1.一種非易失性存儲(chǔ)器，其特征在于，包括：
第一存儲(chǔ)單元，設(shè)置于具有深井區(qū)的基底上，所述第一存儲(chǔ)單元，包括：
堆疊結(jié)構(gòu)，包括依次設(shè)置于所述基底上的柵介電層、柵極以及絕緣層；
浮置柵極，設(shè)置于所述堆疊結(jié)構(gòu)的第一側(cè)的側(cè)壁，且所述浮置柵極的頂部具有轉(zhuǎn)角部；
穿隧介電層，設(shè)置于所述浮置柵極與所述基底之間；
抹除介電層，設(shè)置于所述柵極與所述浮置柵極之間，所述抹除介電層包括第一部分以及位于所述第一部分上的第二部分，其中所述第二部分的厚度小于或等于所述第一部分，且所述轉(zhuǎn)角部鄰近所述抹除介電層的所述第二部分；
源極區(qū)與漏極區(qū)，分別設(shè)置于所述堆疊結(jié)構(gòu)與所述浮置柵極兩側(cè)的所述基底中，其中所述源極區(qū)鄰接所述浮置柵極，所述漏極區(qū)鄰接所述堆疊結(jié)構(gòu)的第二側(cè)，所述第一側(cè)與所述第二側(cè)相對(duì)；
控制柵極，設(shè)置于所述源極區(qū)與所述浮置柵極上；以及
刪間介電層，設(shè)置于所述控制柵極與所述浮置柵極之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器，其特征在于，還包括：
第二存儲(chǔ)單元，設(shè)置于所述基底上，所述第二存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)與所述第一存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)相同，且所述第二存儲(chǔ)單元與所述第一存儲(chǔ)單元成鏡像配置，共用所述源極區(qū)或所述漏極區(qū)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的非易失性存儲(chǔ)器，其特征在于，所述第一存儲(chǔ)單元與所述第二存儲(chǔ)單元共用所述控制柵極，且所述控制柵極填滿所述第一存儲(chǔ)單元與所述第二存儲(chǔ)單元之間的開(kāi)口。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器，其特征在于，還包括：
第三存儲(chǔ)單元，設(shè)置于所述基底上，所述第三存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)與所述第一存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)相同，共用所述源極區(qū)、所述柵極以及所述控制柵極，且所述控制柵極填滿所述第一存儲(chǔ)單元與所述第三存儲(chǔ)單元之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器，其特征在于，所述穿隧介電層還設(shè)置于所述控制柵極與所述源極區(qū)之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器，其特征在于，所述抹除介電 層的所述第一部分的的高度為所述浮置柵極的高度的0.8倍至小于1倍。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器，其特征在于，所述抹除介電層的所述第一部分的材料包括氧化硅/氮化硅、氧化硅/氮化硅/氧化硅或氧化硅。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器，其特征在于，所述絕緣層的材料包括氧化硅。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器，其特征在于，所述刪間介電層的材料包括氧化硅/氮化硅/氧化硅或氮化硅/氧化硅或其他高介電常數(shù)的材料(k＞4)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器，其特征在于，所述穿隧介電層的材料包括氧化硅，所述穿隧介電層的厚度介于60埃至200埃之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器，其特征在于，所述柵介電層的材料包括氧化硅，所述柵介電層的厚度小于或等于所述穿隧介電層的厚度。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器，其特征在于，所述抹除介電層的所述第二部分的材料包括氧化硅，所述第二部分的厚度介于100埃至180埃之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器，其特征在于，所述浮置柵極的所述轉(zhuǎn)角部的角度小于或等于90度。
14.一種非易失性存儲(chǔ)器的抹除方法，其特征在于，適用于權(quán)利要求1-13任一項(xiàng)所述的非易失性存儲(chǔ)器，包括：
在控制柵極施加第一電壓；在選定存儲(chǔ)單元的柵極施加第二電壓；在非選定存儲(chǔ)單元的柵極施加0伏特的電壓；在漏極區(qū)、源極區(qū)、深井區(qū)、基底施加第三電壓。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的非易失性存儲(chǔ)器的抹除方法，其特征在于，所述第一電壓為-8～0伏特，所述第二電壓為2倍的電壓Vcc，所述第三電壓為電壓Vcc。