技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種嵌入式閃存器件。柵疊件包括布置在浮柵上方的控制柵極。擦除柵極布置為與柵疊件的第一側(cè)相鄰。字線布置為與第一側(cè)相對的柵疊件的第二側(cè)相鄰。字線包括相較于字線的頂面顯示出降低的高度且位于字線中與柵疊件相對的一側(cè)上的字線橫檔。多晶硅邏輯柵極的頂面基本與字線橫檔齊平。ILD層布置在柵疊件、擦除柵極、多晶硅邏輯柵極和字線上方。接觸件延伸穿過ILD層。本發(fā)明還提供了用于制造嵌入式閃存器件的方法。

技術(shù)研發(fā)人員：莊學(xué)理;吳常明;劉世昌
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
文檔號碼：201510162946
技術(shù)研發(fā)日：2015.04.08
技術(shù)公布日：2016.11.23