技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及一種片式電子組件。

背景技術(shù)：

作為片式電子組件的電感器是與電阻器和電容器一起構(gòu)成電子電路以去除其噪聲的代表性無源元件。

通過形成內(nèi)線圈部，然后硬化混有磁性粉末顆粒和樹脂的磁性粉末樹脂復(fù)合物來制造薄膜式電感器。

[現(xiàn)有技術(shù)文獻]

(專利文獻1)第2008-166455號日本專利公開公布。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本公開的一方面可提供一種具有提高的電感和品質(zhì)(Q)因數(shù)的片式電子組件。

根據(jù)本公開的一方面，一種片式電子組件可包括磁性主體，磁性主體具有嵌入其中的內(nèi)線圈部，其中，磁性主體包括具有不同磁導(dǎo)率的第一磁性部和第二磁性部。

磁性主體可包括：中心部，設(shè)置在內(nèi)線圈部的內(nèi)側(cè)并包括芯部；以及外圍部，設(shè)置在中心部的外側(cè)，中心部和外圍部具有不同的磁導(dǎo)率。

附圖說明

通過下面結(jié)合附圖進行的詳細描述，本公開的以上和其他方面、特征和優(yōu)點將會被更清楚地理解，在附圖中：

圖1是根據(jù)本公開的示例性實施例的包括內(nèi)線圈部的片式電子組件的示意性透視圖；

圖2是沿圖1中的線Ⅰ-Ⅰ′截取的剖視圖；

圖3是根據(jù)本公開示例性實施例的圖1的片式電子組件沿LW方向截取的剖視圖；

圖4是根據(jù)本公開另一示例性實施例的片式電子組件沿LT方向截取的剖視圖；

圖5是根據(jù)本公開另一示例性實施例的圖4的片式電子組件沿LW方向截取的剖視圖；

圖6是根據(jù)本公開另一示例性實施例的片式電子組件沿LT方向截取的剖視圖；

圖7是根據(jù)本公開示例性實施例的圖6的片式電子組件沿LW方向截取的剖視圖。

具體實施方式

現(xiàn)在將參照附圖詳細描述本公開的示例性實施例。

然而，本公開可以以很多不同的形式來實施，并不應(yīng)該被解釋為局限于在此闡述的實施例。相反，提供這些實施例使得本公開將是徹底的和完整的，并將把本公開的范圍充分地傳達給本領(lǐng)域人員。

在附圖中，為了清晰起見，可夸大元件的形狀和尺寸，將始終使用相同的附圖標記來指示相同或相似的元件。

片式電子組件

在下文中，將描述根據(jù)本公開示例性實施例的片式電子組件，具體地，將描述薄膜式電感器。然而，本發(fā)明構(gòu)思不必局限于此。

圖1是根據(jù)本公開的示例性實施例的包括內(nèi)線圈部的片式電子組件的示意性透視圖。

參照圖1，在電源電路的電源線中使用的薄膜式電感器100被公開，作為片式電子組件的示例。

根據(jù)本公開的示例性實施例的片式電子組件100可包括磁性主體50、嵌入磁性主體50中的內(nèi)線圈部42和44以及設(shè)置在磁性主體50的外表面上并電連接到內(nèi)線圈部42和44的外電極80。

在根據(jù)本公開示例性實施例的片式電子組件100中，“長度”方向是指圖1中的“L”方向，“寬度”方向是指圖1中的“W”方向，“厚度”方向是指圖1中的“T”方向。

磁性主體50可形成薄膜式電感器100的外形，并包括例如鐵氧體(ferrite)或者磁性金屬顆粒，但是并不必局限于此。即，磁性主體50可包括具有磁性的任何材料。

磁性金屬顆粒可由合金形成，所述合金包含從Fe、Si、Cr、Al和Ni組成的組中選擇的至少一種。例如，磁性金屬顆?？砂‵e-Si-B-Cr基非晶態(tài)金屬顆粒，但是并不限于此。

磁性金屬顆?？梢砸苑稚⒃诰酆衔镏械男问奖话谥T如環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺等的聚合物中。

設(shè)置在磁性主體50中的絕緣基板20可為例如聚丙二醇(PPG)基板、鐵氧體基板、金屬基軟磁性基板等。

絕緣基板20可具有被形成為穿透其中心部的通孔，其中通孔可填充有諸如鐵氧體、磁性金屬顆粒等的磁性材料來形成芯部55。可形成填充有磁性材料的芯部55，從而提高電感(Ls)。

絕緣基板20可具有分別形成在其一個表面和另一表面上的內(nèi)線圈部42和44，其中，內(nèi)線圈部42和44具有線圈形狀的圖案。

內(nèi)線圈部42和44可包括具有螺旋形狀的線圈圖案，并且分別形成在絕緣基板20的一個表面和另一表面上的內(nèi)線圈部42和44可通過形成在絕緣基板20中的通路電極46相互電連接。

內(nèi)線圈部42和44以及通路電極46可由具有優(yōu)異導(dǎo)電率的金屬形成，例如，銀(Ag)、鈀(Pd)、鋁(Al)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、金(Au)、銅(Cu)、鉑(Pt)或其合金等。

形成在絕緣基板20的一個表面上的內(nèi)線圈部42的一個端部可暴露到磁性主體50在其長度方向上的一個端表面，形成在絕緣基板20的另一表面上的內(nèi)線圈部44的一個端部可暴露到磁性主體50在其長度方向上的另一端表面。

外電極80可分別形成在磁性主體50的在其長度方向上的兩個端表面上，從而分別連接到暴露于磁性主體50在其長度方向上的兩個端表面的內(nèi)線圈部42和44。

外電極80可由具有優(yōu)異導(dǎo)電率的金屬形成，例如，鎳(Ni)、銅(Cu)、錫(Sn)、銀(Ag)或其合金等。

圖2是沿圖1中的線Ⅰ-Ⅰ′截取的剖視圖；圖3是根據(jù)本公開示例性實施例的圖1的片式電子組件沿LW方向截取的剖視圖。

參照圖2和圖3，根據(jù)本公開的示例性實施例的磁性主體50可包含磁性金屬顆粒11至13，并可被劃分為具有不同磁導(dǎo)率的第一和第二磁性部。

磁性主體50可包括設(shè)置在內(nèi)線圈部42和44的內(nèi)側(cè)并包括芯部55的中心部51和設(shè)置在中心部51外側(cè)的外圍部52，其中，中心部51設(shè)置有第一磁性部，外圍部52設(shè)置有第二磁性部，第二磁性部具有不同于第一磁性部的磁導(dǎo)率的磁導(dǎo)率。

可通過使得磁性金屬顆粒11至13的填充因子(packing factor)彼此不同來將第一和第二磁性部的磁導(dǎo)率調(diào)整為彼此不同。但是，本發(fā)明構(gòu)思并不必局限于此。即，可使用將磁導(dǎo)率調(diào)整為彼此不同的任何方法。

例如，第一和第二磁性部的磁導(dǎo)率之間的差值可為10H/m至40H/m。

根據(jù)本公開的示例性實施例，第一磁性部的磁導(dǎo)率可高于第二磁性部的磁導(dǎo)率，第一磁性部可設(shè)置在中心部51中，第二磁性部可設(shè)置在外圍部52中，使得中心部51的磁導(dǎo)率可高于外圍部52的磁導(dǎo)率。

如圖2和圖3所示，具有相對高的磁導(dǎo)率的中心部51可包含作為粗粉顆粒的第一磁性金屬顆粒11和具有的平均顆粒尺寸小于第一磁性金屬顆粒11的平均顆粒尺寸的作為細粉顆粒的第二磁性金屬顆粒12的混合物。

具有大的平均顆粒尺寸的第一磁性金屬顆粒11可具有高磁導(dǎo)率，作為粗粉顆粒的第一磁性金屬顆粒11和作為細粉顆粒的第二磁性金屬顆粒12可相互混合以提高填充因子，從而進一步提高磁導(dǎo)率并提高品質(zhì)(Q)因數(shù)。

具有相對低的磁導(dǎo)率的外圍部52可包含作為細粉顆粒的第三磁性金屬顆粒13。

由于包含在外圍部52中的作為細粉顆粒的第三磁性金屬顆粒13展現(xiàn)出低磁導(dǎo)率，但是為低損耗材料，所以它們可以用于補償由于在中心部51中使用高磁導(dǎo)率材料而增加的芯部損耗。

也就是說，可在磁通量集中的中心部51中使用高磁導(dǎo)率材料，由于高磁導(dǎo)率材料而增加的芯部損耗可通過在外圍部52中使用低損耗材料來減輕。因此，可提高電感和Q因數(shù)。

此外，在使用作為細粉顆粒的第三磁性金屬顆粒13的情況下，可改善磁性主體50的表面粗糙度，并可防止由于粗粉顆粒導(dǎo)致的鍍覆擴散現(xiàn)象。

在為了獲得高磁導(dǎo)率而使用作為粗粉顆粒的磁性金屬顆粒的情況下，會發(fā)生以下缺陷：作為粗粉顆粒的磁性金屬顆粒暴露于磁性主體50的表面上，且在形成外電極的鍍覆工藝中，鍍層形成在作為粗粉顆粒的磁性金屬顆粒的暴露部位上。

然而，在本公開的示例性實施例中，為了獲得高磁導(dǎo)率，中心部51包含作為粗粉顆粒的第一磁性金屬顆粒11，外圍部52包含作為細粉顆粒的第三磁性金屬顆粒13，從而可提高磁導(dǎo)率并可抑制鍍覆擴散缺陷。

在中心部51中的作為粗粉顆粒的第一磁性金屬顆粒11的顆粒尺寸可為11μm至53μm，在中心部51中的作為細粉顆粒的第二磁性金屬顆粒12的顆粒尺寸可為0.5μm至6μm。

在中心部51中的磁性金屬顆粒的填充因子可為70％至85％。

中心部51的磁導(dǎo)率可為28H/m至45H/m。

在外圍部52中的作為細粉顆粒的第三磁性金屬顆粒13的顆粒尺寸可為0.5μm至6μm。

在外圍部52中的磁性金屬顆粒的填充因子可為55％至70％。

外圍部52的磁導(dǎo)率可為10H/m至30H/m。

圖4是根據(jù)本公開另一示例性實施例的片式電子組件沿LT方向截取的剖視圖；圖5是根據(jù)本公開另一示例性實施例的圖4的片式電子組件沿LW方向截取的剖視圖。

參照圖4和圖5，具有相對高的磁導(dǎo)率的中心部51可包含作為粗粉顆粒的第一磁性金屬顆粒11，具有相對低的磁導(dǎo)率的外圍部52可包含作為細粉顆粒的第三磁性金屬顆粒13。

具有大的平均顆粒尺寸的第一磁性金屬顆粒11可具有高磁導(dǎo)率。同時，由于作為細粉顆粒的第三磁性金屬顆粒13顯示出低磁導(dǎo)率，但是具有低損耗，所以它們可以用于補償由于在中心部51中使用高磁導(dǎo)率材料而增加的芯部損耗。

當作為粗粉顆粒的磁性金屬顆粒和作為細粉顆粒的磁性金屬顆粒在中心部51中相互混合時，可提高填充因子，從而獲得更高的磁導(dǎo)率。然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此。即，根據(jù)本公開的另一示例性實施例，如圖4和圖5所示， 中心部51可僅包含作為粗粉顆粒的第一磁性金屬顆粒11。

圖6是根據(jù)本公開另一示例性實施例的片式電子組件沿LT方向截取的剖視圖；圖7是根據(jù)本公開示例性實施例的圖6的片式電子組件沿LW方向截取的剖視圖。

根據(jù)本公開的另一示例性實施例，第一磁性部的磁導(dǎo)率可低于第二磁性部的磁導(dǎo)率，第一磁性部可設(shè)置在中心部51中，第二磁性部可設(shè)置在外圍部52中，使得中心部51的磁導(dǎo)率可低于外圍部52的磁導(dǎo)率。

參照圖6和圖7，具有相對低的磁導(dǎo)率的中心部51可包括作為細粉顆粒的第三磁性金屬顆粒13，具有相對高的磁導(dǎo)率的外圍部52可包含作為粗粉顆粒的第一磁性金屬顆粒11和具有的平均顆粒尺寸小于第一磁性金屬顆粒11的平均顆粒尺寸的作為細粉顆粒的第二磁性金屬顆粒12的混合物。

具有大的平均顆粒尺寸的第一磁性金屬顆粒11可具有高磁導(dǎo)率，作為粗粉顆粒的第一磁性金屬顆粒11和作為細粉顆粒的第二磁性金屬顆粒12可相互混合來提高填充因子，從而進一步提高磁導(dǎo)率并提高Q因數(shù)。

由于作為細粉顆粒的第三磁性金屬顆粒13顯示出低磁導(dǎo)率，但是具有低損耗，所以它們可以用于補償由于使用作為粗粉顆粒的高磁導(dǎo)率材料而增加的芯部損耗。

在中心部51中的作為細粉顆粒的第三磁性金屬顆粒13的顆粒尺寸可為0.5μm至6μm。

在中心部51中的磁性金屬顆粒的填充因子可為55％至70％。

中心部51的磁導(dǎo)率可為10H/m至30H/m。

在外圍部52中的作為粗粉顆粒的第一磁性金屬顆粒11的顆粒尺寸可為11μm至53μm，在外圍部52中的作為細粉顆粒的第二磁性金屬顆粒12的顆粒尺寸可為0.5μm至6μm。

在外圍部52中的磁性金屬顆粒的填充因子可為70％至85％。

外圍部52的磁導(dǎo)率可為28H/m至45H/m。

如上所述，根據(jù)本公開的示例性實施例，可確保高電感，并可獲得優(yōu)異的Q因數(shù)。

盡管以上已經(jīng)示出并描述了示例性實施例，但是對于本領(lǐng)域技術(shù)人員將明顯的是，在不脫離如權(quán)利要求限定的本發(fā)明的范圍的情況下，可作出修改和變形。