本發(fā)明涉半導(dǎo)體器件的制造方法，尤其涉及射頻橫向雙擴(kuò)散MOS器件的制作方法。

背景技術(shù)：

射頻橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(Radio Frequency Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，RF LDMOS)器件由于具有輸出功率高的特性，經(jīng)常在移動(dòng)通信系統(tǒng)中，被用于制造于高濃度摻雜硅基底的外延層。

為了提高擊穿電壓，提高器件表面耐壓性能，通常在整個(gè)器件的表面上沉積場(chǎng)板。但是場(chǎng)板通過(guò)金屬連線與源極相連，因而使場(chǎng)板與柵極之間產(chǎn)生了寄生電容，影響器件的頻率特性。由場(chǎng)板引起的寄生電容由兩部分組成，一部分是柵極上面的第一水平場(chǎng)板和柵極形成的寄生電容，另一部分是柵極側(cè)邊垂直部分的場(chǎng)板與柵極形成的寄生電容。

現(xiàn)有技術(shù)中，為了降低寄生電容，可以通過(guò)使用光刻工藝，只保留豎直場(chǎng)板和位于漂移區(qū)上方的第二水平場(chǎng)板，而把柵極上方的第一水平場(chǎng)板刻蝕掉。

但是，這樣做雖然減小了寄生電容對(duì)器件的影響，但是對(duì)光刻工藝的要求很高，稍有對(duì)偏就會(huì)刻蝕到豎直場(chǎng)板，嚴(yán)重影響射頻橫向雙擴(kuò)散MOS器件的性能。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種射頻橫向雙擴(kuò)散MOS器件的制作方法，以克服現(xiàn)有的制造方法對(duì)光刻工藝的要求過(guò)高的技術(shù)問(wèn)題。

本發(fā)明提供一種射頻橫向雙擴(kuò)散MOS器件的制作方法，包括：

提供襯底，所述襯底的表面內(nèi)形成有所述器件的源區(qū)、漏區(qū)、漂移區(qū)和 體區(qū)，所述襯底表面上形成有所述器件的柵極；

在整個(gè)器件的表面上依次沉積第一氧化層和場(chǎng)板；

通過(guò)光刻，去除預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)的所述場(chǎng)板，以保留位于所述柵極上方的第一水平場(chǎng)板、覆蓋所述柵極的一側(cè)壁的豎直場(chǎng)板、以及位于靠近所述側(cè)壁的部分漂移區(qū)上方的第二水平場(chǎng)板；

在整個(gè)器件的表面上沉積第二氧化層；

對(duì)整個(gè)器件的表面進(jìn)行研磨，直至所述第一水平場(chǎng)板被研磨掉。

進(jìn)一步地，所述在整個(gè)器件表面上沉積第二氧化層，包括：

在整個(gè)器件的表面上依次形成第三氧化層、旋涂硅玻璃層和第四氧化層，以形成所述第二氧化層。

進(jìn)一步地，所述第三氧化層的厚度為500～2000埃，所述第四氧化層的厚度為5000～20000A埃。

進(jìn)一步地，所述對(duì)整個(gè)器件的表面進(jìn)行研磨，包括：

采用化學(xué)機(jī)械研磨工藝，對(duì)所述整個(gè)器件的表面進(jìn)行研磨。

進(jìn)一步地，所述第一氧化層和所述第二氧化層通過(guò)低壓化學(xué)氣相沉積工藝形成。

進(jìn)一步地，所述第一氧化層厚度為500～2000埃。

進(jìn)一步地，所述場(chǎng)板厚度為500～3000埃。

進(jìn)一步地，所述場(chǎng)板為鈦、硅化鎢或多晶硅。

進(jìn)一步地，所述第二氧化層，厚度為5000～20000A埃。

進(jìn)一步地，所述方法還包括：

形成位于所述襯底表面上的柵氧化層；

在所述柵氧化層的表面上形成所述柵極，所述柵極位于所述源區(qū)和所述漂移區(qū)之間。

本發(fā)明的技術(shù)效果是：在已沉積的場(chǎng)板上，通過(guò)光刻，去除預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)的所述場(chǎng)板，以保留位于所述柵極上方的第一水平場(chǎng)板、覆蓋所述柵極的一側(cè)壁的豎直場(chǎng)板、以及位于靠近所述側(cè)壁的部分漂移區(qū)上方的第二水平場(chǎng)板，并在整個(gè)器件的表面上沉積第二氧化層后，對(duì)整個(gè)器件的表面進(jìn)行研磨，直至所述第一水平場(chǎng)板被研磨掉，從而消除第一水平場(chǎng)板形成的寄生電容，降低寄生電容，提升了器件性能，并且對(duì)光刻工藝要求不高，有效器件制備的 可靠性和成品率。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明射頻橫向雙擴(kuò)散MOS器件的制作方法實(shí)施例的流程圖；

圖2為本發(fā)明中提供襯底后所述射頻橫向雙擴(kuò)散MOS器件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明中沉積第一氧化層和場(chǎng)板后所述射頻橫向雙擴(kuò)散MOS器件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明中通過(guò)光刻去除預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)的場(chǎng)板后所述射頻橫向雙擴(kuò)散MOS器件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明中沉積第二氧化層后所述射頻橫向雙擴(kuò)散MOS器件的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明中對(duì)器件表面進(jìn)行研磨后所述射頻橫向雙擴(kuò)散MOS器件的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

圖1為本發(fā)明射頻橫向雙擴(kuò)散MOS器件的制作方法實(shí)施例的流程圖，如圖1所示，本實(shí)施例提供的一種射頻橫向雙擴(kuò)散MOS器件的制作方法可以包括：

步驟101，提供襯底，所述襯底的表面內(nèi)形成有所述器件的源區(qū)、漏區(qū)、漂移區(qū)和體區(qū)，所述襯底表面上形成有所述器件的柵極。

其中，形成所述柵極的方法，具體可以包括：形成位于所述襯底表面上的柵氧化層；在所述柵氧化層的表面上形成所述柵極，所述柵極位于所述源區(qū)和所述漂移區(qū)之間。

具體的，執(zhí)行步驟101后，所述射頻橫向雙擴(kuò)散MOS器件的結(jié)構(gòu)示意圖如圖2所示，其中，所述襯底用標(biāo)號(hào)1表示，所述體區(qū)用標(biāo)號(hào)2表示，所述漂移區(qū)用標(biāo)號(hào)3表示，所述源區(qū)用標(biāo)號(hào)4表示，所述漏區(qū)用標(biāo)號(hào)5表示，所述柵極用標(biāo)號(hào)7表示，所述柵氧化層用標(biāo)號(hào)6表示。

其中，襯底1表面內(nèi)形成有體區(qū)2、漂移區(qū)3位于襯底1表面內(nèi)且位于體區(qū)2的一側(cè)、漏區(qū)5位于襯底1表面內(nèi)且位于漂移區(qū)3遠(yuǎn)離體區(qū)2的一側(cè)、 源區(qū)4位于襯底表面內(nèi)且形成于體區(qū)2內(nèi)。

其中，所述襯底可以為半導(dǎo)體元素，例如單晶硅、多晶硅或非晶結(jié)構(gòu)的硅或硅鍺(SiGe)，也可以為混合的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，例如碳化硅、銻化銦、碲化鉛、砷化銦、磷化銦、砷化鎵或銻化鎵、合金半導(dǎo)體或其組合。本實(shí)施例在此不對(duì)其進(jìn)行限制。在實(shí)際應(yīng)用中，所述襯底具體還可以為在半導(dǎo)體上生長(zhǎng)了一層或多層半導(dǎo)體薄膜的外延片。

步驟102，在整個(gè)器件的表面上依次沉積第一氧化層和場(chǎng)板。

具體的，執(zhí)行步驟102后，所述射頻橫向雙擴(kuò)散MOS器件的結(jié)構(gòu)示意圖如圖3所示，其中，所述第一氧化層用標(biāo)號(hào)8表示，所述場(chǎng)板用標(biāo)號(hào)9表示。

可選的，第一氧化層的厚度可以為500～2000埃。所述場(chǎng)板可以為鈦、硅化鎢或多晶硅。所述場(chǎng)板的厚度可以為500～3000埃。

實(shí)際應(yīng)用中，所述第一氧化層可以通過(guò)低壓化學(xué)氣相沉積工藝(Low Pressure Chemical Vapor Deposition，簡(jiǎn)稱LPCVD)形成。低壓化學(xué)氣相沉積工藝沉積過(guò)程簡(jiǎn)單，不消耗硅襯底，溫度低，不會(huì)對(duì)下面的離子區(qū)造成擴(kuò)散。

步驟103，通過(guò)光刻，去除預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)的所述場(chǎng)板，以保留位于所述柵極上方的第一水平場(chǎng)板、覆蓋所述柵極的一側(cè)壁的豎直場(chǎng)板、以及位于靠近所述側(cè)壁的部分漂移區(qū)上方的第二水平場(chǎng)板。

具體地，光刻過(guò)程可以包括，在所述柵極上方的第一水平場(chǎng)板、覆蓋所述柵極的一側(cè)壁的豎直場(chǎng)板、以及位于靠近所述側(cè)壁的部分漂移區(qū)上方的第二水平場(chǎng)板上涂布光阻，用掩模版進(jìn)行曝光，曝光后顯影。對(duì)場(chǎng)板進(jìn)行刻蝕，使涂有光阻的場(chǎng)板被保留下來(lái)。

具體的，執(zhí)行步驟103后，所述射頻橫向雙擴(kuò)散MOS器件的結(jié)構(gòu)示意圖如圖4所示。

步驟104，在整個(gè)器件的表面上沉積第二氧化層；

具體的，執(zhí)行步驟104后，所述射頻橫向雙擴(kuò)散MOS器件的結(jié)構(gòu)示意圖如圖5所示，其中，所述第二氧化層用標(biāo)號(hào)11表示。

進(jìn)一步地，沉積第二氧化層，可以包括以下兩種實(shí)現(xiàn)方式：

第一種實(shí)施方式為，通過(guò)在整個(gè)器件的表面上依次形成第三氧化層、旋涂硅玻璃層和第四氧化層，以形成所述第二氧化層。

具體地，所述第三氧化層的厚度為500～2000埃，所述第四氧化層的厚度 為5000～20000A埃。第三氧化層和第四氧化層可以通過(guò)低壓化學(xué)氣相沉積工藝形成。

低壓化學(xué)氣相沉積工藝沉積過(guò)程簡(jiǎn)單，不消耗硅襯底，溫度低，不會(huì)對(duì)下面的離子區(qū)造成擴(kuò)散。并且，通過(guò)依次形成第三氧化層、旋涂硅玻璃層和第四氧化層，能夠使第二氧化層表面更加平坦。

第二種實(shí)施方式為，通過(guò)低壓化學(xué)氣相沉積工藝直接形成第二氧化層，第二氧化層的厚度為5000～20000A埃。

通過(guò)沉積第二氧化層，可以在器件研磨時(shí)，對(duì)第一氧化層和柵極起到保護(hù)作用，避免直接研磨到第一氧化層，對(duì)柵極造成磨損。

本實(shí)施方式中，所述第二氧化層可以通過(guò)低壓化學(xué)氣相沉積工藝形成。低壓化學(xué)氣相沉積工藝沉積過(guò)程簡(jiǎn)單，不消耗硅襯底，溫度低，不會(huì)對(duì)下面的離子區(qū)造成擴(kuò)散。

步驟105，對(duì)整個(gè)器件的表面進(jìn)行研磨，直至所述第一水平場(chǎng)板被研磨掉。

具體的，執(zhí)行步驟105后，所述射頻橫向雙擴(kuò)散MOS器件的結(jié)構(gòu)示意圖如圖6所示。

第一水平場(chǎng)板及其以上的第二氧化層被研磨掉，暴露出第一氧化層的表面。

本實(shí)施例，在已沉積的場(chǎng)板上，通過(guò)光刻，去除預(yù)設(shè)區(qū)域內(nèi)的所述場(chǎng)板，以保留位于所述柵極上方的第一水平場(chǎng)板、覆蓋所述柵極的一側(cè)壁的豎直場(chǎng)板、以及位于靠近所述側(cè)壁的部分漂移區(qū)上方的第二水平場(chǎng)板，在整個(gè)器件的表面上沉積第二氧化層，并且對(duì)整個(gè)器件的表面進(jìn)行研磨，直至所述第一水平場(chǎng)板被研磨掉。可以消除第一水平場(chǎng)板導(dǎo)致的寄生電容，降低了總的寄生電容，提升了器件性能，且對(duì)光刻工藝的要求不高，在降低工藝難度的同時(shí)，提高器件的可靠性和成品率。

更進(jìn)一步地，所述對(duì)整個(gè)器件的表面進(jìn)行研磨，可以通過(guò)采用化學(xué)機(jī)械研磨工藝，對(duì)所述整個(gè)器件的表面進(jìn)行研磨來(lái)實(shí)現(xiàn)，通過(guò)采用化學(xué)機(jī)械研磨工藝可以實(shí)現(xiàn)將柵極上方的第一氧化層磨平，并且精度容易控制。

可選的，在對(duì)整個(gè)器件的表面進(jìn)行研磨，直至所述第一水平場(chǎng)板被研磨掉后，還可以包括介電層沉積、保護(hù)層的沉積、硅片減薄、背面注入和背面 金屬沉積等過(guò)程。

最后應(yīng)說(shuō)明的是：以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。