技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有偽柵結(jié)構(gòu)；形成覆蓋所述半導(dǎo)體襯底和偽柵結(jié)構(gòu)側(cè)壁的介質(zhì)層，所述介質(zhì)層的表面與偽柵結(jié)構(gòu)頂部表面齊平；去除所述偽柵結(jié)構(gòu)，形成凹槽；在所述凹槽的側(cè)壁和底部以及介質(zhì)層的表面形成高K柵介質(zhì)材料層；在所述高K柵介質(zhì)層上形成鋁鈦成核層，所述鋁鈦成核層中鈦原子的含量大于鋁原子的含量；在所述鋁鈦成核層上形成鋁鈦體層，所述鋁鈦體層中鈦原子的含量小于鋁原子的含量，所述鋁鈦成核層和鋁鈦體層構(gòu)成功函數(shù)材料層；在所述鋁鈦體層上形成金屬層，所述金屬層填充滿凹槽。本發(fā)明形成的功函數(shù)材料層的表面平坦度提高。

技術(shù)研發(fā)人員：徐建華
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司
文檔號(hào)碼：201510176680
技術(shù)研發(fā)日：2015.04.14
技術(shù)公布日：2016.11.23