技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開一種形成半導體結(jié)構(gòu)的方法，其包含以下步驟。首先，在一目標層上形成多個軸心體。接著，在該些軸心體的兩側(cè)形成緊鄰該些軸心體的多個第一襯墊層。之后，在該些第一襯墊層的兩側(cè)形成緊鄰該些第一襯墊層的多個第二襯墊層。并且，在該些第二襯墊層的兩側(cè)形成緊鄰該些第二襯墊層的多個第三襯墊層。后續(xù)，同時移除該些軸心體以及該些第二襯墊層。

技術(shù)研發(fā)人員：劉恩銓;童宇誠
受保護的技術(shù)使用者：聯(lián)華電子股份有限公司
文檔號碼：201510247297
技術(shù)研發(fā)日：2015.05.15
技術(shù)公布日：2017.01.04