1.一種制作半導體元件的方法，包含：
提供一基底，該基底上設有至少一鰭狀結構，其中該鰭狀結構包含一上半部以及一下半部；
形成一柵極結構于該鰭狀結構上；
形成一遮蓋層于該柵極結構未覆蓋的該鰭狀結構的該上半部上方；
進行一退火制作工藝將該遮蓋層內(nèi)的鍺原子趨入該鰭狀結構的該上半部；
去除該遮蓋層；以及
形成一外延層于該鰭狀結構的該上半部周圍。
2.如權利要求1所述的方法，其中該遮蓋層包含氧化鍺或鍺化硅。
3.如權利要求1所述的方法，其中該鰭狀結構的該上半部包含鍺。
4.如權利要求3所述的方法，其中該外延層包含鍺。
5.如權利要求4所述的方法，其中該外延層的鍺濃度高于該鰭狀結構的該上半部的鍺濃度。
6.一種制作半導體元件的方法，包含：
提供一基底，該基底上設有至少一鰭狀結構，其中該鰭狀結構包含一上半部以及一下半部且該上半部及該下半部包含不同材料；
進行一濕式清洗以改變該鰭狀結構的該上半部的形狀；以及
形成一第一外延層于該鰭狀結構的該上半部周圍。
7.如權利要求6所述的方法，還包含于進行該濕式清洗之前形成一第二外延層于該鰭狀結構的該上半部上方。
8.如權利要求6所述的方法，還包含進行該濕式清洗以將該鰭狀結構的該上半部的形狀轉變?yōu)榱庑巍?/p>
9.如權利要求6所述的方法，其中該第一外延層包含一菱形。
10.如權利要求6所述的方法，其中該鰭狀結構的該上半部包含鍺。
11.如權利要求10所述的方法，其中該第一外延層包含鍺。
12.如權利要求11所述的方法，其中該第一外延層的鍺濃度高于該鰭狀結構的該上半部的鍺濃度。
13.一種半導體元件，包含：
基底；
至少一鰭狀結構設于該基底上，該鰭狀結構包含一上半部以及一下半部；以及
柵極結構設于該基底及該鰭狀結構上，其中該柵極結構所覆蓋的該鰭狀結構與未被該柵極結構所覆蓋的該鰭狀結構具有不同形狀，且未被該柵極結構所覆蓋的該鰭狀結構小于被該柵極結構所覆蓋的該鰭狀結構。
14.如權利要求13所述的半導體元件，其中該鰭狀結構的該上半部包含鍺。
15.如權利要求13所述的半導體元件，其中該上半部及該下半部包含不同材料且該上半部為菱形。
16.如權利要求14所述的半導體元件，還包含一外延層設于該鰭狀結構的該上半部周圍，其中該外延層的鍺濃度高于該鰭狀結構的該上半部的鍺濃度。
17.如權利要求16所述的半導體元件，其中該外延層包含硼且該鰭狀結構的該上半部不包含硼。
18.如權利要求16所述的半導體元件，還包含一遮蓋層設于該外延層周圍。
19.如權利要求13所述的半導體元件，還包含一淺溝隔離設于該鰭狀結構周圍，且該鰭狀結構的該上半部的底表面與該淺溝隔離的上表面齊平。
20.如權利要求13所述的半導體元件，其中該鰭狀結構的該上半部的高度小于該鰭狀結構的該下半部的高度的二分之一。