技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)涉及一種功率半導(dǎo)體封裝件及其制造方法。

背景技術(shù)：

近來(lái)，隨著電子裝置的技術(shù)已經(jīng)迅速發(fā)展來(lái)實(shí)現(xiàn)高速、高容量和高集成度，已經(jīng)需要在汽車(chē)、工業(yè)裝置和家用電器中使用的功率半導(dǎo)體裝置的尺寸和重量減小，同時(shí)可以以低成本獲得。

功率半導(dǎo)體封裝件通常包括多個(gè)功率半導(dǎo)體裝置、控制裝置、引線框架、散熱板和包封樹(shù)脂，功率半導(dǎo)體封裝件被安裝在用于在產(chǎn)品中使用的印刷電路板上。

為了連接控制裝置和功率半導(dǎo)體裝置，鋁(Al)引線被鍵合到裝置。

當(dāng)被引線鍵合時(shí)，功率半導(dǎo)體裝置會(huì)被鍵合力損壞。此外，引線的直徑非常小，以致于引線會(huì)被板的振動(dòng)損壞。因此，引線會(huì)變得有缺陷，進(jìn)而裝置之間的連接會(huì)有缺陷。

當(dāng)引線的直徑增大時(shí)，應(yīng)該提供足夠的高度以允許引線牢固地鍵合，結(jié)果增大了包封樹(shù)脂的厚度。這導(dǎo)致功率半導(dǎo)體封裝件的厚度增大。

因此，需要減小功率損失并具有減小的厚度的功率半導(dǎo)體封裝件及其制造方法。

專利文獻(xiàn)1公開(kāi)了一種功率半導(dǎo)體封裝件及其制造方法。

【現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)】

(專利文獻(xiàn)1)第2009-0093162號(hào)韓國(guó)專利公開(kāi)公布

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本公開(kāi)的示例性實(shí)施例可以提供一種功率半導(dǎo)體封裝件及其制造方法。

根據(jù)本公開(kāi)的示例性實(shí)施例，一種功率半導(dǎo)體封裝件可以包括：板，在板中形成有空腔；第一電路圖案，設(shè)置在包括空腔的內(nèi)壁的板的上表面上；第一半導(dǎo)體裝置，在空腔內(nèi)設(shè)置在第一電路圖案上；絕緣樹(shù)脂，設(shè)置在空腔內(nèi)并包封第一半導(dǎo)體裝置；過(guò)孔，設(shè)置在絕緣樹(shù)脂的內(nèi)部的上部分中并連接到第一半導(dǎo)體裝置；第二電路圖案，設(shè)置在絕緣樹(shù)脂上并連接到過(guò)孔；引線框架，連接到第二電路圖案的各個(gè)端部；以及包封樹(shù)脂，密封設(shè)置在板的上表面上的第一半導(dǎo)體裝置、絕緣樹(shù)脂和第二電路圖案，并暴露板的下表面和引線框架的多個(gè)部分。

根據(jù)本公開(kāi)的示例性實(shí)施例，一種制造功率半導(dǎo)體封裝件的方法可以包括：在板中形成空腔；在包括空腔的內(nèi)壁的板的上形成第一電路圖案；在空腔內(nèi)設(shè)置第一半導(dǎo)體裝置；將絕緣樹(shù)脂注入到空腔的內(nèi)部以包封第一半導(dǎo)體裝置；在絕緣樹(shù)脂的內(nèi)部的上部分中形成過(guò)孔，過(guò)孔連接到第一半導(dǎo)體裝置；在絕緣樹(shù)脂上形成第二電路圖案，第二電路圖案連接到過(guò)孔；在第二電路圖案的各個(gè)端部上形成引線框架；以及形成密封設(shè)置在板的上表面上的第一半導(dǎo)體裝置、絕緣樹(shù)脂和第二半導(dǎo)體圖案并暴露板的下表面和引線框架的多個(gè)部分的包封樹(shù)脂。

附圖說(shuō)明

通過(guò)下面結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)描述，本公開(kāi)的以上和其它方面、特征和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)被更清楚地理解，在附圖中：

圖1和圖2是示意性地示出根據(jù)本公開(kāi)的示例性實(shí)施例的功率半導(dǎo)體封裝件的剖視圖；

圖3和圖4是示意性地示出根據(jù)本公開(kāi)的另一示例性實(shí)施例的功率半導(dǎo)體封裝件的剖視圖；

圖5是示意性地示出根據(jù)本公開(kāi)的另一示例性實(shí)施例的功率半導(dǎo)體封裝件的剖視圖；

圖6A是圖1的部分“A”的放大剖視圖，圖6B是圖1的部分“A”的平面圖；

圖7A是圖5的部分“A”的放大剖視圖，圖7B是圖5的部分“A”的平面圖；以及

圖8A至圖8H是示出根據(jù)本公開(kāi)的示例性實(shí)施例的制造功率半導(dǎo)體封裝 件的方法的示意圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將參照附圖詳細(xì)描述本公開(kāi)的示例性實(shí)施例。

然而，本公開(kāi)可以以很多不同的形式來(lái)舉例說(shuō)明，并不應(yīng)該被解釋為局限于在此闡述的特定實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例，使得本公開(kāi)將是徹底的和完整的，且這些實(shí)施例將把本公開(kāi)的范圍充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。

在附圖中，為了清晰起見(jiàn)，可夸大元件的形狀和尺寸，并將始終使用相同的附圖標(biāo)記來(lái)表示相同或相似的元件。

功率半導(dǎo)體封裝件

圖1和圖2是示意性地示出根據(jù)本公開(kāi)的示例性實(shí)施例的功率半導(dǎo)體封裝件的剖視圖，圖3和圖4是示意性地示出根據(jù)本公開(kāi)的另一示例性實(shí)施例的功率半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。

參照?qǐng)D1和圖2，根據(jù)本公開(kāi)的示例性實(shí)施例的功率半導(dǎo)體封裝件100包括：板110，在它的上部分中形成有空腔；第一電路圖案114，設(shè)置在包括空腔的內(nèi)壁的板110的上表面上；第一半導(dǎo)體裝置120，在空腔內(nèi)設(shè)置在第一電路圖案114上；絕緣樹(shù)脂130，設(shè)置在空腔內(nèi)并包封第一半導(dǎo)體裝置120；過(guò)孔(未示出)，形成在絕緣樹(shù)脂130的內(nèi)部的上部分中并連接到第一半導(dǎo)體裝置120；第二電路圖案140，設(shè)置在絕緣樹(shù)脂130上并連接到過(guò)孔；引線框架150，連接到第二電路圖案140的各個(gè)端部；包封樹(shù)脂160，密封設(shè)置在板110的上表面上的第一半導(dǎo)體裝置120，絕緣樹(shù)脂130和第二電路圖案140，并暴露板110的下表面和引線框架150的多個(gè)部分。

板110可以是銅(Cu)板。

絕緣層112可以設(shè)置在板110與第一電路圖案114之間。

絕緣層112可以包括氧化鋁(Al₂O₃)、氮化鋁(AlN)、二氧化硅(SiO₂)和氧化鈹(BeO)之中的任何一種。

第一電路圖案114可以包括銅。第一電路圖案114可以通過(guò)鍍覆銅來(lái)形成。

第一半導(dǎo)體裝置120可以通過(guò)設(shè)置在第一半導(dǎo)體裝置120與第一電路圖案114之間的焊料鍵合部121連接到第一電路圖案114。

焊料鍵合部121可以是錫(Sn)、銀(Ag)、銅(Cu)、鉍(Bi)、銦 (In)、鋅(Zn)、銻(Sb)、鉛(Pb)和金(Au)之中的任何一種或可以是包括它們的兩種或更多種的合金。

當(dāng)物理撞擊在后處理過(guò)程中被施加到半導(dǎo)體裝置時(shí)，在半導(dǎo)體裝置中會(huì)出現(xiàn)諸如裂縫或崩角的缺陷。

由于半導(dǎo)體裝置的這種缺陷，會(huì)降低功率半導(dǎo)體封裝件的功率。

根據(jù)本公開(kāi)的示例性實(shí)施例，功率半導(dǎo)體封裝件100包括設(shè)置在空腔內(nèi)并包封第一半導(dǎo)體裝置120的絕緣樹(shù)脂130。

絕緣樹(shù)脂130可以是環(huán)氧樹(shù)脂或硅樹(shù)脂。

絕緣樹(shù)脂130可以填充空腔的內(nèi)部并包封第一半導(dǎo)體裝置120。

絕緣樹(shù)脂130通過(guò)包封第一半導(dǎo)體裝置120，可以減小施加到第一半導(dǎo)體裝置120的物理撞擊。

即，絕緣樹(shù)脂130可以吸收施加到第一半導(dǎo)體裝置120的物理裝置，從而防止由于施加到第一半導(dǎo)體裝置120的外部撞擊產(chǎn)生的諸如裂紋或崩角的缺陷。

因此，絕緣樹(shù)脂130可以防止第一半導(dǎo)體裝置120的缺陷并防止功率半導(dǎo)體封裝件100的功率損失。

絕緣樹(shù)脂130包括形成在其內(nèi)部的上部分的過(guò)孔(未示出)。過(guò)孔電連接到第一半導(dǎo)體裝置120。

過(guò)孔可以填充有導(dǎo)體金屬。

導(dǎo)體金屬可以包括從銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)和錫(Sn)中選擇的任何一種。

圖6A是圖1的部分“A”的剖視圖，圖6B是圖1的部分“A”的平面圖。

參照?qǐng)D6A和圖6B，第一半導(dǎo)體裝置120可以包括硅板122、設(shè)置在硅板122上的發(fā)射極或漏電極124、設(shè)置在硅板122上并與發(fā)射極或漏電極124間隔開(kāi)的基電極或柵電極126以及設(shè)置在硅板122下方的集電極或源電極128。

發(fā)射極124和柵電極126可以通過(guò)鈍化層123而絕緣。

集電極128可以與焊料鍵合部121相連，發(fā)射極124和柵電極126可以與過(guò)孔相連。集電極128可以連接到第一電路圖案144，發(fā)射極124和柵電極126可以連接到第二電路圖案140a和140b。

過(guò)孔可以位于第二電路圖案140a和140b的中心。

設(shè)置在發(fā)射極124上方并連接到第二電路圖案140a的過(guò)孔可以形成為兩個(gè)或更多個(gè)區(qū)域。

當(dāng)過(guò)孔形成為兩個(gè)或更多個(gè)區(qū)域時(shí)，流進(jìn)功率半導(dǎo)體封裝件100中的電流可以分散地流動(dòng)。因此，可以增大第一半導(dǎo)體裝置120的其中有電流流動(dòng)的區(qū)域，從而防止電場(chǎng)在局部區(qū)域上的聚集并防止對(duì)第一半導(dǎo)體裝置120的損壞。

在功率半導(dǎo)體封裝件的相關(guān)領(lǐng)域中，鋁(Al)引線用于連接板和半導(dǎo)體裝置并用于連接半導(dǎo)體裝置。

這里，連接的引線的直徑可以根據(jù)裝置而改變，引線的直徑可以是1.5mm或更小。

在引線鍵合工藝過(guò)程中，半導(dǎo)體裝置會(huì)被鍵合力損壞。此外，由于引線的直徑小，使得引線會(huì)由于板的振動(dòng)而被損壞。因此，引線變得有缺陷并且裝置之間的接觸會(huì)是有缺陷的。

如果引線的直徑增大，則應(yīng)當(dāng)為引線的牢固連接提供足夠的高度，從而增大了包封樹(shù)脂的厚度。因此造成功率半導(dǎo)體封裝件具有增大的厚度。

第二電路圖案140設(shè)置在絕緣樹(shù)脂130上并連接到過(guò)孔。

第二電路圖案140可以包括銅(Cu)。第二電路圖案140可以通過(guò)鍍覆銅來(lái)形成。

第二電路圖案140可以連接到過(guò)孔以便電連接到第一半導(dǎo)體裝置120。

第二電路圖案140可以設(shè)置在功率半導(dǎo)體封裝件100內(nèi)，因此，可以省略鋁引線鍵合工藝并可以減小功率半導(dǎo)體封裝件100的尺寸。

引線框架150可以通過(guò)焊料鍵合部151連接到第二電路圖案140。

焊料鍵合部151可以是錫(Sn)、銀(Ag)、銅(Cu)、鉍(Bi)、銦(In)、鋅(Zn)、銻(Sb)、鉛(Pb)和金(Au)之中的任何一種或可以是包括它們的兩種或更多種的合金。

引線框架150可以將第一半導(dǎo)體裝置120連接到外部電路，并用作將功率半導(dǎo)體封裝件100固定到印刷電路板(PCB)的支架。

引線框架150可以在第一半導(dǎo)體裝置120與PCB之間直接地傳輸電信號(hào)。因此，引線框架150可以減小第一半導(dǎo)體裝置120的功率損失。

即，由于引線框架150被連接到第二電路圖案140，因此引線框架150可以直接地傳輸電信號(hào)，從而減小了第一半導(dǎo)體裝置120的功率損失，并且 由于省略了鋁引線鍵合工藝，因此可以減小第一半導(dǎo)體封裝件100的厚度。

第一半導(dǎo)體裝置120可以是絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)。

功率半導(dǎo)體封裝件100可以包括設(shè)置在第二電路圖案140上的第二半導(dǎo)體裝置142。

第二半導(dǎo)體裝置142可以是具有高開(kāi)關(guān)速度的快恢復(fù)二極管(FRD)。

引線框架150可以連接到第二半導(dǎo)體裝置142的一端。

當(dāng)半導(dǎo)體裝置被導(dǎo)通時(shí)，剩余電子可以存在于裝置內(nèi)，開(kāi)關(guān)速度依賴于剩余電流的消耗。

在IGBT的情況下，當(dāng)使半導(dǎo)體裝置通電時(shí)，尾電流由于填充該裝置的內(nèi)部的空穴的復(fù)合而存在，因此，即使使半導(dǎo)體裝置截止，截止也被延遲。

FRD在結(jié)構(gòu)方面與通用的pn結(jié)二極管相同，但與通用的pn結(jié)二極管不同的是：諸如鉑或金的雜質(zhì)通過(guò)照射電子束和中子等在硅中擴(kuò)散，增大了電子和空穴的復(fù)合中心，從而使少數(shù)載流子在截止之后變得消失。

當(dāng)?shù)谝话雽?dǎo)體裝置120是IGBT時(shí)，由于第一半導(dǎo)體裝置120的開(kāi)關(guān)速度低，因此第一半導(dǎo)體裝置120可以連接到具有高開(kāi)關(guān)速度的FRD。

即，第一半導(dǎo)體裝置120可以連接到作為第二半導(dǎo)體裝置142的FRD，從而增大功率半導(dǎo)體封裝件100的開(kāi)關(guān)速度。

參照?qǐng)D3和圖4，第一半導(dǎo)體裝置220可以是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)發(fā)射晶體管(MOSFET)。

在MOSFET中，由于半導(dǎo)體裝置內(nèi)的少數(shù)載流子不參與裝置的運(yùn)行，因此MOSFET根據(jù)施加到柵極的電壓信號(hào)的速度以高的速度導(dǎo)通和截止。

當(dāng)?shù)谝话雽?dǎo)體裝置220是MOSFET時(shí)，第一半導(dǎo)體裝置220可以具有高的開(kāi)關(guān)速度。

即，第一半導(dǎo)體裝置220可以在沒(méi)有第二半導(dǎo)體裝置的情況下，確保功率半導(dǎo)體封裝件的開(kāi)關(guān)速度。

參照?qǐng)D1和圖3，在功率半導(dǎo)體封裝件100和200中，控制裝置可以設(shè)置在第二電路圖案上方。

控制裝置144和244可以分別設(shè)置在連接到第一半導(dǎo)體裝置120和220的柵電極的第二電路圖案140b和240b的上方。

控制裝置144和244可以控制第一半導(dǎo)體裝置120和220的柵極的信號(hào)。

包封樹(shù)脂160可以密封設(shè)置在板110的上表面上的第一半導(dǎo)體裝置、絕 緣樹(shù)脂和第二電路圖案，同時(shí)暴露板110的下表面和引線框架150的多個(gè)部分。

板110的上部分可以成型有包封樹(shù)脂160以被密封。包封樹(shù)脂160可以是環(huán)氧塑封料(EMC)。

引線框架150可以從包封樹(shù)脂160的側(cè)表面被暴露。

圖5是示意性地示出根據(jù)本公開(kāi)的另一示例性實(shí)施例的功率半導(dǎo)體封裝件300的剖視圖，圖7A是圖5的部分“A”的放大剖視圖，圖7B是圖5的部分“A”的平面圖。

將省略圖5、圖7A和圖7B中的與圖1、圖6A和圖6B中的元件相同的元件的描述。

發(fā)射極324和柵電極326可以通過(guò)鈍化層323而絕緣。

集電極328可以與焊料鍵合部321相連，發(fā)射極324和柵電極326可以與過(guò)孔相連。集電極328可以連接到第一電路圖案，發(fā)射極324和柵電極326可以連接到第二電路圖案340a和340b。

過(guò)孔(未示出)可以設(shè)置在第二電路圖案340a和340b的中心。

設(shè)置在發(fā)射極324上方的過(guò)孔可以形成為單個(gè)區(qū)域。

制造功率半導(dǎo)體封裝件的方法

在下文中，將描述根據(jù)本公開(kāi)的示例性實(shí)施例的制造功率半導(dǎo)體封裝件的方法。

圖8A至圖8H是示出根據(jù)本公開(kāi)的示例性實(shí)施例的制造功率半導(dǎo)體封裝件的方法的示意圖。

參照?qǐng)D8A至圖8H，根據(jù)本公開(kāi)的示例性實(shí)施例的制造功率半導(dǎo)體封裝件的方法可以包括：在板中形成空腔(未示出)；在包括空腔的內(nèi)壁的板110的上表面上形成第一電路圖案114；在空腔內(nèi)設(shè)置第一半導(dǎo)體裝置120；將絕緣樹(shù)脂130注入到空腔的內(nèi)部中以包封第一半導(dǎo)體裝置120；在絕緣樹(shù)脂130的內(nèi)部的上部中形成過(guò)孔(未示出)，過(guò)孔連接到第一半導(dǎo)體裝置120；在絕緣樹(shù)脂130上形成連接到過(guò)孔的第二電路圖案140；在第二電路圖案140的各個(gè)端部上形成引線框架150；形成密封設(shè)置在板110的上表面上的第一半導(dǎo)體裝置120、絕緣樹(shù)脂130和第二電路圖案140并暴露板110的下表面和引線框架150的多個(gè)部分的包封樹(shù)脂160。

首先，準(zhǔn)備板110并清潔板110。板110可以是銅(Cu)板。

通過(guò)使用蝕刻方法在板110中形成空腔。

空腔可以形成在板的中心。

接下來(lái)，可以在包括空腔的內(nèi)壁的板110上形成絕緣層112。絕緣層112可以包括氧化鋁(Al₂O₃)、氮化鋁(AlN)、二氧化硅(SiO₂)和氧化鈹(BeO)之中的任何一種。

在絕緣層112上形成第一電路圖案114?？梢栽诎涨坏膬?nèi)壁的板110上形成第一電路圖案114。

可以在空腔上形成第一種子層。

第一種子層可以包含銅?？梢酝ㄟ^(guò)使用第一種子層執(zhí)行鍍覆來(lái)在第一種子層上形成第一電路圖案114。

可以通過(guò)鍍覆銅形成第一電路圖案114。

然后，在空腔內(nèi)將第一半導(dǎo)體裝置120設(shè)置在第一電路圖案114上。

可以通過(guò)焊料鍵合部121將第一半導(dǎo)體裝置120連接到第一電路圖案114。

焊料鍵合部可以是選自錫(Sn)、銀(Ag)、銅(Cu)、鉍(Bi)、銦(In)、鋅(Zn)、銻(Sb)、鉛(Pb)和金(Au)之中的任何一種或可以是包括它們的兩種或更多種的合金。

然后，將絕緣樹(shù)脂130注入到空腔的內(nèi)部以包封第一半導(dǎo)體裝置120。

絕緣樹(shù)脂130可以是環(huán)氧樹(shù)脂或硅樹(shù)脂。

絕緣樹(shù)脂130可以填充空腔的內(nèi)部以包封第一半導(dǎo)體裝置120。

由于絕緣樹(shù)脂130包封第一半導(dǎo)體裝置120，所以可以減小施加到第一半導(dǎo)體裝置120的物理撞擊。

即，絕緣樹(shù)脂130可以吸收施加到第一半導(dǎo)體裝置120的物理撞擊，從而防止由于施加到第一半導(dǎo)體裝置120的外部撞擊產(chǎn)生的諸如裂紋或崩角的缺陷。因此，絕緣樹(shù)脂130可以防止第一半導(dǎo)體裝置120的缺陷并防止功率半導(dǎo)體封裝件的功率損失。

參照?qǐng)D8F，在絕緣樹(shù)脂的內(nèi)部的上部分中形成過(guò)孔(未示出)，使得過(guò)孔電連接到第一半導(dǎo)體裝置120。

通孔可以形成在絕緣樹(shù)脂130的上部分中，使得通孔連接到第一半導(dǎo)體裝置120?？梢酝ㄟ^(guò)用導(dǎo)電材料填充通孔來(lái)形成過(guò)孔。

導(dǎo)體金屬可以包括選自銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)和錫(Sn)之中的任何一種。

在絕緣樹(shù)脂130上形成連接到過(guò)孔的第二電路圖案140a和140b。

過(guò)孔可以位于第二電路圖案140a和140b的中心。

連接第一半導(dǎo)體裝置120的發(fā)射極的上部分和第二電路圖案140a的過(guò)孔可以形成為兩個(gè)或更多個(gè)區(qū)域。

當(dāng)過(guò)孔形成為兩個(gè)或更多個(gè)區(qū)域時(shí)，流進(jìn)功率半導(dǎo)體封裝件100的電流可以分散地流動(dòng)。因此，可以增大第一半導(dǎo)體裝置120的其中有電流流動(dòng)的區(qū)域，從而防止電場(chǎng)在局部區(qū)域上的聚集并防止對(duì)第一半導(dǎo)體裝置120的損壞。

可以通過(guò)鍍覆形成第二電路圖案140a和140b。

可以在絕緣樹(shù)脂130上形成第二種子層。第二種子層可以包含銅(Cu)。

可以通過(guò)使用第二種子層執(zhí)行鍍覆在第二種子層上形成第二電路圖案140a和140b。

第二電路圖案140a和140b可以連接到過(guò)孔以被電連接到第一半導(dǎo)體裝置120。

在功率半導(dǎo)體封裝件100內(nèi)設(shè)置第二電路圖案140，因此，可以省略鋁引線鍵合工藝，從而可以減小功率半導(dǎo)體封裝件100的尺寸。

在第二電路圖案140的各個(gè)端部上形成引線框架150。

可以通過(guò)焊料鍵合部151將引線框架150連接到第二電路圖案140。

焊料鍵合部151可以是選自錫(Sn)、銀(Ag)、銅(Cu)、鉍(Bi)、銦(In)、鋅(Zn)、銻(Sb)、鉛(Pb)和金(Au)之中的任何一種或可以是包括它們的兩種或更多種的合金。

由于引線框架150連接到第二電路圖案140，因此引線框架150可以直接地傳輸外部電信號(hào)，從而減小了第一半導(dǎo)體裝置120的功率損失，并且由于省略了鋁引線鍵合工藝，因此可以減小第一半導(dǎo)體封裝件100的厚度。

可以在第二電路圖案140a和140b上設(shè)置第二半導(dǎo)體裝置142或控制裝置144?？梢酝ㄟ^(guò)焊料鍵合部141將第二半導(dǎo)體裝置142或控制裝置144連接到第二電路圖案140a和140b。引線框架150可以連接到第二半導(dǎo)體裝置142的一端。

然后，可以形成包封樹(shù)脂160以密封板110并同時(shí)暴露板110的下表面和引線框架150的多個(gè)部分。

板110的上部分可以成型有包封樹(shù)脂160以被密封。包封樹(shù)脂160可以是環(huán)氧塑封料(EMC)。

引線框架150可以從包封樹(shù)脂160的側(cè)表面被暴露。

如上所述，根據(jù)本公開(kāi)的示例性實(shí)施例，可以提供尺寸減小同時(shí)功率損失減小的功率半導(dǎo)體封裝件及其制造方法。

雖然已經(jīng)在上面示出和描述了示例性實(shí)施例，但本領(lǐng)域技術(shù)人員將清楚的是，在不脫離通過(guò)所附權(quán)利要求限定的本公開(kāi)的范圍的情況下，可以做出修改和變化。