2層130YBCO超導(dǎo)層140穩(wěn)定層具體實(shí)施方式以下，參照附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式詳細(xì)地進(jìn)行說明。圖1表示實(shí)施方式的RE系的氧化物超導(dǎo)線材的結(jié)構(gòu)。氧化物超導(dǎo)線材100為帶狀，在帶狀的基板110上按順序?qū)盈B有中間層120、YBCO超導(dǎo)層130、及穩(wěn)定層140?；?10是Ni或Ni-W等Ni合金、SUS(不銹鋼)、Ag、Cu或Cu合金等。另外，對(duì)于基板110，也可以使用對(duì)Ni或Cu添加了從W、Sn、Zn、Mo、Cr、V、Ta或Ti中選擇的任意一種以上的元素而成的合金。為了確保要形成的超導(dǎo)層的適宜的超導(dǎo)特性，優(yōu)選使該情況下的添加元素量在1～10[at％]的范圍內(nèi)。基板110的厚度例如是0.1[mm]以下。在此，雖然適用了哈氏合金(注冊(cè)商標(biāo))帶作為基板110，但是也可以適用因科鎳合金(注冊(cè)商標(biāo))。另外，基板110的厚度例如是30～200[μm]。通過在基板110上依次層疊第一中間層、第二中間層、第三中間層、第四中間層、及第五中間層來構(gòu)成中間層120。在此，設(shè)第一中間層為Al2O3層121，第二中間層為L(zhǎng)aMnO3層122，第三中間層為MgO層123，第四中間層為L(zhǎng)aMnO3層124，第五中間層為CeO2層125。與基板110接觸而通過濺射法對(duì)作為第一中間層的Al2O3層121進(jìn)行制膜。此外，對(duì)于第一中間層，也可以由ReZrO(Re＝從由Tb、Y、Eu、Gd、Ho、Yb、Lu、Nd、Tm、La、Sm、Dy、Er、Ce、Pr構(gòu)成的組中選擇的一種或兩種以上的稀土元素)等代替Al2O3，并通過RF-濺射法、MOD法等進(jìn)行制膜。該第一中間層是床層，是耐熱性較高的、用于降低界面反應(yīng)性的層，為了得到配置于其上的膜的取向性而使用。作為該第一中間層的Al2O3層121，作為對(duì)自基板110的元素?cái)U(kuò)散進(jìn)行抑制的擴(kuò)散防止層而發(fā)揮功能。優(yōu)選第二中間層是非晶質(zhì)，在此，通過在Al2O3層121上對(duì)非晶質(zhì)的LaMnO3層122進(jìn)行制膜來構(gòu)成第二中間層。LaMnO3層122的膜厚為5～100nm。這是因?yàn)槿鬖aMnO3層122的膜厚為5nm以下，則膜的連續(xù)性較差且不能得到充分的取向性，若為100nm以上的膜厚，則膜表面的凹凸變大，妨礙在LaMnO3層122上接觸而層疊的MgO層123的取向性。在150℃以下的范圍(比0℃大且為150℃以下的范圍)內(nèi)，在基板110上通過射頻濺射法、離子束濺射法等濺射法對(duì)LaMnO3層122進(jìn)行制膜。這是因?yàn)?，若使LaMnO3的制膜溫度為150℃以下，則LaMnO3為非晶質(zhì)，若以比150℃高的溫度下進(jìn)行制膜，則LaMnO3變得容易晶化，妨礙MgO層123的取向化。在該LaMnO3層122上接觸而層疊MgO層123，作為第三中間層。在本實(shí)施方式中，MgO層123緊下方的LaMnO3層122是必需的。通過IBAD(IonBeamAssistedDeposition離子束輔助沉積)法對(duì)MgO層123進(jìn)行制膜。IBAD法是如下的方法。即：從斜向?qū)逭丈潆x子，同時(shí)在基板上(在此是LaMnO3層122上)使從靶產(chǎn)生的顆粒沉積(在此對(duì)MgO層123進(jìn)行制膜)。在MgO層123上通過濺射法對(duì)作為第四中間層的LaMnO3層124進(jìn)行制膜。MgO層123構(gòu)成為上下被LaMnO3層122、124夾持。此外，在MgO層123上方的層作為防止與YBCO超導(dǎo)層130反應(yīng)的反應(yīng)防止層而發(fā)揮功能。在此，第四中間層(LaMnO3層124)及第五中間層(CeO2層125)也作為反應(yīng)防止層而發(fā)揮功能。在作為第四中間層的LaMnO3層124上層疊有第五中間層即CeO2層125，作為配置在YBCO超導(dǎo)層130緊下方的層。在LaMnO3層124上通過濺射法對(duì)CeO2層125進(jìn)行制膜。已知CeO2層125由于與YBCO超導(dǎo)層130的相容性較好，且與YBCO超導(dǎo)層130的反應(yīng)性較小而作為最佳的中間層之一。此外，也可以代替濺射法而在LaMnO3層124上通過PLD(PulsedLaserDeposition：脈沖激光沉積法)法對(duì)該CeO2層125進(jìn)行制膜。另外，CeO2層125可以是對(duì)CeO2添加規(guī)定量的Gd而得到的Ce-Gd-O膜，或是由利用其他金屬原子或金屬離子對(duì)一部分Ce進(jìn)行置換而得到的Ce-M-O類氧化物構(gòu)成的膜。對(duì)CeO2添加Gd雖然能夠抑制裂紋的產(chǎn)生，卻會(huì)產(chǎn)生無法抑制自基板110的元素?cái)U(kuò)散這樣的問題，然而在本實(shí)施方式中，由于能夠利用作為第一中間層的Al2O3層121抑制元素?cái)U(kuò)散，所以能夠?qū)ψ鳛樵贏l2O3層121之上的層的第五中間層的CeO2層125使用添加了Gd的材料。在該第五中間層即CeO2層125上層疊有YBCO超導(dǎo)層130。在此，由釔系氧化物超導(dǎo)體(RE123)構(gòu)成YBCO超導(dǎo)層130。該超導(dǎo)層是全軸取向REBCO層，也就是REBayCu3Oz類(RE表示選自Y、Nd、Sm、Gd、Eu、Yb、Pr以及Ho的一種以上的元素，y≤2及z＝6.2～7。)的高溫超導(dǎo)薄膜的層。在此，通過MOD法(MetalOrganicDepositionProcesses：有機(jī)酸鹽沉積法)在CeO2層125上對(duì)YBCO超導(dǎo)層130進(jìn)行制膜。此外，MOD法是通過加熱基板上的金屬有機(jī)酸鹽而使其熱分解來在基板上形成作為超導(dǎo)層的薄膜的方法。具體而言，對(duì)于MOD法，首先，將金屬成分的均勻地溶解有機(jī)化合物而得到的原料溶液涂敷在基板上。接著，在涂敷有溶液的基板上施加預(yù)煅燒熱處理來形成非晶體狀的前體，之后，通過施加結(jié)晶熱處理(主煅燒熱處理)來使前體結(jié)晶而形成氧化物超導(dǎo)體。在YBCO超導(dǎo)層130使用的原料溶液是以下那樣的原料溶液(a)～(d)的混合溶液。(a)含有RE的有機(jī)金屬絡(luò)合物溶液：具有含RE的、三氟乙酸鹽、環(huán)烷酸鹽、辛酸鹽、乙酰丙酸鹽、新葵酸鹽中的任意一種以上的溶液。尤其是含RE的三氟乙酸鹽溶液(b)含有Ba的有機(jī)金屬絡(luò)合物溶液：含Ba的三氟乙酸鹽的溶液(c)含有Cu的有機(jī)金屬絡(luò)合物溶液：含有含Cu的、環(huán)烷酸鹽、辛酸鹽、乙酰丙酸鹽、新葵酸鹽中的任意一種以上的溶液(d)含有與Ba之間的親和性較大的金屬的有機(jī)金屬絡(luò)合物溶液：含有含從Zr、Ce、Sn和Ti中選擇的至少一種以上的金屬的、三氟乙酸鹽、環(huán)烷酸鹽、辛酸鹽、乙酰丙酸鹽、新葵酸鹽的任意一種以上的溶液對(duì)于YBCO超導(dǎo)層130，將上述原料溶液(a)～(d)的混合溶液涂敷于第五中間層即CeO2層125上后，例如，在水蒸氣分壓3～76Torr、氧分壓300～760Torr的氛圍氣中在400～500℃的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行預(yù)煅燒。在預(yù)煅燒后，例如在水蒸氣分壓30～100Torr、氧分壓0.05～1Torr的氛圍氣中，在700～800℃的溫度范圍內(nèi)，對(duì)預(yù)煅燒而成的非晶體進(jìn)行主煅燒來形成YBCO超導(dǎo)層130。在YBCO超導(dǎo)層130之上層疊有作為穩(wěn)定層140的Ag層。此外，在此，穩(wěn)定層由銀(Ag)構(gòu)成，但是也可以是金(Au)、鉑(Pt)等貴金屬或者作為它們的合金的低電阻的金屬。通過將該穩(wěn)定層形成于YBCO超導(dǎo)層130的緊上方，從而防止了YBCO超導(dǎo)層130與金、銀等貴金屬或者它們的合金以外的材料直接接觸而反應(yīng)從而引起的性能降低的情況。除此之外，穩(wěn)定層將由故障電流或交流通電產(chǎn)生的熱分散從而防止了發(fā)熱引起的斷裂和性能降低。在此穩(wěn)定層的厚度為10～30μm。如以下的方式制造這樣構(gòu)成的氧化物超導(dǎo)線材100。通過在帶狀的基板110上按順序?qū)盈B第一中間層～第五中間層，來形成中間層120。具體而言，在基板110上通過濺射法蒸鍍Al2O3，而對(duì)作為第一中間層的Al2O3層121進(jìn)行制膜。接著，在Al2O3層121上通過濺射法蒸鍍LaMnO3，而在非晶質(zhì)(非晶體)狀態(tài)下對(duì)作為第二中間層的LaMnO3層122進(jìn)行制膜。接著，在該非晶質(zhì)的LaMnO3層122上，使靶的構(gòu)成顆粒沉積，同時(shí)通過以規(guī)定的入射角度進(jìn)行離子照射的IBAD法對(duì)MgO層123進(jìn)行制膜。這時(shí)，形成于LaMnO3層122上的濺射膜(MgO)的特定晶軸在離子的入射方向固定，晶體的c軸相對(duì)于基板110的表面在垂直方向取向，并且，a軸及b軸在面內(nèi)向一定方向適宜地取向。由此，與在第一中間層(擴(kuò)散防止層)上直接制膜的結(jié)構(gòu)相比，MgO層123具有較高的面內(nèi)取向度。接著，在LaMnO3層122上通過IBAD法對(duì)作為第三中間層的MgO層123進(jìn)行制膜。接著，在MgO層123上通過濺射法蒸鍍LaMnO3，來對(duì)作為第四中間層的LaMnO3層124進(jìn)行制膜后，通過濺射法對(duì)CeO2層125進(jìn)行制膜。在這樣在基板110上對(duì)中間層120進(jìn)行了制膜后，通過MOD法形成YBCO超導(dǎo)層130，并對(duì)穩(wěn)定層140進(jìn)行制膜，由此來制造氧化物超導(dǎo)線材100。根據(jù)以上的結(jié)構(gòu)，能夠得到以下那樣的顯著效果。在氧化物超導(dǎo)線材100中，在基板110與YBCO超導(dǎo)層130之間成為緩沖層的中間層120中，在LaMnO3層122上接觸而設(shè)置MgO層123，由此來提高M(jìn)gO層123的雙軸取向性。伴隨該MgO層123的雙軸取向性的提高，通過IBAD法，以較高的面內(nèi)取向度，也就是高取向形成在該MgO層123的上方隔著LaMnO3層124形成的、且成為YBCO超導(dǎo)層130的基底層的CeO2層125。通過實(shí)現(xiàn)該CeO2層125的高取向化，也就是實(shí)現(xiàn)中間層120的高取向化，從而能夠?qū)崿F(xiàn)YBCO超導(dǎo)層130的超導(dǎo)特性的提高。[其他實(shí)施方式]此外，在上述的實(shí)施方式中，主要對(duì)將中間層120設(shè)為由Al2O3層121、LaMnO3層122、MgO層123、LaMnO3層124、CeO2層125這第一中間層～第五中間層構(gòu)成的5層構(gòu)造的情況進(jìn)行了敘述。不限于此，對(duì)于在基板110與超導(dǎo)層(YBCO超導(dǎo)層130)之間具有中間層的超導(dǎo)線材，中間層只要是包含在LaMnO3層122上接觸而形成MgO層123的構(gòu)成的層，也可以由兩層以上構(gòu)成。例如，如圖2的氧化物超導(dǎo)線材100A所示，也可以構(gòu)成為，在與氧化物超導(dǎo)線材100同樣的基板110和YBCO超導(dǎo)層130之間，具備從基板110側(cè)開始按順序?qū)l2O3層、LaMnO3層、MgO層、CeO2層層疊而成的中間層120A。此外，將圖2的氧化物超導(dǎo)線材100A的各層，與氧化物超導(dǎo)線材100中的同名稱的各層同樣地進(jìn)行制膜，且使其具有同樣的功能。根據(jù)圖2的氧化物超導(dǎo)線材100A，與氧化物超導(dǎo)線材100同樣地，在LaMnO3層上，與該LaMnO3層接觸而形成的MgO層中提高了雙軸取向性，因此，能夠使CeO2層高取向化。伴隨于此，能夠?qū)崿F(xiàn)YBCO超導(dǎo)層130的超導(dǎo)特性、也就是氧化物超導(dǎo)線材100A的超導(dǎo)特性的提高。另外，在圖1所示的氧化物超導(dǎo)線材100的構(gòu)成中，也可以在作為MgO層的基底層的LaMnO3層122的下層設(shè)置從基板110側(cè)起按順序?qū)AlO3層、CeZrO層層疊而成的層，來代替在基板110上接觸而設(shè)置的Al2O3層121。在氧化物超導(dǎo)線材100的構(gòu)成中，也可以設(shè)置Gd2Zr2O7層來代替Al2O3層121。并且，在氧化物超導(dǎo)線材100的構(gòu)成中，也可以設(shè)置從基板110起按順序?qū)d2Zr2O7層、Y2O3層層疊而成的層來代替Al2O3層121。即，在氧化物超導(dǎo)線材100的構(gòu)成中，也可以將在基板110與YBCO超導(dǎo)層130之間形成的中間層120設(shè)為從基板110側(cè)起按順序?qū)d2Zr2O7層、Y2O3層、LaMnO3層、MgO層、CeO2層層疊而成的中間層。另外，在氧化物超導(dǎo)線材100的構(gòu)成中，也可以將中間層120設(shè)為從基板110側(cè)起按順序?qū)AlO層、LaMnO3層、MgO層、CeO2層層疊而成的中間層。并且，在氧化物超導(dǎo)線材100的構(gòu)成中，也可以將中間層120設(shè)為從基板110側(cè)其按順序?qū)eZrO層、LaMnO3層、MgO層、CeO2層層疊而成的中間層。另外，在氧化物超導(dǎo)線材100的構(gòu)成中，也可以將中間層120設(shè)為從基板110側(cè)起按順序?qū)d2Zr2O7層、LaMnO3層、MgO層、CeO2層層疊而成的中間層。另外，這些中間層也可以是在以LaMnO3層為基底層的MgO層與CeO2層之間分別形成有LaMnO3層等而得到的結(jié)構(gòu)。根據(jù)將中間層的結(jié)構(gòu)替換為上述結(jié)構(gòu)的各個(gè)氧化物超導(dǎo)線材，與氧化物超導(dǎo)線材100同樣，在LaMnO3層上，與該LaMnO3層接觸而形成的MgO層中提高了雙軸取向性。由此，能夠使制膜于MgO層上的CeO2層高取向化。伴隨于此，能夠?qū)崿F(xiàn)YBCO超導(dǎo)層130的超導(dǎo)特性、也就是氧化物超導(dǎo)線材100的超導(dǎo)特性的提高。雖然構(gòu)成為通過MOD法將YBCO超導(dǎo)層130形成于中間層120上，但是不限于此，例如也可以通過PLD法、CVD(ChemicalVaporDeposition：化學(xué)氣相沉積)法等形成YBCO超導(dǎo)層130。另外，也可以在涂敷分散有作為磁通釘扎點(diǎn)的、含Zr的50[nm]以下的氧化物顆粒的有機(jī)金屬絡(luò)合物溶液后，進(jìn)行煅燒來制作YBCO超導(dǎo)層130。通過這樣做，能夠得到磁場(chǎng)施加角度依存性優(yōu)異的RE系的氧化物超導(dǎo)線材。在此，對(duì)于磁通釘扎點(diǎn)，由于是已知的技術(shù)所以省略在此的說明。下面，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行說明。實(shí)施例<實(shí)施例1>在Ra＝2[nm]的哈氏合金(注冊(cè)商標(biāo))基板(基板110)上，通過射頻濺射以膜厚100[nm]對(duì)作為第一中間層的Al2O3層121進(jìn)行了制膜。其后，通過射頻濺射在制膜溫度50[℃]下以膜厚5[nm]對(duì)LaMnO3層122進(jìn)行制膜，來作為第二中間層，在該膜之上，通過IBAD法以膜厚5[nm]對(duì)作為第三中間層的MgO層123進(jìn)行了制膜。在該膜之上，通過射頻濺射在制膜溫度800[℃]下以膜厚10[nm]對(duì)LaMnO3層(第四中間層)124進(jìn)行制膜，接著，在制膜溫度650[℃]下以膜厚500[nm]對(duì)CeO2層(第五中間層)125進(jìn)行制膜，得到了CeO2層中的Δφ(“CeO2Δφ”)＝3.2[deg.]的高取向基板。此外，Δφ是作為表示面內(nèi)結(jié)晶取向度的指數(shù)的面內(nèi)方向的晶軸分散的半寬度(FWHM：FullWidthatHalfMaximum半寬度)。在該膜上通過TFA-MOD法以膜厚1.5[μm]對(duì)YBCO超導(dǎo)層130進(jìn)行了制膜。其結(jié)果，得到了如以下的表1所示那樣的超導(dǎo)特性(由臨界電流值即“YBCO特性Ic”表示)＝420[A/cm-w]的氧化物超導(dǎo)線材。<實(shí)施例2>在與實(shí)施例1同樣的Ra＝2[nm]的哈氏合金基板(基板110)上，通過射頻濺射以膜厚100[nm]對(duì)作為第一中間層的Al2O3層121進(jìn)行了制膜。其后，通過射頻濺射在制膜溫度50[℃]下以膜厚20[nm]對(duì)LaMnO3層122進(jìn)行制膜，作為第二中間層，在該膜之上，通過IBAD法以膜厚5[nm]對(duì)作為第三中間層的MgO層123進(jìn)行了制膜。在該膜之上，通過射頻濺射在制膜溫度800[℃]下以膜厚10[nm]對(duì)LaMnO3層(第四中間層)124進(jìn)行制膜，接著，在制膜溫度650[℃]下以膜厚500[nm]對(duì)CeO2層(第五中間層)125進(jìn)行制膜，得到了CeO2層中的Δφ(“CeO2Δφ”)＝3.0[deg.]的高取向基板。在該膜上通過TFA-MOD法以膜厚1.5[μm]對(duì)YBCO超導(dǎo)層130進(jìn)行了制膜。其結(jié)果，得到了如以下的表1所示那樣的超導(dǎo)特性(由臨界電流值即“YBCO特性Ic”表示)＝460[A/cm-w]的氧化物超導(dǎo)線材。<實(shí)施例3>在與實(shí)施例1同樣的哈氏合金基板(基板110)上，通過射頻濺射以膜厚100[nm]對(duì)作為第一中間層的Al2O3層121進(jìn)行了制膜。其后，在Al2O3層121上，通過射頻濺射在制膜溫度50[℃]下以膜厚50[nm]對(duì)LaMnO3層122進(jìn)行制膜，來作為第二中間層，在該膜之上，通過IBAD法以膜厚5[nm]對(duì)作為第三中間層的MgO層123進(jìn)行了制膜。在該膜之上，通過射頻濺射在制膜溫度800[℃]下以膜厚10[nm]對(duì)LaMnO3層(第四中間層)124進(jìn)行制膜，接著，在制膜溫度650[℃]下以膜厚500[nm]對(duì)CeO2層(第五中間層)125進(jìn)行制膜，得到了CeO2層中的Δφ(“CeO2Δφ”)＝3.1[deg.]的高取向基板。在該膜上通過TFA-MOD法以膜厚1.5[μm]對(duì)YBCO超導(dǎo)層130進(jìn)行了制膜。其結(jié)果，得到如以下的表1所示那樣的超導(dǎo)特性(由臨界電流值即“YBCO特性Ic”表示)＝450[A/cm-w]的氧化物超導(dǎo)線材。<實(shí)施例4>在與實(shí)施例1同樣的哈氏合金基板(基板110)上，通過射頻濺射以膜厚100[nm]對(duì)作為第一中間層的Al2O3層121進(jìn)行了制膜。其后，在Al2O3層121上，通過射頻濺射在制膜溫度50[℃]下以膜厚100[nm]對(duì)LaMnO3層122進(jìn)行制膜，來作為第二中間層，在該膜之上，通過IBAD法以膜厚5[nm]對(duì)作為第三中間層的MgO層123進(jìn)行了制膜。在該膜之上，通過射頻濺射在制膜溫度800[℃]下以膜厚10[nm]對(duì)LaMnO3層(第四中間層)124進(jìn)行制膜，接著，在制膜溫度650[℃]下以膜厚500[nm]對(duì)CeO2層(第五中間層)125進(jìn)行制膜，得到了CeO2層中的Δφ(“CeO2Δφ”)＝3.1[deg.]的高取向基板。在該膜上通過TFA-MOD法以膜厚1.5[μm]對(duì)YBCO超導(dǎo)層130進(jìn)行了制膜。其結(jié)果，得到了如以下的表1所示那樣的超導(dǎo)特性(由臨界電流值即“YBCO特性Ic”表示)＝455[A/cm-w]的氧化物超導(dǎo)線材。<實(shí)施例5>在與實(shí)施例1同樣的哈氏合金基板(基板110)上，通過射頻濺射以膜厚100[nm]對(duì)作為第一中間層的Al2O3層121進(jìn)行了制膜。其后，在Al2O3層121上，通過射頻濺射在制膜溫度100[℃]下以膜厚20[nm]對(duì)LaMnO3層122進(jìn)行制膜，來作為第二中間層，在該膜之上，通過IBAD法以膜厚5[nm]對(duì)作為第三中間層的MgO層123進(jìn)行了制膜。在該膜之上，通過射頻濺射在制膜溫度800[℃]下以膜厚10[nm]對(duì)LaMnO3層(第四中間層)124進(jìn)行制膜，接著，在制膜溫度650[℃]下以膜厚500[nm]對(duì)CeO2層(第五中間層)125進(jìn)行制膜，得到了CeO2層中的Δφ(“CeO2Δφ”)＝3.4[deg.]的高取向基板。在該膜上通過TFA-MOD法以膜厚1.5[μm]對(duì)YBCO超導(dǎo)層130進(jìn)行了制膜。其結(jié)果，得到了如以下的表1所示那樣的超導(dǎo)特性(由臨界電流值即“YBCO特性Ic”表示)＝400[A/cm-w]的氧化物超導(dǎo)線材。<實(shí)施例6>在與實(shí)施例1同樣的哈氏合金基板(基板110)上，通過射頻濺射以膜厚100[nm]對(duì)作為第一中間層的Al2O3層121進(jìn)行了制膜。其后，在Al2O3層121上，通過射頻濺射在制膜溫度150[℃]下以膜厚20[nm]對(duì)LaMnO3層122進(jìn)行制膜，來作為第二中間層，在該膜之上，通過IBAD法以膜厚5[nm]對(duì)作為第三中間層的MgO層123進(jìn)行了制膜。在該膜之上，通過射頻濺射在制膜溫度800[℃]下以膜厚10[nm]對(duì)LaMnO3層(第四中間層)124進(jìn)行了制膜。接著，在制膜溫度650[℃]下以膜厚500[nm]對(duì)CeO2層(第五中間層)125進(jìn)行制膜，得到了CeO2層中的Δφ(“CeO2Δφ”)＝3.4[deg.]的高取向基板。在該膜上通過TFA-MOD法以膜厚1.5[μm]對(duì)YBCO超導(dǎo)層130進(jìn)行了制膜。其結(jié)果，得到了如以下的表1所示那樣的超導(dǎo)特性(由臨界電流值即“YBCO特性Ic”表示)＝410[A/cm-w]的氧化物超導(dǎo)線材。<參照例1>參照例1中，在研磨到Ra＝2[nm]的與實(shí)施例1同樣的哈氏合金基板(基板110)上，通過射頻濺射以膜厚100[nm]對(duì)作為第一中間層的Al2O3121進(jìn)行了制膜。其后，通過射頻濺射在制膜溫度50[℃]下以膜厚2[nm]對(duì)LaMnO3層122進(jìn)行了制膜，作為第二中間層。在該LaMnO3層122上通過IBAD法以膜厚5[nm]對(duì)MgO層(第三中間層)123進(jìn)行了制膜。其后，在MgO層123上，通過射頻濺射在制膜溫度800[℃]下以膜厚10[nm]對(duì)LaMnO3層(第四中間層)124進(jìn)行了制膜。接著，在LaMnO3層(第四中間層)124上，在制膜溫度650[℃]下以膜厚50[nm]對(duì)CeO2層(第五中間層)125進(jìn)行制膜，得到了CeO2層125中的Δφ(“CeO2Δφ”)＝7.0[deg.]的高取向基板。其后，在CeO2層125上，通過TFA-MOD法以膜厚1.5[μm]對(duì)YBCO超導(dǎo)層130進(jìn)行了制膜。其結(jié)果，得到了如以下的表1所示那樣的超導(dǎo)特性(YBCO特性Ic)＝110[A/cm-w]的氧化物超導(dǎo)線材。<參照例2>參照例2中，在研磨到Ra＝2[nm]的與實(shí)施例1同樣的哈氏合金基板(基板110)上，通過射頻濺射以膜厚100[nm]對(duì)Al2O3層121進(jìn)行了制膜，作為第一中間層。其后，通過射頻濺射在制膜溫度50[℃]下以膜厚150[nm]對(duì)作為第二中間層的LaMnO3層122進(jìn)行了制膜后，在LaMnO3層122上通過IBAD法對(duì)MgO層(第三中間層)123進(jìn)行了制膜。其后，在MgO層123上，通過射頻濺射在制膜溫度800[℃]下以膜厚10[nm]對(duì)LaMnO3層(第四中間層)124進(jìn)行了制膜。接著，在LaMnO3層(第四中間層)124上，在制膜溫度650[℃]下以膜厚50[nm]對(duì)CeO2層(第五中間層)125進(jìn)行制膜，得到了CeO2層的Δφ＝6.5[deg.]的高取向基板。其后，在CeO2層125上，通過TFA-MOD法以膜厚1.5[μm]對(duì)YBCO超導(dǎo)層130進(jìn)行了制膜。其結(jié)果，得到了如表1所示那樣的超導(dǎo)特性(YBCO特性Ic)＝150[A/cm-w]的氧化物超導(dǎo)線材。<參照例3>參照例3中，在研磨到Ra＝2[nm]的與實(shí)施例1同樣的哈氏合金基板(基板110)上，通過射頻濺射以膜厚100[nm]形成了Al2O3層121，作為第一中間層。其后，通過射頻濺射在制膜溫度200[℃]下以膜厚20[nm]形成了作為第二中間層的LaMnO3層122。其后，在LaMnO3層122上，通過IBAD法形成了MgO層(第三中間層)123。其后，通過射頻濺射在制膜溫度800[℃]下以膜厚10[nm]形成了LaMnO3層(第四中間層)124。接著，在制膜溫度650[℃]下以膜厚500[nm]形成了CeO2層(第五中間層)125，得到了CeO2層的Δφ＝6.0[deg.]的高取向基板。其后，在CeO2層125上，通過TFA-MOD法以膜厚1.5[μm]形成了YBCO超導(dǎo)層130。其結(jié)果，得到了如表1所示那樣的超導(dǎo)特性(YBCO特性Ic)＝180[A/cm-w]的氧化物超導(dǎo)線材。<比較例1>比較例1中，去除在實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)中形成在Al2O3層(第一中間層)之上的LaMnO3層122，在Al2O3層上接觸而形成了MgO層。具體而言，在與實(shí)施例1同樣的哈氏合金基板上，通過射頻濺射以膜厚100[nm]形成了Al2O3層。其后，在Al2O3層上通過IBAD法形成了MgO層，在MgO層上，通過射頻濺射在制膜溫度800[℃]下以膜厚10[nm]形成了LaMnO3層。在該LaMnO3層上，在制膜溫度650[℃]下以膜厚500[nm]形成CeO2層，得到了無取向基板。其后，在CeO2層上，通過TFA-MOD法以膜厚1.5[μm]形成了YBCO層。其結(jié)果，得到了如表1所示那樣的超導(dǎo)特性(YBCO特性Ic)＝0[A/cm-w]的氧化物超導(dǎo)線材。表1[實(shí)驗(yàn)結(jié)果]如根據(jù)表1的比較例1與實(shí)施例1～6及參照例1～3的比較可知，在氧化物超導(dǎo)線材的中間層中，氧化物超導(dǎo)線材的特性根據(jù)是否設(shè)置LaMnO3層作為MgO層的基底層，而產(chǎn)生了明顯的差異?？芍谥虚g層中，與未在LaMnO3層上設(shè)置MgO層的氧化物超導(dǎo)線材(比較例1)相比，在LaMnO3層上接觸而設(shè)置了MgO層的氧化物超導(dǎo)線材(實(shí)施例1～6及參照例1～3)的超導(dǎo)特性明顯優(yōu)異。另外，如表1的實(shí)施例1～6所示，對(duì)于將MgO層形成在LaMnO3層上的結(jié)構(gòu)，若LaMnO3層的膜厚為5～100[nm]，且形成該LaMnO3層的溫度(制膜溫度)為150[℃]以下，則得到了YBCO特性Ic＝400[A/cm-w]以上(400～460[A/cm-w])這樣的極高的超導(dǎo)特性。特別是，如表1所示，設(shè)為了LaMnO3層的膜厚20[nm]、制膜溫度50[℃]的實(shí)施例2的氧化物超導(dǎo)線材得到了最優(yōu)異的YBCO特性Ic[A/cm-w]。在2013年8月27日提出的日本專利申請(qǐng)?zhí)卦?013-175848號(hào)中包含的說明書、附圖以及摘要的公開內(nèi)容全部引用于本申請(qǐng)。工業(yè)實(shí)用性本發(fā)明涉及的RE類的氧化物超導(dǎo)線材及氧化物超導(dǎo)線材的制造方法，對(duì)超導(dǎo)磁體、超導(dǎo)電纜及電力設(shè)備等是有用的。