1.一種半導(dǎo)體元件的制作方法，包含：
提供一基底；
在該基底上形成一柵極堆疊結(jié)構(gòu)，該柵極堆疊結(jié)構(gòu)從靠近該基底的一側(cè)開始依序包含浮動(dòng)?xùn)?、柵極間介電層、控制柵、以及金屬層；
在該基底與該柵極堆疊結(jié)構(gòu)上共形地形成一襯層；
在該襯層上形成一掩模層，其中該掩模層的頂面低于該柵極堆疊結(jié)構(gòu)的該金屬層，使得部分的該襯層裸露而出；以及
進(jìn)行一氮化步驟，將裸露出的該襯層轉(zhuǎn)化成一氮化襯層，使得該柵極堆疊結(jié)構(gòu)中至少包含該金屬層的部分會(huì)為該氮化襯層所覆蓋。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，其中形成該掩模層的步驟還包含對(duì)該掩模層進(jìn)行一回蝕制作工藝，使得該掩模層的頂面低于該柵極堆疊結(jié)構(gòu)的該金屬層并讓部分的該襯層裸露而出。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，還包含：
在該氮化步驟后將該掩模層完全移除，以裸露出剩余的該襯層；以及
薄化裸露出的剩余的該襯層。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，其中裸露出的剩余的該襯層通過進(jìn)行一濕蝕刻制作工藝來薄化。
5.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，還包含在該薄化步驟后進(jìn)行一槽型平面天線等離子體氧化制作工藝，以氧化該氮化襯層以及薄化后的該襯層。
6.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，其中薄化后的該襯層厚度小于2納米(nm)。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，還包含在該氮化步驟后，在該柵極堆疊結(jié)構(gòu)中至少包含該金屬層的部分被該氮化襯層所覆蓋的情況下進(jìn)行一低摻雜漏極(LDD)的灰化步驟。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，其中該氮化步驟包含等離子體氮化制作工藝以及后氮化回火制作工藝。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，其中該金屬層的材料為鎢、鎳或鈷。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制作方法，其中該襯層的材料為氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。