本發(fā)明涉及在醫(yī)療設(shè)備的領(lǐng)域中使用的放射線攝影裝置。特別地，本發(fā)明涉及包含X射線產(chǎn)生單元的放射線攝影裝置，該X射線產(chǎn)生單元包含多個(gè)靶(target)和前方(forward)遮蔽部件。

背景技術(shù)：
在最近的諸如乳腺攝影的放射線攝影的領(lǐng)域中，斷層合成(tomosynthesis)成像已經(jīng)被利用為分離關(guān)于被檢體的被檢體深度方向上的信息的方法。在斷層合成成像中，通過(guò)從多個(gè)角度向被檢體施加X(jué)射線獲取多個(gè)圖像，并且由此獲取的多個(gè)圖像被重構(gòu)為斷層攝影圖像。存在通過(guò)依次使用被保持靜止的多個(gè)X射線源從多個(gè)角度向被檢體施加X(jué)射線的斷層合成成像技術(shù)。美國(guó)專利申請(qǐng)公開(kāi)No.2004/0213378公開(kāi)了包含以預(yù)定的間隔排列多個(gè)X射線源的X射線源單元和具有與排列的X射線源對(duì)應(yīng)地設(shè)置的多個(gè)開(kāi)口的遮蔽部件單元的放射線攝影裝置。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
技術(shù)問(wèn)題確定由放射線攝影裝置獲取的圖像的分辨率的主要因素中的一個(gè)是X射線源的焦斑(focalspot)直徑。在本發(fā)明的每個(gè)實(shí)施例中，放射線攝影裝置的焦斑的大小基本上與從電子源向各個(gè)靶發(fā)射的電子束的焦斑的大小對(duì)應(yīng)。在下文中，在靶上限定的電子束的焦斑被稱為“焦斑”。從增加要被獲取的圖像的分辨率的觀點(diǎn)，希望焦斑直徑盡可能小。另一方面，從形成靶的材料的耐熱性和X射線的強(qiáng)度的觀點(diǎn)，流過(guò)靶的陽(yáng)極電流的密度的上限和焦斑直徑的下限被規(guī)定。一般地，有限的“焦斑直徑”與考慮靶的耐熱性的數(shù)十微米的下限和考慮分辨率的數(shù)毫米的上限一起利用。在由美國(guó)專利申請(qǐng)公開(kāi)No.2004/0213378所公開(kāi)的放射線攝影裝置中，具有與包含于X射線源單元中的X射線源的陣列對(duì)應(yīng)地設(shè)置的多個(gè)開(kāi)口的遮蔽部件被設(shè)置在X射線源單元的前側(cè)。遮蔽部件單元包含“隔開(kāi)物(partition)”，使得可以以陣列的形式彼此分開(kāi)地提取多個(gè)X射線束。隔開(kāi)物具有用于使X射線衰減的“高度(厚度)”，以防止沿不希望的方向發(fā)射X射線。一般地，沿從焦斑向X射線檢測(cè)單元的方向，包含于遮蔽部件單元中的隔開(kāi)物的“高度”的范圍為從0.1mm或更大到數(shù)十毫米或更小。在包含這樣的遮蔽部件單元的放射線攝影裝置中，在每個(gè)X射線束的排列多個(gè)靶的方向上的外側(cè)不可避免地形成歸因于“焦斑直徑”和遮蔽部件單元的隔開(kāi)物的“高度”的半陰影。該半陰影是從檢測(cè)器看到的焦點(diǎn)圖像中的強(qiáng)度比主X射線成分的強(qiáng)度低的X射線成分。半陰影是可能在獲取的圖像中導(dǎo)致偽像的不必要成分。并且，形成半陰影的X射線的強(qiáng)度沿排列多個(gè)靶的方向改變。因此，在觸發(fā)獲取圖像的質(zhì)量的劣化方面，半陰影也是不必要成分。在包含單個(gè)靶的放射線攝影裝置中，通過(guò)增加前方遮蔽部件的“高度”，半陰影可以減小到可忽略的水平。另一方面，在包含多個(gè)靶和遮蔽部件單元的放射線攝影裝置中，使多個(gè)X射線束彼此重合。為了這樣做，隔開(kāi)物的“高度”被限制。因此，產(chǎn)生大的半陰影區(qū)。并且，由于沿排列多個(gè)靶的方向在其焦斑沒(méi)有缺損(eclipse)的主曝射區(qū)(exposedregion)的外側(cè)產(chǎn)生這樣的半陰影區(qū)，因此半陰影區(qū)趨于泄漏到放射線攝影裝置的外部而不是進(jìn)入到主曝射區(qū)中。為了抑制半陰影泄漏到放射線攝影裝置的外部，可利用遮蔽部件覆蓋放射線攝影裝置的全部。然而，在這樣的配置中，重量增加并且重心上升。因此，放射線攝影裝置變得不穩(wěn)定，從而增加成像期間圖像模糊的可能性。因此，在可用性和成像性能方面，存在對(duì)于通過(guò)遮蔽部件的有效布置來(lái)限制半陰影的范圍的放射線攝影裝置的需求。在另一提議中，包含遮蔽部件單元的放射線攝影裝置被應(yīng)用于通過(guò)使不同X射線束的范圍彼此重合來(lái)執(zhí)行成像的斷層攝影。日本專利公開(kāi)No.2010-115270公開(kāi)了包含具有與多個(gè)透射型靶對(duì)應(yīng)地設(shè)置的多個(gè)可變開(kāi)口的遮蔽部件的X射線產(chǎn)生單元。在日本專利公開(kāi)No.2010-115270中，通過(guò)調(diào)整設(shè)置在格子類型的遮蔽部件單元中的可變開(kāi)口的位置使多個(gè)X射線束彼此重合。在包含這樣的遮蔽部件單元的放射線攝影裝置中，透過(guò)遮蔽部件單元的角部的射束產(chǎn)生半陰影。該半陰影是透過(guò)遮蔽部件單元的X射線成分。存在減小這樣的半陰影的需要，因?yàn)榘腙幱皶?huì)泄漏到放射線攝影裝置的外部或者半陰影可能在得到的斷層攝影圖像中導(dǎo)致偽像。本發(fā)明提供減小可能泄漏到放射線攝影裝置的外部的半陰影的放射線攝影裝置。本發(fā)明還提供減小歸因于前方遮蔽部件的形狀的半陰影的X射線產(chǎn)生單元。問(wèn)題的解決方案根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種X射線產(chǎn)生單元，該X射線產(chǎn)生單元包含：多個(gè)靶，所述多個(gè)靶以行排列；前方遮蔽部件，所述前方遮蔽部件包含分別將靶中的相鄰靶分開(kāi)的多個(gè)隔開(kāi)物；以及電子源，所述電子源分別向所述多個(gè)靶的電子入射表面發(fā)射電子束。所述隔開(kāi)物分別具有分別相對(duì)于與所述電子入射表面中的相應(yīng)一個(gè)正交的法線傾斜的傾斜表面，并且所述傾斜表面相對(duì)于各個(gè)法線的傾角隨著傾斜表面的沿靶被排列的陣列方向的位置而改變。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種放射線攝影裝置，該放射線攝影裝置包含：以上的X射線產(chǎn)生單元；X射線檢測(cè)單元，所述X射線檢測(cè)單元包含檢測(cè)部分，所述檢測(cè)部分面對(duì)靶陣列并且包含多個(gè)檢測(cè)設(shè)備。從以下參照附圖的示例性實(shí)施例的描述，本發(fā)明的其它特征將變得清晰。附圖說(shuō)明圖1A是根據(jù)本發(fā)明的一般實(shí)施例的X射線產(chǎn)生單元的三面圖。圖1B是示出隔開(kāi)物中的一個(gè)的放大圖。圖2是示出包含于根據(jù)本發(fā)明的一般實(shí)施例的X射線產(chǎn)生單元中的靶陣列并且還示出X射線束如何彼此重合的放大圖。圖3是示出包含不具有傾斜表面的隔開(kāi)物的已知靶陣列的放大圖。圖4A是示出根據(jù)本發(fā)明的一般實(shí)施例的X射線產(chǎn)生單元中的一對(duì)傾斜表面的傾角與中心軸的角度之間的關(guān)系的示圖。圖4B是示出根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施例的相對(duì)于沿陣列方向的位置的、一對(duì)傾斜表面的傾角和中心軸的角度的變化的示圖。圖4C是示出根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施例的相對(duì)于陣列方向上的位置的、一對(duì)傾斜表面的傾角和中心軸的角度的變化的示圖。圖5A是包含于根據(jù)本發(fā)明的一般實(shí)施例的X射線產(chǎn)生單元中的前方遮蔽部件的示意圖。圖5B是包含于根據(jù)本發(fā)明的一般實(shí)施例的修改的X射線產(chǎn)生單元中的前方遮蔽部件的示意圖。圖5C是示出根據(jù)本發(fā)明的一般實(shí)施例的前方遮蔽部件的開(kāi)口中的一個(gè)的放大圖。圖5D是示出根據(jù)本發(fā)明的一般實(shí)施例的修改的前方遮蔽部件的開(kāi)口中的一個(gè)的放大圖。圖6是根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實(shí)施例的放射線攝影裝置的示意圖。圖7是根據(jù)本發(fā)明的第四示例性實(shí)施例的放射線攝影裝置的示意圖。圖8是根據(jù)本發(fā)明的一般實(shí)施例的放射線攝影裝置的系統(tǒng)圖。圖9是根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例的放射線攝影裝置中所包含的X射線產(chǎn)生單元的三面圖。圖10是根據(jù)本發(fā)明的第五示例性實(shí)施例的放射線攝影裝置的示意圖。具體實(shí)施方式現(xiàn)在將參照附圖描述本發(fā)明的關(guān)于X射線產(chǎn)生單元和放射線攝影裝置的實(shí)施例。除非另外聲明，否則，在以下的實(shí)施例中描述的元素的材料、尺寸、形狀、相對(duì)位置和其它因素不限制本發(fā)明的范圍。首先將參照?qǐng)D1A-5D描述根據(jù)本發(fā)明的一般實(shí)施例的X射線產(chǎn)生單元。將參照?qǐng)D1A、圖1B和圖2描述根據(jù)本發(fā)明的一般實(shí)施例的X射線產(chǎn)生單元2。圖1A是根據(jù)本發(fā)明的一般實(shí)施例的X射線產(chǎn)生單元2的三面圖。圖1B是示出包含于前方遮蔽部件10中的隔開(kāi)物39中的一個(gè)的放大圖。如圖1A所示，根據(jù)一般實(shí)施例的X射線產(chǎn)生單元2包含靶陣列11和電子源14。靶陣列11包含產(chǎn)生X射線的多個(gè)靶8和前方遮蔽部件10。電子源14包含多個(gè)電子發(fā)射部分32。如圖1A和圖1B所示，多個(gè)靶8分別是具有電子入射表面7和與電子入射表面7相對(duì)的發(fā)射表面的透射型靶。靶8沿預(yù)定陣列方向Da以行排列。如圖1A和圖1B所示，前方遮蔽部件10具有與多個(gè)靶8對(duì)應(yīng)地設(shè)置的多個(gè)開(kāi)口9。即，與多個(gè)靶8一樣，多個(gè)開(kāi)口9沿陣列方向Da排列。如圖1B所示，前方遮蔽部件10還包含分別將焦斑13中的相鄰焦斑彼此分開(kāi)的多個(gè)隔開(kāi)物39。隔開(kāi)物39分別沿從電子入射表面7向靶8的發(fā)射表面的方向延伸。每一對(duì)隔開(kāi)物39被視為限定沿陣列方向Da的開(kāi)口9中的相應(yīng)一個(gè)的開(kāi)口直徑。如圖1A所示，電子源14被配置使得電子束12分別被施加到多個(gè)靶8的電子入射表面7，由此形成焦斑13。在這樣的配置中，現(xiàn)在參照?qǐng)D2，X射線產(chǎn)生單元2從焦斑13發(fā)射X射線，使得分別從多個(gè)開(kāi)口9提取通過(guò)隔開(kāi)物39沿陣列方向Da彼此分開(kāi)的多個(gè)主曝射區(qū)38。在圖2中，在靶8的各個(gè)電子入射表面7上形成的焦斑13沒(méi)有被示出?，F(xiàn)在將參照?qǐng)D2描述表征根據(jù)本發(fā)明的一般實(shí)施例的X射線產(chǎn)生單元2的隔開(kāi)物39和開(kāi)口9的沿陣列方向Da的形狀。圖2示出其中排列的靶8的數(shù)量n為5的靶陣列11的實(shí)施例。如圖2所示，多個(gè)隔開(kāi)物39分別具有相對(duì)于與各個(gè)電子入射表面7正交的線傾斜的傾斜表面43。從靶陣列11發(fā)射的多個(gè)主曝射區(qū)38在面對(duì)前方遮蔽部件10的檢測(cè)面41上并且在具有長(zhǎng)度Li的區(qū)域中彼此重合。在與圖2所示的電子入射表面7正交的線當(dāng)中，作為代表示出其中主曝射區(qū)38彼此重合的區(qū)域的通過(guò)陣列方向Da上的曝射中心CL的中心法線44。如果如圖2所示的情況那樣相對(duì)于通過(guò)靶陣列11的陣列中心Ca的與電子入射表面7正交的線中的一個(gè)對(duì)稱地布置焦斑13和靶陣列11中所包含的元素，那么中心法線44通過(guò)陣列中心Ca。如果相對(duì)于通過(guò)陣列中心Ca的法線不對(duì)稱地布置焦斑13或靶陣列11中所包含的要素，那么中心法線44可能未必通過(guò)陣列中心Ca并且可能通過(guò)隔開(kāi)物39中的一個(gè)。這樣的配置也在本發(fā)明的范圍內(nèi)。如圖2所示，在根據(jù)一般實(shí)施例的靶陣列11中，多個(gè)隔開(kāi)物39的傾斜表面43限定沿陣列方向Da的各個(gè)開(kāi)口9的中心軸Ac1-Ac5。在各個(gè)開(kāi)口9中內(nèi)接截棱錐，其中靶8的其上限定焦斑13的表面為各個(gè)截棱錐的上表面。中心軸Ac1-Ac5分別作為連接焦斑13中的相應(yīng)的一個(gè)的中心與開(kāi)口9處的開(kāi)口面中的相應(yīng)的一個(gè)的中心的直線在截棱錐中的相應(yīng)的一個(gè)中被唯一地限定。開(kāi)口9的開(kāi)口面分別被唯一地限定為通過(guò)沿在離電子入射表面7中的相應(yīng)的一個(gè)的高度h0處延伸的虛擬面虛擬地切割前方遮蔽部件10產(chǎn)生的缺口部分。通過(guò)至少包含多個(gè)靶8和具有與靶8對(duì)應(yīng)地設(shè)置的開(kāi)口9的前方遮蔽部件10的根據(jù)一般實(shí)施例的X射線產(chǎn)生單元2，隨著已知的X射線產(chǎn)生單元的旋轉(zhuǎn)移動(dòng)可能出現(xiàn)的振動(dòng)問(wèn)題被避免。由此，根據(jù)一般實(shí)施例的X射線產(chǎn)生單元2不具有由在已知的X射線產(chǎn)生單元中隨著X射線產(chǎn)生單元的旋轉(zhuǎn)移動(dòng)可能出現(xiàn)的振動(dòng)導(dǎo)致的圖像模糊的問(wèn)題。在一般實(shí)施例中，隔開(kāi)物39分別具有傾斜表面43，并且傾斜表面43中的每一個(gè)相對(duì)于中心法線44的傾角隨著其沿陣列方向Da的位置而改變。因此，歸因于前方遮蔽部件10的隔開(kāi)物39的半陰影區(qū)45減小。因此，在根據(jù)一般實(shí)施例的X射線產(chǎn)生單元2中，X射線產(chǎn)生單元2周圍的X射線的不希望的泄漏減少。現(xiàn)在將參照?qǐng)D3描述要在本發(fā)明中解決的歸于衰減的半陰影的問(wèn)題。圖3是示出包含不具有傾斜表面的隔開(kāi)物39的已知的示例性靶陣列的放大圖。已知的示例與日本專利公開(kāi)No.2010-115270的圖2(a)中所示的實(shí)施例對(duì)應(yīng)。在已知的示例中，遮蔽部件在與多個(gè)開(kāi)口9的位置不同且使得從各個(gè)開(kāi)口9提取的多個(gè)主曝射區(qū)38彼此重合的各個(gè)位置處被設(shè)置在隔開(kāi)物39上。因此，在已知的示例中，隔開(kāi)物39中的每一個(gè)具有臺(tái)階(step)，使得開(kāi)口9中的每一個(gè)沿陣列方向Da具有臺(tái)階部分。主曝射區(qū)38中的每一個(gè)的沿陣列方向Da的形狀由分別具有臺(tái)階部分的開(kāi)口9中的相應(yīng)的一個(gè)限定。如圖3所示，在主曝射區(qū)38的沿陣列方向Da的外側(cè)形成半陰影區(qū)45。半陰影區(qū)45包含歸因于通過(guò)隔開(kāi)物39中相應(yīng)的一個(gè)形成焦斑圖像的X射線束的部分缺損的歸于缺損的半陰影區(qū)33和歸因于由透過(guò)隔開(kāi)物39的薄的部分的X射線束的一部分導(dǎo)致的X射線束的衰減的歸于衰減的半陰影區(qū)46。歸于衰減的半陰影區(qū)46在歸于缺損的半陰影區(qū)33的沿陣列方向Da的外側(cè)形成。歸于衰減的半陰影區(qū)46和歸于缺損的半陰影區(qū)33分別具有比主曝射區(qū)38低的X射線強(qiáng)度，并且其X射線強(qiáng)度沿陣列方向Da變化。因此，歸于衰減的半陰影區(qū)46和歸于缺損的半陰影區(qū)33使獲取的圖像的質(zhì)量劣化。盡管圖3為了便于理解僅示出在從開(kāi)口9中的第四個(gè)開(kāi)口提取的主曝射區(qū)38的右側(cè)形成的半陰影區(qū)45，但是半陰影區(qū)45也在主曝射區(qū)38的左側(cè)以及在從其它開(kāi)口9提取的其它主曝射區(qū)38中的每一個(gè)的沿陣列方向Da的兩個(gè)外側(cè)中的每一個(gè)上形成。在包含多個(gè)隔開(kāi)物39且形成其中主曝射區(qū)38彼此重合的區(qū)域的X射線產(chǎn)生單元中，難以減小包含于半陰影區(qū)45中的歸于缺損的半陰影區(qū)33。因此，本發(fā)明人已發(fā)現(xiàn)，通過(guò)設(shè)置其傾角隨著隔開(kāi)物39的位置而改變的傾斜表面43，包含于半陰影區(qū)45中的歸于衰減的半陰影區(qū)46減小?，F(xiàn)在將描述通過(guò)改變對(duì)隔開(kāi)物39設(shè)置的傾斜表面43的傾角減小歸于衰減的半陰影區(qū)46所需要的條件和功能機(jī)構(gòu)。第一條件如下。前方遮蔽部件10具有分別由隔開(kāi)物39中的相鄰隔開(kāi)物限定的多個(gè)開(kāi)口9，并且從各個(gè)開(kāi)口9提取的多個(gè)主曝射區(qū)38(X射線束)朝向彼此定向并且使得彼此重合，其中其各個(gè)中心軸處于不同的角度。在第一條件下，在X射線束以不同的角度被施加到被檢體的斷層攝影中，可在被檢者上限定寬的成像場(chǎng)。換句話說(shuō)，對(duì)于給定的成像場(chǎng)，排列于靶陣列11中的靶8的數(shù)量n可增加，同時(shí)焦斑間距(pitch)p減小。因此，產(chǎn)生提高斷層攝影圖像的深度方向上的分辨率的效果。第二條件如下。多個(gè)隔開(kāi)物39分別具有沿多個(gè)主曝射區(qū)38(X射線束)延伸的傾斜表面43。多個(gè)主曝射區(qū)38具有其角度隨著設(shè)置在前方遮蔽部件10中的各個(gè)開(kāi)口9的位置而改變的各個(gè)中心軸。因此，傾斜表面43處于隨著隔開(kāi)物39的沿陣列方向Da的位置而改變的各個(gè)傾角處。在第二條件下，關(guān)于從包含于靶陣列11中的多個(gè)靶8放射狀發(fā)射的X射線束，透過(guò)隔開(kāi)物39的薄的角部的成分減少，由此歸于衰減的半陰影區(qū)46減小。在本發(fā)明的一般實(shí)施例中，如圖4A所示，傾斜表面43中的每一個(gè)的傾角θ(i)可通過(guò)將每個(gè)傾斜表面43沿逆時(shí)針?lè)较蜿P(guān)于中心法線44的角度定義為正來(lái)唯一地確定。中心法線44通過(guò)曝射中心CL并且與電子入射表面7中的相應(yīng)的一個(gè)垂直。同樣地，中心軸Ac(i)也可通過(guò)將其沿逆時(shí)針?lè)较蜿P(guān)于中心法線44的角度定義為正來(lái)唯一地確定。注意，后綴“i”表示開(kāi)口9中的每一個(gè)的沿陣列方向Da的順序位置。圖4B和圖4C是示出分別根據(jù)本發(fā)明的第一和第二示例性實(shí)施例的相對(duì)于陣列方向Da上的位置的傾斜表面43的角度θ(i)和中心軸Ac(i)的角度的變化的示圖。在關(guān)于圖4A所示的靶陣列11的幾何參數(shù)當(dāng)中，僅源到圖像距離DSI在第一示例性實(shí)施例與第二示例性實(shí)施例之間不同。在圖4B所示的第一示例性實(shí)施例中，源到圖像距離DSI為200mm，該距離等于主曝射區(qū)38在檢測(cè)面41上彼此重合的長(zhǎng)度Li。在第一示例性實(shí)施例中，隨著開(kāi)口9的沿陣列方向Da的順序位置i的增大，圖4A所示的處于每個(gè)開(kāi)口9的右側(cè)的傾斜表面43中的一個(gè)的傾角θR(i)從40.3度減小到8.5度。在第一示例性實(shí)施例中，前方遮蔽部件10具有相對(duì)于通過(guò)曝射中心CL的中心法線44的對(duì)稱形狀。因此，隨著開(kāi)口9的沿陣列方向Da的順序位置i的增大，處于開(kāi)口9的左側(cè)的傾斜表面43中的一個(gè)的傾角θL(i)從-8.5度減小到-40.3度。隨著開(kāi)口9的沿陣列方向Da的順序位置i的增大，中心軸Ac(i)的傾角基本上線性地從15.9度減小到-15.9度。在其中多個(gè)焦斑13的間距恒定的第一示例性實(shí)施例中，隨著開(kāi)口9的沿陣列方向Da的順序位置i的增大，右側(cè)的傾斜表面43的傾角θR(i)的變化率的絕對(duì)值逐漸增大，而左側(cè)的傾斜表面43的傾角θL(i)的變化率的絕對(duì)值逐漸減小。另一方面，隨著開(kāi)口9的沿陣列方向Da的順序位置i的增大，中心軸Ac(i)的傾角的變化率在陣列中心Ca周圍變得最大。換句話說(shuō)，在根據(jù)第一示例性實(shí)施例的靶陣列11中，中心軸Ac1-Ac5相對(duì)于中心法線44的傾角的絕對(duì)值隨著從中心法線44到開(kāi)口9的距離而增大。隨著陣列方向Da上的位置的傾斜表面43的傾角的變化相對(duì)于通過(guò)曝射中心CL的中心法線44對(duì)稱。因此，中心法線44與傾斜表面43之間的位置關(guān)系可被解釋如下。隨著從傾斜表面43到中心法線44的距離減小，如圖4B中的實(shí)線箭頭所示，隔開(kāi)物39的那些傾斜表面43中的面對(duì)中心法線44的每一個(gè)的傾角的絕對(duì)值增大。另一方面，隨著從傾斜表面43到中心法線44的距離減小，如圖4B中的虛線箭頭所示，隔開(kāi)物39的那些傾斜表面43中的背對(duì)中心法線44的每一個(gè)的傾角的絕對(duì)值減小。隨著從傾斜表面43到中心法線44的距離減小，如圖4B中的實(shí)線箭頭所示，隔開(kāi)物39的那些傾斜表面43中的面對(duì)中心法線44的每一個(gè)的傾角的、相對(duì)于陣列方向Da上的位置的變化率的絕對(duì)值減小。另一方面，隨著從傾斜表面43到中心法線44的距離減小，如圖4B中的虛線箭頭所示，隔開(kāi)物39的那些傾斜表面43中的背對(duì)中心法線44的每一個(gè)的傾角的、相對(duì)于陣列方向Da上的位置的變化率的絕對(duì)值增大?，F(xiàn)在將參照?qǐng)D4C描述第二示例性實(shí)施例，圖4C示出相對(duì)于陣列方向Da上的位置的傾斜表面43的角度θ(i)和中心軸Ac(i)的角度的變化。除了源到圖像距離DSI(該距離為700mm并且比長(zhǎng)度Li大)以外，針對(duì)根據(jù)第二示例性實(shí)施例的靶陣列11闡明的幾何參數(shù)與第一示例性實(shí)施例的那些相同。第二示例性實(shí)施例在以上傾角中的每一個(gè)中的變化率和變化范圍上與第一示例性實(shí)施例不同。具體而言，相對(duì)于陣列方向Da上的順序位置i的變化更線性，并且變化范圍減小到第一示例性實(shí)施例的變化范圍的約0.28倍。中心軸Ac(i)的傾角的變化范圍的減小基本上等于第一示例性實(shí)施例與第二示例性實(shí)施例之間的源到圖像距離DSI的比，即200:700。第一和第二示例性實(shí)施例中的傾斜表面43的傾角θR(i)和θL(i)以及中心軸Ac(i)的傾角的變化的趨勢(shì)定性相同。在第一和第二示例性實(shí)施例中利用的計(jì)算模型共用的參數(shù)如下：主曝射區(qū)38在檢測(cè)面41上彼此重合的長(zhǎng)度Li為200mm，排列的靶8的數(shù)量為15，焦斑間距p為10mm，并且焦斑直徑Φ為0.5mm。傾斜表面43可以不必分別在隔開(kāi)物39中的相應(yīng)一個(gè)的高度方向上的全部上延伸，并且如圖4A所示，可以分別僅在隔開(kāi)物39的前端部分中延伸。如果傾斜表面43以僅在隔開(kāi)物39的高度方向上的前端部分延伸的這樣的方式被設(shè)置，那么焦斑間距p可減小，由此增加斷層攝影圖像的深度方向上的分辨率。隔開(kāi)物39的高度方向上的前端部分也被視為隔開(kāi)物39的處于開(kāi)口9側(cè)并且遠(yuǎn)離電子入射表面7的部分。如圖4A所示，處于中心軸Ac(i)的兩側(cè)的每一對(duì)傾斜表面43相對(duì)于與電子入射表面7中的相應(yīng)一個(gè)正交的線傾斜，使得從所述一對(duì)傾斜表面43向靶8中的相應(yīng)一個(gè)延伸的虛擬面PR和PL形成位于電子入射表面7與電子發(fā)射源14(圖4A中未示出)之間的相交虛擬線LC。這樣的配置減小歸因于處于傾斜表面43的更靠近靶8的端部的隔開(kāi)物39的部分的歸于衰減的半陰影區(qū)46。在圖4A中，沒(méi)有示出圖1A所示的面對(duì)電子入射表面7的電子發(fā)射源14。圖5A是示出包含于根據(jù)本發(fā)明的一般實(shí)施例的X射線產(chǎn)生單元2中的前方遮蔽部件10的一部分的放大透視圖。如圖5A所示，開(kāi)口9分別由一對(duì)相對(duì)的傾斜表面43和一對(duì)相對(duì)的連接部分129的側(cè)表面限定。根據(jù)一般實(shí)施例的開(kāi)口9具有由相對(duì)于中心法線44傾斜的兩個(gè)傾斜表面43、由頂點(diǎn)V1-V4限定的下面(upperplane)、和由頂點(diǎn)V5-V8限定的上面(upperplane)所限定的截棱錐形狀。圖5B示出圖5A所示的一般實(shí)施例的修改。在該修改中，由限定開(kāi)口9的連接部分129的側(cè)表面上的頂點(diǎn)V1、V5、V8和V4以及頂點(diǎn)V2、V6、V7和V3限定的兩個(gè)面分別以與中心法線44相交的這樣的方式傾斜。根據(jù)該修改的開(kāi)口9具有擁有四個(gè)斜面(不包含由頂點(diǎn)V1-V4限定的下面和由頂點(diǎn)V5-V8限定的上面)的截棱錐形狀。在該修改中，由歸于衰減的半陰影區(qū)46限定的檢測(cè)面41上的區(qū)域的大小可沿與陣列方向Da相交的方向減小。作為另一修改(未示出)，由頂點(diǎn)V1-V4和頂點(diǎn)V5-V8限定的兩個(gè)面可以不必彼此平行。即，開(kāi)口9具有由包含至少一對(duì)傾斜表面43的兩個(gè)或更多個(gè)斜面限定的棱錐形狀。前方遮蔽部件10至少具有對(duì)被檢者或放射科醫(yī)師遮蔽由靶8產(chǎn)生的X射線的一部分的功能。如一般實(shí)施例中那樣，前方遮蔽部件10還可具有保持多個(gè)靶8的功能和作為限定多個(gè)靶8的陽(yáng)極電勢(shì)的電極的功能。靶8分別是具有電子入射表面7和與電子入射表面7相對(duì)且從其發(fā)射X射線的發(fā)射表面的透射型靶。如圖1A和圖1B所示，透射型靶8使電子束12沿其入射在靶8上的入射路徑與主曝射區(qū)38沿其從靶8提取的提取路徑分開(kāi)。在一般實(shí)施例中，前方遮蔽部件10包圍靶8并且以避開(kāi)以上路徑的這樣的方式與靶8連接。在減少沿陣列方向Da可能出現(xiàn)的串?dāng)_方面，包含透射型靶8和前方遮蔽部件10的根據(jù)一般實(shí)施例的靶陣列11優(yōu)于包含反射型靶的靶陣列。這樣的串?dāng)_包含反向散射電子、反向散射X射線和向前發(fā)射的X射線中的至少一個(gè)。在透射型靶8的情況下，遮蔽部件可位于靶8附近。在這方面，在減小遮蔽部件的重量和體積以及減小X射線產(chǎn)生單元的大小方面透射型靶8也優(yōu)于反射型靶。盡管根據(jù)一般實(shí)施例的電子源14被設(shè)置為其中多個(gè)電子發(fā)射部分32與各個(gè)靶8對(duì)應(yīng)地排列的陰極陣列，但是電子源14的各種修改也在本發(fā)明的范圍內(nèi)。例如，電子源14可以包含具有偏轉(zhuǎn)電極的至少一個(gè)電子發(fā)射部分32。在這樣的修改中，從單個(gè)電子發(fā)射部分32發(fā)射的...