本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體微電子器件制備技術(shù)，具體涉及一種SiC器件終端結(jié)構(gòu)的制作方法。

背景技術(shù)：

碳化硅材料臨界場強高、禁帶寬度大，成為在大功率、高溫、高壓等應(yīng)用領(lǐng)域非常受歡迎的半導(dǎo)體材料。碳化硅器件的比導(dǎo)通電阻比同類硅器件小兩個數(shù)量級，工作頻率10倍于硅，輻射耐受量10倍于硅，單個器件可承受的電壓可達硅器件的10倍，芯片功率密度可達硅器件的10倍到30倍，碳化硅模塊的體積重量與硅模塊相比可減少80％，系統(tǒng)損耗可降低30％到70％。

目前，SiC器件的制造普遍沿用平面工藝，而平面工藝面臨很多二維(圓柱形)或三維(球形)效應(yīng)，例如電場集中效應(yīng)等。當器件反向偏置時，第一種導(dǎo)電類型區(qū)域的拐角處電場受到擁擠，進而產(chǎn)生一個電場尖峰，隨著器件的反向偏壓不斷增加，此處電場強度達到Ec時，器件即發(fā)生擊穿。一個未作終端處理的器件通常擊穿電壓為理想值的10％～20％左右，極大的限制了器件的高壓阻斷能力。

結(jié)終端技術(shù)能夠解決高壓碳化硅器件阻斷時的邊界二維效應(yīng)，主要是將器件主結(jié)區(qū)域的高電壓逐步釋放，使其盡可能的迫近理論計算值。此外，在SiC器件中，結(jié)終端技術(shù)的意義還在于減小器件的表面電場，避免器件表面鈍化層的擊穿。因此，為了緩解SiC器件中電場的集中和提高器件的擊穿電壓，必須采用結(jié)終端技術(shù)。在碳化硅功率器件中，常用的平面型結(jié)終端技術(shù)有：場板FP(Field Plate)、場限環(huán)FLR(Field Limiting Ring)、結(jié)終端擴展JTE(Junction Termination Extension)，以上3種終端技術(shù)各有優(yōu)缺點，為了充分發(fā)揮各終端的優(yōu)勢，常常將2種或以上的終端技術(shù)結(jié)合起來使用。

形成具有場限環(huán)或結(jié)終端擴展的SiC高壓器件終端結(jié)構(gòu)必須進行離子注入。由于SiC與Si相比具有更大的密度，因此在同能量注入的情況下，離子在SiC中能夠形成的注入深度會更小，這就需要采用更大的注入能量來進行離子注入工藝。為了提高SiC功 率器件的反向擊穿電壓，需要進一步增加器件終端結(jié)構(gòu)中離子注入的深度，有時為達到較深的注入?yún)^(qū)域，其注入能量可能需要達到MeV級別，這在通常工藝條件下很難實現(xiàn)?；谏鲜鰡栴}，必須尋求更好的制作SiC器件終端結(jié)構(gòu)的方法。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種SiC器件終端結(jié)構(gòu)的制作方法，能夠采用低注入能量實現(xiàn)SiC器件終端結(jié)構(gòu)的高反向擊穿電壓，該方法通過有效增加SiC器件終端結(jié)構(gòu)中離子注入的深度，提高了器件反向耐壓能力，且注入能量較低，工藝簡單，易于實現(xiàn)。

該SiC器件終端結(jié)構(gòu)的制作方法如下：

步驟一，在SiC器件終端的第二種導(dǎo)電類型的碳化硅襯底上表面淀積注入掩膜；

步驟二，對注入掩膜進行光刻，曝露出需要進行離子注入的區(qū)域；

步驟三，刻蝕注入掩膜，形成注入窗口，再刻蝕碳化硅襯底，形成刻蝕凹槽；

步驟四，去除光刻膠；

步驟五，注入第一種導(dǎo)電類型的離子，形成SiC器件終端結(jié)構(gòu)中第一種導(dǎo)電類型的離子注入?yún)^(qū)。

所述的SiC器件終端結(jié)構(gòu)的制作方法的第一優(yōu)選技術(shù)方案，所述的終端結(jié)構(gòu)是需要進行離子注入的終端結(jié)構(gòu)。

所述的SiC器件終端結(jié)構(gòu)的制作方法的第二優(yōu)選技術(shù)方案，所述的終端結(jié)構(gòu)是場限環(huán)結(jié)構(gòu)、結(jié)終端擴展結(jié)構(gòu)、或上述結(jié)構(gòu)與場板或刻蝕終端結(jié)構(gòu)的任意組合。

所述的SiC器件終端結(jié)構(gòu)的制作方法的第三優(yōu)選技術(shù)方案，所述第二種導(dǎo)電類型為P型或N型。

所述的SiC器件終端結(jié)構(gòu)的制作方法的第四優(yōu)選技術(shù)方案，所述碳化硅襯底是4H-SiC、6H-SiC或3C-SiC。

所述的SiC器件終端結(jié)構(gòu)的制作方法的第五優(yōu)選技術(shù)方案，所述注入掩膜是氧化硅、氮化硅、非晶硅、金屬薄膜、光刻膠中一種或幾種不同薄膜組合的層疊結(jié)構(gòu)。

所述的SiC器件終端結(jié)構(gòu)的制作方法的第六優(yōu)選技術(shù)方案，所述注入掩膜的形成方法是等離子體增強化學(xué)氣相沉積法(PECVD：Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)、低壓化學(xué)氣相沉積法(LPCVD：Low Pressure Chemical Vapor Deposition)、磁控濺射、熱蒸發(fā)鍍膜法中的一種或幾種組合。

所述的SiC器件終端結(jié)構(gòu)的制作方法的第七優(yōu)選技術(shù)方案，所述注入掩膜的厚度為0.5μm～10μm。

所述的SiC器件終端結(jié)構(gòu)的制作方法的第八優(yōu)選技術(shù)方案，步驟二中所述光刻選用的光刻膠是正性光刻膠、負性光刻膠或反轉(zhuǎn)光刻膠。

所述的SiC器件終端結(jié)構(gòu)的制作方法的第九優(yōu)選技術(shù)方案，步驟二中所述光刻后，堅膜光刻膠。

所述的SiC器件終端結(jié)構(gòu)的制作方法的第十優(yōu)選技術(shù)方案，所述堅膜光刻膠的方法：于50℃～350℃下，用熱板堅膜0.1min～60min或用烘箱堅膜1min～180min。

所述的SiC器件終端結(jié)構(gòu)的制作方法的第十一優(yōu)選技術(shù)方案，步驟二中所述需要進行離子注入的區(qū)域位于SiC器件的終端結(jié)構(gòu)中。

所述的SiC器件終端結(jié)構(gòu)的制作方法的第十二優(yōu)選技術(shù)方案，步驟二中所述需要進行離子注入的區(qū)域尺寸相同或不同。

所述的SiC器件終端結(jié)構(gòu)的制作方法的第十三優(yōu)選技術(shù)方案，所述需要進行離子注入的區(qū)域中注入離子的濃度相同或不同。

所述的SiC器件終端結(jié)構(gòu)的制作方法的第十四優(yōu)選技術(shù)方案，步驟三中所述刻蝕的方法是ICP刻蝕、RIE刻蝕、濕法刻蝕的一種或幾種的組合。

所述的SiC器件終端結(jié)構(gòu)的制作方法的第十五優(yōu)選技術(shù)方案，步驟三所述刻蝕注入掩膜與刻蝕碳化硅襯底的方法相同或不同。

所述的SiC器件終端結(jié)構(gòu)的制作方法的第十六優(yōu)選技術(shù)方案，步驟四中所述去除光刻膠的方法：有機溶劑去膠、可以為無機溶劑去膠或氧等離子體干法去膠。

所述的SiC器件終端結(jié)構(gòu)的制作方法的第十七優(yōu)選技術(shù)方案，步驟五中所述注入第一種導(dǎo)電類型離子的方法為高溫離子注入。

所述的SiC器件終端結(jié)構(gòu)的制作方法的第十八優(yōu)選技術(shù)方案，所述高溫離子注入的溫度大于等于500攝氏度。

所述的SiC器件終端結(jié)構(gòu)的制作方法的第十九優(yōu)選技術(shù)方案，所述高溫離子注入的能量為10keV～2MeV。

和現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明方法的有益效果：

1)在采用較低離子注入能量的情況下，增大了SiC器件終端結(jié)構(gòu)中第一種導(dǎo)電類型離子注入的深度，在器件反向工作的情況下形成更厚的電壓阻擋層，充分發(fā)揮了SiC終端結(jié)構(gòu)的優(yōu)點，增大了器件的反向耐壓，提高了SiC器件的性能。

2)制作工藝簡單，易于實現(xiàn)。

附圖說明

圖1：采用一般方法制作的SiC器件終端結(jié)構(gòu)橫截面示意圖；

圖2：采用本發(fā)明方法制作的SiC器件終端結(jié)構(gòu)橫截面示意圖；

圖3：實施例1中在N型碳化硅襯底上淀積3μm SiO₂作為注入掩膜后的器件終端結(jié)構(gòu)橫截面示意圖；

圖4：實施例1中對SiO₂層進行光刻的器件橫截面示意圖；

圖5：實施例1中RIE刻蝕SiO₂注入掩膜形成終端結(jié)構(gòu)中離子注入窗口后的器件橫截面示意圖；

圖6：實施例1中采用ICP方式繼續(xù)刻蝕N型碳化硅襯底，形成刻蝕凹槽后的器件 橫截面示意圖；

圖7：實施例1中去除正性光刻膠后器件的橫截面示意圖；

圖8：實施例1中離子注入形成SiC器件終端結(jié)構(gòu)中P型注入?yún)^(qū)的橫截面示意圖。

圖9：實施例1中形成具有場限環(huán)及浮空場板終端結(jié)構(gòu)的碳化硅器件的橫截面示意圖。

圖10：實施例2中對SiO₂層進行光刻的器件橫截面示意圖；

圖11：實施例2中RIE刻蝕SiO₂注入掩膜形成終端結(jié)構(gòu)中離子注入窗口后的器件橫截面示意圖；

圖12：實施例2中采用ICP方式繼續(xù)刻蝕N型碳化硅襯底，形成刻蝕凹槽后的器件橫截面示意圖；

圖13：實施例2中去除正性光刻膠后器件的橫截面示意圖；

圖14：實施例2中離子注入形成SiC器件終端結(jié)構(gòu)中P型注入?yún)^(qū)的橫截面示意圖。

圖15：實施例2中形成的具有JTE終端結(jié)構(gòu)的碳化硅器件的橫截面示意圖。

圖16：實施例3中在N型碳化硅襯底上淀積SiO₂及Si₃N₄層作為注入掩膜的器件橫截面示意圖；

圖17：實施例3中對SiO₂及Si₃N₄層進行光刻的器件橫截面示意圖；

圖18：實施例3中刻蝕SiO₂及Si₃N₄注入掩膜形成場限環(huán)終端離子注入窗口后的器件橫截面示意圖；

圖19：實施例3中繼續(xù)刻蝕N型碳化硅襯底，形成刻蝕凹槽后的器件橫截面示意圖；

圖20：實施例3中去除正性光刻膠后器件的橫截面示意圖；

圖21：實施例3中離子注入場限環(huán)終端結(jié)構(gòu)中P型注入?yún)^(qū)的器件橫截面示意圖。

圖22：實施例3中形成的具有場限環(huán)終端結(jié)構(gòu)的碳化硅器件橫截面示意圖。

圖23：實施例4中對形成JTE結(jié)構(gòu)SiO₂離子注入掩膜進行光刻的器件橫截面示意圖。

圖24：實施例4中使用ICP工藝刻蝕SiO₂掩膜后形成JTE結(jié)構(gòu)離子注入掩膜的器件橫截面示意圖。

圖25：實施例4中繼續(xù)使用ICP刻蝕SiO₂掩膜下的SiC材料形成用于JTE結(jié)構(gòu)離子注入刻蝕凹槽的器件橫截面示意圖。

圖26：實施例4中去除SiO₂上光刻膠后的器件橫截面示意圖。

圖27：實施例4中對JTE結(jié)構(gòu)進行第一種摻雜濃度的P型離子注入的器件橫截面示意圖。

圖28：實施例4中第二次淀積SiO₂層的器件橫截面示意圖。

圖29：實施例4中光刻注入掩膜，形成場限環(huán)結(jié)構(gòu)離子注入掩膜的刻蝕阻擋層的器件橫截面示意圖。

圖30：實施例4中使用ICP工藝刻蝕SiO₂掩膜，形成場限環(huán)結(jié)構(gòu)離子注入窗口的器件橫截面示意圖。

圖31：實施例4中繼續(xù)使用ICP刻蝕SiO₂掩膜下的SiC材料，形成場限環(huán)結(jié)構(gòu)離子注入刻蝕凹槽的器件橫截面示意圖。

圖32：實施例4中第二次去除光刻膠后的器件橫截面示意圖。

圖33：實施例4中，對場限環(huán)結(jié)構(gòu)進行第二種摻雜濃度的P型離子注入的器件橫截面示意圖。

圖34：實施例4中形成的具有JTE及場限環(huán)終端結(jié)構(gòu)的器件橫截面示意圖。

附圖標記說明

1 N型碳化硅襯底

2 SiO₂離子注入掩膜

3 P型注入離子

4 P型離子注入?yún)^(qū)

6 鈍化層

7 主節(jié)

8 9920正性光刻膠

9 用于正性光刻膠光刻的掩膜板

10 紫外線

11 浮空場板

12 Si₃N₄離子注入掩膜

具體實施方式

采用通常方法形成的SiC器件終端結(jié)構(gòu)如圖1所示，由于離子注入的能量受到工藝條件的限制，終端結(jié)構(gòu)中離子注入?yún)^(qū)4的深度一般在0.4μm～0.6μm，限制了器件反向耐壓的進一步提高。

本發(fā)明的內(nèi)容主要是在形成SiC器件終端結(jié)構(gòu)離子注入?yún)^(qū)時，完成對注入掩膜2的窗口刻蝕之后，繼續(xù)刻蝕碳化硅襯底1，形成刻蝕凹槽，接著進行第一種導(dǎo)電類型的離子3的注入，形成深度更大的第一種導(dǎo)電類型離子注入?yún)^(qū)，如圖2所示，增大了器件的反向耐壓。

下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式作進一步詳細說明。此外，本發(fā)明不限于以 下的實施方式。在與本發(fā)明相同和均等的范圍內(nèi)，可對以下的實施方式做出各種變更。

實施例1

具體工藝流程如下：

步驟一，準備具有N型碳化硅外延層的N型碳化硅襯底1，進行樣品清洗。使用硫酸與雙氧水構(gòu)成的3#液對樣品進行清洗，使用氨水、雙氧水、水構(gòu)成的1#液以及鹽酸、雙氧水、水構(gòu)成的2#液和緩沖氧化層刻蝕劑(BOE：Buffered Oxide Etchant)溶液對樣品進行清洗，再使用丙酮、乙醇、去離子水清洗樣品，之后甩干樣品。

步驟二，參照圖3，在清洗完畢的N型碳化硅襯底1上采用PECVD方法生長離子注入掩膜SiO₂2約3μm。

步驟三：參照圖4，光刻注入掩膜，形成場限環(huán)結(jié)構(gòu)離子注入掩膜的刻蝕阻擋層。在N型碳化硅襯底上旋涂9920正性光刻膠8，在熱板上對樣品進行前烘，使用用于正性光刻膠光刻的掩膜板9，對樣品在紫外光10下進行曝光操作，掩膜板9透光的位置為終端結(jié)構(gòu)中需要進行離子注入的區(qū)域，不透光的位置為不需要進行離子注入的區(qū)域，曝光完成后，需要進行離子注入?yún)^(qū)域的正性光刻膠8變性，可以被顯影液刻蝕掉，不需要進行離子注入的區(qū)域不被顯影液刻蝕掉，用烘箱對樣品進行堅膜操作，SiO₂刻蝕阻擋層制作完畢。

步驟四：參照圖5，使用RIE工藝刻蝕SiO₂掩膜，經(jīng)過約15分鐘的刻蝕過程，SiO₂材料刻蝕完畢，此時終端結(jié)構(gòu)中需要進行離子注入的區(qū)域沒有SiO₂掩膜保護，不需要進行離子注入的區(qū)域有SiO₂掩膜保護。

步驟五：將制作好SiO₂掩膜的樣品從RIE刻蝕設(shè)備中取出，立即放入ICP刻蝕機中進行刻蝕，繼續(xù)使用ICP刻蝕SiO₂掩膜下的SiC材料，刻蝕氣體為SF₆和O₂，經(jīng)過約5分鐘，大約刻蝕深度為滿足刻蝕要求，參照圖6。

步驟六：使用正膠去膜劑去除SiO₂上的光刻膠，參照圖7，此時SiO₂離子注入掩膜制作完畢。

步驟七：參照圖8，使用高溫離子注入機進行P型離子注入，形成器件終端結(jié)構(gòu)中的P型注入?yún)^(qū)，由于碳化硅襯底上具有刻蝕凹槽，離子注入的深度比采用一般方法增大0.1μm～1μm。

利用上述步驟，經(jīng)后續(xù)背電極工藝、正面電極工藝及場板工藝后，完成本實施例的一種采用低注入能量實現(xiàn)SiC器件高反向擊穿電壓終端結(jié)構(gòu)方法制作的具有場限環(huán)及浮空場板終端結(jié)構(gòu)的器件，參照圖9。

實施例2

具體工藝流程如下：

步驟一，準備具有N型碳化硅外延層的N型碳化硅襯底1，進行樣品清洗。使用硫酸與雙氧水構(gòu)成的3#液對樣品進行清洗，使用氨水、雙氧水、水構(gòu)成的1#液以及鹽酸、雙氧水、水構(gòu)成的2#液和緩沖氧化層刻蝕劑(BOE：Buffered Oxide Etchant)溶液對樣品進行清洗，再使用丙酮、乙醇、去離子水清洗樣品，之后甩干樣品。

步驟二，在清洗完畢的N型碳化硅襯底1上采用PECVD方法生長離子注入掩膜SiO₂2約3μm。

步驟三：參照圖10，光刻注入掩膜，形成JTE結(jié)構(gòu)離子注入掩膜的刻蝕阻擋層。在N型碳化硅襯底上旋涂9920正性光刻膠8，在熱板上對樣品進行前烘，使用用于正性光刻膠光刻的掩膜板9，對樣品在紫外光10下進行曝光操作，掩膜板9透光的位置為終端結(jié)構(gòu)中需要進行離子注入的區(qū)域，不透光的位置為不需要進行離子注入的區(qū)域，曝光完成后，需要進行離子注入?yún)^(qū)域的正性光刻膠8變性，可以被顯影液刻蝕掉，不需要進行離子注入的區(qū)域不被顯影液刻蝕掉，用烘箱對樣品進行堅膜操作，SiO₂刻蝕阻擋層制作完畢。

步驟四：參照圖11，使用RIE工藝刻蝕SiO₂掩膜，經(jīng)過約15分鐘的刻蝕過程，SiO₂材料刻蝕完畢，此時終端結(jié)構(gòu)中需要進行離子注入的區(qū)域沒有SiO₂掩膜保護，不需要進行離子注入的區(qū)域有SiO₂掩膜保護。

步驟五：將制作好SiO₂掩膜的樣品從RIE刻蝕設(shè)備中取出，立即放入ICP刻蝕機 中進行刻蝕，繼續(xù)使用ICP刻蝕SiO₂掩膜下的SiC材料，刻蝕氣體為SF₆和O₂，經(jīng)過約5分鐘，大約刻蝕深度為滿足刻蝕要求，參照圖12。

步驟六：使用正膠去膜劑去除SiO₂上的光刻膠，參照圖13，此時SiO₂離子注入掩膜制作完畢。

步驟七：參照圖14，使用高溫離子注入機進行P型離子注入，形成器件終端結(jié)構(gòu)中的P型注入?yún)^(qū)，由于碳化硅襯底上具有刻蝕凹槽，離子注入的深度比采用一般方法增大0.1μm～1μm。

步驟八：利用上述步驟，經(jīng)后續(xù)背電極工藝、正面電極工藝及鈍化工藝后，完成本實施例的一種采用低注入能量實現(xiàn)SiC器件高反向擊穿電壓終端結(jié)構(gòu)方法制作的具有JTE終端結(jié)構(gòu)的器件，參照圖15。

實施例3

步驟一：準備具有N型碳化硅外延層的N型碳化硅襯底1，進行樣品清洗。使用硫酸與雙氧水構(gòu)成的3#液對樣品進行清洗，使用氨水、雙氧水、水構(gòu)成的1#液以及鹽酸、雙氧水、水構(gòu)成的2#液和緩沖氧化層刻蝕劑BOE溶液對樣品進行清洗，再使用丙酮、乙醇、去離子水清洗樣品，之后甩干樣品。

步驟二：參照圖16，在清洗完畢的N型碳化硅襯底樣品上生長離子注入掩膜SiO₂約2μm，再在SiO₂掩膜上生長氮化硅掩膜0.5μm。

步驟三：參照圖17，光刻注入掩膜，形成場限環(huán)離子注入掩膜的刻蝕阻擋層。在N型碳化硅襯底上旋涂9920正性光刻膠8，在熱板上對樣品進行前烘，使用用于正性光刻膠光刻的掩膜板9，對樣品在紫外光10下進行曝光操作，掩膜板9透光的位置為需要進行離子注入的區(qū)域，不透光的位置為不需要進行離子注入的區(qū)域，曝光完成后，需要進行離子注入?yún)^(qū)域的正性光刻膠8變性，可以被顯影液刻蝕掉，不需要進行離子注入的區(qū)域不被顯影液刻蝕掉，用烘箱對樣品進行堅膜操作，Si₃N₄和SiO₂刻蝕阻擋層制作完畢。

步驟四：參照圖18，使用RIE工藝刻蝕Si₃N₄和SiO₂掩膜，經(jīng)過約15分鐘的刻蝕 過程，Si₃N₄和SiO₂材料刻蝕完畢。此時需要進行離子注入的區(qū)域沒有Si₃N₄和SiO₂掩膜保護，不需要進行離子注入的區(qū)域有Si₃N₄和SiO₂掩膜保護。

步驟五：將樣品取出，立即放入ICP刻蝕機中進行刻蝕。繼續(xù)使用ICP刻蝕Si₃N₄和SiO₂掩膜下的N型SiC襯底材料，刻蝕氣體為SF₆和O₂，經(jīng)過約5分鐘，大約刻蝕深度為滿足刻蝕要求，參照圖19。

步驟六：使用正膠去膜劑去除Si₃N₄和SiO₂層疊結(jié)構(gòu)上的光刻膠，參照圖20，此時Si₃N₄和SiO₂層疊結(jié)構(gòu)的離子注入掩膜制作完成。

步驟七：參照圖21，使用高溫離子注入機進行P型注入，形成碳化硅器件場限環(huán)終端結(jié)構(gòu)的P型離子注入?yún)^(qū)。

步驟八：經(jīng)后續(xù)背電極工藝、正面電極工藝及鈍化工藝后，完成本實施例的一種采用低注入能量實現(xiàn)SiC器件高反向擊穿電壓終端結(jié)構(gòu)方法制作的具有場限環(huán)終端結(jié)構(gòu)的器件，參照圖22。

實施例4

具體工藝流程如下：

步驟一，準備具有N型碳化硅外延層的N型碳化硅襯底1，進行樣品清洗。使用硫酸與雙氧水構(gòu)成的3#液對樣品進行清洗，使用氨水、雙氧水、水構(gòu)成的1#液以及鹽酸、雙氧水、水構(gòu)成的2#液和緩沖氧化層刻蝕劑(BOE：Buffered Oxide Etchant)溶液對樣品進行清洗，再使用丙酮、乙醇、去離子水清洗樣品，之后甩干樣品。

步驟二，在清洗完畢的N型碳化硅襯底1上采用PECVD方法生長離子注入掩膜SiO₂2約3μm。

步驟三：參照圖23，光刻注入掩膜，形成JTE結(jié)構(gòu)離子注入掩膜的刻蝕阻擋層。在N型碳化硅襯底上旋涂9920正性光刻膠8，在熱板上對樣品進行前烘，使用用于正性光刻膠光刻的掩膜板9，對樣品在紫外光10下進行曝光操作，掩膜板9透光的位置為終端結(jié)構(gòu)中需要進行離子注入的區(qū)域，不透光的位置為不需要進行離子注入的區(qū)域， 曝光完成后，需要進行離子注入?yún)^(qū)域的正性光刻膠8變性，可以被顯影液刻蝕掉，不需要進行離子注入的區(qū)域不被顯影液刻蝕掉，用烘箱對樣品進行堅膜操作，SiO₂刻蝕阻擋層制作完畢。

步驟四：參照圖24，使用ICP工藝刻蝕SiO₂掩膜，經(jīng)過約15分鐘的刻蝕過程，SiO₂材料刻蝕完畢，此時終端結(jié)構(gòu)中需要進行離子注入的區(qū)域沒有SiO₂掩膜保護，不需要進行離子注入的區(qū)域有SiO₂掩膜保護。

步驟五：繼續(xù)使用ICP刻蝕SiO₂掩膜下的SiC材料，刻蝕氣體為SF₆和O₂，經(jīng)過約5分鐘，大約刻蝕深度為滿足刻蝕要求，參照圖25。

步驟六：使用正膠去膜劑去除SiO₂上的光刻膠，參照圖26，此時SiO₂離子注入掩膜制作完畢。

步驟七：參照圖27，使用高溫離子注入機對JTE結(jié)構(gòu)進行第一種摻雜濃度的P型離子注入，形成器件終端結(jié)構(gòu)中的JTE P型注入?yún)^(qū)，由于碳化硅襯底上具有刻蝕凹槽，離子注入的深度比采用一般方法增大0.1μm～1μm。

步驟八：參照圖28，去除第一次生長的SiO₂層，采用PECVD方法生長第二次離子注入掩膜SiO₂層約3μm。

步驟九：參照圖29，光刻注入掩膜，形成場限環(huán)結(jié)構(gòu)離子注入掩膜的刻蝕阻擋層。在N型碳化硅襯底上旋涂9920正性光刻膠8，在熱板上對樣品進行前烘，使用用于正性光刻膠光刻的掩膜板9，對樣品在紫外光10下進行曝光操作，掩膜板9透光的位置為終端結(jié)構(gòu)中需要進行離子注入的區(qū)域，不透光的位置為不需要進行離子注入的區(qū)域，曝光完成后，需要進行離子注入?yún)^(qū)域的正性光刻膠8變性，可以被顯影液刻蝕掉，不需要進行離子注入的區(qū)域不被顯影液刻蝕掉，用烘箱對樣品進行堅膜操作，SiO₂刻蝕阻擋層制作完畢。

步驟十：參照圖30，使用ICP工藝刻蝕SiO₂掩膜，經(jīng)過約15分鐘的刻蝕過程，SiO₂材料刻蝕完畢，此時終端結(jié)構(gòu)中需要進行離子注入的區(qū)域沒有SiO₂掩膜保護，不需要進行離子注入的區(qū)域有SiO₂掩膜保護。

步驟十一：繼續(xù)使用ICP刻蝕SiO₂掩膜下的SiC材料，刻蝕氣體為SF₆和O₂，經(jīng)過約5分鐘，大約刻蝕深度為滿足刻蝕要求，參照圖31。

步驟十二：使用正膠去膜劑去除SiO₂上的光刻膠，參照圖32，此時用于場限環(huán)離子注入的SiO₂離子注入掩膜制作完畢。

步驟十三：參照圖33，使用高溫離子注入機對場限環(huán)結(jié)構(gòu)進行第二種摻雜濃度的P型離子注入，形成器件終端結(jié)構(gòu)中的場限環(huán)P型注入?yún)^(qū)，由于碳化硅襯底上具有刻蝕凹槽，離子注入的深度比采用一般方法增大0.1μm～1μm。

步驟十四：利用上述步驟，經(jīng)后續(xù)背電極工藝、正面電極工藝及鈍化工藝后，完成本實施例的一種采用低注入能量實現(xiàn)SiC器件高反向擊穿電壓終端結(jié)構(gòu)方法制作的具有JTE及場限環(huán)終端結(jié)構(gòu)的器件，參照圖34。

以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非對其限制，所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當理解，參照上述實施例可以對本發(fā)明的具體實施方式進行修改或者等同替換，這些未脫離本發(fā)明精神和范圍的任何修改或者等同替換均在申請待批的權(quán)利要求保護范圍之內(nèi)。