本發(fā)明與半導(dǎo)體元件的制程相關(guān)，更具體而言，關(guān)于一種改善制造半導(dǎo)體元件的微影制程的方法。

背景技術(shù)：

在本段落中所包含的以下的敘述與示例，并非為申請人所承認的先前技術(shù)。

半導(dǎo)體元件的制造，是藉由將多層電路圖案制作于晶圓上，以形成具有大量集成的電晶體的一復(fù)雜電路。在半導(dǎo)體元件的制造流程中，微影制程是負責(zé)將電路設(shè)計者所設(shè)計的電路圖案轉(zhuǎn)移至晶圓上的制程。

具有不透光以及透光的圖案的光罩用來根據(jù)電路圖案在晶圓上將元件層圖案化。光罩上鄰近圖案的效應(yīng)與光學(xué)繞射、晶圓上相鄰層的化學(xué)機械研磨(chemical-mechanical polishing，CMP)，以及制造于晶圓上的相鄰層的圖案之間的幾何與重疊關(guān)系都有可能會造成元件層圖案的變形。由于積體電路(integrated circuits，ICs)的元件密度增加了積體電路圖案與配置的復(fù)雜度，元件層圖案的變形經(jīng)常會產(chǎn)生系統(tǒng)性缺陷，而該些系統(tǒng)性缺陷會導(dǎo)致晶圓上的半導(dǎo)體元件的制作失敗，或者造成關(guān)鍵尺寸(critical dimension，CD)的誤差，而使半導(dǎo)體元件的效能降低。

圖1為一現(xiàn)有的流程圖，其中顯示了制造半導(dǎo)體元件時，最佳化其微影制程所使用的初始設(shè)置以及后續(xù)調(diào)整的現(xiàn)有流程。用于制造一元件層的光罩的電路圖案，由電路設(shè)計者所產(chǎn)生的一設(shè)計資料檔案所描述，如方塊101所示，所述設(shè)計資料檔案為GDS或是OASIS格式。設(shè)計資料可以是由隨機邏輯產(chǎn)生器(random logic generator，RLG)所產(chǎn)生的隨機電路圖案，或者是廠商或試點客戶所提供的產(chǎn)品質(zhì)量檢驗工具(product qualification vehicle，PQV)。方塊102中顯示了光學(xué)鄰近校正(optical proximity correction，OPC)創(chuàng)作，其中產(chǎn)生所需要的OPC所使用的OPC模型與配方是來自方塊103。在 OPC創(chuàng)作后，方塊102根據(jù)OPC模型以及可制造性設(shè)計(design for manufacturability，DFM)模型執(zhí)行OPC認證與微影制程檢查(lithographic process check，LPC)認證。

OPC與LPC認證預(yù)期了可能造成產(chǎn)量限制的特定電路布局以及圖案的重要點。如方塊104所示，透過微影制程使用OPC光罩所制造的晶圓，由光學(xué)或電子束檢測器以及度量衡工具所檢測，藉此偵測晶圓中的缺陷，并且測量重要點的關(guān)鍵尺寸。預(yù)期的重要點的檢測資料以及測量資料被回饋至方塊103，以調(diào)整OPC以及DFM的模型與配方。一般來說，由于圖案化的誤差來自包括了光學(xué)、化學(xué)、蝕刻、CMP與其他制程以及光罩/光標的誤差等，多種因鄰近與下方的環(huán)境影響所造成的效果，要達成完美的OPC/DFM模型與配方并非為容易的事情。更糟糕的是，上述的某些效果所影響的為近距離，而某些效果所影響的為長距離的效果。

若在微影制程中的光學(xué)狀況與用于獲得OPC解決方案的模擬光學(xué)狀況相同，OPC在線寬控制方面是可達成有效的結(jié)果。散焦與曝光劑量的不同，使得線寬即使在OPC后仍然會有差異。微影制程中的聚焦差異是由抗蝕劑厚度、晶圓表面高低的變化、以及晶圓平面與透鏡系統(tǒng)之間的相關(guān)距離的改變所造成。劑量的差異一般是由掃描器或者光學(xué)微影系統(tǒng)的照射所造成。聚焦深度以及曝光寬容度界定了微影系統(tǒng)的制程窗口。制程窗口的最新進步雖然使OPC能保證提供可接受的微影品質(zhì)，但制程窗口中的線寬仍會有差異存在。線寬的差異對于設(shè)計電路的時序與泄漏電流具有直接的影響。

微影制程(Lithographic process，LP)模擬是一般用來模擬電路圖案并且預(yù)測容易造成圖案變形的重要點的方法，并且也可以透過在電路布局上執(zhí)行CMP模擬來判定重要點。除了這些方法之外，也可以在元件上執(zhí)行物理性故障分析(Physical failure analysis，PFA)來辨識重要點。OPC與LPC為一般用于校正圖案變形時所使用的重要技術(shù)。

然而，在實務(wù)上來說，并非所有的重要點都會造成系統(tǒng)性的缺陷，而且并非所有的系統(tǒng)性缺陷都可以由模擬過程透過重要點所預(yù)測。為了確保系統(tǒng)性缺陷能夠被辨識且排除以使半導(dǎo)體元件的制程能夠具有高產(chǎn)量，透過晶圓的采樣與檢測所進行的制程監(jiān)測是必要的程序。制程監(jiān)測中一種常用的手段，是藉由在制造流程中對多個晶圓與晶粒進行采樣，以搜集大量重要點的掃描 式電子顯微鏡(scanning electron microscopic，SEM)的影像。該些重要點可以由LPC、CMP、PFA或其他經(jīng)驗與知識來預(yù)測。

隨著微影制程的技術(shù)被推向其最大的極限，各種技術(shù)以及低介電材料亦被使用來追求解決方案以及降低線寬。結(jié)果，大幅地增加了光罩誤差增益效應(yīng)，即，光罩上的關(guān)鍵尺寸誤差在晶圓上被大幅地放大。在先進技術(shù)節(jié)點中的多晶硅線寬的差異，是電晶體效能差異以及電路參數(shù)和生產(chǎn)良率的主要影響來源。目前已了解所觀察到的差異的很大一部份，是由在光學(xué)鄰近效應(yīng)中的鄰近布局圖案的系統(tǒng)性影響所造成。在進行設(shè)計的最佳化時應(yīng)將這些差異納入考量，以將晶片設(shè)計的性能與產(chǎn)能最佳化。

在制程監(jiān)測中，當藉由檢測SEM影像或PFA將造成系統(tǒng)性缺陷的重要點辨識出來后，進行圖案變形的校正為關(guān)鍵的過程。然而，當半導(dǎo)體制造的技術(shù)進步至20nm或者更小，其電路設(shè)計的架構(gòu)也隨之縮小，而在設(shè)計上對幾何尺寸的減縮造成了許多系統(tǒng)性的制造變化，其對半導(dǎo)體的產(chǎn)量造成的限制也大于其他隨機性的變化。在光學(xué)鄰近效應(yīng)中的小幾何尺寸內(nèi)的相互作用、制程鄰近效應(yīng)、…以及相鄰層之間等原因，導(dǎo)致辨識圖案變形的根本原因以供校正的過程變得困難。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于解決為了改善半導(dǎo)體元件制程中的微影制程，在預(yù)測與揭露制程中的關(guān)鍵重要點時如上文中所提及的挑戰(zhàn)與缺點。據(jù)此，本發(fā)明提供一種結(jié)合晶圓實體測量結(jié)果與數(shù)位模擬資料，以辨識半導(dǎo)體元件制程中的關(guān)鍵重要點的方法。

本發(fā)明透過數(shù)位分析來辨識晶圓實體數(shù)據(jù)與模擬數(shù)據(jù)之間的相關(guān)性。接著，根據(jù)相關(guān)性分析的結(jié)果校正模擬數(shù)據(jù)，藉此捕捉在數(shù)位模擬結(jié)果中未預(yù)期到的效果所造成的圖案誤差。在本發(fā)明的一實施例中，CD數(shù)據(jù)為從制造半導(dǎo)體元件的加工晶圓上所取得的實體測量結(jié)果，而候選重要點為根據(jù)OPC/LPC模型、認證以及其他方法從半導(dǎo)體元件的設(shè)計資料中以數(shù)位化的模擬方法所產(chǎn)生的模擬數(shù)據(jù)。

在半導(dǎo)體元件的設(shè)計資料中準備了一定數(shù)量的CD目標。利用基于半導(dǎo)體元件的設(shè)計資料所進行的OPC/LPC認證以及OPC/DFM模型以取得多個重 要點，作為預(yù)測的候選重要點。在半導(dǎo)體元件的晶圓上測量CD目標的CD數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)分析是根據(jù)所測量的CD數(shù)據(jù)以及候選重要點的模擬數(shù)據(jù)并參照設(shè)計資料所進行，以產(chǎn)生用于監(jiān)測所制造的晶圓的關(guān)鍵重要點。

根據(jù)本發(fā)明，數(shù)據(jù)分析提供了在所測量的CD數(shù)據(jù)與候選重要點的模擬數(shù)據(jù)之間的數(shù)據(jù)相關(guān)性以及數(shù)據(jù)校正，以從該些候選重要點中辨識出關(guān)鍵重要點。在一較佳實施例中，根據(jù)OPC與LPC認證所預(yù)測的邊緣定位誤差數(shù)據(jù)來選擇候選重要點。接著，進行測量CD數(shù)據(jù)與預(yù)測邊緣定位數(shù)據(jù)之間的相關(guān)性分析，以校正預(yù)測邊緣定位數(shù)據(jù)，藉此辨識關(guān)鍵重要點。

在本發(fā)明的一實施例中，以CD目標的測量CD數(shù)據(jù)校準預(yù)測的邊緣定位誤差，是根據(jù)與相對應(yīng)的預(yù)測邊緣定位誤差數(shù)據(jù)的位置具有最接近的位置鄰近度的CD目標進行。在本發(fā)明的另一實施例中，預(yù)測邊緣定位誤差的校準，是根據(jù)與對應(yīng)的預(yù)測邊緣定位誤差數(shù)據(jù)的設(shè)計資料具有最佳相關(guān)性的CD目標所進行。此外，數(shù)據(jù)的相關(guān)性分析與校正亦可以基于從晶圓上所取得的光學(xué)或SEM影像，或是從設(shè)計資料中建模與呈現(xiàn)的模擬影像所進行。

為了配合晶圓與晶圓之間的差異性以及達到更好的精確度，本發(fā)明在晶圓的檢測與度量進行的同時產(chǎn)生并且監(jiān)控關(guān)鍵重要點。本發(fā)明提供一晶圓加工監(jiān)測工具來執(zhí)行晶圓的檢測與度量，而數(shù)據(jù)分析是在CD數(shù)據(jù)透過度量衡進行測量的同時在產(chǎn)線上執(zhí)行，藉此即時應(yīng)變的辨識關(guān)鍵重要點以供監(jiān)控與檢測。此外，透過監(jiān)控關(guān)鍵重要點所取得的CD數(shù)據(jù)以及缺陷，可以被用來調(diào)整OPC與DFM的模型與配方的初始設(shè)置，或者可以用來進行后續(xù)的調(diào)整。

附圖說明

熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員在配合附圖研讀下文中所述的較佳實施例后能夠?qū)ζ涑浞至私獠⑶覔?jù)以實施，其中，本發(fā)明的圖示包括：

圖1為一方塊圖，其中顯示了制造半導(dǎo)體元件中，最佳化其微影制程的初始設(shè)置以及調(diào)整的現(xiàn)有流程；

圖2為一方塊圖，其中顯示了本發(fā)明透過CD測量、重要點預(yù)測以及數(shù)據(jù)分析所進行的關(guān)鍵重要點認證的流程；

圖3為一方塊圖，其中顯示了本發(fā)明藉由結(jié)合晶圓實體測量結(jié)果與數(shù)位模擬資料所進行的關(guān)鍵重要點認證的數(shù)據(jù)分析的流程；以及

圖4為一方塊圖，其中顯示了本發(fā)明為了將半導(dǎo)體元件制程中的微影制程最佳化，透過數(shù)據(jù)分析進行的重要點的產(chǎn)生與監(jiān)控，以供初始設(shè)置以及后續(xù)調(diào)整的流程。

其中，附圖標記說明如下：

101 GDS或OASIS格式的設(shè)計資料

102 OPC創(chuàng)作、OPC/LPC認證

103 OPC/DFM模型與配方的設(shè)置與調(diào)整

104 晶圓光學(xué)或電子束檢測與度量

201 設(shè)計資料

202 OPC創(chuàng)作、OPC/LPC認證

203 OPC/DFM模型與配方

204 CD目標

205 重要點預(yù)測

206 光學(xué)或電子束度量

207 數(shù)據(jù)分析

208 關(guān)鍵重要點

301 數(shù)據(jù)相關(guān)性分析與校正

302 邊緣定位誤差數(shù)據(jù)

303 CD數(shù)據(jù)

304 設(shè)計資料

305 關(guān)鍵重要點

403 OPC與DFM模型的初始設(shè)置或后續(xù)調(diào)整

具體實施方式

圖2顯示了根據(jù)本發(fā)明中為了監(jiān)控半導(dǎo)體元件的制程而進行的辨識關(guān)鍵重要點的方法。請參照圖2，半導(dǎo)體晶圓上形成有作為CD目標的多個測試結(jié)構(gòu)，以進行晶圓上的CD數(shù)據(jù)的一致性與差異性的監(jiān)測。

如圖2所示，所需的OPC是透過OPC/DFM模型與配方203由OPC創(chuàng)作202所創(chuàng)建。具有預(yù)期關(guān)鍵尺寸的CD目標204是基于設(shè)計資料201中以GDS或是OASIS格式所記載的CD目標圖案與位置制造于晶圓上。實體CD 數(shù)據(jù)207是透過光學(xué)或電子束度量206在晶圓上進行測量所取得。

基于OPC與DFM模型的OPC/LPC認證202被廣泛使用來預(yù)測重要點。候選重要點經(jīng)常是根據(jù)由OPC/LPC認證202所預(yù)測的電路圖案的邊緣定位誤差所認定。然而，如上文中所述，當線寬低于20nm時，目前已觀察到有某些關(guān)鍵重要點已經(jīng)無法由OPC與DFM模型正確的預(yù)測出來。

CD數(shù)據(jù)為反映晶圓制造完成后經(jīng)由所有鄰近以及下方元件層所造成的影響的真實實體數(shù)據(jù)。由于在執(zhí)行CD測量時設(shè)計晶片中可使用的區(qū)域以及所需的時間的緣故，CD目標的數(shù)量通常非常有限。雖然在光學(xué)的解析度與圖案的幾何被推向極限之后較難透過建模、模擬與預(yù)測的方式取得某些差異與誤差，邊緣定位誤差仍然能夠在OPC與DFM模型中有效的表示電路圖案在晶圓上的設(shè)置與印制的趨勢。此外，與測量大量的CD數(shù)據(jù)相較而言，以數(shù)位模擬產(chǎn)生密集的模擬數(shù)據(jù)也較為簡單。因此，本發(fā)明的方法的設(shè)計的目的，是將稀疏的晶圓實體測量結(jié)果與由數(shù)位模擬結(jié)果所預(yù)測的密集的邊緣定位誤差做結(jié)合，以改善半導(dǎo)體元件的制程。

根據(jù)本發(fā)明，以O(shè)PC/LPC認證202所預(yù)測的候選重要點，進一步以實際的CD數(shù)據(jù)來做精準的調(diào)整與校準。重要點預(yù)測205的輸出亦包括了邊緣定位誤差數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)分析207是參照設(shè)計資料201，并且以光學(xué)或電子束度量206所取得的測量CD數(shù)據(jù)以及重要點預(yù)測205中所取得的邊緣定位誤差數(shù)據(jù)作為輸入所進行。原則上來說，邊緣定位誤差數(shù)據(jù)代表了基于模型的模擬誤差數(shù)據(jù)，而測量CD數(shù)據(jù)代表了從晶圓實體測量所取得的真實誤差數(shù)據(jù)。

如圖3所示，本發(fā)明的數(shù)據(jù)分析是參照設(shè)計資料304，根據(jù)從晶圓實體測量所取得的CD數(shù)據(jù)303以及由數(shù)位模擬所產(chǎn)生的邊緣定位誤差數(shù)據(jù)302進行數(shù)據(jù)相關(guān)性分析與校正301，以判定供監(jiān)控的關(guān)鍵重要點305。

從多個CD目標中測量的CD數(shù)據(jù)，可以包括一個CD測量數(shù)據(jù)的清單。每一筆CD測量數(shù)據(jù)至少包括測量CD目標的位置、電路圖案類型、CD誤差以及晶圓區(qū)域資訊。此外，光罩或光標的場域資訊亦可以被包含在CD測量數(shù)據(jù)中，以捕捉由光罩或光標的CD誤差所造成的圖案誤差。邊緣定位誤差數(shù)據(jù)包括了多個位置以及對應(yīng)位置的模擬邊緣定位誤差的清單。

應(yīng)注意的是，本發(fā)明中用于取得晶圓實體測量結(jié)果的CD目標，可以為設(shè)置且分布于半導(dǎo)體元件的整個晶片上的簡單CD圖案。簡單的CD圖案可 以被放置在其鄰近或下方有某種特性的特定電路的一預(yù)定范圍中的各個位置處，該些特性包括如密度、方位、頂點、線端以及多層圖案的分裂點等特性，藉此捕捉該些特性所造成的效果。CD目標也可以為根據(jù)特定圖案的鄰近或下方特性，從設(shè)計資料中所選擇的既有的元件電路圖案。

在本發(fā)明的數(shù)據(jù)分析中，CD數(shù)據(jù)以及邊緣定位誤差數(shù)據(jù)之間的數(shù)據(jù)相關(guān)性分析與校正，可以由幾種不同的手段來完成。在一實施例中，是根據(jù)兩組數(shù)據(jù)之間的位置鄰近度來進行相關(guān)性分析。舉例來說，可以針對邊緣定位誤差數(shù)據(jù)的每一筆資料將最接近的CD目標辨識出來。為了能夠在晶圓上預(yù)測出更多正確的邊緣定位誤差數(shù)據(jù)，可以從最接近的CD目標中所測量的CD誤差數(shù)據(jù)校準模擬邊緣誤差數(shù)據(jù)。接著，可以針對校準后的模擬邊緣誤差數(shù)據(jù)進行分級，其中，較大的邊緣定位誤差，或較為容易成為短路或斷路的邊緣定位誤差的位置，可以將其辨識和認定為關(guān)鍵重要點。

在另一實施例中，可以根據(jù)兩組數(shù)據(jù)之間的電路圖案來進行數(shù)據(jù)的相關(guān)性分析。設(shè)計片段代表了位于晶片的某一區(qū)域處的中心位置的電路圖案。在本發(fā)明中，數(shù)據(jù)分析步驟是從設(shè)計資料中為模擬邊緣定位誤差數(shù)據(jù)中的每一筆資料的位置擷取設(shè)計片段。每一個CD目標的設(shè)計片段亦可以根據(jù)其自身的電路圖案類型所取得，或者根據(jù)CD目標位置從設(shè)計資料中所擷取。

對邊緣定位誤差數(shù)據(jù)中的每一筆資料來說，可以辨識出與各個資料位置的設(shè)計片段具有最高相關(guān)性的CD目標的設(shè)計片段。此外，可以根據(jù)從具有最高設(shè)計片段相關(guān)性的CD目標處所測量的CD誤差數(shù)據(jù)，來校準模擬邊緣定位誤差數(shù)據(jù)。設(shè)計片段相關(guān)性可以從根據(jù)設(shè)計片段所建模與呈現(xiàn)的模擬影像或者從設(shè)計片段擷取的設(shè)計特征中判定，其中，設(shè)計特征包括了如頂點數(shù)量、具有不同方位的多邊形或者線條，或者任何上述特征的組合。

在另一實施例中，相關(guān)性分析亦可以將下方元件層的設(shè)計圖案納入考量。換言之，為CD目標以及邊緣定位誤差位置所擷取的設(shè)計片段可以包括現(xiàn)在元件層下方的元件層的設(shè)計片段。雖然在模擬邊緣定位誤差時，有可能可以包括下方元件層或結(jié)構(gòu)，但是模擬的復(fù)雜度使得取得正確的結(jié)果變得非常煩冗與困難。因此，藉由將下方元件層的設(shè)計片段包含在相關(guān)性分析之中，校準過的模擬邊緣定位誤差數(shù)據(jù)應(yīng)當可以反映先前元件層的影響，并且可以更好的預(yù)測關(guān)鍵重要點。

雖然在上文中針對幾個透過數(shù)位模擬進行晶圓實體測量的相關(guān)性分析的示例性實施例進行了描述，本發(fā)明的數(shù)據(jù)分析亦可以透過許多其他的方式實施。晶圓實體測量結(jié)果亦可以包括如光學(xué)或SEM影像等實體影像。模擬影像亦可以由設(shè)計片段建?；虍a(chǎn)生。數(shù)據(jù)相關(guān)性分析可以根據(jù)從實體影像或模擬影像所擷取的設(shè)計特征、多邊形特性或者影像特性來執(zhí)行。此外，亦可以根據(jù)模擬影像以及實體影像之間的直接影像相關(guān)性分析來進行圖案相關(guān)性分析。

值得一提的是，在判定數(shù)據(jù)相關(guān)性的現(xiàn)有技術(shù)中，有許多判斷如特征、設(shè)計片段或者影像等兩組數(shù)據(jù)之間的相關(guān)性的技巧。其中一種示例性的方法，是計算兩組數(shù)據(jù)之間的標準化交叉相關(guān)系數(shù)。另一種示例性的方式，是計算兩組數(shù)據(jù)之間的平方差分的總和。這些方法都可用于本發(fā)明的數(shù)據(jù)相關(guān)性分析中，且可以選擇合適的技巧以提供最正確的相關(guān)性分析結(jié)果。

如上所述，在從CD目標測量CD數(shù)據(jù)后，由本發(fā)明中圖2所示的方法所進行的數(shù)據(jù)分析判定的關(guān)鍵重要點，可以在半導(dǎo)體元件的制程中用于進行產(chǎn)線上的晶圓監(jiān)控。此外，可以基于數(shù)據(jù)分析所判定的關(guān)鍵重要點進行晶圓檢測的智慧采樣，以更有效率的使用晶圓檢測的資源。為了配合晶圓與晶圓之間的差異性以及獲得更多的優(yōu)點，數(shù)據(jù)分析亦可以在晶圓的度量與檢測在進行的同時在產(chǎn)線上執(zhí)行，如圖4所示。

請參照圖4，可以設(shè)計一個具有檢測以及度量衡功能的晶圓加工監(jiān)測工具。當由度量衡測量CD數(shù)據(jù)后，數(shù)據(jù)分析207可以根據(jù)已經(jīng)可用的CD數(shù)據(jù)以及預(yù)測邊緣定位誤差數(shù)據(jù)來辨識關(guān)鍵重要點。接著，可以馬上以相同的晶圓加工監(jiān)測工具執(zhí)行關(guān)鍵重要點晶圓檢測，以加速發(fā)現(xiàn)可能嚴重影響半導(dǎo)體元件制程產(chǎn)量的系統(tǒng)性缺陷和縮短偵測時間。

根據(jù)本發(fā)明，一旦CD目標的CD數(shù)據(jù)準備好了之后，數(shù)據(jù)分析207便能透過模擬邊緣定位誤差數(shù)據(jù)執(zhí)行數(shù)據(jù)相關(guān)性分析以及校正。產(chǎn)線上執(zhí)行數(shù)據(jù)分析的優(yōu)點之一，在于能夠根據(jù)CD測量所偵測到的制程差異即時應(yīng)變的判別重要點。如此一來，便能在不需要將晶圓卸載的情形下，藉由數(shù)據(jù)分析所判定的晶圓上的重要點，在同一個晶圓加工監(jiān)測工具上及時進行光學(xué)或電子束檢測。

如圖4所示，亦可以將CD數(shù)據(jù)與檢測數(shù)據(jù)的結(jié)果回饋，以進行OPC與 DFM模型的初始設(shè)置或后續(xù)調(diào)整403，藉此將半導(dǎo)體元件制程中的微影制程最佳化。數(shù)據(jù)分析207是在晶圓度量與檢測進行的同時執(zhí)行。透過在產(chǎn)線上測量晶圓所取得的CD數(shù)據(jù)，OPC/DFM模型與配方可以被更佳的調(diào)整，藉此將模型無法預(yù)測但在制造過程中出現(xiàn)的差異與誤差納入考量。

凡是利用本文內(nèi)容及所附圖式而達成的等效結(jié)構(gòu)，不論是直接或間接應(yīng)用于此技術(shù)領(lǐng)域或其他相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，均應(yīng)視為屬于本發(fā)明的權(quán)利要求范圍內(nèi)。