技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種FinFET結(jié)構(gòu)，包括鰭和圍繞鰭的第一部分的柵極。鰭的第一部分中的摻雜劑濃度低于約1E17/cm3。FinFET結(jié)構(gòu)還包括圍繞鰭的第二部分的絕緣層。鰭的第二部分的摻雜劑濃度大于約5E18/cm3。絕緣層包括下層和上層，并且下層設(shè)置在連接鰭的襯底上方并且具有大于約1E19/cm3的摻雜劑濃度。本發(fā)明還涉及FinFET結(jié)構(gòu)以及用于制造FinFET結(jié)構(gòu)的方法。

技術(shù)研發(fā)人員：蔡俊雄;莊麗云;李健瑋;陳科維
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
文檔號(hào)碼：201510216725
技術(shù)研發(fā)日：2015.04.30
技術(shù)公布日：2016.12.07