本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體退火裝置。

背景技術(shù)：

當(dāng)前，例如如日本特開(kāi)2009－260115號(hào)公報(bào)所公開(kāi)的那樣，已知對(duì)碳化硅(SiC)晶片實(shí)施退火處理的半導(dǎo)體退火裝置。上述公報(bào)所涉及的半導(dǎo)體退火裝置能夠由1臺(tái)裝置實(shí)施石墨膜向SiC晶片表面的形成、SiC晶片的高溫退火處理以及石墨膜的去除。

專(zhuān)利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2009－260115號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

在半導(dǎo)體退火裝置內(nèi)部具有管以及晶舟等工具。對(duì)這些工具要求能夠耐受退火處理的溫度域的充分的耐熱性。當(dāng)前，作為在進(jìn)行SiC晶片的退火的裝置中所使用的工具，例如使用在由SiC等構(gòu)成的母材的骨架之上通過(guò)CVD而附著有高純度的SiC覆膜的工具。SiC晶片的退火溫度是大于或等于1500℃的高溫，要求與硅晶片的情況相比明顯更高的溫度下的退火。在該高溫度域中，發(fā)生母材所含有的異物材料將半導(dǎo)體退火裝置內(nèi)部污染這一個(gè)新問(wèn)題。例如在SiC母材含有重金屬的情況下，由于發(fā)生該重金屬的擴(kuò)散，因此半導(dǎo)體退火裝置內(nèi)部受到污染。存在該污染對(duì)SiC晶片的品質(zhì)施加不良影響的問(wèn)題。

本發(fā)明就是為了解決上述課題而提出的，其目的在于提供一種能夠抑制腔室內(nèi)的污染的半導(dǎo)體退火裝置。

本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體退火裝置具有：腔室；管，其設(shè)置于所述腔室的內(nèi)側(cè)；晶舟，其以能夠進(jìn)退的方式設(shè)置在所述管的內(nèi)側(cè)；裝載區(qū)域，其是在所述晶舟退出至所述管之外時(shí)所述晶舟所處的區(qū)域；碳?xì)浠衔锕┙o單元，其將碳?xì)浠衔餁怏w供給至所述管的內(nèi)側(cè)；加熱單元，其對(duì)所述管的內(nèi)側(cè)進(jìn)行加熱；以及氧供給單元，其將氧供給至所述管的內(nèi)側(cè)。所述管是藍(lán)寶石制、或者通過(guò)All－CVD形成的SiC制，所述晶舟是藍(lán)寶石制、或者通過(guò)All－CVD形成的SiC制。

發(fā)明的效果

根據(jù)本發(fā)明，由于將管及晶舟構(gòu)成為在高溫域也能夠防止污染，因此能夠抑制腔室內(nèi)的污染。

附圖說(shuō)明

圖1是表示將碳保護(hù)膜形成于表面的SiC晶片的圖。

圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體退火裝置的圖。

圖3是表示本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體退火裝置的圖。

圖4是表示本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體退火裝置所具有的氣體系統(tǒng)的圖。

圖5是表示本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體退火方法的工序的流程圖。

具體實(shí)施方式

圖1示出SiC晶片10，該SiC晶片10構(gòu)成為，在生長(zhǎng)于襯底15之上的碳化硅(SiC)外延層14形成P型注入層11、12，由碳保護(hù)膜13將該SiC晶片10的表面覆蓋。已知碳化硅的雜質(zhì)的擴(kuò)散系數(shù)小、即摻雜劑材料在SiC晶片通常是難以擴(kuò)散的。因此，在對(duì)SiC晶片10實(shí)施了注入工藝后，為了注入材料的激活，需要大于或等于1500℃的退火處理。即，為了使圖1的P型注入層11、12激活而需要熱處理。

如果在SiC外延層14的表面裸露的狀態(tài)下實(shí)施大于或等于1500℃的熱處理，則P型的摻雜劑材料向外彌散(diffuse out)而使電氣特性劣化。因此，優(yōu)選在退火前利用由石墨構(gòu)成的碳保護(hù)膜13將SiC外延層14的表面覆蓋。其原因在于，由石墨構(gòu)成的碳保護(hù)膜13能夠耐受大于或等于1500℃的熱處理。

作為形成碳保護(hù)膜13的方法，舉出通過(guò)等離子而實(shí)現(xiàn)的成膜、或者通過(guò)減壓CVD而實(shí)現(xiàn)的成膜等。在大于或等于1500℃的高溫狀態(tài)下實(shí)施退火時(shí)，優(yōu)選使用下述減壓CVD，即，在SiC晶片10的正反面兩方形成膜，以不對(duì)作為保護(hù)膜的碳保護(hù)膜13施加應(yīng)力。

圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體退火裝置20的圖。在SiC晶片10的正反面形成了碳保護(hù)膜13后，在大于或等于1500℃的高溫爐實(shí)施退火處理，然后，在氧等離子氣氛中將碳保護(hù)膜13去除。半導(dǎo)體退火裝置20能夠由1臺(tái)裝置實(shí)施上述一系列的工序。由此，能夠通過(guò)工序數(shù)量的削減、生產(chǎn)性的提高、減少工序間的環(huán)境類(lèi)異物而實(shí)現(xiàn)品質(zhì)提高。

半導(dǎo)體退火裝置20是適合于抑制卷入氧化(involved oxidation)的縱型減壓規(guī)格的裝置。半導(dǎo)體退火裝置20具有：裝載區(qū)域21，其是具有氣密性的輸送室；以及腔室22，其設(shè)置于裝載區(qū)域21的上方。半導(dǎo)體退火裝置20具有：捕集器(trap)23，其與腔室22連通；閥組24，其與捕集器23連通；粉塵捕集器244，其與閥組24連通；泵25，其與粉塵捕集器244連通；以及排氣配管26，其從泵25進(jìn)行分支。半導(dǎo)體退火裝置20具有：氮導(dǎo)入口27，其凸出至裝載區(qū)域21的外側(cè)；側(cè)濾器209，其與氮導(dǎo)入口27連通；整流板210，其對(duì)經(jīng)過(guò)了側(cè)濾器209的氮進(jìn)行整流；以及氮噴淋器211，其在裝載區(qū)域21和腔室22的邊界使氮在水平方向上流動(dòng)。半導(dǎo)體退火裝置20具有：氣體系統(tǒng)212；大氣壓恢復(fù)閥213；管214，其設(shè)置于腔室內(nèi)；晶舟215，其能夠在管214的內(nèi)側(cè)進(jìn)退；石英制的底座216，其載置晶舟215；以及加熱器217，其配置于管214的外側(cè)。在圖2中圖示出管214的剖面，但實(shí)際上管214為管狀或者筒狀，在其內(nèi)部空間能夠收容晶舟215。管214并非必須是圓筒狀，也可以是橢圓狀或者方筒狀等，其剖面形狀不受限制。腔室22內(nèi)經(jīng)由配管與捕集器23連通。捕集器23、閥組24、粉塵捕集器244以及泵25依次連通。泵25經(jīng)由配管與裝載區(qū)域21連通。大氣壓恢復(fù)閥213選擇性地與閥組24的上游側(cè)和排氣配管26連通。此外，半導(dǎo)體退火裝置20具有局部排氣管218。在裝載區(qū)域21和腔室22的邊界部設(shè)置有局部排氣管218的一端。局部排氣管218的另一端伸出至半導(dǎo)體退火裝置20的外部。在本實(shí)施方式中，局部排氣管218的一端位于氮噴淋器211的相對(duì)側(cè)。

圖3對(duì)半導(dǎo)體退火裝置20的后門(mén)28進(jìn)行了圖示。后門(mén)28是在半導(dǎo)體退火裝置20的朝向圖2的紙面背側(cè)的表面設(shè)置的部分。在后門(mén)28設(shè)置有排氣口29、吸氣口281以及引入口282。

在使用半導(dǎo)體退火裝置20時(shí)，首先將SiC晶片10輸送至裝載區(qū)域21內(nèi)，向裝載區(qū)域21內(nèi)的晶舟215移動(dòng)。然后，將晶舟215向腔室22內(nèi)插入。將SiC晶片10向晶舟215進(jìn)行設(shè)置的作業(yè)也稱(chēng)為“加載”(charge)。將設(shè)置有SiC晶片10的晶舟215向腔室22內(nèi)插入的作業(yè)也稱(chēng)為“裝載”。

對(duì)排氣側(cè)的構(gòu)造進(jìn)行說(shuō)明，利用捕集器23使排氣氣體冷卻而將生成物去除，經(jīng)由泵25從排氣配管26進(jìn)行排氣。閥組24用于進(jìn)行從大氣壓至減壓狀態(tài)的抽真空。閥組24包含主閥(MV)241、子閥(SV)242以及副子閥(SSV)243。通過(guò)除MV 241以外還設(shè)置SV242及SSV 243，從而能夠?yàn)榱朔乐巩愇镲w揚(yáng)而緩慢地進(jìn)行抽真空。在將晶舟215插入至管214的內(nèi)側(cè)、實(shí)施了抽真空后，經(jīng)由氣體系統(tǒng)212將氣體導(dǎo)入，依次實(shí)施石墨膜即碳保護(hù)膜13的形成、退火、以及碳保護(hù)膜13的去除處理。在從半導(dǎo)體退火裝置20的下側(cè)的出入口起至負(fù)責(zé)產(chǎn)品處理的腔室22周邊的區(qū)域?yàn)橹乖O(shè)置有充分大的距離，以能夠在直至1000℃為止的范圍進(jìn)行減壓處理。通過(guò)由未圖示的隔熱板使出入口周?chē)臏囟认陆?，從而保持密封性。半?dǎo)體退火裝置20具有后述的圖4所示的氣體系統(tǒng)212。乙醇經(jīng)由氣化器32而被氣化。

裝載區(qū)域21是作為密閉型的輸送室而構(gòu)成的，能夠?qū)ρb載區(qū)域21的內(nèi)部進(jìn)行氮置換。這是為了抑制將晶舟215插入至管214時(shí)的卷入氧化。

管214及晶舟215使用通過(guò)All－CVD形成的SiC制的管及晶舟。由此，大于或等于1500℃的高溫下的耐熱性得以確保，在去除碳保護(hù)膜13時(shí)能夠不受到損傷。根據(jù)“All－CVD”，通過(guò)在碳母材的表面利用CVD形成SiC膜，在形成該SiC覆膜的階段，在形成該SiC覆膜的同時(shí)碳母材燃燒而消失，從而能夠得到僅由SiC的CVD膜構(gòu)成的構(gòu)造體。

如果設(shè)為管214及晶舟215由石英構(gòu)成，則耐熱性在大于或等于1400℃的情況下不足。另外，如果將管214及晶舟215設(shè)為碳制，則在退火處理后的碳保護(hù)膜13的去除時(shí)，會(huì)對(duì)碳工具本身進(jìn)行蝕刻。

在本實(shí)施方式中，由于管214及晶舟215未使用石英或者碳，因此能夠避免上述問(wèn)題。即，管214及晶舟215僅由使用All－CVD形成的高純度的SiC膜形成。由此，即使在大于或等于1400℃的高溫區(qū)域也會(huì)防止污染。但是，本發(fā)明不限于此，也可以將管214及晶舟215設(shè)為由藍(lán)寶石構(gòu)成。另外，管214及晶舟215也可以設(shè)為彼此不同的材料，也可以將管214及晶舟215中的一方設(shè)為藍(lán)寶石制而將另一方設(shè)為通過(guò)All－CVD形成的SiC制。由此，成為耐高溫以及去除石墨時(shí)無(wú)損傷的狀態(tài)。

在將晶舟215向管214的內(nèi)側(cè)插入的過(guò)程中，大氣進(jìn)入腔室22內(nèi)而發(fā)生氧化的可能性高。如果在SiC晶片10的界面混入由于卷入氧化而產(chǎn)生的氧化膜，則產(chǎn)生缺陷。具體地說(shuō)，在激活退火工序中，在將碳保護(hù)膜13形成于SiC晶片10之上時(shí)，如果存在由于卷入氧化而產(chǎn)生的氧化膜，則在之后的大于或等于1500℃的退火中，氧化膜(SiO膜)熔解，碳保護(hù)膜13剝落。

在半導(dǎo)體制造裝置20中，為了防止卷入氧化的發(fā)生，將氮導(dǎo)入口27設(shè)置于裝載區(qū)域21，能夠?qū)⒀b載區(qū)域21內(nèi)置換為氮。通過(guò)在將晶舟215插入前進(jìn)行氮置換，從而裝載區(qū)域21內(nèi)的大氣成分為零，能夠抑制卷入氧化。優(yōu)選在600℃進(jìn)行了氮置換后將晶舟215插入至管214。由此，能夠抑制卷入氧化。為了進(jìn)一步抑制卷入氧化，優(yōu)選還將晶舟215的插入速度設(shè)為大于或等于500mm/min的速度，從而將晶舟215迅速地裝載至管214。由于將裝載區(qū)域21內(nèi)向氮進(jìn)行了置換，因此將后門(mén)28等設(shè)為由O型環(huán)密封的構(gòu)造，以使氮不流出至半導(dǎo)體退火裝置20外。

在將晶舟215裝載至管214的內(nèi)側(cè)后進(jìn)行真空置換，升溫至1000℃。導(dǎo)入在該溫度帶下氣化后的乙醇，對(duì)石墨膜即碳保護(hù)膜13進(jìn)行成膜。在成膜后實(shí)施氬氣的大氣壓置換，在大于或等于1500℃的溫度實(shí)施針對(duì)SiC晶片10的退火處理。由于通過(guò)CVD法在1000℃將碳保護(hù)膜13形成于SiC晶片10的正反面，因此，即使是例如1950℃左右的高溫退火處理，碳保護(hù)膜13的表面也不會(huì)劣化。

在退火處理后，在氬氣氛中使溫度下降至850℃。在850℃的階段，將來(lái)自氣體系統(tǒng)212的供給氣體向氧氣進(jìn)行切換。進(jìn)行附著于SiC晶片10、管214、晶舟215的碳保護(hù)膜13的去除，在小于或等于800℃的溫度將晶舟215從管214拔出，進(jìn)行SiC晶片10的取出。

為了實(shí)施碳保護(hù)膜13的去除，優(yōu)選管214的內(nèi)側(cè)下部由石英部件構(gòu)成，不使由SUS形成的面露出。其原因在于，如果在利用氧氣進(jìn)行去除時(shí)露出SUS面，則從該部位生銹，管214的內(nèi)側(cè)被污染。為了避免該污染，例如期望在晶舟215下部不配置晶舟旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)。晶舟旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)是用于改善晶片面內(nèi)的成膜的均勻性的機(jī)構(gòu)，其密封例如是通過(guò)陶瓷密封件進(jìn)行的。

此外，在僅反復(fù)進(jìn)行堆積的半導(dǎo)體退火裝置中，由于膜厚值的再現(xiàn)性惡化，因此需要以例如15批為單位實(shí)施清潔作業(yè)。與此相對(duì)，在半導(dǎo)體退火裝置20中，由于交替地進(jìn)行碳保護(hù)膜13的形成和去除，因此能夠?qū)崿F(xiàn)碳保護(hù)膜13的膜厚穩(wěn)定性提高，而不需要僅進(jìn)行堆積的情況下的維護(hù)時(shí)間。并且，通過(guò)將3道工序連續(xù)處理，從而能夠?qū)⑸禍氐拇螖?shù)從6次減少為2次，能夠使向SiC晶片10施加的熱應(yīng)力得到緩和。

通過(guò)由1臺(tái)裝置實(shí)施激活退火工序中的保護(hù)用膜即碳保護(hù)膜13的形成和高溫退火處理、以及之后的碳保護(hù)膜13的去除，從而預(yù)計(jì)會(huì)通過(guò)工序數(shù)量的削減、生產(chǎn)性的提高以及工序間的環(huán)境類(lèi)異物的降低而實(shí)現(xiàn)品質(zhì)提高。

半導(dǎo)體退火裝置20具有氮噴淋器211。氮噴淋器211能夠在晶舟215的裝載過(guò)程中以與其行進(jìn)方向相交叉的方式從側(cè)方進(jìn)行氮的噴淋。由于氮噴淋器211能夠從橫向?qū)⒌獓娏苤猎诰е?15處排列的多個(gè)SiC晶片10，因此氮?dú)獯┻^(guò)多個(gè)SiC晶片10之間的間隙而流動(dòng)。由此，能夠抑制在晶舟215配置的多個(gè)SiC晶片10之間的大氣成分向管214的內(nèi)側(cè)混入。另外，還能夠?qū)⒏街诟鱏iC晶片10的表面的表面異物去除。但是，本發(fā)明不限于此，也可以以任意的角度、位置對(duì)氮噴淋器211進(jìn)行配置。

在完成了成膜處理后，將裝載區(qū)域21內(nèi)維持氮置換后的狀況不變的做法在安全上并不優(yōu)選。因此，優(yōu)選設(shè)為如下?tīng)顟B(tài)，即，能夠從在裝載區(qū)域21背面的后門(mén)28設(shè)置的引入口282等將大氣引入，經(jīng)由側(cè)濾器209及整流板210將大氣送入至裝載區(qū)域21而進(jìn)行大氣置換。

另外，在SiC晶片10表面可能吸附有水分，由于該水分在將晶舟215向管214的內(nèi)側(cè)插入時(shí)蒸發(fā)，因此SiC晶片10的表面可能被氧化。因此，在本實(shí)施方式中，作為優(yōu)選的方式而設(shè)置有從裝載區(qū)域21向泵25的配管251，以能夠?qū)ρb載區(qū)域21內(nèi)進(jìn)行真空置換。

并且，作為卷入氧化的抑制，由于還可能在管214的內(nèi)側(cè)殘留氧，因此在實(shí)施晶舟215的插入時(shí)，優(yōu)選一邊以大于或等于20slm的流量從氣體系統(tǒng)212的氮配管234將氮導(dǎo)入，一邊將晶舟215插入。由此，能夠抑制氧殘留于管214的內(nèi)側(cè)這一情況，可靠地抑制晶舟215的插入過(guò)程中的卷入氧化。

圖4是半導(dǎo)體退火裝置20所具有的氣體系統(tǒng)212的概要圖。下面，對(duì)用于使半導(dǎo)體退火裝置20的堆積速率穩(wěn)定化的氣體系統(tǒng)212的構(gòu)造進(jìn)行說(shuō)明。氣體系統(tǒng)212具有乙醇箱31、氣化器32、MFC(質(zhì)量流量控制器)33、34、35、36、氮配管234、載氣配管235和氧配管236。乙醇箱31儲(chǔ)存有作為形成碳保護(hù)膜13的基礎(chǔ)的乙醇液。氣化器32與乙醇箱31連通，能夠使液體狀的乙醇?xì)饣?。MFC 33與氣化器32連通，進(jìn)行來(lái)自氣化器32的氣化氣體的流量控制。氮?dú)馀涔?34能夠供給用于抑制卷入氧化的氮?dú)?。載氣配管235能夠供給用于送入氣化后的乙醇的載氣。在本實(shí)施方式中，該載氣為氬。將乙醇箱31內(nèi)的液體狀的乙醇以液體形態(tài)直接向氣化器32送入，將氮?dú)獯邓椭翚饣?2而將乙醇變?yōu)闅怏w。此時(shí)，為了防止液化，優(yōu)選使用未圖示的溫度控制單元對(duì)從氣化器32至腔室22為止的配管321進(jìn)行溫度調(diào)整而調(diào)整至40±1℃。氣化后的乙醇由MFC 33進(jìn)行流量控制。由此，能夠?qū)⑾蚯皇?2導(dǎo)入的乙醇?xì)饣瘹怏w設(shè)為恒定的流量，還能夠防止液化，因此能夠?qū)崿F(xiàn)堆積速率的穩(wěn)定化。

圖5是表示本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體退火方法的工序的流程圖。

首先，在步驟S2中，將SiC晶片10排列于晶舟215之上，將晶舟215插入(即裝載)至管214的內(nèi)側(cè)。在將晶舟215插入至管214的內(nèi)側(cè)時(shí)，經(jīng)由整流板210從氮導(dǎo)入口27及氮噴淋器211將氮供給至裝載區(qū)域21內(nèi)，以抑制向SiC晶片10之上形成卷入氧化膜。由此，作為優(yōu)選的狀態(tài)，使氧濃度下降至幾ppm的數(shù)量級(jí)。然后，將晶舟215向管214的內(nèi)側(cè)插入。由此，能夠抑制向SiC晶片10表面之上的卷入氧化。

將晶舟215向管214的內(nèi)側(cè)插入時(shí)的管214的內(nèi)側(cè)的溫度優(yōu)選為400℃～600℃。將最低溫度設(shè)定為400℃的理由在于，在小于或等于400℃時(shí)，碳保護(hù)膜13可能剝落。將最高溫度設(shè)定為600℃的理由在于，在大于或等于600℃時(shí)，對(duì)SiC晶片10施加急劇的熱應(yīng)力，存在發(fā)生熱破裂的風(fēng)險(xiǎn)。

然后，在步驟S10中進(jìn)行碳保護(hù)膜13的形成。在將晶舟215插入至管214的內(nèi)側(cè)后，由泵25將主閥(MV)24打開(kāi)，將管214的內(nèi)側(cè)抽至減壓狀態(tài)。然后，優(yōu)選將管214的內(nèi)側(cè)的溫度上升至1000℃附近，導(dǎo)入使乙醇?xì)饣蟮臍怏w。在圖4的氣體系統(tǒng)212中，由氣化器32使液體乙醇?xì)饣少|(zhì)量流量控制器(MFC)33進(jìn)行流量控制，向管214的內(nèi)側(cè)導(dǎo)入，從而能夠形成石墨膜即碳保護(hù)膜13。在該時(shí)刻，如圖1所示的、由碳保護(hù)膜13進(jìn)行了覆蓋的SiC晶片10完成。

在本實(shí)施方式中，作為優(yōu)選的方式，在裝載晶舟215后進(jìn)行真空置換，升溫至900℃～1000℃。在該溫度帶，將氣化后的乙醇導(dǎo)入，形成碳保護(hù)膜13。將溫度范圍設(shè)定為900℃～1000℃的理由在于，如果處在該溫度域，則能夠?qū)iC晶片10的面內(nèi)的膜厚均勻性設(shè)為8％以?xún)?nèi)。在出于前述的通過(guò)避免SUS面露出來(lái)防止污染這一目的而不配置晶舟旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)的情況下，為了確保膜厚均勻性，優(yōu)選應(yīng)用該溫度域設(shè)定。

在1000℃附近形成了碳保護(hù)膜13后，通過(guò)從載氣配管235將氬氣導(dǎo)入而進(jìn)行向氬氣的置換，實(shí)施大于或等于10分鐘的吹洗(purge)，利用氬氣設(shè)為大氣壓氣氛狀態(tài)。

然后，進(jìn)入步驟S20而進(jìn)行退火處理。從1000℃的氬大氣壓氣氛的狀態(tài)起，以100℃/min左右的升溫速率使管214的內(nèi)側(cè)的溫度進(jìn)一步上升。由此，使溫度到達(dá)大于或等于1500℃、優(yōu)選大于或等于1600℃而實(shí)施退火處理。

然后，在步驟S30中將碳保護(hù)膜13去除。對(duì)步驟S30的詳細(xì)內(nèi)容進(jìn)行說(shuō)明，首先，在步驟S20的退火處理完成后，優(yōu)選使管214的內(nèi)側(cè)的溫度下降至900℃～850℃。在使溫度下降后，再次將管214的內(nèi)側(cè)抽真空至減壓狀態(tài)，進(jìn)入用于將碳保護(hù)膜13去除的作業(yè)。將來(lái)自載氣配管235的氬氣供給切換為來(lái)自氧氣配管236的氧氣供給，將氧氣導(dǎo)入至管214的內(nèi)側(cè)。由此，在SiC晶片10之上成膜的碳保護(hù)膜13與氧反應(yīng)而被去除。另外，與此同時(shí)，還能夠同時(shí)將附著于管214及晶舟215的碳保護(hù)膜13去除。

然后，在步驟S40中進(jìn)行晶舟215的拔出(卸載)。在去除碳保護(hù)膜13后，優(yōu)選將溫度下降至小于或等于800℃，通過(guò)氮?dú)舛构?14的內(nèi)側(cè)恢復(fù)為大氣壓。然后，將晶舟215從管214拔出(即，卸載)，取出SiC晶片10。在取出SiC晶片10時(shí)，由于不需要擔(dān)心SiC晶片10之上的氧化，因此也可以在大氣氣氛下將SiC晶片10取出，而不進(jìn)行氮置換。

此外，作為本實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體退火裝置20的第1技術(shù)特征，為了防止由高溫退火所導(dǎo)致的污染，將管214及晶舟215設(shè)為通過(guò)All－CVD形成的SiC制。另外，作為本實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體退火裝置20的第2技術(shù)特征，作出以下等設(shè)計(jì)，即，為了防止卷入氧化，設(shè)為能夠?qū)ρb載區(qū)域21進(jìn)行氮置換的密閉型輸送室，或者設(shè)置氮噴淋器211。但是，本發(fā)明也可以不始終并用上述第1、2技術(shù)特征這兩者。也可以針對(duì)半導(dǎo)體退火裝置20僅利用第1技術(shù)特征而防止由高溫退火所導(dǎo)致的污染，省略用于進(jìn)行氮置換的結(jié)構(gòu)?；蛘?，也可以針對(duì)半導(dǎo)體退火裝置20僅利用第2技術(shù)特征而抑制卷入氧化，將管214及晶舟215設(shè)為其他的現(xiàn)有產(chǎn)品。

標(biāo)號(hào)的說(shuō)明

10碳化硅(SiC)晶片，11、12P型注入層，13碳保護(hù)膜(石墨膜)，14SiC外延層，15襯底，20半導(dǎo)體退火裝置，21裝載區(qū)域，22腔室，23捕集器，24閥組，25泵，251配管，26排氣配管，27氮導(dǎo)入口，28后門(mén)，29排氣口，31乙醇箱，32氣化器，33～36MFC(質(zhì)量流量控制器)，234氮?dú)馀涔埽?35載氣配管，236氧氣配管，209側(cè)濾器，210整流板，211氮噴淋器，212氣體系統(tǒng)，213大氣壓恢復(fù)閥，214管，215晶舟，216底座，217加熱器，218局部排氣管，241主閥，242子閥，243副子閥，244粉塵捕集器，281吸氣口，282引入口，321配管。