1.一種晶圓凸塊形成方法，其特征在于，包括下述步驟：
提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成凸塊；
在所述凸塊上形成焊料球；
對所述半導體襯底進行清洗，以去除所述焊料表面的氧化物；
執(zhí)行高溫回流，以使所述凸塊形成穩(wěn)定的合金。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓凸塊形成方法，其特征在于，在所述半導體襯底上形成凸塊具體包括下述步驟：
提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成銅種子層；
在所述銅種子層上涂覆光刻膠，并進行曝光和顯影，以定義用于形成凸塊的區(qū)域；
在所述用于形成凸塊的區(qū)域內(nèi)形成凸塊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶圓凸塊形成方法，其特征在于，通過使用甲基磺酸和磷酸的復合溶液浸泡所述半導體襯底來實現(xiàn)對所述半導體襯底進行清洗。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓凸塊形成方法，其特征在于，所述甲基磺酸的濃度為3％～12％。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓凸塊形成方法，其特征在于，所述磷酸的濃度為0.5％～2％。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓凸塊形成方法，其特征在于，使用甲基磺酸和磷酸的復合溶液浸泡所述半導體襯底60～200秒。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓凸塊形成方法，其特征在于，在形成所述凸塊后還包括下述步驟：
去除所述光刻膠。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓凸塊形成方法，其特征在于，在形成所述凸塊后還包括下述步驟：
去除所述凸塊兩側(cè)的銅種子層。