1.一種超結(jié)器件制造方法，其特征在于，包括：
在襯底上形成外延層，在所述外延層上形成氧化層掩膜；
對(duì)所述氧化層掩膜進(jìn)行光刻、刻蝕，并在所述氧化層掩膜的掩蔽下，在所述外延層上刻蝕出凹槽；
在所述凹槽內(nèi)形成氧化物層，并采用表面平坦化處理，使所述氧化物層與所述外延層的頂部齊平；
在所述氧化物層上方形成柵氧化層及多晶硅柵。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述外延層為N型外延層；
相應(yīng)地，在所述氧化層上方形成柵氧化層及多晶硅柵之前，還包括：在所述外延層中形成P型體區(qū)及N型源區(qū)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述凹槽設(shè)置在兩個(gè)所述P型體區(qū)之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在所述外延層上形成氧化層掩膜之前，還包括：
在所述外延層中形成超結(jié)P柱結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在所述氧化物層上方形成柵氧化層及多晶硅柵之后，還包括：
在所述多晶硅柵上形成介質(zhì)層及金屬層。
6.一種超結(jié)器件，其特征在于，包括：襯底、形成在所述襯底上的外延層、氧化物層、形成在所述氧化物層上的柵氧化層、以及形成在所述柵氧化層上的多晶硅柵；
其中，所述外延層上設(shè)置有凹槽，所述氧化物層位于所述凹槽中，且所述氧化物層與所述外延層的頂部齊平。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的超結(jié)器件，其特征在于，還包括：形成在所述外延層中的P型體區(qū)及N型源區(qū)；
其中，所述外延層為N型外延層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的超結(jié)器件，其特征在于，所述凹槽設(shè)置在兩個(gè)所述P型體區(qū)之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求6-8任一項(xiàng)所述的超結(jié)器件，其特征在于，還包括：形成在所述外延層中的超結(jié)P柱結(jié)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求6-8任一項(xiàng)所述的超結(jié)器件，其特征在于，還包括：形成在所述多晶硅柵上的介質(zhì)層及金屬層。