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      半導體器件和制造方法與流程

      文檔序號:11955892閱讀:來源:國知局
      技術總結
      本發(fā)明提供了一種半導體器件和制造方法。放置與所述通孔電連接的可回流材料,其中,通孔延伸穿過密封劑。在可回流材料上方形成保護層。在實施例中,在保護層內形成開口以暴露可回流材料。在另一實施例中,形成保護層從而使得可回流材料延伸為遠離保護層。本發(fā)明涉及半導體器件和制造方法。

      技術研發(fā)人員:林俊成;蔡柏豪;鄭禮輝
      受保護的技術使用者:臺灣積體電路制造股份有限公司
      文檔號碼:201510221086
      技術研發(fā)日:2015.05.04
      技術公布日:2016.12.07

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