除非本文另外指出的，本部分所描述的材料對(duì)于本公開(kāi)的權(quán)利要求不屬于現(xiàn)有技術(shù)，并且不經(jīng)由包括進(jìn)入本部分而承認(rèn)其為現(xiàn)有技術(shù)。多孔石墨烯被認(rèn)為是期望的用于氣體分離的膜。理論的和實(shí)驗(yàn)的研究顯示石墨烯晶格中的原子尺度的孔(hole)可提供用于基于分子大小分離氣體的顯著選擇性。進(jìn)一步地，石墨烯是期望的可選項(xiàng)，因?yàn)橥ㄟ^(guò)膜的氣體滲透率隨著厚度的降低而增加。概述一些實(shí)例涉及制備石墨烯膜的方法，方法包括，例如：提供包括曲表面(convolutedsurface)的氣體可滲透基底(gas-permeablesubstrate)；施用石墨烯至氣體可滲透基底；在適合石墨烯在氣體可滲透基底上形成大致的平表面的溫度加熱施用至氣體可滲透基底的石墨烯；以及將施用至氣體可滲透基底的石墨烯冷卻至適合石墨烯在氣體可滲透基底上形成褶折的(wrinkled)或彎曲的(buckled)表面的溫度。一些實(shí)例涉及石墨烯膜，其包括，例如：包括曲表面的氣體可滲透基底；和在石墨烯層(graphenelayer)上的氣體可滲透基底，和在氣體可滲透基底上的石墨烯層，其中石墨烯層在其中包括一個(gè)或多個(gè)納米孔。一些實(shí)例涉及富集氣體的方法，該方法包括，例如：提供石墨烯膜，其包括：包括曲表面的氣體可滲透基底；以及在氣體可滲透基底上的石墨烯層，其中石墨烯層包括一個(gè)或多個(gè)納米孔；以及使輸入氣體通過(guò)石墨烯膜以形成富集氣體。一些實(shí)例涉及制備石墨烯膜的系統(tǒng)，系統(tǒng)包括，例如：控制器(controller)；石墨烯涂布機(jī)，其通過(guò)控制器配置以施用石墨烯至氣體 可滲透基底；和加熱設(shè)備(heaterdevice)，其通過(guò)控制器配置以在至少大約700℃的溫度加熱施用至氣體可滲透基底的石墨烯。前述的概述是僅僅是說(shuō)明性的，并不以任何方式意圖限制。除了上述描述的說(shuō)明性的方面、實(shí)例和特征，進(jìn)一步的方面、實(shí)例和特征將通過(guò)參考附圖和接下來(lái)的詳細(xì)描述而變得顯而易見(jiàn)。附圖說(shuō)明通過(guò)以下說(shuō)明書(shū)和所附權(quán)利要求結(jié)合附圖，本公開(kāi)的上述和其他特征將會(huì)變得更加0容易理解。應(yīng)該理解，這些附圖僅描繪了根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施方式，而不被認(rèn)為限制了其范圍。本公開(kāi)將通過(guò)使用附圖以另外的特征和細(xì)節(jié)被描述。圖1為說(shuō)明根據(jù)本公開(kāi)的至少一些例子制備石墨烯膜的方法的一個(gè)例子的流程圖。圖2顯示在本公開(kāi)的范圍內(nèi)的具有氣體可滲透基底的石墨烯膜的一個(gè)例子。圖3為說(shuō)明根據(jù)本公開(kāi)的至少一些例子被配置以控制一個(gè)或多個(gè)操作的系統(tǒng)的一個(gè)例子的框圖(blockdiagram)。圖4A-B為說(shuō)明根據(jù)本公開(kāi)的至少一些例子可被配置以控制一個(gè)或多個(gè)操作的計(jì)算設(shè)備的一個(gè)例子的框圖。發(fā)明詳述在接下來(lái)的詳細(xì)描述，參考了形成其一部分的隨附附圖。在附圖中，類似的符號(hào)通常表示類似的組件，除非上下文另外指出。在詳細(xì)說(shuō)明、附圖和權(quán)利要求中描述的示意性實(shí)施方式并不意味著是限制性的?？墒褂闷渌麑?shí)施方式，并且在不背離本文呈現(xiàn)的主題的精神和范圍的情況下，可進(jìn)行其他改變。容易理解，本公開(kāi)的方面，如本文大體上描述的和圖中闡釋的，可為各種不同的構(gòu)造布置、替換、組合、分開(kāi)和設(shè)計(jì)，所有這些明確考慮在本公開(kāi)中并成為本公開(kāi)的部分。簡(jiǎn)單地陳述，本公開(kāi)總體上描述涉及石墨烯膜的技術(shù)，所述石墨烯膜包含具有曲表面的氣體可滲透基底和在氣體可滲透基底上的石墨烯層。該膜可具有改進(jìn)的滲透性性質(zhì)。被配置以制備和使用該膜的 方法和系統(tǒng)也被公開(kāi)。本文公開(kāi)的一些實(shí)例包括制備石墨烯膜的方法。圖1為說(shuō)明根據(jù)本公開(kāi)的至少一些例子制備石墨烯膜的方法100的一個(gè)例子的流程圖。如圖1所示，方法100可包括一個(gè)或多個(gè)功能、操作或通過(guò)一個(gè)或多個(gè)操作說(shuō)明的動(dòng)作110-140。方法100的處理可開(kāi)始在操作110，“提供具有曲表面的氣體可滲透基底”。操作110可隨后是操作120，“將石墨烯施用至氣體可滲透基底表面”。操作120可隨后是操作130，“在至少大約700℃的溫度加熱施用至氣體可滲透基底表面的石墨烯”。操作130可隨后是操作140，“將施用至氣體可滲透基底表面的石墨烯冷卻至低于大約300℃的溫度”。在圖1中，操作110-140被圖示為以首先操作110和最后操作140順序地進(jìn)行。但是，將被理解的，這些操作可被重新排序、組合和/或分開(kāi)為另外的或不同的操作以適合特定的實(shí)例。在一些實(shí)例中，可加入另外的操作。在一些實(shí)例中，一個(gè)或多個(gè)操作可在大約同時(shí)進(jìn)行。在操作110，“提供包括曲表面的氣體可滲透基底”，提供適合的氣體可滲透基底以支持施用至基底的石墨烯。氣體可滲透基底可包括曲表面，其具有一個(gè)或多個(gè)布置于隆起(protuberance)或脊(ridge)之間的凹陷(depression)或溝(trough)以形成曲表面。如以下將進(jìn)一步討論，曲表面可被配置以使石墨烯可被布置在曲表面的隆起或脊上以及懸于曲表面的凹陷或溝之上，使得石墨烯層的表面形成褶折或彎曲，與懸于曲基底表面的凹陷或溝之上的光滑的、平的石墨烯層相比，具有增加的表面積。曲表面的凹陷或溝和隆起或脊的布置并非特定地限制，以及可，例如，為石墨烯可接觸曲表面的隆起或脊且被懸于凹陷或溝之上的任何布置。作為一個(gè)例子，凹陷或溝和隆起或脊可為延伸基底的一側(cè)的長(zhǎng)度的平行帶狀物(band)。作為另外的例子，凹陷或溝和隆起或脊可為一系列同心圓或橢圓。凹陷或溝和隆起或脊可包括直的和/或彎曲的(curved)表面。在一些實(shí)例中，凹陷或溝以及隆起或脊可按一定模 式(pattern)布置。在一些實(shí)例中，該模式可大致覆蓋基底的一側(cè)。例如，該模式可覆蓋按面積計(jì)至少大約80％、按面積計(jì)至少大約90％、按面積計(jì)至少大約95％、按面積計(jì)至少大約99％、或按面積計(jì)大約100％、或前述值中的任何兩個(gè)之間的范圍。在一些實(shí)例中，凹陷或溝和隆起或脊的曲表面可形成二維晶格(two-dimensionallattice)。可通過(guò)曲表面形成的晶格的非限制性實(shí)例包括斜方晶格(rhombiclattice)、六方晶格(hexagonallattice)、正方晶格(squarelattice)、矩形晶格(rectangularlattice)、或平行四邊形晶格(parallelogrammiclattice)。曲表面的凹陷或溝和隆起或脊可任選地相交。例如，凹陷或溝和隆起或脊可包括第一套平行的凹陷或溝和隆起或脊，其與第二套平行的凹陷或溝和隆起或脊在一定角度相交(例如，在90°、75°、60°、45°、或15°相交)以形成格子(grid)。取決于相交的角和在平行的隆起或脊之間的間隔，在隆起或脊之間的凹陷或溝可形成平行四邊形、矩形、或正方形。作為另外的例子，凹陷或溝和隆起或脊可被布置以形成六角形結(jié)構(gòu)。在曲結(jié)構(gòu)(convolutedstructure)的凹陷或溝和隆起或脊之間的間隔可使得施用至基底的石墨烯可與隆起或脊接觸，同時(shí)懸于曲表面的凹陷或溝之上。間隔可取決于施用至基底的石墨烯的大小而變化。例如，隆起或脊可為平行的帶狀物，其當(dāng)施用具有大約500nm尺度的石墨烯時(shí)具有大約100nm的間隔。在隆起或脊之間的間隔可為，例如，至少大約50nm、至少大約100nm、至少大約200nm、至少大約500nm、至少大約1μm、或至少大約5μm。在隆起或脊之間的間隔可為，例如，不多于大約1mm、不多于大約500μm、不多于大約100μm、不多于大約1μm、不多于大約500nm、或不多于大約200nm。在隆起或脊之間的間隔可為，例如，在任何前述間隔值的范圍內(nèi)的值。在一些實(shí)例中，在隆起或脊之間的間隔可在大約50nm至大約1mm的范圍中。申請(qǐng)人理解對(duì)于特定布置(例如，曲表面的六方晶格)在基底的不同位置該間隔可變化，以及在這些情況下，可應(yīng)用平均間隔。每個(gè)隆起或脊的寬度并非特定地限制的，且可，例如少于在隆起或脊之間的間隔。如以下將進(jìn)一步討論，石墨烯層可與隆起或脊接觸，和懸于凹陷或溝之上，以及石墨烯層的懸置部分可為褶折的以改進(jìn)多孔石墨烯膜的性質(zhì)。因此，申請(qǐng)人理解，當(dāng)隆起或脊的寬度相對(duì)于隆起或脊之間的間隔小，石墨烯的更大的部分可為褶折的以改進(jìn)膜性質(zhì)。在一些實(shí)例中，每個(gè)隆起或脊的寬度可為不多于大約75％的在隆起或脊之間的間隔。在一些實(shí)例中，每個(gè)隆起或脊的寬度可為不多于大約50％的在隆起或脊之間的間隔。在一些實(shí)例中，每個(gè)隆起或脊的寬度可為不多于大約25％的在隆起或脊之間的間隔。在一些實(shí)例中，每個(gè)隆起或脊的寬度可為前述值中的兩個(gè)之間的范圍內(nèi)的值。每個(gè)隆起或脊的寬度可為，例如，至少大約10nm、至少大約50nm、至少大約100nm、至少大約500nm、或至少大約1μm。每個(gè)隆起或脊的寬度可為，例如，不多于大約500μm、不多于大約100μm、不多于大約1μm、不多于大約500nm、不多于大約200nm、或不多于大約100nm。在一些實(shí)例中，每個(gè)隆起或脊的寬度可在大約10nm至大約500μm的范圍。在一些實(shí)例中，每個(gè)隆起或脊的寬度可為前述值中的任何兩個(gè)之間的范圍內(nèi)的值。隆起或脊的高度不是非常受限制的。在一些實(shí)例中，隆起或脊可有在大約20nm到大約10mm范圍內(nèi)的高度。在一些實(shí)例中，隆起或脊可有在大約100nm到大約5mm范圍的高度。在一些實(shí)例中，隆起或脊可有在大約100nm到大約1mm范圍內(nèi)的高度。在一些實(shí)例中，每個(gè)隆起或脊的高度可為前述值中的任何兩個(gè)之間的范圍內(nèi)的值?？墒褂酶鞣N方法形成氣體可滲透基底，比如納米壓印(nanoimprinting)、光刻(photolithography)、或蝕刻(etching)，以便形成曲表面。在一些實(shí)例中，曲表面具有布置于隆起或脊之間的凹陷或溝的普通模式?；撞⒎翘囟ǖ叵薅ㄓ谌魏尾牧?，只要基底可為氣體可滲透的和在處理過(guò)程中可耐受加熱溫度的。在處理過(guò)程中的溫度的例子包括至少大約400℃、至少大約500℃、至少大約600℃、至少大約700℃、至少大約800℃、至少大約900℃、或至少大約1000℃。 在處理過(guò)程中的溫度例子包括最多大約700℃、最多大約800℃、最多大約900℃、最多大約1000℃、最多大約1200℃、最多大約1500℃、最多大約2000℃。在一些實(shí)例中，處理過(guò)程中的溫度可為前述值中的任何兩個(gè)之間的范圍內(nèi)的值。提高溫度的時(shí)間段可為至少大約5分鐘、至少大約10分鐘、至少大約15分鐘、至少大約20分鐘、至少大約25分鐘、或至少大約30分鐘。提高溫度的時(shí)間段可為最多大約10分鐘、最多大約15分鐘、最多大約20分鐘、最多大約25分鐘、最多大約30分鐘、或最多大約45分鐘。提高溫度的時(shí)間段可為前述值中的任何兩個(gè)之間的范圍內(nèi)的時(shí)間段?；卓砂ǎ?，陶瓷。在一些實(shí)例中，基底包括硅(silicon)或二氧化硅(silica)。氣體可滲透基底可任選地包括兩種或更多種材料，作為混合物或者單獨(dú)的組分，其整合(integrated)以形成基底。例如，氣體可滲透基底可具有形成基材(base)的硅和形成曲表面的二氧化硅。氣體可滲透基底可為多孔的以改進(jìn)氣體-滲透性。氣體可滲透基底可，例如，具有至少大約5％、至少大約10％、至少大約20％、或至少大約30％的孔體積。在一些實(shí)例中，氣體可滲透基底的孔體積可為前述值中的任何兩個(gè)之間的范圍內(nèi)的值。例如，在一些實(shí)例中，氣體可滲透基底可具有大約10％至大約30％的孔體積。氣體可滲透基底可，例如，具有至少大約20nm、至少大約50nm、或至少大約100nm的平均孔大小。氣體可滲透基底可具有前述值中的任何兩個(gè)之間的范圍內(nèi)的平均孔大小。在一些實(shí)例中，氣體可滲透基底可為對(duì)于氫、氦、或其他小氣體分子是可滲透的。在一些實(shí)例中，氣體可滲透基底可為對(duì)于氫和甲烷是可滲透的。在一些實(shí)例中，氣體可滲透基底可為對(duì)于氦和甲烷是可滲透的。回到圖1，在操作120“將石墨烯施用至氣體可滲透基底上的曲表面”，石墨烯被施用在基底上以形成膜。石墨烯可被施用至基底，在一些實(shí)例中，通過(guò)在溶液中分散石墨烯和施用溶液至基底表面。例如，石墨烯可在甲苯中被分散，以及之后混合物被施用至基底表面。甲苯可通過(guò)蒸發(fā)被去除，比如通過(guò)應(yīng)用加熱和/或真空。石墨烯的分 散體可使用各種技術(shù)被施用至基底，比如浸漬涂布(dipcoating)、旋轉(zhuǎn)涂布(spincoating)、輥式涂布(rollcoating)、噴霧涂布(spraycoating)、氣刀片涂布(airknifecoating)、狹縫擠壓涂布(slotdiecoating)、或棒涂布(rodbarcoating)。石墨烯的施用可任選地被重復(fù)一次或更多次，直到足夠量的石墨烯被置于基底表面上。石墨烯的來(lái)源并非特定地限定，并且可通過(guò)各種技術(shù)被獲得。例如，石墨烯可使用剝離技術(shù)獲得。在一些實(shí)例中，石墨烯可為還原的石墨烯氧化物。例如，石墨烯氧化物可通過(guò)Hummer或改進(jìn)的Hammer工藝以及之后接著被還原來(lái)獲得。在一些實(shí)例中，還原的石墨烯氧化物可被施用至基底以及接著被還原(例如，通過(guò)在還原氣氛下加熱)。施用至基底的石墨烯層的總厚度可足以提供適合的膜的性質(zhì)。例如，施用的石墨烯可足夠厚，使得膜對(duì)于更小的氣體分子(例如，H2和/或He)是選擇性可滲透的，同時(shí)足夠薄以為小氣體分子提供適合的通過(guò)膜的運(yùn)輸速率。石墨烯層可具有，例如，低于大約10nm、低于大約5nm、或低于大約1nm、或0.3nm厚的厚度。石墨烯層可具有前述值中的任何兩個(gè)之間的范圍內(nèi)的厚度。在一些實(shí)例中，石墨烯被施用以形成單層石墨烯，使得厚度為大約一原子厚(one-atomthick)(例如，大約0.3nm厚)。對(duì)于目標(biāo)氣體分子的膜的滲透(permeance)可通過(guò)改進(jìn)一個(gè)或多個(gè)參數(shù)被選擇，比如孔大小、目標(biāo)氣體的動(dòng)力學(xué)直徑、溫度、整個(gè)膜的壓強(qiáng)差、和孔密度。在一些實(shí)例中，目標(biāo)分子通過(guò)彎曲的多孔石墨烯的相對(duì)滲透，相對(duì)于其他等同的石墨烯層的平的多孔配置是增加的。例如，彎曲的多孔石墨烯B的相對(duì)滲透可與平的多孔石墨烯F通過(guò)AB/AF比相關(guān)，該比為彎曲的石墨烯的全部納米-波紋(nano-corrugated)的表面積AB除以相同公稱表面積(即，AF)的平的石墨烯的表面積AF的比。也就是說(shuō)，與平的多孔石墨烯F相比，通過(guò)將較大表面積的石墨烯，以及因此較多數(shù)目的孔，堆積進(jìn)入與平的多孔石墨烯F的面積相同的公稱過(guò)濾器(filter)橫截面，彎曲的多孔石墨烯B可具有較大的相對(duì)滲透。因此，與平的多孔石墨烯F相比，彎曲的多孔石墨烯B可具有較大的相對(duì)滲透，如乘以AB/AF。在一些實(shí)例中，AB/AF比可在從大約1.1:1至106:1的范圍，例如，至少大約1.1:1、 2:1、5:1、10:1、25:1、50:1、75:1、102:1、103:1、104:1、105:1、或106:1或前面值之間的任何子范圍。在另外實(shí)例中，彎曲的多孔石墨烯B的相對(duì)滲透可通過(guò)比例因子(scalingfactor)Sc與平的多孔石墨烯F相關(guān)，Sc涉及與平的多孔石墨烯F的碰撞相比，增加的彎曲的多孔石墨烯B的波紋(corrugation)或彎曲中的氣體分子的碰撞。也就是說(shuō)，彎曲的多孔石墨烯B可具有與平的多孔石墨烯F相比較大的相對(duì)滲透，如乘以Sc。在各種實(shí)例中，比例因子Sc可具有從大約1.1至大約106的范圍的值，例如，至少大約1.1、1.5、2、3、4、5、10、25、50、75、102、103、104、105、或106、或前面值之間的任何子范圍。比例因子Sc可依賴于或不依賴于AB/AF比操作。施用至氣體可滲透基底的石墨烯可包括納米孔。不受限于任何特定理論，納米孔可允許原子或分子種類(例如，H2和/或He)通過(guò)石墨烯的選擇通道。納米孔的平均直徑可為，例如少于或等于大約10nm、少于或等于大約6nm、少于或等于大約4nm、或少于或等于大約2nm。納米孔的平均直徑可為，例如，至少大約0.1nm、至少大約0.5nm、至少大約1nm、或至少大約2nm。納米孔的平均直徑可為前述值中的任何兩個(gè)之間的范圍內(nèi)的直徑。例如，在一些實(shí)例中，納米孔的平均直徑可為大約0.1nm至大約10nm的范圍、或大約0.5nm至大約4nm的范圍。納米孔可，例如每個(gè)獨(dú)立地通過(guò)石墨烯中的一個(gè)、兩個(gè)、三個(gè)、四個(gè)、五個(gè)、或六個(gè)碳原子或在其間的范圍的空位(vacancy)形成。在一些實(shí)例中，至少大約80％的納米孔具有六個(gè)、五個(gè)、四個(gè)、三個(gè)或更少碳原子空位(例如，90％的納米孔每個(gè)通過(guò)三個(gè)碳原子空位形成)。在一些實(shí)例中，納米孔可通過(guò)離子蝕刻石墨烯形成。在一些實(shí)例中，納米孔可通過(guò)使施用至曲表面的石墨烯與由R-Het*表示的化合物反應(yīng)來(lái)形成，其中Het*為氮烯或活性氧(activatedoxy)，比如氧自由基(oxyradical)、氧陰離子(oxyanion)、羥基(hydroxyl)、羧基(carboxyl)、或羧化物(carboxylate)；R為-Ra、-SO2Ra、-(CO)ORa、或-SiRaRbRc；和Ra、Rb、和Rc各自獨(dú)立地是芳基或雜芳基。在石墨烯中形成納米孔的方法進(jìn)一步被公開(kāi)在國(guó)際申請(qǐng)?zhí)朠CT/US2012/22798 和PCT/US2012/22858中，其分別在2012年1月26日和2012年1月27日提交申請(qǐng)。兩個(gè)申請(qǐng)都由受讓人共有，以英文提交申請(qǐng)，以及指定美國(guó)。這些申請(qǐng)據(jù)此通過(guò)引用被全部包括。在將石墨烯施用至基底后，納米孔可任選地在石墨烯中形成。例如，石墨烯可被施用至基底以及之后可使用離子蝕刻以形成納米孔。因此，申請(qǐng)人理解納米孔形成的步驟可在工藝的多個(gè)點(diǎn)進(jìn)行。納米孔可在石墨烯中形成，例如，在施用石墨烯至基底之前(例如，如圖1描繪的操作120之前)、在施用石墨烯至基底之后(例如，如圖1描繪的操作120之后)、在加熱基底之后(例如，如圖1描繪的操作130之后)、或在冷卻基底之后(例如，如圖1描繪的操作140之后)。進(jìn)一步，形成納米孔的多個(gè)步驟可在工藝過(guò)程中的不同期間完成。例如，納米孔可在施用石墨烯至基底之前形成，以及另外的納米孔可在冷卻石墨烯之后形成。在一些實(shí)例中，石墨烯被施用至基底，以使至少部分的石墨烯接觸氣體可滲透基底上的兩個(gè)或更多個(gè)隆起或脊。在一些實(shí)例中，石墨烯被施用至曲基底表面，以使石墨烯的至少第一部分與隆起或脊接觸，同時(shí)石墨烯的至少第二部分不與基底表面的任何部分接觸。例如，隆起或脊可為平行的帶狀物和石墨烯可接觸兩個(gè)帶狀物和懸于布置于帶狀物之間的凹陷或溝之上。在操作130，“在至少大約700℃的溫度加熱施用至氣體可滲透基底表面的石墨烯”，石墨烯層可被加熱以獲得大致平的石墨烯層。不受限于任何特定理論，相信石墨烯將會(huì)因負(fù)的熱膨脹系數(shù)而收縮，這可降低或去除在石墨烯層中的彎曲(bending)或波紋(curve)。在一些實(shí)例中，施用至氣體可滲透基底的石墨烯層可在真空或惰性氣氛(inertatmosphere)下被加熱。作為特定的非限制性實(shí)例，氣體可滲透基底和石墨烯層可使用預(yù)設(shè)加熱過(guò)程(例如，以5℃/min提高溫度，以及之后在750℃保持20min)在真空加熱爐中被加熱至750℃。在操作140，“將施用至氣體可滲透基底的石墨烯冷卻至低于大約300℃的溫度”，施用至氣體可滲透基底的石墨烯層可被冷卻以獲得具有褶折的或彎曲的表面的石墨烯層。不受限于任何特定理論,相 信石墨烯因負(fù)的熱膨脹系數(shù)在冷卻時(shí)膨脹。石墨烯的部分因范德華力可附著至隆起或脊，這引起石墨烯的部分在膨脹時(shí)在臨近的隆起或脊之間延伸，這導(dǎo)致了褶折的確認(rèn)。該現(xiàn)象在Bao等的"Controlledrippletexturingofsuspendedgrapheneandultrathingraphitemembranes,"NatureBiotechnology,(2009),Vol.4,pp.562-66中被進(jìn)一步描述。通過(guò)在石墨烯中形成褶折或彎曲的結(jié)構(gòu)，表面積可被增加以改進(jìn)小分子通過(guò)石墨烯的運(yùn)輸。在一些實(shí)例中，施用至氣體可滲透基底的石墨烯可在真空和/或惰性氣氛下被冷卻，比如氮?dú)饣蚨栊?noble)氣體，例如氦、氖、氬、氪或氙。作為特定的非限制性實(shí)例，氣體可滲透基底和石墨烯可在750℃加熱之后以10℃/min的速率冷卻至大約50℃，以及之后被置于環(huán)境條件以冷卻至室溫。如上述討論，納米孔可任選地在冷卻后在石墨烯中被形成。產(chǎn)生的石墨烯膜可被配置以選擇性地從流體混合物(例如，氣體)分離較小的化合物。通過(guò)在石墨烯中在隆起或脊之間形成褶折或彎曲表面，表面積可被增加，其可改進(jìn)化合物的運(yùn)輸率。雖然膨脹的石墨烯被描述為具有褶折或彎曲的表面，本文預(yù)期石墨烯的表面也可以其他形狀為特征。膨脹的石墨烯(例如，冷卻的石墨烯)具有大于收縮的石墨烯(例如，加熱的石墨烯)的表面積。在一些實(shí)例中，膨脹的石墨烯具有大于收縮的石墨烯至少10％、至少20％、至少30％、至少40％、至少50％、至少60％、至少70％、至少80％、至少90％、或至少100％的表面積。在一些實(shí)例中，膨脹的石墨烯具有大于收縮的石墨烯最多20％、最多30％、最多40％、最多50％、最多60％、最多70％、最多80％、最多90％、最多100％、最多110％、最多120％、最多130％、最多140％、或最多150％的表面積。相對(duì)于收縮的石墨烯，較大的膨脹的石墨烯可以是前述值中的任何兩個(gè)之間的范圍內(nèi)的量。本文公開(kāi)的一些實(shí)例包括具有氣體可滲透基底的石墨烯膜，氣體可滲透基底包括分布在氣體可滲透基底上的隆起或脊和與氣體可滲透基底的隆起或脊接觸的石墨烯層。在一些實(shí)例中，可使用本文公開(kāi)的方法形成膜。例如，復(fù)合物(composite)可通過(guò)圖1描繪的方法形成。膜，例如，可具有增強(qiáng)的滲透性。根據(jù)本公開(kāi)中的組合物(composition)的至少一些例子，圖2顯示了膜200的一個(gè)例子，膜200包括具有曲表面的氣體可滲透基底，其包括分布在氣體可滲透基底上的隆起或脊和氣體可滲透基底上的石墨烯層。氣體可滲透基底210包括隆起或脊215。氣體可滲透基底210和隆起或脊215的特征可與以上關(guān)于如圖1描繪的方法100中的操作110的描述相同。例如，氣體可滲透基底可包括多孔的二氧化硅，同時(shí)隆起或脊可為具有凹陷或溝的平行的帶狀物，凹陷或溝布置于平行的帶狀物之間。如上述討論，氣體可滲透基底的曲表面上的隆起或脊可，例如被模式化(patterned)和/或形成二維晶格。隆起或脊215可通過(guò)，例如納米壓印、光刻、蝕刻或其他關(guān)于圖1描繪的操作110的上述討論的類似工藝形成。在一些實(shí)例中，氣體可滲透基底可包括一種或更多種硅或二氧化硅。在一些實(shí)例中，氣體可滲透基底具有大約10％至大約30％范圍的孔體積。在一些實(shí)例中，氣體可滲透基底具有大約20nm或更多的孔大小。在一些實(shí)例中，氣體可滲透基底對(duì)于氫或氦可滲透。石墨烯層220與隆起或脊215接觸以及可包括一個(gè)或多個(gè)納米孔225，其可被分布在石墨烯表面上以及被配置以對(duì)較小的分子選擇性可滲透。納米孔的平均直徑可為,例如少于或等于大約10nm、少于或等于大約6nm、少于或等于大約4nm、或少于或等于大約2nm。納米孔的平均直徑可為,例如，至少大約0.1nm、至少大約0.5nm、至少大約1nm、或至少大約2nm。在一些實(shí)例中，納米孔的平均直徑可在大約0.1nm至大約10nm的范圍、或大約0.5nm至大約4nm的范圍。納米孔可，例如，各自獨(dú)立地通過(guò)石墨烯中的一個(gè)、兩個(gè)、三個(gè)、四個(gè)、五個(gè)、或六個(gè)碳原子空位形成。在一些實(shí)例中，至少大約80％的納米孔具有六個(gè)、五個(gè)、四個(gè)、三個(gè)、或更少碳原子空位(例如，90％的納米孔各自獨(dú)立地通過(guò)三個(gè)碳原子空位形成)。如圖2顯示，石墨烯層220可任選地包括在隆起或脊之間延伸的區(qū)域中的褶折或波紋(ripple)。如上述討論，石墨烯層220可具有褶折的表面，所述褶折的表面可通過(guò)，例如，在至少大約700℃的溫度加熱氣體可滲透基底上的石墨烯層，和將氣體可滲透基底上的石墨烯冷 卻至低于大約300℃的溫度(例如，在如圖1描繪的操作130和140)形成。在一些實(shí)例中，與具有大致平的石墨烯層相比，在石墨烯層220上的褶折表面可被配置以改進(jìn)石墨烯膜的滲透性。在一些實(shí)例中，石墨烯膜200相對(duì)于CH3選擇性地可滲透H2。例如，選擇性可為至少大約200:1或至少大約1000:1。本文公開(kāi)的一些實(shí)例包括富集氣體的方法，其包括提供具有氣體可滲透基底的石墨烯膜。氣體可滲透基底可包括分布在氣體可滲透基底上的隆起或脊。石墨烯膜可進(jìn)一步包括氣體可滲透基底上的石墨烯層，以及可與氣體可滲透基底的隆起或脊接觸。方法可進(jìn)一步包括使輸入氣體通過(guò)石墨烯膜以形成富集氣體。石墨烯膜可總體上為本公開(kāi)所公開(kāi)的任何石墨烯膜。例如，石墨烯膜可為如圖1描繪的方法100的產(chǎn)品或如圖2描繪的石墨烯膜200。在一些實(shí)例中，輸入氣體可包括氫或氦。在一些實(shí)例中，輸入氣體包括氫和甲烷。在一些實(shí)例中，富集氣體中氫的濃度可比輸入氣體中氫的濃度高。在一些實(shí)例中，富集氣體中氦的濃度比輸入氣體中氦的濃度高。例如，氫和/或氦的摩爾濃度可被富集至少大約100％、至少大約200％、至少大約500％、或至少大約1000％。其他適合的可從輸入氣體富集的化合物的非限制性實(shí)例包括氦、氖、氬、氙、氪、氡、氫、氮、氧、一氧化碳、二氧化碳、二氧化硫、硫化氫、氧化氮、C1-4烷烴(例如，甲烷、乙烷、丙烷或丁烷)、硅烷、水、有機(jī)溶劑、或鹵酸(haloacid)。富集氣體中的這些化合物的濃度可大于輸入氣體中的濃度。例如，對(duì)于這些化合物中的任何一個(gè)，摩爾濃度可被富集至少大約100％、至少大約200％、至少大約500％、或至少大約1000％。在一些實(shí)例中，可使輸入氣體在至少大約1atm的壓強(qiáng)下通過(guò)石墨烯膜。在一些實(shí)例中，可使輸入氣體在至少大約1.2atm的壓強(qiáng)下通過(guò)石墨烯膜。在一些實(shí)例中，可使輸入氣體在至少大約1.5atm的壓強(qiáng)下通過(guò)石墨烯膜。在一些實(shí)例中，可使輸入氣體在至少大約2atm的壓強(qiáng)下通過(guò)石墨烯膜。在一些實(shí)例中，可使輸入氣體在至少大約5atm的壓強(qiáng)下通過(guò)石墨烯膜。石墨烯可經(jīng)歷加熱以改進(jìn)或復(fù)原石墨烯中的褶折的結(jié)構(gòu)。例如，在使用石墨烯膜富集流體進(jìn)行持續(xù)的時(shí)間段后，褶折的結(jié)構(gòu)可被減弱(diminished)。因此，富集氣體的方法可包括加熱和冷卻石墨烯膜以提供或增加褶折的結(jié)構(gòu)。例如，在使用石墨烯膜富集氣體后，石墨烯膜可經(jīng)歷加熱和冷卻，如圖1描繪的操作130和操作140所描述的。在一些實(shí)例中，富集氣體的方法可包括在使輸入氣體通過(guò)石墨烯后在至少大約700℃的溫度加熱石墨烯膜；將石墨烯膜冷卻至低于大約300℃的溫度；以及使第二輸入氣體通過(guò)石墨烯膜以形成第二富集氣體。在一些實(shí)例中，第二輸入氣體可具有與其他實(shí)例中的輸入氣體大約相同的組成。本文公開(kāi)的一些實(shí)例包括制備具有氣體可滲透基底的石墨烯膜的系統(tǒng)，氣體可滲透基底包括隆起或脊和氣體可滲透基底的表面上的石墨烯層。圖3為說(shuō)明根據(jù)本公開(kāi)的至少一些例子被配置以控制一個(gè)或多個(gè)操作的系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)例的框圖。例如，進(jìn)行圖1的流程圖的操作的設(shè)備可被包括在系統(tǒng)300中。系統(tǒng)300可包括處理站(processingplant)或設(shè)施(facility)310，其被布置為與控制器或處理器(processor)360通信(communication)。處理器或控制器360可為與關(guān)于圖4A-B之后描述的處理器410相同的或不同的控制器。在一些實(shí)例中，處理站或設(shè)施310可被調(diào)試以通過(guò)網(wǎng)絡(luò)連接(networkconnection)350與控制器或處理器360通信。網(wǎng)絡(luò)連接350可為無(wú)線連接或有線連接或其結(jié)合。在一些實(shí)例中，控制器或處理器360可被調(diào)試以為處理站310中的各種系統(tǒng)或設(shè)備通信操作指示，其可包括，例如控制一個(gè)或多個(gè)操作條件。控制器或處理器360可被配置以監(jiān)控(monitor)或接受來(lái)自處理站310的信息以及利用該信息作為反饋以調(diào)節(jié)通信至處理站310的一個(gè)或多個(gè)操作指示。在一些實(shí)例中，操作條件可呈現(xiàn)在監(jiān)控器(monitor)或顯示器(display)365上，并且用戶可與用戶界面(userinterface)370互動(dòng)以調(diào)試(adapt)或調(diào)節(jié)各種處理的方面。可呈現(xiàn)在監(jiān)控器或顯示器365上的工藝的方面的非限制性實(shí)例可包括時(shí)間、溫度、壓強(qiáng)、石墨烯的加熱速 率、處理石墨烯的氣氛(例如，真空或惰性氣體)、石墨烯的冷卻速率、氣體可滲透基底的曲表面的配置、石墨烯層的厚度，等等。監(jiān)控器365可為陰極射線管(cathoderaytube)、平板屏幕(flatpanelscreen)比如LED顯示器或LCD顯示器、或任何其他顯示設(shè)備的形式。用戶界面370可包括鍵盤、鼠標(biāo)、操縱桿(joystic)、手柄(joypad)、寫(xiě)筆(writepen)、觸控板(touchpad)、或其他設(shè)備比如麥克風(fēng)(microphone)、攝像機(jī)(videocamera)或其他用戶輸入設(shè)備。在一些例子中，監(jiān)控器和用戶界面可被組合為單一設(shè)備，例如使用觸摸屏(touch-screen)設(shè)備、個(gè)人計(jì)算(personalcomputing)設(shè)備、平板電腦(tabletcomputing)設(shè)備、智能手機(jī)(smartphone)設(shè)備或個(gè)人數(shù)據(jù)助理(personaldataassistant)類型的設(shè)備或任何其他包括用戶界面和監(jiān)控器的設(shè)備。在一些實(shí)例中，處理設(shè)施310可包括一個(gè)或多個(gè)石墨烯涂布機(jī)320、加熱設(shè)備330、納米壓印設(shè)備340、和/或試劑涂布機(jī)(reagentapplicator)342。在一些實(shí)例中，石墨烯涂布機(jī)320可通過(guò)控制器360被配置以將石墨烯施用至氣體可滲透基底(例如，如圖1中描繪的操作120)。石墨烯涂布機(jī)320可包括，例如，旋轉(zhuǎn)涂布器(spincoater)或噴霧涂布器(spraycoater)?？刂破?60可被配置以調(diào)節(jié)石墨烯施用的條件(例如，旋轉(zhuǎn)或噴霧速率)以有效地將石墨烯施用至氣體可滲透基底上。在一些實(shí)例中，石墨烯涂布機(jī)320可被流體連接至一個(gè)或多個(gè)包含石墨烯的儲(chǔ)器(reservoir)中。石墨烯可被分散在儲(chǔ)器(未顯示)中的溶劑(例如，甲苯)之內(nèi)。控制器360可被配置以調(diào)節(jié)閥(未顯示)來(lái)選擇性地控制從一個(gè)或多個(gè)儲(chǔ)器輸送到石墨烯涂布機(jī)320的材料的量和/或速率。加熱設(shè)備330可通過(guò)控制器360被配置以在大約700℃的溫度加熱施用至氣體可滲透基底的石墨烯(例如，如在圖1中描繪的操作130中)。加熱設(shè)備330可包括，例如，烘箱或加熱爐?？刂破?60可被配置以調(diào)節(jié)加熱設(shè)備中的溫度(例如，溫度設(shè)定點(diǎn)(temperaturesetpoint)或設(shè)定點(diǎn)(setpoints)、溫度范圍，溫度變化速率等)以保持有效加熱施用至氣體可滲透基底的石墨烯的條件。納米壓印設(shè)備340可通過(guò)控制器360被配置以形成氣體可滲透基 底的曲表面(例如，如圖1描繪的操作110中)。在一些實(shí)例中，納米壓印設(shè)備340可為，例如光刻器設(shè)備等等。試劑涂布機(jī)342可通過(guò)控制器360被配置以將試劑施用至石墨烯層，其中施用的試劑有效促進(jìn)納米孔在石墨烯層中的形成(例如，如圖1描繪的操作120中)。試劑涂布機(jī)342可為，例如溶劑鑄機(jī)(solventcaster)、浸漬涂布器(dipcoater)、刮片(doctorblade)、旋轉(zhuǎn)涂布器、噴霧涂布器、或噴墨打印機(jī)(inkjetprinter)中的一個(gè)或多個(gè)。試劑涂布機(jī)可被流體連接至一個(gè)或多個(gè)包含試劑的儲(chǔ)器到石墨烯層。控制器360可被配置以選擇性地調(diào)節(jié)閥(未顯示)來(lái)控制施用的試劑的量或流速。圖4A-B為說(shuō)明根據(jù)本公開(kāi)的至少一些例子被配置以控制一個(gè)或多個(gè)操作的計(jì)算設(shè)備(computingdevice)的一個(gè)例子的框圖。例如，圖1的流程圖的操作可通過(guò)計(jì)算設(shè)備400進(jìn)行。在非常基礎(chǔ)的配置中，計(jì)算設(shè)備400通常包括一個(gè)或多個(gè)控制器或處理器410(本文此后簡(jiǎn)為“處理器410”)和系統(tǒng)存儲(chǔ)器(memory)420。存儲(chǔ)器總線(bus)430可被用于在處理器410和系統(tǒng)存儲(chǔ)器420之間通信。取決于期望的配置，處理器410可具有任何類型，包括但不限于微處理器(μΡ)、微控制器(μθ)、數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)、或其任意組合。處理器410可包括一級(jí)或多級(jí)高速緩存(caching)，比如一級(jí)高速緩存(levelonecache)411和二級(jí)高速緩存(leveltwocache)412、處理器內(nèi)核413、和寄存器(register)214。處理器內(nèi)核413可包括算術(shù)邏輯單元(ALU)、浮點(diǎn)運(yùn)算單元(FPU)、數(shù)字信號(hào)處理核(DSPCore)、或其任意組合。存儲(chǔ)器控制器415也可與處理器410一起使用，或在一些實(shí)施中存儲(chǔ)器控制器415可為處理器410的內(nèi)部部分。取決于期望的配置，系統(tǒng)存儲(chǔ)器420可具有任何類型，包括但不限于易失性存儲(chǔ)器(volatilememory)(比如RAM)、非易失性存儲(chǔ)器(non-volatilememory)(比如ROM、閃存(flashmemory)等)、或其任意組合。系統(tǒng)存儲(chǔ)器420典型地包括操作系統(tǒng)(operatingsystem)421、一個(gè)或多個(gè)應(yīng)用(application)422、和程序數(shù)據(jù)(programdata)426。如圖4B顯示，應(yīng)用422可包括，例如，在應(yīng)用423“將石墨烯施用至氣體可滲透基底”；在應(yīng)用424“在至少大約700℃的溫度加熱施用至氣 體可滲透基底的石墨烯”；以及在操作425“將施用至氣體可滲透基底的石墨烯冷卻至低于大約300℃的溫度”。這些應(yīng)用可分別對(duì)應(yīng)于操作120、操作130、和操作140，如圖1描繪的?；氐綀D4A，程序數(shù)據(jù)428可包括，例如，可被應(yīng)用423-427中的一個(gè)或多個(gè)使用的生產(chǎn)數(shù)據(jù)和/或操作條件數(shù)據(jù)429。計(jì)算設(shè)備400可具有另外的特征或功能，和另外的界面以促進(jìn)基本配置401和任何需要的設(shè)備和界面之間的通信。例如，總線/界面控制器440可被用于通過(guò)存儲(chǔ)接口總線(storageinterfacebus)441促進(jìn)在基本配置401和一個(gè)或多個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備450之間的通信。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備450可為可移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備(removablestoragedevice)451、不可移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備(non-removablestoragedevice)452、或其組合。可移動(dòng)存儲(chǔ)和不可移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備的例子包括，例如，舉幾個(gè)例子，磁盤設(shè)備比如軟盤驅(qū)動(dòng)器(flexiblediskdrive)和硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)、光盤驅(qū)動(dòng)器(opticaldiskdrive)例如壓縮盤(CD)驅(qū)動(dòng)器或數(shù)字通用光盤驅(qū)動(dòng)器(DVD)、固態(tài)硬盤驅(qū)動(dòng)器(SSD)和磁帶(tapedrive)。實(shí)例計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)媒介(media)可包括以任何方法或技術(shù)實(shí)施以存儲(chǔ)信息的易失的和非易失的、可移動(dòng)或不可移動(dòng)的媒介，信息比如計(jì)算機(jī)可讀指令(computerreadableinstruction)、數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)(datastructure)、程序模組(programmodule)、或其他數(shù)據(jù)。系統(tǒng)存儲(chǔ)器420、可移動(dòng)存儲(chǔ)器451、和不可移動(dòng)存儲(chǔ)器452都為計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)媒介的例子。計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)媒介包括，但不限于，RAM、ROM、EEPROM、閃存或其他存儲(chǔ)技術(shù)；CD-ROM、數(shù)字通用光盤驅(qū)動(dòng)器(DVD)或其他光存儲(chǔ)器；磁帶盒(magneticcassettes)、磁帶(magnetictape)、磁盤存儲(chǔ)器或其他磁盤存儲(chǔ)設(shè)備；或任何其他可被用于存儲(chǔ)期望的信息以及可通過(guò)計(jì)算設(shè)備400訪問(wèn)(access)的媒介。任何這樣的計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)媒介可為設(shè)備400的部分。計(jì)算設(shè)備400也可包括用于通過(guò)總線/接口(bus/interface)控制器440促進(jìn)從各種接口設(shè)備(interfacedevice)(例如，輸出接口(outputinterface)、外圍接口(peripheralinterface)和通信接口(communicationinterface))到基本配置401的通信的接口總線442。示例輸出設(shè)備460 包括圖形處理單元(graphicsprocessingunit)461和聲處理單元(audioprocessingunit)462，其可被配置以通過(guò)一個(gè)或多個(gè)A/V端口(port)463與各種外部設(shè)備比如顯示器或揚(yáng)聲器通信。示例外圍接口470包括串行接口控制器(serialinterfacecontroller)471或平行接口控制器472，其可被配置為通過(guò)一個(gè)或多個(gè)I/O端口473與外部設(shè)備比如輸入設(shè)備(例如，鍵盤、鼠標(biāo)、筆、聲音輸入設(shè)備(voiceinputdevice)、接觸輸入設(shè)備(touchinputdevice)等)或其他外圍設(shè)備(例如，打印機(jī)、掃描儀等)通信。例如，在一些實(shí)例中，第一反應(yīng)室(reactionchamber)465、第二反應(yīng)室466、溶劑涂布機(jī)467、加熱設(shè)備468、和第三反應(yīng)室469可被任選地通過(guò)I/O端口連接以及用于在基底上沉積納米結(jié)構(gòu)。示例通信設(shè)備480包括網(wǎng)絡(luò)控制器(networkcontroller)481，其可被布置以促進(jìn)在網(wǎng)絡(luò)通信上通過(guò)經(jīng)一個(gè)或多個(gè)通信接口482與一個(gè)或多個(gè)其他計(jì)算設(shè)備490通信。通信連接是通信媒介的一個(gè)例子。通信媒介可典型地通過(guò)計(jì)算機(jī)可讀指令、數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)、程序模組或其他在調(diào)制數(shù)據(jù)信號(hào)(modulateddatasignal)中的其他數(shù)據(jù)比如載波(carrierwave)或其他傳輸機(jī)制實(shí)現(xiàn)，并且包括任何信息輸送媒介?！罢{(diào)制數(shù)據(jù)信號(hào)”可為具有其特征組中的一個(gè)或多個(gè)的信號(hào)，或以這樣的方式關(guān)于信號(hào)中的編碼信息被改變。以示例的方式，并且非限制，通信媒介可包括有線媒介比如有限網(wǎng)絡(luò)或直接有線連接；和無(wú)限媒介比如聲的(acoustic)、射頻(RF)、紅外線(IR)、和其他無(wú)線媒介。關(guān)于本文中基本上任何復(fù)數(shù)和/或單數(shù)術(shù)語(yǔ)的使用，當(dāng)適合于上下文和/或應(yīng)用時(shí)，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以將復(fù)數(shù)轉(zhuǎn)換為單數(shù)和/或?qū)螖?shù)轉(zhuǎn)換為以復(fù)數(shù)可接受的廢水提及。為了清楚起見(jiàn)，本文可清楚地給出多種單數(shù)/復(fù)數(shù)變換。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，通常，本文中并且特別是在所附權(quán)利要求(例如，所附權(quán)利要求的主體)中使用的術(shù)語(yǔ)通常意欲作為“開(kāi)放性”術(shù)語(yǔ)(例如，術(shù)語(yǔ)“包括”應(yīng)當(dāng)解釋為“包括但不限于”，術(shù)語(yǔ)“具有”應(yīng)當(dāng)解釋為“至少具有”，術(shù)語(yǔ)“包含”應(yīng)當(dāng)解釋為“包含但不限于”等)。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)進(jìn)一步理解，如果意欲引入特定數(shù) 量的權(quán)利要求列舉項(xiàng)，則這樣的意圖將在權(quán)利要求中明確地列舉，并且在不存在這種列舉項(xiàng)的情況下，不存在這樣的意圖。例如，為了有助于理解，以下所附權(quán)利要求可以包含引導(dǎo)性的短語(yǔ)“至少一個(gè)”和“一個(gè)或多個(gè)”的使用以引入權(quán)利要求列舉項(xiàng)。然而，即使當(dāng)同一個(gè)權(quán)利要求包含引導(dǎo)短語(yǔ)“一個(gè)或多個(gè)”或“至少一個(gè)”和不定冠詞比如“一個(gè)”或“一種”時(shí)，這種短語(yǔ)的使用不應(yīng)當(dāng)解釋為暗示由不定冠詞“一個(gè)”或“一種”引入的權(quán)利要求列舉項(xiàng)將包含這樣引入的權(quán)利要求列舉項(xiàng)的任何特定權(quán)利要求限定為僅包含一個(gè)這種列舉項(xiàng)的實(shí)施方案(例如，“一個(gè)”和/或“一種”應(yīng)當(dāng)解釋為指“至少一個(gè)”或“一種或多種”)；這同樣適用于以引入權(quán)利要求列舉項(xiàng)的定冠詞的使用。另外，即使明確地?cái)⑹鎏囟〝?shù)量的所引入的權(quán)利要求列舉項(xiàng)，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到將這種列舉項(xiàng)解釋為意指至少所敘述的數(shù)量(例如，沒(méi)有其他修飾的單純列舉項(xiàng)“兩個(gè)列舉項(xiàng)”意指至少兩個(gè)列舉項(xiàng)，或者兩個(gè)以上列舉項(xiàng))。此外，在其中使用類似于“A、B和C等中的至少一個(gè)”的慣例的那些情況下，通常這種表述意味著本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解的慣例(例如，“具有A、B和C中的至少一個(gè)的體系”應(yīng)當(dāng)包括，但不限于具有單獨(dú)的A、單獨(dú)的B、單獨(dú)的C、A和B一起、A和C一起、B和C一起、和/或A、B和C一起等的體系)。在其中使用類似于“A、B和C等中的至少一個(gè)”的慣例的那些情況下，通常這種表述意味著本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解的慣例(例如，“具有A、B和C中的至少一個(gè)的體系”應(yīng)當(dāng)包括，但不限于具有單獨(dú)的A、單獨(dú)的B、單獨(dú)的C、A和B一起、A和C一起、B和C一起、和/或A、B和C一起等的體系)。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)進(jìn)一步理解實(shí)際上呈現(xiàn)兩個(gè)或多個(gè)可選擇術(shù)語(yǔ)的任何轉(zhuǎn)折性詞語(yǔ)和/或短語(yǔ)，無(wú)論在說(shuō)明書(shū)、權(quán)利要求書(shū)還是附圖中，都應(yīng)當(dāng)理解為包括術(shù)語(yǔ)的一個(gè)、術(shù)語(yǔ)的任何一個(gè)或全部?jī)蓚€(gè)術(shù)語(yǔ)的可能性。例如，短語(yǔ)“A或B”應(yīng)當(dāng)理解為包括“A”或“B”或“A和B”的可能性。此外，當(dāng)公開(kāi)內(nèi)容的特征或方面以馬庫(kù)什組的方式描述時(shí)，本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，該公開(kāi)內(nèi)容由此也以任何單獨(dú)的成員或馬庫(kù)什組的成員的亞組的方式描述。如本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解的，用于任何和所有目的，如在提供書(shū)寫(xiě)描述的方面，本文公開(kāi)的所有范圍也包括任何和所有可能的子范圍及其子范圍的組合。任何所列范圍可以容易地被認(rèn)為是充分描述并能夠使同一范圍可以容易地分解為至少兩等份、三等份、四等份、五等份、十等份等。作為非限制性實(shí)例，本文所討論的每個(gè)范圍可以容易地分解為下三分之一、中間三分之一和上三分之一等。如本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)當(dāng)理解的，所有語(yǔ)言比如“最多”、“至少”、“大于”、“小于”等包括所敘述的數(shù)字并且是指可以隨后分解為如上所述的子范圍的范圍。最后，如本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解的，范圍包括每個(gè)單獨(dú)的成員。因此，例如，具有1-3個(gè)條目的組是指具有1、2或3個(gè)條目的組。類似地，具有1-5個(gè)條目的組指具有1、2、3、4或5個(gè)條目的組，以此類推。雖然各種方面和實(shí)施方式在本文被公開(kāi)，但其他方面和實(shí)施方式對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言也將是明顯的。本文公開(kāi)的各種方面和實(shí)施方式是用于說(shuō)明的目的，并不意圖是限制性的，真正的范圍和精神由下述的權(quán)利要求表明。實(shí)施例本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，對(duì)于本文公開(kāi)的這種和其他工藝和方法，在工藝和方法中執(zhí)行的功能可以不同順序?qū)嵤＿M(jìn)一步，概述的步驟和操作僅作為實(shí)例提供，一些步驟和操作可以是任選的、可被組合成較少的步驟和操作或被擴(kuò)展成另外的步驟和操作，而不脫離本公開(kāi)的實(shí)施方式的主旨。實(shí)施例1獲得具有平表面的微孔二氧化硅基底。采用光刻-蝕刻(photolithographic-etch)工藝以蝕刻一系列通道(channel)和脊至微孔二氧化硅基底的平表面內(nèi)。通道被蝕刻以具有大約100毫米微米的寬度和大約100微米的深度。通道被蝕刻，以使得通道之間的剩余的脊具有大約1微米至大約10微米的寬度。分別地，獲得單層石墨烯膜以及在真空室中將其置于基底上。納 米尺度的孔通過(guò)化學(xué)的、能量的或機(jī)械的蝕刻在單層石墨烯中形成，例如，在真空下用電子束蝕刻以形成納米尺度的孔。蝕刻的單層石墨烯與0.01和1之間的大氣壓(atomsphere)的氫接觸，并且保持在室溫和500K之間的溫度一段時(shí)間以用氫鈍化(passivate)蝕刻的單層石墨烯的孔邊緣。在一個(gè)實(shí)施例中，蝕刻的、鈍化的單層石墨烯之后被去除并施用至蝕刻的微孔的二氧化硅基底。在另外的實(shí)施例中，單層石墨烯首先置于蝕刻的微孔的二氧化硅基底上，以及之后單層石墨烯被適當(dāng)?shù)匚g刻和鈍化以直接地在蝕刻的微孔的二氧化硅基底上形成蝕刻的、鈍化的單層石墨烯。在蝕刻的微孔的二氧化硅基底上的蝕刻的、鈍化的單層石墨烯被置于真空容器(evacuatedchamber)中并被加熱至大約700℃或更高，持續(xù)10秒到30分鐘之間。蝕刻的、鈍化的單層石墨烯至蝕刻的微孔二氧化硅基底的附著可被釋放，并且蝕刻的、鈍化的單層石墨烯可采用在微孔的二氧化硅基底上的平衡位置。接著，在蝕刻的微孔的二氧化硅基底上的蝕刻的、鈍化的單層石墨烯被冷卻至低于300℃。蝕刻的，鈍化的單層石墨烯可附著至蝕刻的微孔的二氧化硅基底的脊。在蝕刻的微孔的二氧化硅基底的通道之上以及在脊之間的蝕刻的鈍化的單層石墨烯的部分，可之后根據(jù)單層石墨烯和二氧化硅基底之間的熱膨脹性的不同而彎曲或褶折，因此在蝕刻的微孔的二氧化硅基底上形成包括褶折蝕刻的、鈍化的單層石墨烯的褶折石墨烯過(guò)濾器。在蝕刻的微孔的二氧化硅基底上的褶折蝕刻的、鈍化的單層石墨烯可在x和y維度(dimension)上以大約10倍收縮，以使褶折表面具有有效的納米尺度的表面積，比公稱過(guò)濾器表面積大大約100倍。實(shí)施例2根據(jù)實(shí)施例1的褶折的石墨烯過(guò)濾器被提供。以大約0.01和100大氣壓之間的壓強(qiáng)差，在室溫和300℃之間的溫度，氣體混合物被施用至褶折石墨烯過(guò)濾器的一側(cè)。提供褶折的石墨烯過(guò)濾器，其孔大小使得氣體混合物中的至少2種組分具有滲透差(permeancedifferential)。例如，褶折的石墨烯過(guò)濾器可具有用氫鈍化的對(duì)應(yīng)于一個(gè)或兩個(gè)碳原子空位的孔。氣體混合物可包括，例如，小氣體組分比 如氫或氦，和大氣體組分，比如甲烷或較大的碳?xì)浠衔餁怏w。根據(jù)在褶折的氣體中的孔的滲透差，小氣體組分比大氣體組分優(yōu)先地通過(guò)褶折的石墨烯過(guò)濾器。因?yàn)轳拚郾砻婢哂写笥诠Q過(guò)濾器表面積大約100倍的有效的納米尺度的表面積，褶折的石墨烯過(guò)濾器在分離大氣體組分和小氣體組分上相較于相同的公稱過(guò)濾器表面積的平的石墨烯過(guò)濾器快大約100倍。當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3 當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3