1.在硅基片的背面刻蝕形成硅通孔的方法，包括：
將硅基片以背面朝上的方式放置于等離子體刻蝕裝置的反應(yīng)腔中，所述硅基片背面的硅材料層的上方形成有光刻膠圖案；
以所述光刻膠圖案為掩模，刻蝕下方的硅材料層，以初步形成硅通孔；
去除殘余的光刻膠圖案；
全局刻蝕所述硅材料層；
將硅基片移出所述反應(yīng)腔。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述反應(yīng)腔內(nèi)至少包括：與供氣裝置相連的進(jìn)氣區(qū)、待處理的硅基片所在的處理區(qū)，所述進(jìn)氣區(qū)與處理區(qū)之間設(shè)置有氣體聚焦環(huán)，所述氣體聚焦環(huán)的中央設(shè)置有開(kāi)口，所述開(kāi)口作為氣體自所述進(jìn)氣區(qū)流通至所述處理區(qū)的通道；
所述開(kāi)口的大小在硅基片的處理過(guò)程中可調(diào)節(jié)；
在所述全局刻蝕階段所述開(kāi)口的尺寸小于在所述初步形成硅通孔階段或所述去除殘余的光刻膠圖案階段所述開(kāi)口的尺寸。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，用于支撐硅基片的基座的周緣設(shè)置有可在豎直方向上升降的邊緣環(huán)；
所述氣體聚焦環(huán)的所述開(kāi)口的大小可通過(guò)下面方法來(lái)調(diào)節(jié)：
需要較大的開(kāi)口尺寸時(shí)，使所述邊緣環(huán)保持在所述基座；
需要較小的開(kāi)口尺寸時(shí)，使所述邊緣環(huán)升高至某一高度，以使得所述邊緣環(huán)可遮蓋所述開(kāi)口的一部分空間。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，用于支撐硅基片的基座的周緣設(shè)置有可在豎直方向上升降的邊緣環(huán)；
在所述初步形成硅通孔階段或所述去除殘余的光刻膠圖案階段，所述邊緣環(huán)保持在所述基座；
在所述全局刻蝕階段，所述邊緣環(huán)保持在一明顯高于基座的高度。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述邊緣環(huán)在全局刻蝕階段中的高度比在初步形成硅通孔階段或所述去除殘余的光刻膠圖案階段中的高度高5mm-15mm。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，最終形成的硅通孔大致呈上寬下窄的錐形或梯形。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，以灰化的方法去除殘余的光刻膠圖案。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，初步形成硅通孔的步驟、去除殘余的光刻膠圖案的步驟，以及全局刻蝕硅材料層的步驟均以等離子體刻蝕的方式來(lái)實(shí)施。
9.等離子體刻蝕形成硅通孔的方法，包括：
將硅基片放置于等離子體刻蝕裝置的反應(yīng)腔中，所述硅基片的硅材料層上方形成有光刻膠圖案；所述反應(yīng)腔內(nèi)至少包括：與供氣裝置相連的進(jìn)氣區(qū)、待處理的硅基片所在的處理區(qū)，所述進(jìn)氣區(qū)與處理區(qū)之間設(shè)置有氣體聚焦環(huán)，所述氣體聚焦環(huán)的中央設(shè)置有開(kāi)口，所述開(kāi)口作為氣體自所述進(jìn)氣區(qū)流通至所述處理區(qū)的通道；所述開(kāi)口的大小在硅基片的處理過(guò)程中可調(diào)節(jié)；
在所述氣體聚焦環(huán)的所述開(kāi)口保持在第一尺寸的狀態(tài)下，等離子體刻蝕所述硅材料層，以在所述硅材料層內(nèi)初步形成硅通孔；
去除殘余的光刻膠圖案；
在所述氣體聚焦環(huán)的所述開(kāi)口保持在第二尺寸的狀態(tài)下，全局刻蝕所述硅材料層，所述第二尺寸小于所述第一尺寸；
將硅基片移出所述反應(yīng)腔。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，用于支撐硅基片的基座的周緣設(shè)置有可在豎直方向上升降的邊緣環(huán)；
所述氣體聚焦環(huán)的所述開(kāi)口的大小可通過(guò)下面方法來(lái)調(diào)節(jié)：
需要較大的開(kāi)口尺寸時(shí)，使所述邊緣環(huán)保持在所述基座；
需要較小的開(kāi)口尺寸時(shí)，使所述邊緣環(huán)升高至某一高度，以使得所述邊緣環(huán)可遮蓋所述開(kāi)口的一部分空間。
11.等離子體刻蝕形成硅通孔的方法，包括：
將硅基片放置于等離子體刻蝕裝置的反應(yīng)腔中，所述硅基片的硅材料層上方形成有光刻膠圖案；所述反應(yīng)腔內(nèi)設(shè)置有用于放置硅基片的基座，以及環(huán)繞硅基片設(shè)置的、可升降的邊緣環(huán)；
在所述邊緣環(huán)保持在基座處的狀態(tài)下，等離子體刻蝕所述硅材料層，以在所述硅材料層內(nèi)初步形成硅通孔；
去除殘余的光刻膠圖案；
在所述邊緣環(huán)保持在一明顯高于基座的高度的狀態(tài)下，全局等離子體刻蝕所述硅材料層；
將硅基片移出所述反應(yīng)腔。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述邊緣環(huán)在全局等離子體刻蝕步驟中的高度比在初步形成硅通孔步驟中的高度高5mm-15mm。