本發(fā)明涉及在透明基板上具有圖案化的導(dǎo)電性高分子層的層疊基板的制造方法。另外，本發(fā)明涉及金屬網(wǎng)基板的制造方法。特別地，本發(fā)明涉及用作觸摸面板基板的金屬網(wǎng)基板的制造方法。

背景技術(shù)：

近年，在顯示器的前表面設(shè)有觸摸面板(以下，也稱作“觸摸傳感器”)的帶觸摸面板的顯示裝置的需求隨著便攜電話、便攜信息終端以及汽車導(dǎo)航系統(tǒng)等代表的小型便攜終端的普及而顯著地增長(zhǎng)。觸摸面板是指通過檢測(cè)手指或筆等接觸的部位的位置從而能夠進(jìn)行操作指示或數(shù)據(jù)輸入的輸入裝置。作為檢測(cè)位置的方式，除了主流的靜電容量耦合式，已知電阻膜式，紅外線式，超聲波式以及電磁感應(yīng)/耦合式等。

作為當(dāng)前主流的觸摸面板的材料的ito膜雖然適合小型顯示裝置，但是薄層電阻比較高。因此，在技術(shù)上無法用于中大型觸摸面板，因此為了開拓普及面向中大型觸摸面板的新市場(chǎng)，需要開發(fā)由更廉價(jià)的基材和更穩(wěn)定的制造工藝制造的觸摸面板。因此，正在研究不使用ito膜，而用由銅、銀等導(dǎo)電性高的材料形成的金屬網(wǎng)來形成觸摸面板所采用的傳感器圖案。

日本特開2010-95776號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)1)記載了在基材上通過無電解電鍍法形成圖案化的金屬膜的技術(shù)。該公報(bào)中公開了一種基底涂料，其是用于在基材上通過無電解電鍍法形成圖案化的金屬膜的基底涂料，所述基底涂料包含導(dǎo)電性或還原性的高分子微粒子，粘合劑以及無機(jī)系填料，所述導(dǎo)電性或還原性的高分子微粒子與所述粘合劑的質(zhì)量比為1：11至1：60的范圍，并且具有50cps以上的粘度。而且，公開了在基材上圖案印刷該基底涂料，在形成的涂膜層上由無電解電鍍液來化學(xué)電鍍金屬膜。

日本特開2013-257855號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)2)公開了當(dāng)制造在透明基材上層疊由透明導(dǎo)電材料層或金屬層形成的導(dǎo)電圖案層而形成的觸摸面板時(shí)，作為圖案形成方法，存在光刻(蝕刻)，圖案印刷，轉(zhuǎn)印，自組織化。

國(guó)際公開2010/058778(專利文獻(xiàn)3)公開了按照抗蝕膜的圖案蝕刻導(dǎo)電性高分子膜，制造具有圖案化的導(dǎo)電性高分子膜的基板的方法。作為蝕刻方法，記載有濕法蝕刻和干法蝕刻。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2010-95776號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：日本特開2013-257855號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)3：國(guó)際公開2010/058778

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的技術(shù)問題

然而，專利文獻(xiàn)1記載的技術(shù)不是設(shè)想用于觸摸面板用的傳感器圖案的技術(shù)。專利文獻(xiàn)1中記載的圖案形成方法是凹版印刷，絲網(wǎng)印刷，柔性版印刷，膠印，干式膠印以及移印(patprint)等的圖案印刷方法，難以高精度地形成作為觸摸面板用的傳感器圖案而需求的精細(xì)的傳感器圖案。

在專利文獻(xiàn)2中，作為導(dǎo)電圖案層的圖案形成方法雖然記載了光刻(蝕刻)、圖樣印刷、轉(zhuǎn)印、自組織化等，但是具體地僅記載了對(duì)銅箔進(jìn)行化學(xué)蝕刻的例子。在該方法中由于蝕刻掉銅箔的大部分因此產(chǎn)生大量的廢液，效率低且成本高。

專利文獻(xiàn)3中雖然公開了通過對(duì)導(dǎo)電性高分子膜進(jìn)行濕法蝕刻或干法蝕刻來進(jìn)行圖案化的方法，但是濕法蝕刻中難以高精度地形成作為觸摸面板用的傳感器圖案而需求的精細(xì)的傳感器圖案。另外，干法蝕刻需要非常昂貴的裝置，另外，由于進(jìn)行高溫處理所以容易使基板受損。特別地，在基板是樹脂膜的情況下，容易產(chǎn)生樹脂膜因熱而變形這類不良情況。進(jìn)一步，也難以一邊通過卷對(duì)卷(rolltoroll)搬運(yùn)基板一邊進(jìn)行生產(chǎn)。

本發(fā)明鑒于上述事項(xiàng)而創(chuàng)造，將提供以低成本高精度地制造在透明基板上具有圖案化的導(dǎo)電性高分子層的層疊基板的方法作為技術(shù)問題之一。另外，本發(fā)明的還將提供利用該方法的金屬網(wǎng)基板的制造方法作為另一技術(shù)問題。

解決技術(shù)問題的方法

本發(fā)明人為了解決上述技術(shù)問題進(jìn)行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)在利用光刻法形成導(dǎo)電性高分子層的精細(xì)圖案之后，不采用圖案印刷或蝕刻，而采用灰化是有利的?；一ǔＪ窃诳刮g劑剝離中使用的技術(shù)，但是根據(jù)本發(fā)明人的研究結(jié)果，通過灰化，能夠在保護(hù)被抗蝕劑(resist)遮蓋的導(dǎo)電性高分子層的同時(shí)，低溫高精度地削除沒有被抗蝕劑遮蓋而露出的導(dǎo)電性高分子層。本發(fā)明基于上述發(fā)現(xiàn)而完成。

在本發(fā)明的一方面，提供一種在透明基板上具有圖案化的導(dǎo)電高分子層的層疊基板的制造方法，包括：準(zhǔn)備層疊基板的步驟，該層疊基板在形成于透明基板的單面或雙面上的導(dǎo)電性高分子層上具有圖案化的抗蝕膜；將透明基板的溫度維持在100℃以下的同時(shí)，在真空條件下通過灰化除去沒有被抗蝕膜覆蓋而露出的導(dǎo)電性高分子層的步驟；除去導(dǎo)電性高分子層上殘留的抗蝕膜的步驟。

在本發(fā)明所涉及的在透明基板上具有圖案化的導(dǎo)電高分子層的層疊基板的制造方法的一實(shí)施方式中，通過表面波等離子體實(shí)施灰化。

在本發(fā)明所涉及的在透明基板上具有圖案化的導(dǎo)電高分子層的層疊基板的制造方法的另一實(shí)施方式中，通過微波等離子體實(shí)施灰化。

在本發(fā)明所涉及的在透明基板上具有圖案化的導(dǎo)電高分子層的層疊基板的制造方法的又一實(shí)施方式中，等離子體由氧氣和氟化碳的混合氣體形成。

在本發(fā)明所涉及的在透明基板上具有圖案化的導(dǎo)電高分子層的層疊基板的制造方法的又一實(shí)施方式中，以5μm以下的線寬對(duì)導(dǎo)電性高分子層進(jìn)行圖案化。

在本發(fā)明所涉及的在透明基板上具有圖案化的導(dǎo)電高分子層的層疊基板的制造方法的又一實(shí)施方式中，導(dǎo)電性高分子層對(duì)波長(zhǎng)400～700nm的區(qū)域的最大反射率為20％以下。

在本發(fā)明所涉及的在透明基板上具有圖案化的導(dǎo)電高分子層的層疊基板的制造方法的又一實(shí)施方式中，在形成于透明基板的單面或雙面上的導(dǎo)電性高分子層上具有圖案化的抗蝕膜的基板，通過在透明基板的雙面上形成導(dǎo)電性高分子層，在形成于透明基板的雙面上的所述導(dǎo)電性高分子層上分別形成抗蝕膜，使用雙面曝光裝置同時(shí)對(duì)雙面的抗蝕膜進(jìn)行曝光，然后再經(jīng)顯影處理而制成。

在本發(fā)明所涉及的在透明基板上具有圖案化的導(dǎo)電高分子層的層疊基板的制造方法的又一實(shí)施方式中，能夠在使用卷對(duì)卷的搬運(yùn)裝置搬運(yùn)基板的過程中，實(shí)施通過灰化除去導(dǎo)電性高分子層的步驟。

在本發(fā)明所涉及的在透明基板上具有圖案化的導(dǎo)電高分子層的層疊基板的制造方法的又一實(shí)施方式中，通過灰化除去導(dǎo)電性高分子層的步驟和除去導(dǎo)電性高分子層上殘留的抗蝕膜的步驟，在同一個(gè)等離子體灰化裝置內(nèi)實(shí)施。

在本發(fā)明所涉及的在透明基板上具有圖案化的導(dǎo)電高分子層的層疊基板的制造方法的又一實(shí)施方式中，導(dǎo)電性高分子層的薄層電阻為10⁷ω/□以下。

在本發(fā)明的另一方面，提供一種金屬網(wǎng)基板的制造方法，包括準(zhǔn)備根據(jù)本發(fā)明制造的在透明基板上具有圖案化的導(dǎo)電性高分子層的層疊基板，接著，在該圖案化的導(dǎo)電性高分子層上形成金屬鍍層的步驟。

在本發(fā)明所涉及的金屬網(wǎng)基板的制造方法的一實(shí)施方式中，還包括對(duì)金屬鍍層的外表面進(jìn)行黑化處理的步驟。

在本發(fā)明所涉及的金屬網(wǎng)基板的制造方法的另一實(shí)施方式中，金屬網(wǎng)基板是觸摸面板用的傳感器基板。

在本發(fā)明所涉及的金屬網(wǎng)基板的制造方法的又一實(shí)施方式中，還包括在形成金屬鍍層前，對(duì)圖案化的導(dǎo)電性高分子層進(jìn)行清潔處理的步驟。

在本發(fā)明的又一方面，提供一種層疊基板的制造設(shè)備，該層疊基板在透明基板上具有圖案化的導(dǎo)電性高分子層，所述設(shè)備具備：光致抗蝕劑用狹縫式涂布機(jī)，其用于在形成于透明基板的單面或雙面上的導(dǎo)電性高分子層上形成抗蝕膜；雙面曝光裝置，其用于對(duì)透明基板的上下表面進(jìn)行曝光；抗蝕劑顯影處理裝置，其用于通過對(duì)已感光的抗蝕膜進(jìn)行顯影處理來進(jìn)行圖案化；灰化裝置，其用于除去因抗蝕膜的圖案化而露出的導(dǎo)電性高分子層；抗蝕劑剝離處理裝置，其用于除去導(dǎo)電性高分子層上殘留的抗蝕膜。

在本發(fā)明所涉及制造設(shè)備的一實(shí)施方式中，還具備電鍍處理裝置，其用于在圖案化的導(dǎo)電性高分子層上形成金屬層。

在本發(fā)明所涉及制造設(shè)備的另一實(shí)施方式中，還具備黑化處理裝置，其用于對(duì)金屬層的外表面進(jìn)行黑化處理。

在本發(fā)明所涉及制造設(shè)備的另一實(shí)施方式中，灰化裝置和抗蝕劑剝離處理裝置被整合于一個(gè)等離子體灰化裝置中。

發(fā)明的效果

根據(jù)本發(fā)明，能夠提供以低成本高精度地制造在透明基板上具有圖案化的導(dǎo)電性高分子層的層疊基板的方法。因此，通過在該導(dǎo)電性高分子層之上選擇性地形成金屬層，能夠制造能適應(yīng)中大型化的觸摸面板用的金屬網(wǎng)基板。使用了金屬網(wǎng)技術(shù)的觸摸面板容易大型化，因此可預(yù)計(jì)今后會(huì)普及，根據(jù)本發(fā)明，例如能夠適用于對(duì)角線的長(zhǎng)度為15英寸以上的觸摸面板，進(jìn)一步還能夠適用于對(duì)角線的長(zhǎng)度為50英寸以上的觸摸面板。即，本發(fā)明能夠提供對(duì)中大型的觸摸面板的市場(chǎng)擴(kuò)大做出巨大貢獻(xiàn)的劃時(shí)代的觸摸面板的生產(chǎn)技術(shù)。

附圖說明

圖1示出金屬網(wǎng)基板的制造步驟例。

圖2是實(shí)施例得到的金屬網(wǎng)基板的顯微鏡照片例(布線寬度2μm)。

圖3是實(shí)施例得到的金屬網(wǎng)基板的顯微鏡照片例(布線寬度4μm)。

具體實(shí)施方式

＜1.金屬網(wǎng)基板＞

在本發(fā)明所涉及的金屬網(wǎng)基板的一實(shí)施方式中，在透明基板的單面或者雙面上具有金屬網(wǎng)圖案。在作為本發(fā)明所涉及的金屬網(wǎng)基板的用途之一的投影型靜電容量式的觸摸面板中，隔著絕緣層重疊x軸方向以及y軸方向的兩層的電極層，根據(jù)電極間的靜電容量的變化檢測(cè)觸摸位置。因此，在本發(fā)明所涉及的金屬網(wǎng)基板的優(yōu)選的實(shí)施方式中，透明基板的雙面上具有金屬網(wǎng)圖案。金屬網(wǎng)圖案典型地能夠用作觸摸面板用的傳感器圖案。在透明基板的雙面上具有金屬網(wǎng)的情況下，能夠用金屬網(wǎng)分別形成x軸方向的電極層以及y軸方向的電極層。

作為透明基板的材料，雖然沒有限制，但是可列舉：鈉鈣玻璃，硅酸玻璃，鋇玻璃，磷酸鹽玻璃，硼酸鹽玻璃，氟化物玻璃以及石英玻璃等玻璃類，聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(pet)，聚對(duì)苯二甲酸丁二醇酯(pbt)以及聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)等聚酯纖維樹脂，環(huán)烯烴系樹脂，聚碳酸酯樹脂，聚酰亞胺樹脂，纖維素系樹脂等樹脂類。其中，優(yōu)選為形成柔性的基板并且能夠以卷對(duì)卷的方式進(jìn)行生產(chǎn)的樹脂類，特別優(yōu)選為聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯或者環(huán)烯烴系樹脂。透明樹脂基板一般能夠以薄膜的形態(tài)提供。

透明基板的厚度，雖然沒有限制，但優(yōu)選為10μm～700μm，更優(yōu)選為25μm～200μm。如果厚度在上述范圍內(nèi)，當(dāng)用樹脂制造時(shí)，透明基板能夠具有耐用性和適當(dāng)?shù)娜嵝?，因此能夠在該透明基板上通過卷對(duì)卷的方式以高生產(chǎn)率對(duì)導(dǎo)電性高分子層以及金屬層進(jìn)行制膜。

在本發(fā)明所涉及的金屬網(wǎng)基板的一實(shí)施方式中，由在透明基板上依次層疊導(dǎo)電性高分子層以及金屬層得到的層疊體形成金屬網(wǎng)圖案。雖然導(dǎo)電性高分子層可以是透明的，但是更優(yōu)選其反射率為20％以下。通過在透明基板上形成低反射率的導(dǎo)電性高分子層，來自金屬層的反射光被導(dǎo)電性高分子層遮蔽而難以透過透明基板，因此改善了顯示屏幕的可見性。導(dǎo)電性高分子層的反射率優(yōu)選為20～1％的范圍，更優(yōu)選為10～1％的范圍，還更優(yōu)選為7～1％的范圍，進(jìn)一步更優(yōu)選為5～1％的范圍。從降低反射率的觀點(diǎn)出發(fā)，導(dǎo)電性高分子層的顏色優(yōu)選為黑色。在本發(fā)明中，能夠用分光反射率計(jì)(例如ウシオ電機(jī)株式會(huì)社制造的ure-50)測(cè)量反射率，反射率是指可見光(波長(zhǎng)400～700nm)的最大反射率。測(cè)量反射率時(shí)的入射角度選取30°，并使用75w的氙氣燈。

作為構(gòu)成導(dǎo)電性高分子層的高分子的材料，例如能夠列舉聚苯胺，聚噻吩，聚吡咯，聚亞苯基，聚芴，聚雙噻吩，聚異噻吩，聚(3,4-乙烯二氧噻吩)，聚異硫茚，聚異萘噻吩，聚乙炔，聚二乙炔，聚對(duì)亞苯基亞乙烯，聚并苯，聚噻唑，聚乙烯亞乙烯，聚對(duì)苯，聚十二烷基噻吩，聚亞苯基亞乙烯，聚噻吩乙烯，聚苯硫醚以及它們的衍生物等。這些之中，基于灰化率高、電鍍處理容易的理由，優(yōu)選聚噻吩。

基于提高導(dǎo)電性高分子的電導(dǎo)率的目的，可以并用摻雜劑。作為摻雜劑，可列舉：碘、氯等鹵素類，bf3、pf5等路易斯酸，硝酸、硫酸等質(zhì)子酸類，過渡金屬，堿金屬，氨基酸，核酸，表面活性劑，色素，氯醌，四氰基乙烯，tcnq等公知的摻雜劑。

通過在透明基板上形成導(dǎo)電性高的導(dǎo)電性高分子層，能夠在寬泛的處理?xiàng)l件下容易地并且均勻地形成通過電鍍處理形成的金屬層。導(dǎo)電性高分子層的薄層電阻優(yōu)選為10⁷ω/□以下，更優(yōu)選為10⁵ω/□以下，還更優(yōu)選為10⁴ω/□以下，例如能夠采用10²～10⁷ω/□。另外，雖然其薄層電阻隨導(dǎo)電性高分子層的厚度而變化，但是優(yōu)選的厚度在下文另行描述。

在由于高分子自身為透明等原因無法確保低反射率的情況下，通過在導(dǎo)電性高分子層中混合必需量的以黑色顏料或黑色染料等黑色色素為代表的深色色素能夠控制反射率。從在高分子內(nèi)的均勻分散性的觀點(diǎn)出發(fā)，顏料以及染料優(yōu)選為水溶性。雖然從降低反射率的觀點(diǎn)出發(fā)，導(dǎo)電性高分子層的顏色優(yōu)選為黑色，但是在非黑色的情況下也能夠使用。例如，在高分子自身為藍(lán)色系、紅色系的情況下，能夠根據(jù)其顏色濃度來使用，也能夠混合藍(lán)色系或紅色系的顏料或染料進(jìn)行染色。例如，聚噻吩是藍(lán)色系，因此能夠直接使用。然而，在導(dǎo)電性高分子自身的顏色不是黑色的情況下，更優(yōu)選通過混合黑色的顏料或染料來降低反射率并提高可見性。

能夠在導(dǎo)電性高分子層中混合粘合劑以提高與透明基板的密合性。作為粘合劑，雖然沒有特別限制，但是例如可列舉：聚氯乙烯，聚碳酸酯，聚苯乙烯，聚甲基丙烯酸甲酯，聚酯，聚砜，聚苯醚，聚丁二烯，聚(n-乙烯咔唑)，碳?xì)錁渲獦渲?，苯氧基樹脂，聚酰胺，乙基纖維素，醋酸乙烯，abs樹脂，氨酯樹脂，三聚氰胺樹脂，丙烯酸樹脂，不飽和聚酯樹脂，醇酸樹脂，環(huán)氧樹脂，有機(jī)硅樹脂等。

使用的粘合劑量是與導(dǎo)電性高分子1質(zhì)量份相比能夠使用11質(zhì)量份以上，具體地，優(yōu)選與導(dǎo)電性高分子微粒子1質(zhì)量份相比為11～60質(zhì)量份的范圍。當(dāng)粘合劑超過60質(zhì)量份時(shí)，存在金屬鍍層難以析出的情況，當(dāng)粘合劑小于11質(zhì)量份時(shí)，難以提高涂料的粘度。

另外，導(dǎo)電性高分子層中能夠混合用于促進(jìn)金屬鍍層的析出的炭黑、氧化鈦以及二氧化硅粒子等的無機(jī)填料。無機(jī)填料的使用量雖然沒有特別限制，但是優(yōu)選與粘合劑1質(zhì)量份相比為0.1～1.5質(zhì)量份的范圍。在無機(jī)填料的使用量與粘合劑1質(zhì)量份相比超過1.5質(zhì)量份的情況下，基材與涂膜層之間容易發(fā)生剝離，難以得到良好的密合性，另外，在小于0.1質(zhì)量份的情況下，存在金屬鍍層難以析出的情況。

從反射率的降低、雙面同時(shí)曝光以及電鍍性的觀點(diǎn)出發(fā)，導(dǎo)電性高分子層的厚度很重要?；诖_保低的反射率、當(dāng)雙面同時(shí)曝光時(shí)有效地抑制對(duì)相反面的光致抗蝕劑(photoresist)的曝光影響，以及容易附著電鍍膜的理由，導(dǎo)電性高分子層的厚度優(yōu)選為0.1μm以上，更優(yōu)選為0.2μm以上，還更優(yōu)選為0.3μm以上。另外，為了維持與透明基材的密合性，導(dǎo)電性高分子層的厚度優(yōu)選為1μm以下，更優(yōu)選為0.7μm以下，還更優(yōu)選為0.5μm以下。

作為形成金屬層的材料，是金屬即可，沒有特別限制，但導(dǎo)電性高的銅、銅合金、銀、銀合金、金、金合金、鎳以及鎳合金等是適合的，基于比較便宜、導(dǎo)電性也高的理由，銅特別優(yōu)選。

從確保低的薄層電阻，另外防止斷線的觀點(diǎn)出發(fā)，金屬層的厚度優(yōu)選為0.1μm以上，更優(yōu)選為0.5μm以上，還更優(yōu)選為0.7μm以上。另外，從提高生產(chǎn)效率的觀點(diǎn)出發(fā)，金屬層的厚度優(yōu)選為1μm以下，更優(yōu)選為0.9μm以下，還更優(yōu)選為0.8μm以下。需要說明的是，雖然金屬層的厚度越高薄層電阻越低，但是用作觸摸面板用途金屬層的厚度如上為1μm以下已足夠。

另外，導(dǎo)電性高分子層和金屬層的合計(jì)厚度是傳感器布線的高度，因此當(dāng)該布線高度過高時(shí)在處理中該布線剝落的可能性也變高，因而該合計(jì)高度優(yōu)選為1.5μm以下，更優(yōu)選為1.3μm以下，還更優(yōu)選為1.1μm以下。

優(yōu)選對(duì)金屬層的外表面進(jìn)行黑化處理。通過金屬層的外表面為黑色，來自金屬層的光反射進(jìn)一步被抑制，因此有利于提高顯示屏幕的可見性。如上文所述，由于在透明基板和金屬層之間插入低反射率的導(dǎo)電性高分子層，因而來自金屬層的反射光被導(dǎo)電性高分子層遮蔽而難以透過透明基板，由此能夠提高顯示屏幕的可見性。然而，僅進(jìn)行該處理時(shí)金屬層的外表面露出，來自金屬層的外表面的光反射依然能產(chǎn)生。

因此，對(duì)金屬層的外表面進(jìn)行黑化處理。由此，還能夠抑制來自金屬層的外表面的光反射。從有效地抑制光反射的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選對(duì)金屬層的外表面的整體進(jìn)行黑色化。作為黑化處理的方法，只要是使金屬層的外表面變黑的處理即可，沒有特別限制，但是例如可列舉：氧化金屬層(通常為銅層)的外表面來生長(zhǎng)氧化亞銅的膜層的處理所代表的表面氧化處理。此外，雖然也能夠通過化學(xué)合成處理，電鍍黑鉻，電鍍黑鎳等來進(jìn)行黑化處理，但是基于其是并入電鍍步驟生產(chǎn)線的步驟并且處理速度快的理由，優(yōu)選通過表面氧化處理進(jìn)行的黑化。黑化處理還有賦予防銹功能的作用。

從人類的視覺實(shí)質(zhì)上不能辨認(rèn)網(wǎng)狀圖案，并且顯著提高顯示屏幕的可見性的觀點(diǎn)出發(fā)，金屬網(wǎng)圖案的線寬優(yōu)選為10μm以下，更優(yōu)選為5μm以下，還更優(yōu)選為3μm以下，又更優(yōu)選為2μm以下，例如能夠選取1～5μm左右。

金屬網(wǎng)基板的大小沒有特別限制，能夠用于小型、中型以及大型中的任一種觸摸面板。例如在卷成卷的薄膜基板的情況下，能夠?qū)⒈∧せ宓膶挾仍O(shè)為500～600mm，用于中型以上的面板時(shí)能夠設(shè)為800mm以上，用于大型的面板時(shí)能夠設(shè)為1500mm以上。

＜2.金屬網(wǎng)基板的制造方法＞

以下參照附圖說明用于制造本發(fā)明所涉及的金屬網(wǎng)基板的合適的方法。首先，準(zhǔn)備透明基板12，在透明基板12的單面或雙面上形成導(dǎo)電性高分子層11(圖1中的(1))。作為在透明基板12上形成導(dǎo)電性高分子層11的方法，雖然沒有限制，但可列舉將導(dǎo)電性高分子的微粒子分散在有機(jī)溶劑中的分散液涂覆在透明基板上，并進(jìn)行干燥的方法。為了防止損傷透明基板12，熱干燥時(shí)的優(yōu)選選取90℃以下。另外，也可以在透明基板12的表面上涂覆單體溶液，通過聚合形成導(dǎo)電性高分子的薄膜。導(dǎo)電性高分子層通常是沒有圖案的平面膜的形態(tài)。如上文所述，在導(dǎo)電性高分子不是黑色或者黑的程度不夠的情況下，也可以通過混合黑色染料或黑色顏料等黑色色素所代表的深色色素，調(diào)整導(dǎo)電性高分子層的反射率。導(dǎo)電性高分子的微粒子可以使用市售品，也能夠使用按照日本特開2010-95776號(hào)公報(bào)中記載的制造方法制造的微粒子。

作為有機(jī)溶劑，可列舉：醋酸丁酯等脂肪族酯類，甲苯等芳香族溶劑，甲基乙基酮、環(huán)己酮、異佛爾酮等酮類，環(huán)己烷等環(huán)狀飽和烴類，正辛烷等的鏈狀飽和烴類，甲醇、乙醇、正辛醇等鏈狀飽和醇類，苯甲酸甲酯等的芳香酯類，二乙醚等的脂肪醚類，以及它們的混合物等。為了維持在分散液中的分散穩(wěn)定性，優(yōu)選作為固形物的導(dǎo)電性高分子的微粒子是該分散液的質(zhì)量的5質(zhì)量％以下(固形物比)。

使用的導(dǎo)電性高分子的微粒子的平均粒徑例如能夠選取1～500nm，典型地能夠選取10～100nm左右。此處，粒徑定義為能夠包圍作為測(cè)量對(duì)象的微粒子的最小圓的直徑。

除了導(dǎo)電性高分子的微粒子以外，在分散液中能夠添加粘合劑、分散穩(wěn)定劑、增稠劑、無機(jī)填料、摻雜劑等各種添加劑。

接著，在導(dǎo)電性高分子層11上形成抗蝕膜13(圖1中的(2))。作為抗蝕劑，液狀的也可，固化的也可，能夠使用其中任一種。雖然能夠合適地使用光致抗蝕劑或干膜抗蝕劑，但是從操作性優(yōu)良、容易均勻地涂覆的觀點(diǎn)出發(fā)，液狀的光致抗蝕劑更優(yōu)選。例如，使用光致抗蝕劑用狹縫式涂布機(jī)，將液狀的光致抗蝕劑涂覆在導(dǎo)電性高分子層上后，進(jìn)行烘烤，從而能夠形成抗蝕膜。為了防止對(duì)基板的熱損傷，優(yōu)選在100℃以下實(shí)施烘烤。

接著，對(duì)抗蝕膜13進(jìn)行圖案化(圖1中的(3))。抗蝕膜的厚度雖然沒有限制，但是能夠形成0.1～10μm左右的厚度，典型地能夠形成2～4μm左右的厚度。此處重要的是要設(shè)置抗蝕膜的厚度，以便之后除去導(dǎo)電性高分子層時(shí)，抗蝕膜不會(huì)先于導(dǎo)電性高分子層消失。一般抗蝕膜的除去速度比導(dǎo)電性高分子層的除去速度更快，因此需要事先確?？刮g膜的厚度足夠。但是，應(yīng)當(dāng)注意當(dāng)抗蝕膜過厚時(shí)，容易產(chǎn)生側(cè)蝕刻。另外，涂覆的抗蝕膜的均勻性很重要，優(yōu)選使厚度精度在±10％以內(nèi)，更優(yōu)選在±5％以內(nèi)。作為對(duì)抗蝕膜13進(jìn)行圖案化的方法，例如可列舉通過紫外線等形成的掩模圖案對(duì)抗蝕膜進(jìn)行曝光，從而將圖案轉(zhuǎn)印到抗蝕膜上的方法。圖1中的符號(hào)14所表示的部位是已曝光的部位。曝光能夠采用接觸式曝光方法以及非接觸式曝光方法(例如，在基板與掩膜之間設(shè)置間隙，非接觸地對(duì)曝光面進(jìn)行掃描或者進(jìn)行一起曝光的接近式曝光方法)中的任一種，但是從裝置價(jià)格便宜并且分辨率高的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選接觸式曝光方法，更優(yōu)選硬接觸曝光方法。曝光量依據(jù)各種抗蝕劑的特性來決定，以確保最合適的線寬和顯影條件。

在制造在透明基板的上下表面形成有傳感器圖案的觸摸面板的情況下，需要使用曝光裝置對(duì)上下表面進(jìn)行曝光，但是對(duì)于透明的材料，上下的曝光量影響彼此的面而無法形成正確的圖案。但是，通過使導(dǎo)電性高分子層為黑色等方式進(jìn)行低反射率化，能夠充分遮蔽透明基板上的導(dǎo)電性高分子層免受來自上下表面的曝光影響，因此能夠在透明基板的上下表面形成正確的圖案。因此，在本發(fā)明中，能夠使用雙面曝光裝置同時(shí)對(duì)透明基板的上下表面進(jìn)行曝光，能夠顯著提高生產(chǎn)效率。

接著，當(dāng)使用顯影液對(duì)已感光的抗蝕膜進(jìn)行顯影處理時(shí)，按照?qǐng)D案除去抗蝕膜并露出導(dǎo)電性高分子層(圖1中的(4))。圖1中的符號(hào)15表示的部位是導(dǎo)電性高分子層的露出部位?？刮g膜可以使用正性抗蝕膜以及負(fù)性抗蝕膜中的任一種。在正性的情況下，已曝光的抗蝕膜被除去，未曝光的抗蝕膜作為圖案部而殘留。能夠使用抗蝕劑顯影處理裝置進(jìn)行顯影處理。

接著，除去因抗蝕膜的圖案化而露出的導(dǎo)電性高分子層(圖1中的(5))。作為除去導(dǎo)電性高分子層的方法，優(yōu)選將透明基板、抗蝕膜以及導(dǎo)電性高分子層的溫度維持在100℃以下的同時(shí)，在真空條件下進(jìn)行灰化(ashing)的方法，更優(yōu)選等離子體灰化的方法?；一軌蛲ㄟ^灰化裝置進(jìn)行，優(yōu)選使用等離子體灰化裝置?；一瘯r(shí)，殘留在導(dǎo)電性高分子層上的抗蝕膜作為一種掩膜發(fā)揮作用，因此能夠選擇性地除去露出的導(dǎo)電性高分子層?；一瘯r(shí)雖然抗蝕膜也被除去，但是通過求出抗蝕劑與導(dǎo)電性高分子的除去量的選擇比并設(shè)置最合適的抗蝕膜厚度，能夠除去導(dǎo)電性高分子層并且使抗蝕膜殘留。由此，抗蝕膜作為一種掩膜發(fā)揮作用，因此能夠選擇性地除去露出的導(dǎo)電性高分子層。圖1中的符號(hào)16表示的部位是導(dǎo)電性高分子層已被除去的部位。

以往，灰化在蝕刻之后，用于除去不再需要的抗蝕劑。在本發(fā)明中，在相反地抗蝕劑沒有被除去而作為保護(hù)膜殘留，并用于選擇性地除去導(dǎo)電性高分子層的點(diǎn)上，是創(chuàng)新的方法。灰化不像蝕刻那樣需要昂貴的裝置，很便宜。而且，令人震驚的是，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)通過對(duì)導(dǎo)電性高分子層進(jìn)行灰化能夠高精度地除去導(dǎo)電性高分子層。另外，灰化還能夠適應(yīng)卷對(duì)卷的連續(xù)處理，在適合大量生產(chǎn)的點(diǎn)上是有利的。因此，作為形成圖案化的導(dǎo)電性高分子層的方法，通過灰化除去導(dǎo)電性高分子層的方法的工業(yè)價(jià)值極高。

通過將透明基板的溫度維持在100℃以下的同時(shí)進(jìn)行灰化，能夠防止損傷透明基板。當(dāng)灰化時(shí)，透明基板的溫度優(yōu)選維持在100℃以下，更優(yōu)選維持在90℃以下，還更優(yōu)選維持在80℃以下。但是，當(dāng)溫度過度降低時(shí)灰化效率(反應(yīng)速度)降低，因此該溫度優(yōu)選維持在50℃以上，更優(yōu)選維持在60℃以上。

特別地，當(dāng)使用樹脂基板作為透明基板時(shí)能夠抑制樹脂基板的熱變形，由此得到能夠穩(wěn)定地實(shí)施高品質(zhì)的圖案形成的優(yōu)點(diǎn)。在低溫下進(jìn)行灰化的基礎(chǔ)上，優(yōu)選通過微波等離子體進(jìn)行灰化。這是因?yàn)楫?dāng)使用高頻等離子體時(shí)溫度會(huì)上升。另外，通過使用微波等離子體能夠以高均勻性除去導(dǎo)電性高分子層。微波的頻率一般能夠選取300mhz～300ghz，但是當(dāng)頻率過小時(shí)導(dǎo)電性高分子層的除去速度變慢，因此微波的優(yōu)選頻率為1ghz以上，更優(yōu)選的頻率為2ghz以上。另一方面，當(dāng)頻率過高時(shí)電轉(zhuǎn)換效率降低，另外，發(fā)熱導(dǎo)致基板的溫度容易上升，因此微波的優(yōu)選頻率為10ghz以下，更優(yōu)選的頻率為5ghz以下，還更優(yōu)選的頻率為3ghz以下。

另外，通過在真空條件下進(jìn)行灰化并且通過高能量的等離子體沖擊導(dǎo)電性高分子層，能夠高速處理。為了提高等離子體的電子密度，優(yōu)選真空度以絕對(duì)壓強(qiáng)計(jì)為500pa以下，更優(yōu)選以絕對(duì)壓強(qiáng)計(jì)為200pa以下。另外，為了抑制使用氣體濃度的降低，優(yōu)選真空度以絕對(duì)壓強(qiáng)計(jì)為20pa以上，更優(yōu)選以絕對(duì)壓強(qiáng)計(jì)為50pa以上。

從高效率地除去導(dǎo)電性高分子層的觀點(diǎn)出發(fā)，灰化時(shí)的電子密度越高越好。具體地，優(yōu)選將電子密度設(shè)為1×10¹¹個(gè)/cm³以上，更優(yōu)選設(shè)為5×10¹¹個(gè)/cm³以上，還更優(yōu)選設(shè)為1×10¹²個(gè)/cm³以上。另一方面，當(dāng)過度升高電子密度時(shí)溫度變成高溫，因此優(yōu)選將電子密度設(shè)為1×10¹³個(gè)/cm³以下，更優(yōu)選設(shè)為5×10¹²個(gè)/cm³以下，還更優(yōu)選設(shè)為2×10¹²個(gè)/cm³以下。在本發(fā)明中，電子密度定義為靜電探針法測(cè)量的值。

作為成為等離子體源的氣體，優(yōu)選使用適于有機(jī)物的灰化的氧氣，為了提高反應(yīng)速度，除了氧以外更優(yōu)選使用與氟化碳(用cxfy表示(x、y是自然數(shù)))等蝕刻氣體的混合氣體。通過并用蝕刻氣體能夠縮短灰化時(shí)間，因此還獲得能夠抑制基板的溫度上升的優(yōu)點(diǎn)。作為蝕刻氣體的具體例，可列舉cf4、c2f6、c3f8、c4f8等。

灰化所使用的等離子體優(yōu)選是表面波等離子體。表面波等離子體的平面均勻性高，即使是大面積的基板也能夠以高的均勻性進(jìn)行處理。

接著，除去導(dǎo)電性高分子層上殘留的抗蝕膜(圖1中的(6))。該步驟例如能夠通過使抗蝕膜與剝離液接觸來實(shí)施，并且能夠使用抗蝕劑剝離處理裝置。作為接觸方法，可列舉：將殘留有圖案化的抗蝕膜的基板整體浸入裝有剝離液的容器中的方法(浸入法)，將剝離液噴涂在抗蝕膜上的方法(噴霧法、噴涂法)。作為進(jìn)一步高效率的方法能夠使用如下剝離方法：在前面的步驟中由等離子體灰化裝置進(jìn)行灰化的情況下，使用該等離子體灰化裝置，另行設(shè)置剝離條件，除去導(dǎo)電性高分子層上殘留的抗蝕膜。在這種情況下，無需另行準(zhǔn)備抗蝕劑剝離處理裝置，成本優(yōu)勢(shì)也很高。

雖然剝離液一般加熱后使用，但是存在高溫處理中剝離液對(duì)導(dǎo)電性高分子層的導(dǎo)電性造成不利影響的情況。因此，溫度優(yōu)選為50℃以下。更優(yōu)選為40℃以下，還更優(yōu)選為35℃以下，最優(yōu)選為30℃以下。另外，當(dāng)?shù)蜏貢r(shí)，剝離能力下降，因此優(yōu)選為5℃以上，更優(yōu)選為10℃以上。

接著，在該圖案化的導(dǎo)電性高分子層11上形成金屬層17(圖1中的(7))。金屬層17的形成雖然沒有限制，但是能夠采用無電解電鍍法以及電鍍法，通過電鍍處理裝置來實(shí)施即可。無電解電鍍法以及電鍍法使用公知的任意的方法即可，但是例如在無電解電鍍法的情況下，對(duì)導(dǎo)電性高分子層中的導(dǎo)電性高分子微粒子進(jìn)行脫摻雜處理使其成為還原性之后，將具有圖案化的導(dǎo)電性高分子層的基板浸入用于附著氯化鈀等催化金屬的催化溶液、進(jìn)行水洗等、浸入無電解電鍍?cè)≈?，從而能夠在?dǎo)電性高分子層上選擇性地形成金屬層。

作為脫摻雜處理，可列舉使用包含例如硼氫化鈉、硼氫化鉀等硼氫化合物、二甲基胺硼烷、二乙基胺硼烷、三甲基胺硼烷、三乙基胺硼烷等的烷基胺硼烷、以及肼等還原劑的溶液進(jìn)行處理而還原的方法，或者使用堿性溶液進(jìn)行處理的方法。從操作性以及經(jīng)濟(jì)性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選使用堿性溶液進(jìn)行處理。

催化溶液是包含對(duì)無電解電鍍具有催化活性的貴金屬(催劑金屬)的溶液，作為催化金屬，可列舉鈀、金、鉑、銠等，這些金屬可以是單質(zhì)也可以是化合物，從包含催化金屬的穩(wěn)定性的點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選鈀化合物，其中氯化鈀特別優(yōu)選。作為優(yōu)選的、具體的催化溶液，可列舉0.05％氯化鈀-0.005％鹽酸水溶液(ph3)。處理溫度為20～50℃，優(yōu)選為30～40℃，處理時(shí)間為0.1～20分鐘，優(yōu)選為1～10分鐘。

在進(jìn)行催化劑賦予的處理后，將具有圖案化的導(dǎo)電性高分子層的基板浸入電鍍液，由此能夠形成無電解電鍍膜。作為電鍍液，通常，只要是可用于無電解電鍍的電鍍液即可，沒有特別限制。即，雖然能夠用于無電解電鍍的金屬、銅、金、銀、鎳等全都能夠適用，但是優(yōu)選銅。作為無電解鍍銅浴的具體例，例如可列舉atsアドカッパーiw浴(奧野制藥工業(yè)(株)公司制造)等。處理溫度為20～50℃，優(yōu)選為30～40℃，處理時(shí)間為1～30分鐘，優(yōu)選為5～15分鐘。獲得的電鍍物優(yōu)選在比使用的基板的tg更低的溫度范圍內(nèi)，進(jìn)行幾個(gè)小時(shí)以上，例如，2小時(shí)以上的養(yǎng)護(hù)。

在除去抗蝕膜后，實(shí)施金屬電鍍之前，可以使用水、有機(jī)溶劑等清洗液清洗基板。另外，為了提高金屬層17對(duì)導(dǎo)電性高分子層11的密合性，在金屬層17形成前，也能夠?qū)?dǎo)電性高分子層11的表面進(jìn)行清潔。作為清潔的方法，雖然沒有限制，但是例如可列舉等離子體處理。

形成金屬層17后，優(yōu)選進(jìn)一步對(duì)金屬層的外表面進(jìn)行黑化處理而形成黑化處理膜層18(圖1中的(8))。黑化處理的方法前文進(jìn)行了舉例。另外，黑化處理的優(yōu)點(diǎn)也如上所述。黑化處理能夠使用黑化處理裝置來進(jìn)行。電鍍處理裝置也可以具有黑化處理裝置的功能。

在以上的方法中，使用薄膜的導(dǎo)電性高分子，在最后階段進(jìn)行金屬電鍍，從而制造金屬網(wǎng)基板。該方法與蝕刻銅箔形成圖案的制造方法相比，有將銅的消耗量減少90％以上的效果。另外，消耗的導(dǎo)電性高分子本身與銅箔相比是更廉價(jià)的材料，因此通過本發(fā)明能夠顯著降低金屬網(wǎng)基板的制造成本。

另外，根據(jù)上述方法，還能夠在使用卷對(duì)卷的搬運(yùn)裝置搬運(yùn)基板的同時(shí)，實(shí)施從在透明基板上形成導(dǎo)電性高分子層到形成金屬層為止的任一步驟，也能夠在使用卷對(duì)卷的搬運(yùn)裝置搬運(yùn)基板的同時(shí)，實(shí)施所有步驟。例如，灰化能夠重復(fù)實(shí)施以下步驟：使用卷對(duì)卷的搬運(yùn)裝置搬運(yùn)基板并運(yùn)送到灰化室內(nèi)、暫時(shí)停止進(jìn)行灰化處理，此后再次搬運(yùn)基板。

本發(fā)明所涉及的金屬網(wǎng)基板，例如能夠適用靜電容量耦合式的觸摸面板。

實(shí)施例

以下，雖然示出了用于更好地理解本發(fā)明及其優(yōu)點(diǎn)的實(shí)施例，但是本發(fā)明不限于這些實(shí)施例。

(實(shí)施例1)

準(zhǔn)備在厚度50μm的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(pet)薄膜的上下表面形成有約0.3μm的厚度的聚噻吩層(含有水溶性黑色染料)的基板。聚噻吩層的薄層電阻為5×10⁴ω/□。該聚噻吩層的厚度為0.3μm的雙面涂覆品的情況下的透光率為27％。薄層電阻以及透光率的測(cè)量方法如后所述。關(guān)于該雙面涂覆品的該聚噻吩層的反射率，照射200nm～800nm區(qū)域的光，使用分光反射率計(jì)(ウシオ電機(jī)制造ure-50，入射角度30°，使用75w氙氣燈)測(cè)量該光的反射率，發(fā)現(xiàn)可見光(400～700nm)的區(qū)域的反射率最大且為7.4％。

接著，使用エイブルジャパン制造的狹縫涂布機(jī)(tl0704)裝置將已脫泡處理的正性光致抗蝕劑以約2.2μm的厚度均勻地(涂覆均勻性：±5.1％)涂覆在一個(gè)面上的聚噻吩層上(涂覆面積370mm×470mm)。涂覆后，以100℃以下的熱風(fēng)ir加熱器對(duì)光致抗蝕膜進(jìn)行15分鐘干燥。接著，在另一個(gè)面上的聚噻吩層上也以同樣的順序形成光致抗蝕膜。使用浜松光子公司制造的opticalnanogauge膜厚計(jì)通過光譜衍射方法遍及膜整體測(cè)量45個(gè)點(diǎn)的光致抗蝕膜的膜厚，通過±(最大膜厚－最小膜厚)/(最大膜厚+最小膜厚)×100(％)的公式算出光致抗蝕劑的涂覆均勻性。

接著，將觸摸面板用的傳感器圖案(形成有金屬層的部位的線寬根據(jù)場(chǎng)所存在1、2、3、4、6、8μm。)的掩膜真空密合于上下表面雙方的光致抗蝕膜(東亞合成制造的陽性抗蝕劑：クリアマージュtpr)，在掩膜上方照射uv光使光致抗蝕劑感光進(jìn)行轉(zhuǎn)印圖案的硬接觸曝光(大日本科研制造雙面曝光裝置：ra系列)。曝光量設(shè)在100mj～140mj/cm²的范圍內(nèi)。

接著，使用抗蝕劑顯影處理裝置，對(duì)已感光的抗蝕劑進(jìn)行顯影處理，露出聚噻吩層。為了進(jìn)行穩(wěn)定的顯影處理，使用pid參數(shù)控制液劑的溫度(25℃±1℃)并控制濃度管理。

將圖案化的抗蝕膜用作掩膜材料，通過灰化處理除去露出的聚噻吩層。灰化處理的條件如下所述。

裝置：株式會(huì)社ニッシン制造的微波表面波等離子體處理裝置

頻率：2.45ghz

真空度：50～200pa(絕對(duì)壓強(qiáng))

電子密度：1×10¹²個(gè)/cm³

微波輸出：1～5kw

基板溫度：70℃以下

使用氣體：o2和cf4的混合氣體

等離子體照射時(shí)間：10～50秒

此后，使用抗蝕劑剝離處理裝置，用堿性水溶液對(duì)聚噻吩層之上殘留的光致抗蝕膜進(jìn)行剝離處理，僅僅讓聚噻吩層的圖案部露出表面。

在圖案化的聚噻吩層上，進(jìn)行無電解鍍銅，由此僅在聚噻吩層上形成銅鍍層，得到具有規(guī)定的傳感器圖案的金屬網(wǎng)基板。此后，在銅鍍層的表面上進(jìn)行形成氧化亞銅的黑化處理。得到的銅鍍層的厚度為約0.5μm。

目視觀察用上述的方法得到的金屬網(wǎng)基板，發(fā)現(xiàn)基本上無法確認(rèn)來自傳感器圖案的反射光，難以目視確認(rèn)傳感器圖案。另外，用顯微鏡觀察傳感器圖案，發(fā)現(xiàn)與傳感器圖案的線寬對(duì)應(yīng)地，金屬網(wǎng)以約1、2、3、4、6、8μm的線寬高精度地在透明基板上被圖案化。另外，傳感器圖案內(nèi)的透光率為85～88％。薄層電阻為1～10ω/□。電鍍處理后的基板的照片的示例在圖2以及圖3中示出。由圖2以及圖3可知以極其高的精度形成金屬布線圖案。

需要說明的是，在實(shí)施例中，使用orc公司制造的uv光源(42mw/cm²)，使用orc公司制造的u-35/u-42光度計(jì)，測(cè)量可見光透過傳感器的比例，由此求出透光率。關(guān)于薄層電阻，使用接觸式(4探針法)阻抗測(cè)量器，將4根的針狀的電極成一條直線地放置在測(cè)量樣品上，在外側(cè)的2根的探針之間流動(dòng)一定的電流，測(cè)量?jī)?nèi)側(cè)的2根的探針之間產(chǎn)生的電位差，由此求出阻抗。

(比較例1)

雖然除了將灰化處理時(shí)的等離子體照射時(shí)間延長(zhǎng)至100秒左右之外，按照與實(shí)施例1相同的條件實(shí)施到灰化處理為止，但是pet薄膜的溫度上升到120℃左右。因此，灰化處理后的pet薄膜產(chǎn)生起伏。因此，沒有實(shí)施此后的處理。

需要說明的是，雖然進(jìn)行了使用聚酰胺、聚吡咯等的其他的導(dǎo)電性高分子而形成導(dǎo)電性高分子層的試驗(yàn)，但是在目前為止的試驗(yàn)結(jié)果中，聚噻吩無法確保高的灰化率，在電鍍處理容易的點(diǎn)上最優(yōu)選。

產(chǎn)業(yè)上的利用可能性

現(xiàn)在生產(chǎn)的觸摸面板傳感器，以使用ito膜的基材為主流，但是在該ito基材中，由于其薄層電阻很高而不能應(yīng)用于中大型面板，所以需要金屬網(wǎng)傳感器等低薄層電阻材料的傳感器。利用本發(fā)明所涉及的金屬網(wǎng)基板制成的觸摸面板，能夠用金屬形成傳感器圖案，因此電阻低。因此，根據(jù)本發(fā)明不僅小型的觸摸面板，也能夠容易地制造中大型的觸摸面板，還能夠確保高的可見性。因此，可認(rèn)為本發(fā)明對(duì)作為新市場(chǎng)的中大型的觸摸面板市場(chǎng)的擴(kuò)張做出很大貢獻(xiàn)。

附圖標(biāo)記說明

11導(dǎo)電性高分子層

12透明基板

13抗蝕膜

14曝光部位

15導(dǎo)電性高分子層露出的部位

16導(dǎo)電性高分子層已被除去的部位

17金屬層

18黑化處理膜層