本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件，特別是涉及一種具有內(nèi)建靴帶式二極管功能的高壓側(cè)半導(dǎo)體元件與一種半導(dǎo)體元件的操作方法。

背景技術(shù)：

隨著半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)的急速發(fā)展，科技的進(jìn)步體現(xiàn)在集成電路(IC)的材料應(yīng)用與設(shè)計(jì)上，產(chǎn)生體積越來越小且結(jié)構(gòu)越發(fā)復(fù)雜的市場(chǎng)趨勢(shì)。一個(gè)智能功率集成電路(smart power IC)更可能同時(shí)包含多個(gè)功率器件與控制電路在一個(gè)芯片上，功率器件如高壓晶體管或高功率晶體管(high-voltage,high-powered transistors)，而控制電路則如低壓晶體管或低功率晶體管(low-voltage,low-power transistors)。因此，在高壓側(cè)區(qū)(high-side region)設(shè)置防護(hù)環(huán)(high-side guard ring)，以及防護(hù)環(huán)的效能與穩(wěn)定性對(duì)于目前的IC芯片來說極為重要。

為不影響高壓側(cè)區(qū)以外的裝置，以及安全考慮下，防護(hù)環(huán)需能有效隔離高壓側(cè)區(qū)與其他裝置，并且具有良好的降壓效果與長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)作的穩(wěn)定性。據(jù)此，發(fā)明人以通過長(zhǎng)達(dá)1000小時(shí)的高溫反性偏壓的可靠性測(cè)試(high temperature reverse bias reliability test,HTRB test)為標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測(cè)試，但經(jīng)過發(fā)明人實(shí)驗(yàn)后發(fā)現(xiàn)，若HTRB測(cè)試以提供700伏特為例，以目前現(xiàn)有的防護(hù)環(huán)設(shè)計(jì)來說，連達(dá)到500小時(shí)的穩(wěn)定度都無法提供。因此，在產(chǎn)品尺寸受限的前提下，維持防護(hù)環(huán)效能的同時(shí)并改善其穩(wěn)定性與效能，成為本發(fā)明討論的課題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種高壓側(cè)半導(dǎo)體元件，包含：基板，具有一側(cè)；深阱區(qū)，設(shè)置于基板中的該側(cè)；元件區(qū)，設(shè)置于深阱區(qū)中且位于基板的該側(cè)；漏極區(qū)，設(shè)置于深阱區(qū)中且位于基板的該側(cè)，環(huán)繞元件區(qū)；柵極結(jié)構(gòu)，設(shè)置于基板的該側(cè)上，與深阱區(qū)相鄰且環(huán)繞漏極區(qū)；阱區(qū)，設(shè)置于深 阱區(qū)中且位于基板的該側(cè)，環(huán)繞柵極結(jié)構(gòu)；源極區(qū)，設(shè)置于阱區(qū)中且位于基板的該側(cè)，環(huán)繞柵極結(jié)構(gòu)；主體接觸區(qū)，與源極區(qū)分離地設(shè)置于阱區(qū)中，環(huán)繞源極區(qū)；以及環(huán)型摻雜區(qū)，與深阱區(qū)分離地設(shè)置于基板中的該側(cè)，環(huán)繞深阱區(qū)。

在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，上述的其中漏極區(qū)包含漏極輕摻雜區(qū)，環(huán)繞元件區(qū)；以及漏極接觸區(qū)，設(shè)置于漏極輕摻雜區(qū)內(nèi)。

在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，上述的高壓側(cè)半導(dǎo)體元件，還包含多個(gè)隔離結(jié)構(gòu)，分別設(shè)置于元件區(qū)與漏極區(qū)之間。

在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，上述的高壓側(cè)半導(dǎo)體元件，還包含隔離深阱區(qū)，設(shè)置于該基板內(nèi)與該深阱區(qū)相鄰，并且位于該元件區(qū)相對(duì)于該基板的該側(cè)的一另側(cè)。

在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，上述的高壓側(cè)半導(dǎo)體元件，還包含上阱區(qū)，設(shè)置于深阱區(qū)中，并被柵極結(jié)構(gòu)覆蓋。

在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，上述的上阱區(qū)為環(huán)型，環(huán)繞漏極區(qū)。

在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，上述的上阱區(qū)與柵極結(jié)構(gòu)相接觸。

在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，上述的上阱區(qū)與柵極結(jié)構(gòu)間彼此分離。

在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，上述的源極區(qū)包含源極摻雜區(qū)61；以及源極接觸區(qū)，設(shè)置于源極摻雜區(qū)中。

在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，上述的源極摻雜區(qū)與源極接觸區(qū)為環(huán)型，環(huán)繞柵極結(jié)構(gòu)。

在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，上述的源極區(qū)與主體接觸區(qū)7之間以隔離結(jié)構(gòu)分離。

在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，上述的主體接觸區(qū)包含主體接觸輕摻雜區(qū)；以及主體接觸摻雜區(qū)，設(shè)置于主體接觸輕摻雜區(qū)中。

在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，上述的主體接觸輕摻雜區(qū)與主體接觸摻雜區(qū)為環(huán)型，環(huán)繞柵極結(jié)構(gòu)4。

在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，上述的環(huán)型摻雜區(qū)包含環(huán)型輕摻雜區(qū)；環(huán)型摻雜區(qū)，設(shè)置于環(huán)型輕摻雜區(qū)中；以及環(huán)型接觸區(qū)，設(shè)置于環(huán)型摻雜區(qū)中。

在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，上述的高壓側(cè)半導(dǎo)體元件，還包含外圍深阱區(qū)，設(shè)置于深阱區(qū)中，與阱區(qū)相鄰且環(huán)繞該阱區(qū)。

本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體元件的操作方法，其中該半導(dǎo)體元件包含一具 有一側(cè)的基板、一設(shè)置于該基板中的該側(cè)的深阱區(qū)、一設(shè)置于該深阱區(qū)中且位于該基板的該側(cè)的元件區(qū)、一設(shè)置于該深阱區(qū)中位于該基板的該側(cè)且環(huán)繞該元件區(qū)的漏極區(qū)、一設(shè)置于該基板的該側(cè)上與該深阱區(qū)相鄰且環(huán)繞該漏極區(qū)的柵極結(jié)構(gòu)、一設(shè)置于該深阱區(qū)中位于該基板的該側(cè)且環(huán)繞該柵極結(jié)構(gòu)的阱區(qū)、一設(shè)置于該阱區(qū)中位于該基板的該側(cè)且環(huán)繞該柵極結(jié)構(gòu)的源極區(qū)、一設(shè)置于該阱區(qū)中與該源極區(qū)分離且環(huán)繞該源極區(qū)的主體接觸區(qū)，以及一設(shè)置于該基板中的該側(cè)與該深阱區(qū)分離且環(huán)繞該深阱區(qū)的環(huán)型摻雜區(qū)，包含以下步驟：提供該主體接觸區(qū)與該環(huán)型摻雜區(qū)一接地電壓；提供該源極區(qū)與該柵極結(jié)構(gòu)該接地電壓或一第一電源電壓；提供該漏極區(qū)一第二電源電壓或使該漏極區(qū)呈現(xiàn)一浮接狀態(tài)。

在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，其中提供至該源極區(qū)與該柵極結(jié)構(gòu)是該接地電壓，而提供至該漏極區(qū)是該第二電源電壓。

在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，其中該第二電源電壓介于500-800伏特(V)之間。

在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，其中提供至該源極區(qū)與該柵極結(jié)構(gòu)是該第一電源電壓，而該漏極區(qū)呈現(xiàn)該浮接狀態(tài)。

在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，上述的其中該第一電源電壓大于0伏特且小于等于30伏特(V)。

在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，其中當(dāng)提供至源極區(qū)與柵極結(jié)構(gòu)是第一電源電壓，而漏極區(qū)呈現(xiàn)浮接狀態(tài)時(shí)，漏極區(qū)會(huì)產(chǎn)生一小于第一電源電壓的正電壓。

因此，依據(jù)本發(fā)明提供的上述半導(dǎo)體元件與其操作方法，當(dāng)元件呈現(xiàn)關(guān)閉狀態(tài)(off-state)時(shí)，能做為高壓側(cè)元件，提供較高的耐壓穩(wěn)定性，改善現(xiàn)有技術(shù)中產(chǎn)生的問題，并且不影響產(chǎn)品尺寸；另一方面，當(dāng)元件呈現(xiàn)導(dǎo)通狀態(tài)(on-state)時(shí)，能做為內(nèi)建靴帶式二極管功能的半導(dǎo)體元件，達(dá)到整合的功效。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的基本結(jié)構(gòu)剖面示意圖；

圖2為圖1的結(jié)構(gòu)俯視圖；

圖3為本發(fā)明一實(shí)施例所繪制的結(jié)構(gòu)剖面示意圖；

圖4為圖3所繪制的結(jié)構(gòu)俯視圖。

符號(hào)說明

1：基板 2：深阱區(qū)

3：漏極區(qū) 4：柵極結(jié)構(gòu)

5：阱區(qū) 6：源極區(qū)

7：主體接觸區(qū) 8：環(huán)型摻雜區(qū)

9：隔離結(jié)構(gòu) 10：隔離深阱區(qū)

11：上阱區(qū) 12：外圍深阱區(qū)

31：漏極輕摻雜區(qū) 32：漏極接觸區(qū)

61：源極摻雜區(qū) 62：源極接觸區(qū)

71：主體接觸輕摻雜區(qū) 72：主體接觸摻雜區(qū)

81：環(huán)型輕摻雜區(qū) 82：環(huán)型摻雜區(qū)

83：環(huán)型接觸區(qū) S1、S2：基板的一側(cè)

P1：防護(hù)環(huán) P2：元件區(qū)

具體實(shí)施方式

本發(fā)明是在提供一種半導(dǎo)體元件，當(dāng)其做為高壓側(cè)元件的應(yīng)用時(shí)，能提供較高的耐壓穩(wěn)定性，達(dá)到優(yōu)選的防護(hù)措施，并且不會(huì)造成產(chǎn)品尺寸的放大；當(dāng)連接不同電壓時(shí)，還可做為靴帶式二極管的應(yīng)用，達(dá)到整合的功效。為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文以實(shí)施例配合所附的附圖，做詳細(xì)說明。

圖1為本發(fā)明提供的半導(dǎo)體元件的基本結(jié)構(gòu)剖面示意圖，本發(fā)明提供的半導(dǎo)體元件包含基板1具有第一側(cè)S1與第二側(cè)S2、深阱區(qū)2、漏極區(qū)3、柵極結(jié)構(gòu)4、阱區(qū)5、源極區(qū)6、主體接觸區(qū)7以及環(huán)型摻雜區(qū)8。各元件的位置關(guān)系如圖1所示，深阱區(qū)2設(shè)置于基板1中的第一側(cè)S1；漏極區(qū)3設(shè)置于深阱區(qū)2中且位于基板1的第一側(cè)S1；柵極結(jié)構(gòu)4設(shè)置于基板1的第一側(cè)S1上，與深阱區(qū)2相鄰且環(huán)繞中央漏極區(qū)3；阱區(qū)5設(shè)置于深阱區(qū)2中，環(huán)繞柵極結(jié)構(gòu)4；源極區(qū)6設(shè)置于阱區(qū)5中，環(huán)繞柵極結(jié)構(gòu)4；主體接觸區(qū)7與源極區(qū)6分離地設(shè)置于阱區(qū)5中，環(huán)繞源極區(qū)6與柵極結(jié)構(gòu)4；而環(huán)型摻雜區(qū)8與深阱區(qū)2分離地設(shè)置于基板1中的第一側(cè)S1，環(huán)繞深阱區(qū)2。各區(qū)的摻雜型可以為N或P型摻雜，至于各區(qū)使用的摻雜型，則可依據(jù)需要做相對(duì)應(yīng)的調(diào)整。如當(dāng)基板1為P型時(shí)，深阱區(qū)2為N型，阱區(qū)5為P型， 源極區(qū)6與漏極區(qū)3為N型，主體接觸區(qū)7為P型，而環(huán)型摻雜區(qū)8為P型。此部分由于與現(xiàn)有技術(shù)相同，因此不再多做贅述。

在本案的結(jié)構(gòu)概念下，基板1以P型為例說明，當(dāng)元件做為高壓側(cè)元件應(yīng)用時(shí)，元件處于電流封閉的狀態(tài)(off-state)，位于基板1中間的元件區(qū)P2形成高壓側(cè)區(qū)，而其他區(qū)域則形成防護(hù)環(huán)P1，其俯視圖如圖2所示。元件區(qū)P2可以包含多個(gè)元件，元件類型及數(shù)量可依需要做調(diào)整，防護(hù)環(huán)P1包含漏極區(qū)3、柵極結(jié)構(gòu)4、深阱區(qū)5、源極區(qū)6、主體接觸區(qū)7以及環(huán)型摻雜區(qū)8，用以有效降壓。在運(yùn)作過程中，深阱區(qū)2與阱區(qū)5之間會(huì)產(chǎn)生因PN接面造成壓差，而本案中電壓源極區(qū)6與主體接觸區(qū)7雖同樣位于阱區(qū)5中，但兩者彼此分離，提供較多的保護(hù)與較好的降壓效果。同時(shí)也由于電壓源極區(qū)6與主體接觸區(qū)7彼此分離，在長(zhǎng)時(shí)間使用后不會(huì)因摻雜離子的分布改變而造成互相干擾，引發(fā)其他寄生效應(yīng)或?qū)е略墓收稀?/p>

本案提供的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)能承受的電壓達(dá)800伏特(V)。在進(jìn)行HTRB測(cè)試時(shí)，發(fā)明人提供元件區(qū)P2(高壓側(cè)區(qū))700伏特(V)的電壓，并將基板1(主體接觸區(qū)7與環(huán)型摻雜區(qū)8)、源極區(qū)6與柵極結(jié)構(gòu)4接地，本發(fā)明提供的結(jié)構(gòu)能通過1000小時(shí)的HTRB測(cè)試。

發(fā)明人進(jìn)一步發(fā)現(xiàn)，由于本案中源極區(qū)6與主體接觸區(qū)7彼此分離，因此可以分別提供不同的電壓。當(dāng)主體接觸區(qū)7與環(huán)型摻雜區(qū)8接地，并且提供一小于等于30V的正電壓于源極區(qū)6與柵極結(jié)構(gòu)4，同時(shí)使漏極區(qū)3處于浮接狀態(tài)(floating)，可以打開通道，逆向?qū)ㄔ撛４藭r(shí)元件處于導(dǎo)通狀態(tài)(on-state)，以提升漏極區(qū)3的電壓，使漏極區(qū)3產(chǎn)生一低于提供至源極區(qū)的電壓的正電壓，達(dá)到靴帶式二極管(bootstrap diode，或稱自舉電路)的功效。目前的半導(dǎo)體芯片都是外接靴帶式二極管，而本發(fā)明提供的結(jié)構(gòu)不僅能解決現(xiàn)有技術(shù)中高壓側(cè)元件所遇到的耐壓性與穩(wěn)定性問題，更能同時(shí)達(dá)到將靴帶式二極管整合于元件中的功效。

圖3為依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例所繪制的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，除包含同圖1的基本結(jié)構(gòu)外，同時(shí)因應(yīng)實(shí)際應(yīng)用增加了一些細(xì)部結(jié)構(gòu)。為簡(jiǎn)化說明，相同于圖1中的結(jié)構(gòu)，將沿用相同元件標(biāo)號(hào)。

基板1具有第一側(cè)S1與第二側(cè)S2，深阱區(qū)2設(shè)置于基板1中的第一側(cè)S1，元件區(qū)P2設(shè)置于深阱區(qū)2中且位于基板1的第一側(cè)S1，漏極區(qū)3同樣設(shè)置于深阱區(qū)2中且位于基板1的第一側(cè)S1，并環(huán)繞元件區(qū)P2。在此實(shí)施 例中，元件區(qū)P2可以包含不同的所需元件，由于可以依狀況作調(diào)整，因此不做贅述。漏極區(qū)3包含環(huán)繞元件區(qū)P2的漏極輕摻雜區(qū)31，與漏極接觸區(qū)32，設(shè)置于漏極輕摻雜區(qū)31內(nèi)且環(huán)繞元件區(qū)P2。元件區(qū)P2與漏極區(qū)3之間以隔離結(jié)構(gòu)9隔離。柵極結(jié)構(gòu)4設(shè)置于基板1的第一側(cè)S1上，與深阱區(qū)2相鄰且環(huán)繞漏極區(qū)3。阱區(qū)5則設(shè)置于深阱區(qū)2中位于基板1的第一側(cè)S1，環(huán)繞柵極結(jié)構(gòu)4。此實(shí)施例中，柵極結(jié)構(gòu)4包含隔離結(jié)構(gòu)9、間隙壁、柵極介電層、高介電常數(shù)層、柵電極等，由于此部分柵極結(jié)構(gòu)4的細(xì)部元件可能依據(jù)制作工藝不同而有些許差異，但可依實(shí)際需求做調(diào)整，因此不做贅述。

同樣如圖3所示，源極區(qū)6設(shè)置于阱區(qū)5中位于基板1的第一側(cè)S1，且環(huán)繞柵極結(jié)構(gòu)4。在此實(shí)施例中，源極區(qū)6包含源極摻雜區(qū)61以及設(shè)置于源極摻雜區(qū)61中的源極接觸區(qū)62，其中，源極摻雜區(qū)61與源極接觸區(qū)62均為環(huán)型，環(huán)繞柵極結(jié)構(gòu)4。主體接觸區(qū)7與源極區(qū)6以隔離結(jié)構(gòu)9分離，設(shè)置于阱區(qū)5中，環(huán)繞源極區(qū)6與柵極結(jié)構(gòu)4，其中源極區(qū)6與主體接觸區(qū)7之間以隔離結(jié)構(gòu)9分離。主體接觸區(qū)7還可以包含主體接觸輕摻雜區(qū)71，以及設(shè)置于主體接觸輕摻雜區(qū)71中的主體接觸摻雜區(qū)72。其中主體接觸輕摻雜區(qū)71與主體接觸摻雜區(qū)72均為環(huán)型，環(huán)繞該柵極結(jié)構(gòu)4。環(huán)型摻雜區(qū)8與深阱區(qū)2分離地設(shè)置于基板1中的第一側(cè)S1，環(huán)繞深阱區(qū)2，在本實(shí)施例中兩者以隔離結(jié)構(gòu)9分離。環(huán)型摻雜區(qū)8包含環(huán)型輕摻雜區(qū)81、設(shè)置于該環(huán)型輕摻雜區(qū)81中的環(huán)型摻雜區(qū)82、以及設(shè)置于該環(huán)型摻雜區(qū)82中的環(huán)型接觸區(qū)83。環(huán)型輕摻雜區(qū)81、環(huán)型摻雜區(qū)82與環(huán)型接觸區(qū)83均為環(huán)型，環(huán)繞深阱區(qū)2。

此實(shí)施例還包含隔離深阱區(qū)10、上阱區(qū)11與外圍深阱區(qū)12。隔離深阱區(qū)10設(shè)置于基板1內(nèi)與深阱區(qū)2相鄰，位于對(duì)于基板1的第一側(cè)S1的第二側(cè)S2，其橫向覆蓋范圍對(duì)應(yīng)于元件區(qū)P2。當(dāng)元件區(qū)P2形成高壓側(cè)區(qū)時(shí)，可以有效防止高電壓側(cè)區(qū)的元件在操作時(shí)發(fā)生電壓垂直穿透(vertical punch-through)。上阱區(qū)11為環(huán)型，設(shè)置于深阱區(qū)2中環(huán)繞元件區(qū)P2，并被柵極結(jié)構(gòu)4覆蓋。上阱區(qū)的摻雜型不同于深阱區(qū)2，其設(shè)置能提供類似電容的功用，提升半導(dǎo)體元件的降壓效果。在此實(shí)施例中，上阱區(qū)11與柵極結(jié)構(gòu)4彼此分離，但在其他實(shí)施例中可與1與柵極結(jié)構(gòu)4相接觸(未繪示于圖中)。外圍深阱區(qū)12設(shè)置于深阱區(qū)2中，與阱區(qū)5相鄰且環(huán)繞阱區(qū)5，其摻雜型與深阱區(qū)2相同，不同于阱區(qū)5。外圍深阱區(qū)12的存在可以有效防止電 壓的橫向穿透(horizontal punch-through)。

圖4所示為依據(jù)上述實(shí)施例所繪制的結(jié)構(gòu)俯視圖，防護(hù)環(huán)P1包含漏極區(qū)3、柵極結(jié)構(gòu)4、阱區(qū)5、源極區(qū)6、主體接觸區(qū)7與環(huán)型摻雜區(qū)8。本發(fā)明實(shí)施例中，基板1為P型，深阱區(qū)2為N型，阱區(qū)5為P型，源極區(qū)6與漏極區(qū)3為N型，主體接觸區(qū)7為P型，環(huán)型摻雜區(qū)8為P型，隔離深阱區(qū)10為N型，上阱區(qū)11為P型，外圍深阱區(qū)12為N型。摻雜濃度上，主體接觸區(qū)7的濃度范圍約介于1×10¹³～1×10¹⁵原子每立方厘米(dopant atoms per cm³)，其中主體接觸輕摻雜區(qū)71約為1×10¹³dopant atoms per cm³，主體接觸摻雜區(qū)72約為1×10¹⁵dopant atoms per cm³；源極區(qū)6的濃度范圍約介于1×10¹³～1×10¹⁵dopant atoms per cm³，其中源極摻雜區(qū)61約為1×10¹³dopant atoms per cm³，源極接觸區(qū)62約為1×10¹⁵dopant atoms per cm³；漏極區(qū)3的濃度范圍約介于1×10¹³～1×10¹⁵dopant atoms per cm³，其中漏極輕摻雜區(qū)31約為1×10¹³dopant atoms per cm³，漏極接觸區(qū)32約為1×10¹⁵dopant atoms per cm³；外圍深阱區(qū)12的摻雜濃度約為1×10¹²dopant atoms per cm³；阱區(qū)5的摻雜濃度約為1×10¹³dopant atoms per cm³；深阱區(qū)2的摻雜濃度約為1×10¹²dopant atoms per cm³；上阱區(qū)11的摻雜濃度約為1×10¹²dopant atoms per cm³；并且摻雜濃度上，環(huán)型接觸區(qū)83大于環(huán)型摻雜區(qū)82大于環(huán)型輕摻雜區(qū)81。

上述實(shí)施例的操作方法同前的說明，更明確的說，電壓會(huì)提供于元件區(qū)P2、漏極接觸區(qū)32、源極接觸區(qū)62、主體接觸摻雜區(qū)72、環(huán)型接觸區(qū)83。經(jīng)測(cè)試后，能通過提供700伏特電壓，長(zhǎng)達(dá)1000小時(shí)的HTRB測(cè)試時(shí)。

依據(jù)本發(fā)明提供的上述半導(dǎo)體元件與其操作方法，當(dāng)元件呈現(xiàn)關(guān)閉狀態(tài)(off-state)時(shí)，能做為高壓側(cè)元件，提供較高的耐壓穩(wěn)定性；當(dāng)元件呈現(xiàn)導(dǎo)通狀態(tài)(on-state)時(shí)，能做為內(nèi)建靴帶式二極管功能的半導(dǎo)體元件，達(dá)到整合的功效。

雖然結(jié)合以上實(shí)施例公開了本發(fā)明，然而其并非用以限定本發(fā)明。任何該領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾。因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以附上的權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。