本發(fā)明提供一種積層陶瓷電子組件的制造方法及其裝置，尤指可通過(guò)高分子導(dǎo)電黏膠以低溫作業(yè)制造積層陶瓷電子組件的方法，于積層陶瓷芯片二側(cè)電極接合面分別通過(guò)高分子導(dǎo)電黏膠、黏著固定于二導(dǎo)電架的接合側(cè)相對(duì)內(nèi)表面間，達(dá)到通過(guò)低溫黏著保護(hù)積層陶瓷不易龜裂、損壞的目的。

背景技術(shù)：

現(xiàn)今電子產(chǎn)品及其周邊相關(guān)的電子設(shè)備均需使用到主動(dòng)組件與被動(dòng)組件，其中，主動(dòng)組件(如IC或CPU)可單獨(dú)執(zhí)行運(yùn)算處理功能，而被動(dòng)組件則是相對(duì)于主動(dòng)組件在進(jìn)行電流或電壓改變時(shí)，使其電阻或阻抗不會(huì)隨的改變的組件，一般為以電阻(Resistor)、電容(Capacitor)與電感(Inductor)合稱(chēng)作三大被動(dòng)組件，然而，就以功能而言，電容器是以靜電模式儲(chǔ)存電荷，且可在預(yù)定的時(shí)間內(nèi)將電能釋放或是作為濾波、旁波協(xié)調(diào)使用；而被動(dòng)組件的生產(chǎn)已朝向芯片化發(fā)展的趨勢(shì)，隨著集成電路高性能化和高密度化的發(fā)展趨勢(shì)，再加上高速組裝功能的表面黏著技術(shù)(Surface Mounting Technology；SMT)開(kāi)發(fā)，促使許多電子組件逐漸改以芯片型表面黏著(SMT)取代傳統(tǒng)插件型(Through Hole)的焊接方式，因此，芯片化的被動(dòng)組件需求亦快速提升，使其要求尺寸也愈來(lái)愈小，至于電容器為由二導(dǎo)電物質(zhì)間以極薄的介質(zhì)屏蔽隔離，并可將靜電儲(chǔ)存于其導(dǎo)電物質(zhì)上而達(dá)成儲(chǔ)存電荷、旁路、濾波、調(diào)諧及震蕩等功能；且陶瓷電容器又可分為單層及積層陶瓷電容器(Multi－Layer Ceramic Capacitor，MLCC)，其中，積層陶瓷電容器為具有介電數(shù)高、絕緣度好、耐熱佳、體積小、適合量產(chǎn)且穩(wěn)定性及可靠度良好等特性，并因積層陶瓷電容器耐高電壓和高熱、運(yùn)作溫度范圍廣的優(yōu)點(diǎn)，再加上芯片化的積層陶瓷電容器可通過(guò)表面黏著技術(shù)(SMT)直接焊接，生產(chǎn)制造的速度與數(shù)量亦較電解電容器、鉭質(zhì)電容器來(lái)得快許多，而使積層陶瓷電容器成為電容器產(chǎn)業(yè)的主流，更為電子產(chǎn)品日益朝小型化及多功能發(fā)展趨勢(shì)下受到 廣泛且大量的使用。

但一般積層陶瓷電容經(jīng)過(guò)表面黏著技術(shù)定位在電路板上，將積層陶瓷電容平貼固定于電路板表面，則隨著電路板的應(yīng)用產(chǎn)生彎曲、變形等情況時(shí)，亦將導(dǎo)致積層陶瓷電容受到電路板的影響而龜裂、損壞，且積層陶瓷電容通過(guò)表面黏著技術(shù)焊固在電部板表面時(shí)，也容易因焊接時(shí)的高溫現(xiàn)象，造成積層陶瓷電容承受不住焊接的高溫而龜裂，以致積層陶瓷電容在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，存在諸多的缺失與困擾。

而有業(yè)者利用積層陶瓷電容二側(cè)電極位置，通過(guò)高溫焊接作業(yè)方式、分別焊設(shè)有支撐腳架，以供積層陶瓷電容形成墊高狀，當(dāng)積層陶瓷電容焊設(shè)于電路板時(shí)，保持積層陶瓷電容與電路板間形成適當(dāng)?shù)拈g距，則電路板應(yīng)用時(shí)所產(chǎn)生彎曲或變形的現(xiàn)象等，亦不致影響積層陶瓷電容破裂，雖可供解決積層陶瓷電容以表面黏著技術(shù)焊接平貼在電路板上產(chǎn)生的缺失，然，積層陶瓷電容二側(cè)電極位置焊接支撐腳架時(shí)，通過(guò)高溫融熔焊錫的焊接工藝作業(yè)，所需的焊接溫度大都高于攝氏300℃、焊接作業(yè)進(jìn)行時(shí)必須考慮積層陶瓷電容耐冷熱沖擊的能力，若是焊接作業(yè)升溫速率過(guò)快，積層陶瓷電容必將無(wú)法承受焊接做業(yè)的快速升溫而形成破裂、損壞等現(xiàn)象，更導(dǎo)致產(chǎn)品得不良率提高，若是焊接作業(yè)升溫速率過(guò)慢，相對(duì)助焊劑將四處流動(dòng)，污染相關(guān)作業(yè)工具，此外，高溫焊接也易對(duì)于環(huán)境、空氣也造成污染；而通過(guò)高溫融熔焊錫的焊接作業(yè)將積層陶瓷電容焊接于二支撐接腳間，則會(huì)因焊接作業(yè)時(shí)焊料、助焊劑(Flux)飛濺、噴灑，在積層陶瓷電容周?chē)a(chǎn)生許多助焊劑、焊錫等的焊渣、碎屑等，在焊接作業(yè)完成后，則必須再進(jìn)行清洗周?chē)鶜埩舻闹竸?Flux)、焊錫等的焊渣、碎屑，以致積層陶瓷電容的焊接工藝作業(yè)相當(dāng)耗時(shí)、費(fèi)工，而清洗時(shí)用清洗劑、清水等，也會(huì)造成環(huán)境水源的污染，且傳統(tǒng)高溫焊接作業(yè)所使用的焊料、助焊劑等，都含有84％～94％的金屬(如鉛、銅、錫、銀等)及鹵素元素[如氯(Cl2)、溴(Br2)、碘(I2)或砈(At)等]≧900(ppm)成分，更含有重金屬[如鉛(Pb)及汞(Hg)等]，對(duì)于環(huán)境產(chǎn)生嚴(yán)重的污染。

另，如美國(guó)專(zhuān)利公開(kāi)號(hào)US20140002952A1的「層迭式無(wú)鉛多層陶瓷電容」(Leadless Multi－Layered Ceramic Capacitor Stacks)，其多層陶瓷電容通過(guò)瞬間液相燒結(jié)(Transient Liquid Phase Sintering)加工，并于使用的焊料中同時(shí)加入高熔點(diǎn)金屬及低熔點(diǎn)金屬的填料，惟在燒結(jié)工藝中 低熔點(diǎn)金屬分子會(huì)擴(kuò)散至金屬導(dǎo)線架而與陶瓷層形成黏著接合(bonding)，且當(dāng)多層陶瓷電容焊接在電路板上時(shí)，位于多層陶瓷電容間的焊料及填料的組合物被重新升溫至其低熔點(diǎn)金屬的熔融溫度時(shí)，其低熔點(diǎn)金屬就會(huì)熔融，多層陶瓷間的黏接力就會(huì)降低，進(jìn)而導(dǎo)致多層陶瓷電容間的焊料及填料的組合物則會(huì)形成脫落，影響多層陶瓷電容的黏著結(jié)構(gòu)強(qiáng)度變差。

因此，要如何解決積層陶瓷電容二側(cè)電極位置焊接支撐腳架的工藝作業(yè)時(shí)，容易受到焊接高溫導(dǎo)致龜裂、損壞的缺失與問(wèn)題，而高溫焊接作業(yè)后必須清洗助焊劑、焊渣等作業(yè)的麻煩與困擾，即為從事此行業(yè)者所亟欲改善的方向所在。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明人有鑒于上述的問(wèn)題與缺失，乃搜集相關(guān)資料，經(jīng)由多方評(píng)估及考慮，并以從事于此行業(yè)累積的多年經(jīng)驗(yàn)，經(jīng)由不斷試驗(yàn)及修改，始設(shè)計(jì)出此種可于積層陶瓷電子組件二側(cè)電極接面、通過(guò)高分子導(dǎo)電黏膠黏著于二導(dǎo)線架的接合側(cè)，且工藝中并通過(guò)低溫黏著作業(yè)、不易造成積層陶瓷電子組件因溫度升高而產(chǎn)生龜裂、損壞，工藝更為安全、產(chǎn)品良率亦較高的積層陶瓷電子組件的制造方法及其裝置。

本發(fā)明的主要目的乃在于該積層陶瓷電子組件的積層陶瓷芯片二相外側(cè)分別設(shè)有電極接面，再于二側(cè)電極接面外側(cè)分別設(shè)置二導(dǎo)線架、可供二平直型接合側(cè)相對(duì)二電極接面，且相對(duì)各接合側(cè)的另側(cè)則分別垂直彎折成型有焊接側(cè)，即供各焊接側(cè)與積層陶瓷芯片底部表面間形成中空狀的緩沖空間，而積層陶瓷芯片二側(cè)電極接面與二導(dǎo)線架的接合側(cè)相對(duì)內(nèi)表面之間附著高分子導(dǎo)電黏膠，通過(guò)低溫作業(yè)(高分子導(dǎo)電黏膠所需的操作溫度約≦200℃，最佳操作溫度約為≦150℃)，以供二電極面分別通過(guò)高分子導(dǎo)電膠固定于二導(dǎo)線架間、可呈電性導(dǎo)通，達(dá)到通過(guò)低溫黏著固定積層陶瓷芯片及二導(dǎo)線架的目的，不必進(jìn)行高溫焊接加工、無(wú)需進(jìn)行后續(xù)清洗處理，工藝較為簡(jiǎn)易、安全、產(chǎn)品良率亦較高，不易造成積層電子組件發(fā)生龜裂、損壞的現(xiàn)象。

本發(fā)明的次要目的乃在于該積層陶瓷電子組件于二側(cè)電極接面位置，分別利用高分子導(dǎo)電黏膠黏著二導(dǎo)線架，而二導(dǎo)線架呈平直狀、且底部分別朝相對(duì)內(nèi)側(cè)垂直彎折水平狀的焊接側(cè)，以供二導(dǎo)線架呈相對(duì)L形狀定位在積層陶瓷電子組件二側(cè)，且高分子導(dǎo)電黏膠利用低溫作業(yè)方式[所需操作溫度約≦200℃，最佳操作溫度約為≦150℃]、減少能源耗用、并降低空氣污染，再者，高分子 導(dǎo)電黏膠內(nèi)部的金屬含量較低，不含有重金屬[如：鎘(Cd)、鉛(Pb)、汞(Hg)或鉻(Cr)等]的成分、并含有較低的鹵素元素[如氯(Cl2)、溴(Br2)、碘(I2)或砈(At)等]成分，可降低對(duì)環(huán)境產(chǎn)生污染的情形，且黏著后無(wú)需進(jìn)行清洗，不必使用清洗容劑，避免造成環(huán)境及水源污染等現(xiàn)象，且積層陶瓷電子組件可為積層陶瓷電容器。

本發(fā)明的另一目的乃在于該高分子導(dǎo)電黏膠熔點(diǎn)較高，最高可耐攝氏300℃的使用環(huán)境，并可通過(guò)EN60068－2－58，260℃±5℃浸錫耐焊測(cè)試的檢測(cè)作業(yè)，并可具有較高的延展性，可以提供較高的扳彎能力、可供積層陶瓷芯片與二側(cè)導(dǎo)線架不易脫離，而能形成極佳的產(chǎn)品特性。

本發(fā)明的再一目的乃在于高分子導(dǎo)電黏膠中，并未添加低熔點(diǎn)金屬材料，則積層陶瓷電子組件在燒結(jié)工藝后，位于基層陶瓷電子組件間的高分子導(dǎo)電黏膠(熱固形樹(shù)脂)硬化后，若高分子導(dǎo)電黏膠溫度熔融溫度超過(guò)硬化溫度(150℃)時(shí)，亦不致造成積層陶瓷電子組件間的高分子導(dǎo)電黏膠分開(kāi)，且積層陶瓷電子組件焊接于預(yù)設(shè)電路板上，焊接溫度升溫至300℃時(shí)，高分子導(dǎo)電黏膠的黏著接合力都不改變，則不致發(fā)生積層陶瓷電子組件間的高分子導(dǎo)電黏膠脫落現(xiàn)象。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明的制造流程圖。

圖2為本發(fā)明的側(cè)視圖。

圖3為本發(fā)明的側(cè)視分解圖。

圖4為本發(fā)明較佳實(shí)施例的側(cè)視圖。

圖5為本發(fā)明的導(dǎo)電高分子黏膠產(chǎn)品與傳統(tǒng)高分子焊接工藝產(chǎn)品的耐板彎能力比較。

附圖標(biāo)記說(shuō)明：1-積層陶瓷芯片；10-緩沖空間；11-電極接面；2-導(dǎo)線架；21-接合側(cè)；22-焊接側(cè)；3-高分子導(dǎo)電黏膠；4-電路板。

具體實(shí)施方式

為達(dá)成上述目的與功效，本發(fā)明所采用的技術(shù)手段及其構(gòu)造、實(shí)施的方法等，茲繪圖就本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳加說(shuō)明其特征與功能如下，俾利完全了解。

請(qǐng)參閱圖1-4所示，為本發(fā)明的制造流程圖、側(cè)視圖、側(cè)視分解圖、較佳 實(shí)施例的側(cè)視圖，由圖中所示可以清楚看出，本發(fā)明積層陶瓷電子組件的制造方法，其制造方法的步驟：

(A)積層陶瓷芯片1二側(cè)電極接面11外側(cè)，分別設(shè)置導(dǎo)線架2。

(B)二導(dǎo)線架2的接合側(cè)21相對(duì)內(nèi)側(cè)、分別對(duì)位于積層陶瓷芯片1二側(cè)的各電極接面11。

(C)各電極接面11、各接合側(cè)21間分別填充高分子導(dǎo)電黏膠3。

(D)通過(guò)低溫黏著、接合將二導(dǎo)線架2的接合側(cè)21分別固于二電極接面11外側(cè)，并可供二導(dǎo)線架2分別與二電極接面11呈電性導(dǎo)通。

(E)而于積層陶瓷芯片1底部與二導(dǎo)線架2底部焊接側(cè)22間，形成預(yù)定間距的緩沖空間10。

(F)成型積層陶瓷電子組件。

上述工藝中，于積層陶瓷芯片1二側(cè)電極接面11外側(cè)與二導(dǎo)線架2的接合側(cè)21之間，利用高分子導(dǎo)電黏膠3進(jìn)行低溫(高分子導(dǎo)電黏膠作業(yè)所需的操作溫度約≦200℃，最佳操作溫度約為≦150℃)黏著作業(yè)，因接合溫度低在制造過(guò)程中，不易因高溫而造成積層陶瓷芯片1產(chǎn)生龜裂、損壞，并可供二電極接面11分別與二導(dǎo)線架2呈電性導(dǎo)通連結(jié)，以通過(guò)積層陶瓷芯片1、二導(dǎo)線架2及適量高分子導(dǎo)電黏膠3制造成型為本發(fā)明的積層陶瓷電子組件裝置，且積層陶瓷電子組件可為積層陶瓷電容器。

而本發(fā)明積層陶瓷電子組件的裝置，包括積層陶瓷芯片1、二導(dǎo)線架2及高分子導(dǎo)電黏膠3，其中：

該積層陶瓷芯片1于二相對(duì)外側(cè)形成電極接面11，并包括二個(gè)或二個(gè)以上呈層迭狀的陶瓷芯片。

該二導(dǎo)線架2呈平直形的導(dǎo)電金屬材質(zhì)，二導(dǎo)線架2一側(cè)分別設(shè)有接合側(cè)21，相對(duì)各接合側(cè)21的二導(dǎo)線架2另側(cè)則垂直彎折有水平狀的焊接側(cè)22，以供二導(dǎo)線架2呈相對(duì)L形排列。

該高分子導(dǎo)電黏膠3，金屬含量低、并不含重金屬及鹵素元素，熔點(diǎn)高、可耐攝氏300℃。

上述各構(gòu)件于組裝時(shí)，于積層陶瓷芯片1二側(cè)電極接面11外側(cè)、分別設(shè)置有導(dǎo)線架2，以供二導(dǎo)線架2的接合側(cè)21分別相對(duì)于各電極接面11，則于各電極接面11與各接合側(cè)21之間，利用高分子導(dǎo)電黏膠3進(jìn)行低溫(高分子導(dǎo)電黏膠作業(yè)所需的操作溫度約≦200℃，最佳操作溫度約為≦150 ℃)黏著作業(yè)，因接合溫度低，不易造成積層陶瓷芯片1產(chǎn)生龜裂、損壞，并供二電極接面11分別與二導(dǎo)線架2呈電性導(dǎo)通連結(jié)，以通過(guò)積層陶瓷芯片1、二導(dǎo)線架2及適量高分子導(dǎo)電黏膠3成型本發(fā)明積層陶瓷電子組件的裝置，且積層陶瓷電子組件可為積層陶瓷電容器。

而上述該高分子導(dǎo)電黏膠3的金屬含量低，可包括75％～85％的金屬及15％～25％的黏膠等，而金屬可包括有銀(Ag)、銅(Cu)及鎳(Ni)等，至于黏膠則可為高分子樹(shù)脂，高分子導(dǎo)電黏膠3并不含有重金屬[如：鎘(Cd)、鉛(Pb)、汞(Hg)或鉻(Cr)等]的成分，且僅含有較低的鹵素元素[如氯(Cl2)、溴(Br2)、碘(I2)或砈(At)等]成分≦900(ppm)，并不需作事后的清洗處理作業(yè)，避免使用清洗溶劑，可有效降低對(duì)環(huán)境造成的污染現(xiàn)象；且高分子導(dǎo)電黏膠3具有高延展性，可提供較高的扳彎能力，可使積層陶瓷芯片1二側(cè)電極接面11與導(dǎo)線架2之間、不易被扳動(dòng)而松脫、分離，不致造成積層陶瓷芯片1的龜裂、損壞；又，高分子導(dǎo)電黏膠3的熔點(diǎn)較高，最高可耐約300℃的使用環(huán)境，亦可通過(guò)EN－60068－2－58，260℃±5℃浸錫耐焊測(cè)試的檢測(cè)作業(yè)，并于低溫環(huán)境中進(jìn)行黏著、接合積層陶瓷芯片1與二導(dǎo)線架2，形成開(kāi)放模式(OPE NMODE)設(shè)計(jì)進(jìn)行加工作業(yè)，可以避免進(jìn)行高溫焊接的危險(xiǎn)工作環(huán)境，亦不會(huì)有焊料、助焊劑等四處飛濺、噴灑的情況，可以降低工作環(huán)境的危險(xiǎn)程度、工藝亦較為安全，并能提高成品的積層陶瓷電子組件的產(chǎn)品良率。

且成型的積層陶瓷電子組件予以固定于預(yù)設(shè)電路板4時(shí)，通過(guò)積層陶瓷芯片1二側(cè)導(dǎo)線架2的焊接側(cè)22，通過(guò)表面黏著技術(shù)(SMT)予以焊接于預(yù)設(shè)電路板4表面，而于積層陶瓷芯片1底部與預(yù)設(shè)電路板4表面之間形成中空的緩沖空間10，該緩沖空間10之間距可為0﹒8mm～2﹒5mm之間，除了可以在焊接作業(yè)時(shí)，利用緩沖空間形成空氣流通、降低焊接所產(chǎn)生的溫度，避免高溫直接傳遞至積層陶瓷芯片1，即不致因高溫造成積層陶瓷芯片1的龜裂或損壞，且當(dāng)預(yù)設(shè)電路板4于應(yīng)用時(shí)，受到外力的影響而發(fā)生彎曲、變形等情況，則可通過(guò)緩沖空間10形成緩沖、調(diào)節(jié)作用，不置造成積層陶瓷芯片1受力彎曲或變形而發(fā)生龜裂現(xiàn)象，達(dá)到保護(hù)積層陶瓷芯片1的目的，以延長(zhǎng)積層陶瓷芯片1的使用壽命；且高分子導(dǎo)電黏膠3中，并未添加低熔點(diǎn)金屬材料，則積層陶瓷電子組件在燒結(jié)工藝后，位于基層陶瓷電子組件間的高分子導(dǎo)電黏膠3(可為熱固形樹(shù)脂)硬化后，若高分子導(dǎo)電黏膠3溫度熔融溫度超過(guò)硬化 溫度(150℃)時(shí)，亦不致造成積層陶瓷電子組件間的高分子導(dǎo)電黏膠3分開(kāi)，而積層陶瓷電子組件焊接于預(yù)設(shè)電路板4上，焊接溫度升溫至300℃時(shí)，高分子導(dǎo)電黏膠3的黏著接合力都不改變，則不致發(fā)生積層陶瓷電子組件間的高分子導(dǎo)電黏膠3脫落現(xiàn)象。

且積層陶瓷芯片1二側(cè)電極接面11、二導(dǎo)線架2的接合側(cè)21之間，通過(guò)高分子導(dǎo)電黏膠3予以進(jìn)行低溫黏著接合，可視為在二導(dǎo)線架2與積層陶瓷芯片1(MLCC)中間安置『軟端子』設(shè)計(jì)，因高分子導(dǎo)電黏膠3具有良好的塑性變形能力，即使凝固后仍可保持適當(dāng)?shù)膹椥浴⒀诱剐缘娜彳浶Ч馁|(zhì)，而可如『軟端子』相同具有良好的塑性變形的能力，故而可使產(chǎn)品在遭受外部應(yīng)用時(shí)，可具有較強(qiáng)的耐板彎能力，將成型的積層陶瓷電子組件通過(guò)二導(dǎo)線架2的焊接側(cè)22焊接于預(yù)設(shè)電路板4后，并經(jīng)過(guò)實(shí)際測(cè)試后，可由圖5中清楚看出。

本發(fā)明的積層陶瓷電子組件(圖5中菱形線條)、與傳統(tǒng)高溫焊接工藝成型的積層陶瓷電子組件(圖5中方形線條)，分別以10個(gè)成品(下方1～10數(shù)字即為10個(gè)積層陶瓷電子組件產(chǎn)品)，經(jīng)過(guò)預(yù)設(shè)電路板4進(jìn)行板彎測(cè)試，本發(fā)明的積層陶瓷電子組件的耐板彎能力都保持在11mm，但傳統(tǒng)高溫焊接的積層陶瓷電子組件的耐板彎能力，則下降至10mm或9mm，一但預(yù)設(shè)電路板4產(chǎn)生板彎變形狀態(tài)時(shí)，傳統(tǒng)高溫焊接成型的積層陶瓷電子組件相當(dāng)容易因板彎而導(dǎo)致龜裂、損壞，本發(fā)明的積層陶瓷子組件較不易產(chǎn)生龜裂或損壞等現(xiàn)象，可防止產(chǎn)品上板的后電路板(PCB)后續(xù)加工應(yīng)力造成的損傷。

即便產(chǎn)品遭受極大外部應(yīng)力，超乎產(chǎn)品所能承受的應(yīng)力，產(chǎn)品也會(huì)在高分子導(dǎo)電黏膠3與積層陶瓷芯片1黏合處先行斷裂，形成『Open Mode』開(kāi)放模式，不會(huì)直接造成積層陶瓷芯片1產(chǎn)生裂縫，可以保護(hù)陶瓷電容組件不會(huì)因極大外部應(yīng)力的破壞產(chǎn)生裂縫，并保持原有的積層陶瓷電容的功效，可在通電的使用環(huán)境下，亦不致造成燒板的危險(xiǎn)。

此外，以高分子導(dǎo)電黏膠3黏合的產(chǎn)品，在實(shí)際應(yīng)用上，因高分子導(dǎo)電黏膠3具有高度塑性變形能力，可于積層陶瓷電容作業(yè)中發(fā)熱時(shí)、通過(guò)高分子導(dǎo)電黏膠3的塑性變形能力、將金屬導(dǎo)線架2(金屬材料)與積層陶瓷芯片1(M LCC、陶瓷材料)之間因時(shí)熱膨脹數(shù)不同所產(chǎn)生的拉扯應(yīng)力予以抵消，則積層陶瓷芯片1與二導(dǎo)線架2之間即不易產(chǎn)生相互的拉扯應(yīng)力的破壞，并達(dá)到降低陶瓷電容使用中的受到拉扯應(yīng)力破壞現(xiàn)象的目的，并可提高產(chǎn)品的使用壽命。

因此，以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，非因此局限本發(fā)明的專(zhuān)利范圍，本發(fā)明積層陶瓷電子組件的制造方法及其裝置，于積層陶瓷芯片1二側(cè)電極接面11外側(cè)，分別設(shè)置導(dǎo)線架2，以供二導(dǎo)線架2的接合側(cè)21分別對(duì)位各電極接面11，并于各電極接面11與各接合側(cè)21之間、分別利用高分子導(dǎo)電黏膠3進(jìn)行低溫黏著、接合，從而可達(dá)到保護(hù)積層陶瓷芯片1不致發(fā)生龜裂、損壞的目的，且高分子導(dǎo)電黏膠3含金屬量低、并不含重金屬及鹵素元素，降低對(duì)環(huán)境污染，且不必進(jìn)行后續(xù)的清洗處理，而積層陶瓷芯片1利用二側(cè)導(dǎo)線架2焊設(shè)固定于預(yù)設(shè)電路板4時(shí)，在積層陶瓷芯片1底部與預(yù)設(shè)電路板4表面形成緩沖空間10，使積層陶瓷芯片1不易受到預(yù)設(shè)電路板4的彎曲、變形影響導(dǎo)致龜裂，可延長(zhǎng)積層陶瓷芯片1的使用壽命，故舉凡可達(dá)成前述效果的結(jié)構(gòu)、裝置皆應(yīng)受本發(fā)明所涵蓋，此種簡(jiǎn)易修飾及等效結(jié)構(gòu)變化，均應(yīng)同理包含于本發(fā)明的專(zhuān)利范圍內(nèi)，合予陳明。

故，本發(fā)明為主要針對(duì)積層陶瓷電子組件的制造方法及其裝置進(jìn)行設(shè)計(jì)，利用積層陶瓷芯片二側(cè)電極接面相對(duì)二導(dǎo)線架的接合面，并通過(guò)高分子導(dǎo)電黏膠予以低溫黏著、接合，形成電性導(dǎo)通，而可達(dá)到避免造成積層陶瓷芯片產(chǎn)生龜裂、損壞情況為主要保護(hù)重點(diǎn)，且高分子導(dǎo)電黏膠金屬含量低且不含重金屬及鹵素元素，乃僅使高分子導(dǎo)電黏膠應(yīng)用降低對(duì)環(huán)境造成污染的優(yōu)勢(shì)，并供積層陶瓷芯片通過(guò)二側(cè)導(dǎo)線架與預(yù)設(shè)電路板間形成緩沖空間，避免積層陶瓷芯片受到預(yù)設(shè)電路板影響而龜裂的功效。

以上說(shuō)明對(duì)本發(fā)明而言只是說(shuō)明性的，而非限制性的，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員理解，在不脫離本發(fā)明所附權(quán)利要求所限定的精神和范圍的情況下，可做出許多修改，變化，或等效，但都將落入本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。