技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備和制造該有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法，并且更特別地，涉及一種在整個(gè)屏幕上具有均勻亮度以及提高的產(chǎn)品良率的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備、以及制造該有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法。

背景技術(shù)：

不像液晶顯示(LCD)設(shè)備那樣，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備是自發(fā)光。從而，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備不要求附加光源；因此，其可以更輕和更薄。而且，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的優(yōu)點(diǎn)在于，其通過(guò)低壓被驅(qū)動(dòng)，以消耗更少的電力，并且其具有更短響應(yīng)時(shí)間、更寬視角、以及良好的對(duì)比度(CR)。由于這些原因，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備當(dāng)前被開(kāi)發(fā)為下一代顯示設(shè)備。

對(duì)于頂發(fā)射有機(jī)發(fā)光設(shè)備來(lái)說(shuō)，透明電極或半透反射電極被用作上電極(例如，陰極)，以通過(guò)上電極向上發(fā)射在有機(jī)發(fā)光層中生成的光。當(dāng)透明電極或半透反射電極被用作陰極時(shí)，陰極被制造得薄，以提高透射率。然而，陰極越薄，陰極的電阻越高。另外，因?yàn)樵诖蟮挠袡C(jī)發(fā)光顯示設(shè)備中有機(jī)發(fā)光元件和電壓提供焊盤(pán)之間的距離增加，所以可能出現(xiàn)超過(guò)正常水平的壓降(例如，IR-降)，使得在有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備中亮度不均勻。如在此使用的，術(shù)語(yǔ)“壓降”是指有機(jī)發(fā)光元件中(特別是在有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備中的陽(yáng)極和陰極之間)的電勢(shì)差的減小。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

從而，本公開(kāi)致力于一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備和制造該有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法，其基本消除了由于相關(guān)技術(shù)的限制和缺點(diǎn)導(dǎo)致的一個(gè)或更多個(gè)問(wèn)題。

本發(fā)明的目標(biāo)在于提供一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其通過(guò)使用由與薄膜晶體管的柵極相同的材料制成的層、由與薄膜晶體管的源極/漏極相同的材料制成的層、以及鈍化層，以屋檐結(jié)構(gòu)配置輔助電極，解決了由壓降導(dǎo)致的不均勻亮度的問(wèn)題。

本公開(kāi)的另一個(gè)目標(biāo)在于通過(guò)在不經(jīng)受形成間隔墻(partitioning wall)的附加處理的情況下以屋檐結(jié)構(gòu)配置輔助電極，提供具有提高的生產(chǎn)率的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備。

將在以下說(shuō)明書(shū)中闡述附加特征和優(yōu)點(diǎn)，并且部分將從下面的說(shuō)明書(shū)變得明顯，或者可以通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐而獲知。本發(fā)明的目標(biāo)和其它優(yōu)點(diǎn)將通過(guò)在所撰寫(xiě)的說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)和獲得。

為了實(shí)現(xiàn)這些和其它優(yōu)點(diǎn)并且根據(jù)本發(fā)明的目的，如在此具體化和廣泛描述的，提供一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，包括：薄膜晶體管，在基板上；輔助電極部件，在基板的接觸區(qū)中，輔助電極部件與薄膜晶體管間隔開(kāi)；絕緣部件，在薄膜晶體管和輔助電極部件上，絕緣部件包括開(kāi)口，通過(guò)該開(kāi)口輔助電極部件的至少一部分被暴露在接觸區(qū)中；以及有機(jī)發(fā)光元件，在絕緣部件上，有機(jī)發(fā)光元件包括陽(yáng)極、有機(jī)發(fā)光層、以及陰極，其中，開(kāi)口的側(cè)面比輔助電極部件的側(cè)面更靠近開(kāi)口的內(nèi)側(cè)設(shè)置，使得陰極與輔助電極部件接觸，而在其上沒(méi)有倒錐形間隔墻。

另一方面，提供一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，該有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括：薄膜晶體管，在基板上，薄膜晶體管包括柵極、有源層、源極、以及漏極；第一輔助電極，與柵極間隔開(kāi)，第一輔助電極在基板上的接觸區(qū)中包括暴露的上表面；第二輔助電極，在第一輔助電極上，第二輔助電極在接觸區(qū)中包括暴露的側(cè)面；鈍化層，在第二輔助電極上，鈍化層在接觸區(qū)中包括暴露的下表面；陽(yáng)極，電連接至薄膜晶體管；有機(jī)發(fā)光層，在陽(yáng)極上；以及陰極，在有機(jī)發(fā)光層上，其中，在接觸區(qū)中，陰極與第一輔助電極的暴露的上表面或者第二輔助電極的暴露的側(cè)面接觸。

另一方面，提供一種制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法，該方法包括：在基板上設(shè)置彼此間隔開(kāi)的柵極和第一輔助電極；設(shè)置與第一輔助電極接觸的第二輔助電極、源極、以及與柵極分開(kāi)的漏極；在源極、漏極、以及第二輔助電極的上表面的上方設(shè)置鈍化層；去除鈍化層的一部分和第二輔助電極的一部分，使得第二輔助電極的側(cè)面和第一輔助電極的上表面的一部分被暴露在接觸區(qū)中；設(shè)置電連接到源極或漏極的陽(yáng)極；在陽(yáng)極上設(shè)置有機(jī)發(fā)光層；以及在有機(jī)發(fā)光層上設(shè)置陰極，使得在接觸區(qū)中陰極與第一輔助電極的上表面的暴露的部分或者第二輔助電極的暴露的側(cè)面接觸。

當(dāng)查閱以下附圖和詳細(xì)說(shuō)明時(shí)，其它系統(tǒng)、方法、特征和優(yōu)點(diǎn)對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將是或者將變得明顯。將想到，所有這樣的附加系統(tǒng)、方法、特征和優(yōu)點(diǎn)都包括在本說(shuō)明書(shū)內(nèi)，在本公開(kāi)的范圍內(nèi)，并且由以下的權(quán)利要求保護(hù)。在本部分中的內(nèi)容都不被看作是對(duì)那些權(quán)利要求的限制。以下結(jié)合實(shí)施方式論述進(jìn)一步方面和優(yōu)點(diǎn)。將理解，本公開(kāi)的以上一般說(shuō)明和以下詳細(xì)說(shuō)明是示例并且是解釋性的，并且旨在提供所要求的本公開(kāi)的進(jìn)一步解釋。

附圖說(shuō)明

附圖被包括以提供本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并入到本說(shuō)明書(shū)中并且構(gòu)成本說(shuō)明書(shū)的一部分，附圖示出本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)并且與說(shuō)明書(shū)一起用于解釋本發(fā)明的原理。

圖1是用于示出根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示意性平面圖。

圖2是沿著圖1的線II-II’截取的示意性截面圖。

圖3是用于示出根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示意性截面圖。

圖4是根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的輔助電極部件的一部分的放大平面圖。

圖5是沿著圖4的線V-V’截取的示意性截面圖。

圖6是根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的輔助電極部件的一部分的放大平面圖。

圖7是用于示出根據(jù)實(shí)施方式的制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法的流程圖。

圖8A至圖8E是用于示出根據(jù)實(shí)施方式的制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法的示意性截面圖。

貫穿附圖和詳細(xì)說(shuō)明，除非另外描述，相同附圖標(biāo)號(hào)應(yīng)該被理解為是指相同元件、特征和結(jié)構(gòu)。為了清楚、說(shuō)明和方便起見(jiàn)，這些元件的相對(duì)尺寸和描繪可以被放大。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式給出詳細(xì)參考，其示例在附圖中示出。在以下說(shuō)明中，當(dāng)關(guān)于本文檔的眾所周知的功能或結(jié)構(gòu)的詳細(xì)說(shuō)明被確定為不必要地混淆本發(fā)明的主旨時(shí)，其詳細(xì)說(shuō)明將被省略。所描述的處理步驟和/或操作的進(jìn)展是示例；然而，步驟和/或操作的順序不限于在此闡述的順序，并且除了步驟和/或操作必須按照特定 順序發(fā)生之外，可以如本領(lǐng)域已知那樣改變。類似的標(biāo)號(hào)始終指示類似元件。在以下解釋中使用的各個(gè)元件的名稱僅被選擇用于便于編寫(xiě)說(shuō)明書(shū)，并且從而可以不同于在實(shí)際產(chǎn)品中使用的那些。

在實(shí)施例的說(shuō)明中，當(dāng)結(jié)構(gòu)被描述為定位在另一個(gè)結(jié)構(gòu)“上或之上”或者“下面或之下”時(shí)，該說(shuō)明應(yīng)該被解釋為包括結(jié)構(gòu)彼此接觸的情況以及第三結(jié)構(gòu)設(shè)置在它們之間的情況。

為了改進(jìn)由壓降導(dǎo)致的不均勻的亮度的上述問(wèn)題，可以使用輔助電極。為了將輔助電極電連接到陰極，可以使用間隔墻(partitioning wall)。

當(dāng)使用間隔墻時(shí)，陰極可以連接到輔助電極的上表面，輔助電極被設(shè)置在間隔墻的側(cè)面和堤(bank)的側(cè)面之間。由于陰極的材料和有機(jī)發(fā)光層的材料之間的階梯覆蓋的差異，導(dǎo)致陰極可以連接到輔助電極的上表面。例如，堤可以具有錐形形狀，同時(shí)間隔墻可以具有倒錐形形狀。如在此使用的，“錐形”形狀是指隨著元件遠(yuǎn)離基板移動(dòng)截面面積變得越小的元件的形狀。即，隨著遠(yuǎn)離基板移動(dòng)，堤的截面面積可以變得越小，同時(shí)隨著遠(yuǎn)離基板移動(dòng)，間隔墻的截面面積可以變得越大。因?yàn)殚g隔墻可以具有倒錐形形狀，所以可以在間隔墻下面在輔助電極的上表面的一部分上作出陰影區(qū)域。

順便提及，有機(jī)發(fā)光層可以以有機(jī)材料可以沉積在基板上的方式形成。如上所述，有機(jī)材料具有低階梯覆蓋，并且其在由間隔墻的倒錐形形狀作出的陰影區(qū)域中，沒(méi)有被沉積在輔助電極的上表面上。即，用于形成有機(jī)發(fā)光層的有機(jī)材料被沉積在堤的上表面上和間隔墻的上表面上，但是沒(méi)有被沉積在為倒錐形形狀的間隔墻的傾斜側(cè)面上和輔助電極在通過(guò)倒錐形形狀形成的陰影區(qū)域中的上表面上。從而，有機(jī)材料在堤和間隔墻之間通過(guò)倒錐形形狀斷開(kāi)。結(jié)果，可以獲得陰極與輔助電極的上表面接觸的物理空間。

另一方面，陰極由具有高階梯覆蓋的材料制成，并且從而其可以沿著堤的上表面和側(cè)面以及間隔墻的上表面和側(cè)面被連續(xù)地沉積。從而，陰極連接到未沉積有機(jī)材料的輔助電極的上表面。

然而，上述過(guò)程要求形成間隔墻的附加處理，使得有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的制造成本和處理時(shí)間增加，這將最終降低有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的生產(chǎn)率。

另外，如果負(fù)性光刻膠被用于形成間隔墻，則在負(fù)性光刻膠的修復(fù)處理期間可能 導(dǎo)致諸如對(duì)基板的損壞的嚴(yán)重問(wèn)題。更特別地，負(fù)性光刻膠可以通過(guò)顯影被去除，留下曝光部分。然后，曝光部分被硬化。這樣做時(shí)，如果由于諸如曝光失敗的處理問(wèn)題，導(dǎo)致負(fù)性光刻膠沒(méi)有形成為期望形狀，則需要修復(fù)負(fù)性光刻膠，用于從基板去除失敗的負(fù)性光刻膠，并且需要將新的負(fù)性光刻膠施加到基板上。新施加的負(fù)性光刻膠必須被再次顯影。不幸的是，在從基板去除硬化后的負(fù)性光刻膠時(shí)，基板可能被損壞。如果基板被嚴(yán)重?fù)p壞，則基板本身以及形成在基板上的薄膜晶體管必須被丟棄。結(jié)果，增加了有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的制造成本，并且降低了產(chǎn)品良率。

考慮到此，實(shí)施方式可以在不使用負(fù)性光刻膠的情況下，替換倒錐形間隔墻結(jié)構(gòu)。結(jié)果，實(shí)施方式包括一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，其可以在不經(jīng)受用于形成間隔墻的任何附加處理的情況下在形成薄膜晶體管和鈍化層的處理期間替換倒錐形間隔墻。

此后，將參考附圖詳細(xì)地描述實(shí)施方式。

圖1是用于示出根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示意性平面圖。圖2是沿著圖1的線II-II’截取的示意性截面圖。參考圖1和圖2，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備100可以包括基板110、薄膜晶體管、第一輔助電極141、第二輔助電極142、鈍化層182、陽(yáng)極171、有機(jī)發(fā)光層172、以及陰極173。為了便于說(shuō)明，圖1僅示出兩個(gè)子像素，每個(gè)子像素都具有2T1C結(jié)構(gòu)，例如，兩個(gè)薄膜晶體管和一個(gè)電容器。然而，實(shí)施方式的子像素不限于這些結(jié)構(gòu)，并且可以具有其它結(jié)構(gòu)，諸如，例如，3T1C結(jié)構(gòu)或4T2C結(jié)構(gòu)。在圖1中，未示出有機(jī)發(fā)光層172和陰極173(它們?cè)趫D2中示出)，并且示意性地示出線的厚度和形狀。

根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備100可以是頂發(fā)射類型的，其中，可以從基板100向上發(fā)射從有機(jī)發(fā)光層172生成的光。參考圖2，在頂發(fā)射有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備100中，陽(yáng)極171可以包括反射層171a，并且從有機(jī)發(fā)光層172生成的光可以經(jīng)過(guò)陰極173被發(fā)射。

基板110可以支撐有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備100中的多種元件，并且可以是例如玻璃基板或塑料基板。

數(shù)據(jù)線130和選通線120可以在基板110上彼此交叉。由彼此交叉的數(shù)據(jù)線130和選通線120限定的區(qū)域可以稱為“像素區(qū)”或“顯示區(qū)”。子像素可以設(shè)置在由彼此交叉的數(shù)據(jù)線130和選通線120限定的區(qū)域中。圖1示出第一子像素和第二子像素。雖然在圖1中示出數(shù)據(jù)線130和選通線120具有直線形狀，但是實(shí)施方式不限于此。 例如，它們可以具有彎曲形狀或之字形狀。每條數(shù)據(jù)線130都可以將數(shù)據(jù)信號(hào)傳遞至一個(gè)或更多個(gè)子像素。每條選通線120都可以將選通信號(hào)傳遞至一個(gè)或更多個(gè)子像素。

電源(VDD)線160可以與數(shù)據(jù)線130和選通線120電隔開(kāi)，并且可以將電源電壓VDD提供給子像素。

第一子像素可以包括第一開(kāi)關(guān)薄膜晶體管SWT1、第一驅(qū)動(dòng)晶體管DRT1、第一存儲(chǔ)電容器Cst1、以及第一有機(jī)發(fā)光元件OLED1。第二子像素可以包括第二開(kāi)關(guān)薄膜晶體管SWT2、第二驅(qū)動(dòng)晶體管DRT2、第二存儲(chǔ)電容器Cst2、以及第二有機(jī)發(fā)光元件OLED2。除了它們的位置之外，第一子像素和第二子像素可以基本相同，并且因此，為了方便起見(jiàn)，將主要關(guān)于第一子像素進(jìn)行說(shuō)明。

第一開(kāi)關(guān)薄膜晶體管SWT1和第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DRT1中的每個(gè)都可以包括柵極、源極、以及漏極，并且每個(gè)都可以是p型薄膜晶體管或者n型薄膜晶體管。雖然在圖1示例中示出p型薄膜晶體管，但是這僅是說(shuō)明性的。另外，雖然在圖2示例中示出柵極151設(shè)置在有源層152的下面的反向交錯(cuò)薄膜晶體管，但是作為示例還可以采用共面薄膜晶體管。

第一開(kāi)關(guān)薄膜晶體管SWT1可以連接到選通線120、數(shù)據(jù)線130、第一存儲(chǔ)電容器Cst1、以及第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DRT1。第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DRT1可以連接到VDD線160、第一存儲(chǔ)電容器Cst1、第一開(kāi)關(guān)薄膜晶體管SWT1、以及第一有機(jī)發(fā)光元件OLED1的陽(yáng)極171。第一存儲(chǔ)電容器Cst1可以連接到第一開(kāi)關(guān)薄膜晶體管SWT1、第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DRT1、以及VDD線160。

參考圖2，柵極151可以設(shè)置在在陽(yáng)極171下面的基板110上，并且可以用作用于在有源層152中形成溝道的電極。柵極151可以由導(dǎo)電材料制成，并且可以是單層或多層。

柵絕緣層181可以設(shè)置在柵極151上。柵絕緣層181可以使柵極151與有源層152絕緣，并且可以由硅氧化物(SiO_x)、硅氮化物(SiN_x)、或其多層制成，但是不限于此。

有源層152可以設(shè)置在柵絕緣層181上并且設(shè)置在柵極151的上方。有源層152可以包括在其中形成溝道的溝道區(qū)、連接到源極153的源區(qū)、以及連接到漏極154的漏區(qū)。

源極153和漏極154可以設(shè)置在有源層152上，并且可以電連接到有源層152。例如，源極153和漏極154可以分別與有源層152的源區(qū)和漏區(qū)接觸。在一些實(shí)施方式中，附加接觸件可以設(shè)置在源極153和有源層152之間以及漏極154和有源層152之間。源極153和漏極154可以經(jīng)由接觸部件分別連接到有源層152的源極和漏區(qū)。源極153和漏極154中的每個(gè)都可以由導(dǎo)電材料制成，并且可以是單層或者多層。

參考圖1和圖2，第一輔助電極141可以與選通線120、數(shù)據(jù)線130、以及VDD線160斷開(kāi)電連接。第一輔助電極141可以在接觸區(qū)C/A中電連接到陰極173，并且可以由導(dǎo)電材料制成，以降低跨陰極173的電阻的壓降。第一輔助電極141的電阻可以基于第一輔助電極141的寬度、長(zhǎng)度、厚度以及材料的類型計(jì)算。

第一輔助電極141(還被稱為“輔助線”)可以電連接到設(shè)置在基板110的外圍區(qū)域上的電壓提供焊盤(pán)(未示出)。第一輔助電極141可以經(jīng)由電壓提供焊盤(pán)接收地電壓或者負(fù)(或低)電壓。另外，電壓提供焊盤(pán)還可以電連接到陰極173。相同電壓VSS可以被施加至陰極173和第一輔助電極141。

第一輔助電極141可以減小其連接到的陰極173的電阻。通過(guò)減小陰極173的電阻，可以減緩壓降，例如，減小在大的顯示設(shè)備中陽(yáng)極171和陰極173之間的電勢(shì)差。為了減緩大的顯示設(shè)備中的壓降，第一輔助電極141的寬度和厚度可以基于有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的尺寸被適當(dāng)?shù)卮_定。

參考圖2，第一輔助電極141可以設(shè)置在與設(shè)置有第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DRT1的柵極151和第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DRT2的柵極的平面相同的平面上，并且第一輔助電極141可以與柵極151間隔開(kāi)。第一輔助電極141可以由諸如鉻(Cr)、鈦(Ti)、鉬-鈦(Mo-Ti)合金等金屬制成，或者可以是諸如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、銦錫鋅氧化物(ITZO)、鋅氧化物、錫氧化物等透明導(dǎo)電氧化物(TCO)。如果第一輔助電極141由與第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DRT1的柵極和第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DRT2的柵極的材料相同的材料制成，則第一輔助電極141、第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DRT1的柵極151、以及第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DRT2的柵極可以在相同處理期間被同時(shí)生產(chǎn)。

在接觸區(qū)C/A中，第二輔助電極142可以設(shè)置在第一輔助電極141上。如圖1示例中所示，接觸區(qū)C/A可以形成在第一子像素的像素區(qū)和第二子像素的像素區(qū)之間。

第二輔助電極142可以與源極153或漏極154電隔開(kāi)，并且可以由與源極153 或漏極154的材料相同的材料制成。例如，第二輔助電極142可以由銅(Cu)或鋁(Al)制成。

在接觸區(qū)C/A中，第二輔助電極142可以比第一輔助電極141更靠?jī)?nèi)設(shè)置。換句話說(shuō)，如圖2示例中所示，第一輔助電極141的側(cè)面S1可以比第二輔助電極142的側(cè)面S2伸出更多。從而，在接觸區(qū)C/A中，可以暴露第一輔助電極141的上表面T1的一部分。

關(guān)于相同的蝕刻劑，第一輔助電極141的蝕刻選擇性可以低于第二輔助電極142的蝕刻選擇性。即，關(guān)于用于蝕刻第二輔助電極142的蝕刻劑，第一輔助電極141可以由具有比第二輔助電極142的蝕刻選擇性低的蝕刻選擇性的材料制成。更特別地，如果關(guān)于用于蝕刻第二輔助電極142的蝕刻劑，第一輔助電極141的蝕刻選擇性低于第二輔助電極142的蝕刻選擇性，則第二輔助電極142可以比第一輔助電極141快地被蝕刻。從而，第二輔助電極142的側(cè)面S2可以被形成為比第一輔助電極141的側(cè)面S1更靠近第一輔助電極141的內(nèi)側(cè)。換句話說(shuō)，第一輔助電極141的側(cè)面S1可以比第二輔助電極142的側(cè)面S2伸出更多。例如，如果第一輔助電極141由鉬-鈦(Mo-Ti)合金制成，并且第二輔助電極142由銅(Cu)制成，則關(guān)于用于蝕刻銅的蝕刻劑，第二輔助電極142可以比第一輔助電極141快地被蝕刻。

鈍化層182可以覆蓋第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DRT1、第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DRT2、第一輔助電極141、第二輔助電極142、以及數(shù)據(jù)線130。鈍化層182可以具有接觸孔，可以通過(guò)該接觸孔分別暴露第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DRT1的漏極和第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DRT2的漏極。另外，鈍化層182可以具有開(kāi)口，第二輔助電極142的側(cè)面S2和第一輔助電極141的上表面T1通過(guò)該開(kāi)口暴露在接觸區(qū)C/A中。在一些實(shí)施方式中，第一輔助電極141的側(cè)面S1和基板110的上表面的一部分可以經(jīng)由鈍化層182的開(kāi)口被暴露。

鈍化層182可以具有在接觸區(qū)C/A中暴露的下表面B3。鈍化層182的側(cè)面S3可以比第二輔助電極142的側(cè)面S2伸出更多。換句話說(shuō)，鈍化層182的開(kāi)口的側(cè)面S3可以比第二輔助電極142的側(cè)面S2更靠近開(kāi)口的內(nèi)側(cè)設(shè)置。而且，第一輔助電極141的側(cè)面S1可以比第二輔助電極142的側(cè)面S2更靠近開(kāi)口的內(nèi)側(cè)設(shè)置。鈍化層182的下表面B3可以暴露在接觸區(qū)C/A中。即，第二輔助電極142的側(cè)面S2可以比開(kāi)口的側(cè)面S3更靠近鈍化層182的內(nèi)側(cè)設(shè)置。如圖2示例中所示，鈍化層182在接觸 區(qū)C/A中的部分可以具有覆蓋第二輔助電極142的類似屋頂?shù)男螤?。即，比第二輔助電極142的側(cè)面S2伸出更多的鈍化層182的側(cè)面S3和下表面B3看起來(lái)像屋頂?shù)奈蓍堋榱吮阌谡f(shuō)明，圖2示例中所示的接觸區(qū)C/A中的第一輔助電極141、第二輔助電極142、以及鈍化層182的結(jié)構(gòu)在此被稱為“屋檐結(jié)構(gòu)”或“屋檐形狀”。

屋檐結(jié)構(gòu)的高度H(即，從第一輔助電極141的下表面到鈍化層182的暴露的下表面B3的距離、或者第一輔助電極141的厚度和第二輔助電極142的厚度之和)可以大于有機(jī)發(fā)光層172的厚度。例如，第一輔助電極141的下表面到鈍化層182的下表面B3的距離可以等于或大于約在一個(gè)示例中，因?yàn)槲蓍芙Y(jié)構(gòu)的高度H可以大于有機(jī)發(fā)光層172，所以可以獲得陰極173與第一輔助電極141或第二輔助電極142接觸的物理空間。在這點(diǎn)上，有機(jī)發(fā)光層172的厚度可以被限定為從陽(yáng)極171的上表面到陰極173的下表面的距離。即，有機(jī)發(fā)光層172的厚度是指陽(yáng)極172和陰極173之間的總距離(或厚度)。

平坦化層183可以設(shè)置在鈍化層182上。在平坦化薄膜晶體管上面的區(qū)域時(shí)，平坦化層183可以保護(hù)設(shè)置在其下的薄膜晶體管和存儲(chǔ)電容器，使得其它元件可以更容易地形成或設(shè)置在薄膜晶體管的上面。例如，如圖2圖解中所示，平坦化層183可以設(shè)置在鈍化層182上，以覆蓋第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DRT1和第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DRT2，并且可以平坦化鈍化層182上面的區(qū)域。平坦化層183可以具有這樣的厚度：該厚度可以平坦化鈍化層182上方的區(qū)域，使得第一有機(jī)發(fā)光元件OLED1(包括陽(yáng)極171、有機(jī)發(fā)光層172、以及陰極173)和第二有機(jī)發(fā)光元件OLED2可以形成在其上。平坦化層183可以由有機(jī)絕緣材料制成。另外，平坦化層183可以具有接觸孔，通過(guò)這些接觸孔可以分別暴露第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DRT1的漏極154和第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DRT2的漏極。而且，平坦化層183可以具有對(duì)應(yīng)于接觸區(qū)C/A的開(kāi)口。鈍化層182的側(cè)面S3和下表面S3可以遵循平坦化層183中的開(kāi)口被暴露。第一輔助電極141的上表面T1和第二輔助電極142的側(cè)面S2可以設(shè)置在鈍化層182下面。

雖然在圖1示例中未示出，但是如果薄膜晶體管是共面薄膜晶體管，則第一輔助電極和第二輔助電極的分層結(jié)構(gòu)可以與圖1中所示的第一輔助電極141和第二輔助電極142的分層結(jié)構(gòu)基本相同。例如，第一輔助電極可以設(shè)置在柵絕緣層上，第二輔助電極可以設(shè)置在第一輔助電極上，并且鈍化層可以設(shè)置在第二輔助電極上。

如圖1中所示，子像素中的陽(yáng)極171可以與另一個(gè)子像素中的陽(yáng)極斷開(kāi)連接。如 圖2示例中所示，在第一子像素中，陽(yáng)極171可以通過(guò)穿過(guò)平坦化層183和鈍化層182的接觸孔，電連接到第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DRT1。而且，在第二子像素中，陽(yáng)極可以通過(guò)穿過(guò)平坦化層183和鈍化層182的接觸孔，電連接到第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DRT2。第一子像素中的陽(yáng)極171可以與第二子像素中的陽(yáng)極基本相同，并且從而為了方便起見(jiàn)，僅描述第一子像素中的陽(yáng)極171。

陽(yáng)極171可以包括反射層171a和第一透明電極171b。反射層171a可以向上反射從有機(jī)發(fā)光層172生成的光。反射層171a可以由具有良好的反射率的例如銀(Ag)、鎳(Ni)、金(Au)、鉑(Pt)、鋁(Al)、銅(Cu)、和/或鉬/鋁釹(Mo/AlNd)制成。第一透明電極171b可以將空穴注入到有機(jī)發(fā)光層173中。第一透明電極171b可以由具有高功函數(shù)的材料制成，用于容易地注入空穴。例如，第一透明電極171b可以由諸如ITO、IZO、ITZO、鋅氧化物、和/或錫氧化物的透明導(dǎo)電氧化物(TCO)制成。

堤184可以設(shè)置在平坦化層183上，并且可以具有對(duì)應(yīng)于像素區(qū)和接觸區(qū)C/A的開(kāi)口。即，堤184可以圍繞第一子像素的陽(yáng)極171和第二子像素的陽(yáng)極，使得陽(yáng)極171的上表面經(jīng)由對(duì)應(yīng)于像素區(qū)的開(kāi)口被暴露。而且，堤184可以圍繞接觸區(qū)C/A，并且可以具有對(duì)應(yīng)于接觸區(qū)C/A的開(kāi)口。屋檐結(jié)構(gòu)可以經(jīng)由對(duì)應(yīng)于接觸區(qū)C/A的堤184的開(kāi)口被暴露。

堤184可以由有機(jī)絕緣材料制成，并且可以具有錐形形狀。堤184可以由光刻膠制成。堤184可以具有這樣的厚度，該厚度可以使第一子像素與第二子像素間隔開(kāi)，并且使彼此相鄰的第一子像素的像素區(qū)與第二子像素的像素區(qū)分開(kāi)。

有機(jī)發(fā)光層172可以設(shè)置在陽(yáng)極171和堤184上。有機(jī)發(fā)光層172可以通過(guò)在像素區(qū)中將從陽(yáng)極171注入的空穴和從陰極173注入的電子復(fù)合，生成例如紅光、綠光、藍(lán)光或者白光。

在接觸區(qū)C/A中，有機(jī)發(fā)光層172可以覆蓋平坦化層183的暴露的側(cè)面。如圖2圖解中所示，有機(jī)發(fā)光層172可以覆蓋接觸區(qū)C/A中的柵絕緣層181的暴露部分和基板110的上表面的一部分。然而，有機(jī)發(fā)光層172可以不覆蓋接觸區(qū)C/A中的第一輔助電極141的暴露的上表面T1和第二輔助電極142的暴露的側(cè)面S2。在存在第一輔助電極141的暴露的上表面T1和第二輔助電極142的暴露的側(cè)面S2的地方有機(jī)發(fā)光層172可以斷開(kāi)。

有機(jī)發(fā)光層172可以通過(guò)在整個(gè)基板110上沉積有機(jī)材料來(lái)形成，使得有機(jī)發(fā)光 層172覆蓋所有的陽(yáng)極171、堤184、以及平坦化層183。通常，有機(jī)材料具有低階梯覆蓋。由于有機(jī)材料的低階梯覆蓋，有機(jī)材料可以不被沉積在接觸區(qū)C/A中的第一輔助電極141的暴露的上表面T1和第二輔助電極142的暴露的側(cè)面S2上。特別是，可以通過(guò)鈍化層182、第二輔助電極142、以及第一輔助電極141的屋檐結(jié)構(gòu)，在第一輔助電極141的上表面T1上作出陰影區(qū)域。從而，由于其低階梯覆蓋，導(dǎo)致有機(jī)發(fā)光層可以不被沉積在陰影區(qū)域中。通過(guò)類推，這可以通過(guò)與下雪天雪為什么不落在屋頂?shù)奈蓍芟旅娴脑蛳嗤脑虮蝗菀椎乩斫?。結(jié)果，在鈍化層183的暴露的下表面B3和第一輔助電極141的暴露的上表面T1之間，可以獲得物理空間，在該物理空間，陰極173與第一輔助電極141的暴露的上表面T1或者與第二輔助電極142的暴露的側(cè)面S2接觸。

在一些實(shí)施方式中，可以通過(guò)有機(jī)發(fā)光層172覆蓋第一輔助電極141的暴露的上表面T1，而不管有機(jī)材料的低階梯覆蓋。然而，如上所述，因?yàn)楦叨菻(從鈍化層182的暴露的下表面B3到第一輔助電極141的下表面的距離)大于有機(jī)發(fā)光層172的厚度，所以即使第一輔助電極141的暴露的上表面T1被有機(jī)發(fā)光層172覆蓋，第二輔助電極142的側(cè)面S2的至少一部分也可以被暴露。從而，陰極173可以與第二輔助電極142的暴露的側(cè)面S2接觸。

陰極173可以設(shè)置在有機(jī)發(fā)光層172上。陰極173可以由具有低功函數(shù)的材料制成，這是因?yàn)槠浔仨殞㈦娮幼⑷氲接袡C(jī)發(fā)光層172中。例如，陰極173可以由諸如銀(Ag)、鈦(Ti)、鋁(Al)、鉬(Mo)、銀(Ag)和鎂(Mg)等的合金的金屬材料制成。如上所述，在頂發(fā)射有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備中，陰極173必須發(fā)射從有機(jī)發(fā)光元件172生成的光，并且從而陰極173具有光可以穿過(guò)它的薄金屬電極。例如，陰極173可以具有等于或小于(例如)的厚度。

陰極173可以進(jìn)一步包括用于與第一輔助電極141或第二輔助電極142的更好接觸的第二透明電極。例如，如果陰極173的金屬電極太薄，則陰極173的金屬電極在將其沉積在有機(jī)發(fā)光層172上的處理期間，可能不沿著屋檐結(jié)構(gòu)形成。結(jié)果，陰極173的金屬電極可以像有機(jī)發(fā)光層172那樣斷開(kāi)。為了克服該問(wèn)題，由具有高階梯覆蓋的材料制成的第二透明電極可以進(jìn)一步設(shè)置在金屬電極上。通過(guò)這樣做，即使金屬電極的一部分在屋檐結(jié)構(gòu)中斷開(kāi)，陰極173也可以經(jīng)由第二透明電極連接到第一輔助電極141或第二輔助電極142。從而，陰極173與輔助電極141和142之間的接觸可 以變得更加安全。

陰極173的第二透明電極可以由例如透明導(dǎo)電氧化物(TCO)制成，并且可以具有約或更大的厚度。

雖然在圖1和圖2的示例中僅示出第一子像素和第二子像素之間的接觸區(qū)C/A，但是有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備100可以包括多個(gè)接觸區(qū)。而且，陰極可以連接到這些接觸區(qū)處的第一輔助電極141或第二輔助電極142。

另外，在一些實(shí)施方式中，第一輔助電極141和第二輔助電極142可以被配置為單個(gè)輔助電極部件。在該情況下，鈍化層(或絕緣部件)可以設(shè)置在輔助電極部件上，并且可以具有開(kāi)口，通過(guò)該開(kāi)口輔助電極部件的側(cè)面可以暴露在接觸區(qū)中。鈍化層(或絕緣部件)的開(kāi)口的暴露的側(cè)面可以比輔助電極部件的側(cè)面更靠近開(kāi)口的內(nèi)側(cè)設(shè)置。鈍化層(或絕緣部件)中的開(kāi)口的側(cè)面可以比輔助電極部件的暴露的側(cè)面伸出更多，以形成屋檐結(jié)構(gòu)。在該結(jié)構(gòu)中，有機(jī)發(fā)光元件的有機(jī)發(fā)光層可以在鈍化層(或絕緣部件)中的開(kāi)口的側(cè)面處斷開(kāi)。有機(jī)發(fā)光元件的陰極可以與輔助電極部件的暴露的側(cè)面(在那里有機(jī)發(fā)光層可能斷開(kāi))接觸。如上所述，因?yàn)殛帢O173是非常薄的金屬電極，所以陰極173的電阻可以越遠(yuǎn)離位于基板110的外圍處的電壓提供焊盤(pán)而變得越大。即，施加至電壓提供焊盤(pán)附近的子像素的陰極的電壓可能不同于施加至遠(yuǎn)離電壓提供焊盤(pán)的子像素的陰極的電壓。從而，因?yàn)槭┘又陵?yáng)極171的電壓與施加至陰極173的電壓之間的電勢(shì)差越遠(yuǎn)離電壓提供焊盤(pán)可能變得越小，所以可能發(fā)生由壓降導(dǎo)致的不均勻亮度。

然而，根據(jù)實(shí)施方式，陰極173可以從輔助電極并且從電壓提供焊盤(pán)接收相同電壓。即，離電壓提供焊盤(pán)越遠(yuǎn)的陰極173也可以從輔助電極接收相同的電壓，并且施加至陽(yáng)極171的電壓和施加至陰極173的電壓之間的電勢(shì)差可以保持恒定。從而，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備100的子像素可以以均勻亮度發(fā)光，而不管關(guān)于電壓提供焊盤(pán)的各個(gè)位置如何。結(jié)果，可以改進(jìn)由壓降導(dǎo)致的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備100的不均勻的亮度。

另外，在不需要以倒錐形形狀由例如非金屬材料制成的附加間隔墻的情況下，陰極173和輔助電極可以通過(guò)鈍化層182、第二輔助電極142、以及第一輔助電極141的屋檐結(jié)構(gòu)，在接觸區(qū)C/A中彼此連接。從而，因?yàn)楦郊娱g隔墻可以不是必須的，所以可以提高產(chǎn)品良率，并且降低有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備100的制造成本。

圖3是用于示出根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的示意性截面圖。圖3中所示 的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備300與圖1和圖2的示例中所示的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備100基本相同，并且將省略多余描述。

參考圖3示例，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備300可以包括具有下層341a和上層341b的第一輔助電極341、以及具有下層351a和上層351b的柵極351。第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DRT1和第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DRT2可以是共面薄膜晶體管，其中，柵極351可以設(shè)置在有源層352的上面。即，在第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DRT1中，有源層352可以設(shè)置在基板110上，柵絕緣層181可以被設(shè)置成覆蓋有源層352，并且柵極351可以設(shè)置在有源層352上方的柵絕緣層181上。用于暴露有源層352的源區(qū)和漏區(qū)的接觸孔可以形成在柵絕緣層181中。

柵極351可以包括下層351a和上層351b。下層351a和上層351b中的每個(gè)都可以由導(dǎo)電材料制成。下層351a可以由與上層351b不同的導(dǎo)電材料制成。例如，柵極351的下層351a可以由諸如鉬-鈦(Mo-Ti)合金、鈦(Ti)、鉻(Cr)的金屬或者諸如ITO、IZO和ITZO的透明導(dǎo)電氧化物(TCO)制成。上層351b可以由諸如銅和/或鋁的金屬制成。

層間絕緣層385可以設(shè)置在柵極351的上方。例如，層間絕緣層385可以覆蓋柵極351和柵絕緣層181。就像柵絕緣層181那樣，層間絕緣層385可以由硅氧化物(SiO_x)或硅氮化物(SiN_x)或其多層制成，但是不限于此。層間絕緣層385可以具有用于暴露有源層352的源區(qū)和漏區(qū)的接觸孔。

源極353和漏極354可以分別連接至有源層352的源區(qū)和漏區(qū)。源極353和漏極354可以經(jīng)由穿過(guò)層間絕緣層385和柵絕緣層181的接觸孔，分別連接至有源層352的源區(qū)和漏區(qū)。

第一輔助電極341可以由與柵極351相同的材料制成。像柵極351那樣，第一輔助電極341可以包括下層341a和上層341b。第一輔助電極341的下層341a可以由與柵極351的下層351a相同的導(dǎo)電材料制成。第一輔助電極341的上層341b可以由與柵極351的下層351b相同的導(dǎo)電材料制成。

第一輔助電極341的下層341a的上表面可以暴露在接觸區(qū)C/A中。另外，第一輔助電極341的上層341b的側(cè)面可以暴露在接觸區(qū)C/A中。即，如圖3示例中所示，第一輔助電極341的下層341a的側(cè)面可以比第一輔助電極341的上層341b的側(cè)面伸出更多。另外，第二輔助電極342的側(cè)面可以暴露在接觸區(qū)C/A中。如圖3中所示， 第一輔助電極341的上層341b的暴露的側(cè)面可以連接到第二輔助電極342的暴露的側(cè)面。然而，第一輔助電極341的上層341b的暴露的側(cè)面可以不連接至第二輔助電極342的暴露的側(cè)面。第一輔助電極341的上層341b的暴露的側(cè)面可以比第二輔助電極342的暴露的側(cè)面伸出更多，或者可以凹進(jìn)去。

第一輔助電極341的上層341b可以具有比下層341a高的蝕刻選擇性。例如，關(guān)于相同蝕刻劑，第一輔助電極341的上層341b的蝕刻選擇性可以比下層341a的蝕刻選擇性高。例如，第二輔助電極142和第一輔助電極341的上層341b可以由銅制成，并且下層341b可以由鉬-鈦(Mo-Ti)合金制成。由于銅具有比鉬-鈦(Mo-Ti)合金高的蝕刻選擇性，第一輔助電極341的上層341b可以比下層341a快的被蝕刻。

如圖3示例中所示，在接觸區(qū)C/A中，陰極173可以連接到第一輔助電極341的下層341a的暴露的上表面、第一輔助電極341的上層341b的暴露的側(cè)面、或者第二輔助電極342的暴露的側(cè)面。在接觸區(qū)C/A中，高度(即，從第一輔助電極341的下層341a的下表面到鈍化層182的下表面的距離(即，第一輔助電極341和第二輔助電極342的厚度之和))可以大于有機(jī)發(fā)光層172的厚度。從而，即使有機(jī)發(fā)光層172覆蓋接觸區(qū)C/A中的第一輔助電極341的下層341a的暴露的上表面，陰極173仍然可以連接到第一輔助電極341的上層341b的暴露的側(cè)面，或者連接到第二輔助電極342的暴露的側(cè)面。從而，陰極173的總電阻可以減小，并且跨陰極173的電阻的壓降可以被減小。

如圖3的示例中所示，根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備300可以包括第一輔助電極341，第一輔助電極341包括上層341b和下層341a。在該情況下，可以另外獲得屋檐結(jié)構(gòu)的高度(即，從第一輔助電極341的下層341a的下表面到鈍化層182的下表面的距離)。即，在接觸區(qū)C/A中，第一輔助電極341的上層341b的上表面可以不被暴露，而第一輔助電極341的下層341a的上表面可以被暴露。從而，可以獲得更多的物理空間(在該空間，陰極173與輔助電極接觸)，使得陰極173可以更穩(wěn)定地連接到第一輔助電極341或第二輔助電極342。

圖4是根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的輔助電極部件的一部分的放大平面圖。圖5是沿著圖4的線V-V’截取的示意性截面圖。為了便于說(shuō)明，在圖4中放大圖1中所示的區(qū)域A。圖5示出接觸區(qū)C/A的截面的一部分。圖4和圖5的示例中所示的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備400與圖1和圖2的示例中所示的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備100 基本相同，并且將省略多余描述。

參考圖4示例，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備400可以包括鈍化層482、第二輔助電極442、以及第一輔助電極441。從而，第一輔助電極441可以在特定方向上延伸。例如，第一輔助電極441可以在與選通線120平行的方向上延伸。然而，第一輔助電極441的延伸方向不限于此，并且第一輔助電極441可以在不同于選通線120的方向上延伸。在一些實(shí)施方式中，第一輔助電極441可以設(shè)置為網(wǎng)格圖案。在該情況下，相同電壓可以經(jīng)由緊密設(shè)置為網(wǎng)格圖案的第一輔助電極441被施加至每個(gè)子像素的陰極173。結(jié)果，可以大幅減少由壓降導(dǎo)致的不均勻亮度的問(wèn)題。

第一輔助電極441的兩側(cè)可以分別暴露在接觸區(qū)C/A中。例如，如圖4中所示，落入接觸區(qū)C/A內(nèi)的第一輔助電極441的兩側(cè)可以被分別暴露。雖然圖4示例中所示的接觸區(qū)C/A具有矩形形狀，但是除了矩形形狀之外，接觸區(qū)C/A可以具有例如多邊形形狀、圓形形狀、或者橢圓形形狀。

參考圖5示例，第二輔助電極442可以比第一輔助電極441更靠近結(jié)構(gòu)的中心設(shè)置，使得第一輔助電極441的側(cè)面比第二輔助電極442的暴露的側(cè)面伸出更多。換句話說(shuō)，第一輔助電極441的側(cè)面可以比第二輔助電極442的側(cè)面更靠近鈍化層482的開(kāi)口的內(nèi)側(cè)設(shè)置。即，可以暴露第一輔助電極441的兩側(cè)的上表面。鈍化層482可以設(shè)置在第二輔助電極442上，并且可以具有比第二輔助電極442的暴露的側(cè)面伸出更多的側(cè)面。在該情況下，鈍化層482的下表面可以暴露在接觸區(qū)C/A中。例如，如圖5中所示，鈍化層482的下表面可以以與第一輔助電極441的暴露的上表面對(duì)應(yīng)的方式被暴露。從而，可以通過(guò)鈍化層482在第一輔助電極441的上表面上作出陰影區(qū)域。平坦化層483可以設(shè)置在鈍化層482上。即，平坦化層483在接觸區(qū)C/A中的部分可以與除了接觸區(qū)C/A之外的區(qū)域中的平坦化層383的其余部分隔離，從而可以被設(shè)置為島形狀。

有機(jī)發(fā)光層172可以不覆蓋接觸區(qū)C/A中的第一輔助電極441的暴露的上表面和第二輔助電極442的暴露的側(cè)面。另一方面，陰極173可以覆蓋接觸區(qū)C/A中的第一輔助電極441的暴露的上表面和第二輔助電極442的側(cè)面，并且可以沿著鈍化層482的側(cè)面以及平坦化層483的側(cè)面和上表面形成。

有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備400可以包括第一輔助電極441，第一輔助電極441的兩側(cè)均暴露在接觸區(qū)C/A中，使得在接觸區(qū)C/A中，陰極173可以與第一輔助電極441的 兩側(cè)的暴露的上表面和第二輔助電極442的兩側(cè)的暴露的側(cè)面接觸。結(jié)果，陰極173可以更穩(wěn)定地電連接至第一輔助電極441，并且陰極173可以更穩(wěn)定地接收電壓VSS。從而，可以進(jìn)步減小壓降。

圖6是根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的輔助電極部件的一部分的放大平面圖。為了便于說(shuō)明，在圖6中放大圖1中所示的區(qū)域A。圖6中所示的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備600與圖1中所示的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備100基本相同，并且省略多余描述。

參考圖6，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備600可以包括第一輔助電極641和第二輔助電極642，第一輔助電極641可以包括在接觸區(qū)C/A中從第一輔助電極641的輪廓之一伸出的延伸部分643。第一輔助電極641可以在特定方向上延伸。延伸部分643在接觸區(qū)C/A中可以從第一電極641的輪廓之一伸出。雖然圖6示例中所示的延伸部分643可以具有矩形形狀，但是延伸部分643可以具有例如除了矩形形狀之外的半圓形形狀或多邊形形狀。第二輔助電極642可以設(shè)置在延伸部分643上和延伸部分643內(nèi)。延伸部分643的上表面的一部分可以暴露在接觸區(qū)C/A中。鈍化層可以覆蓋第二輔助電極642，并且可以設(shè)置在接觸區(qū)C/A中的延伸部分643上。從而，在第一輔助電極641的暴露的上表面上面的鈍化層的下表面可以暴露在接觸區(qū)C/A中。

有機(jī)發(fā)光層可以不覆蓋接觸區(qū)C/A中的延伸部分643的暴露的上表面或者第二輔助電極642的側(cè)面。另一方面，陰極173可以與接觸區(qū)C/A中的延伸部分643的暴露的上表面或者第二輔助電極642的側(cè)面接觸。

有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備600可以包括在接觸區(qū)C/A中從第一輔助電極641伸出的延伸部分643。如果延伸部分643具有圖6示例中所示的矩形形狀，則陰極可以從三個(gè)方向中的任一個(gè)方向與延伸部分643的暴露的上表面接觸。從而，陰極可以穩(wěn)定地連接到輔助電極，使得陰極可以經(jīng)由輔助電極穩(wěn)定地接收電壓VSS。

圖7是用于示出根據(jù)實(shí)施方式的制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法的流程圖。圖8A至圖8E是用于示出根據(jù)實(shí)施方式的制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法的示意性截面圖。由根據(jù)實(shí)施方式的方法制造的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備與圖1中所示的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備100基本相同；因此，將省略多余描述。

參考圖7，最初可以在基板上設(shè)置(例如，形成)彼此間隔開(kāi)的柵極和第一輔助電極(操作S710)。參考圖8A，可以在基板110上設(shè)置第一導(dǎo)電層?？梢酝ㄟ^(guò)經(jīng)由諸如濺射和原子層沉積(ALD)的沉積處理，在基板110上沉積鉬鈦合金或者透明導(dǎo) 電氧化物(TCO)，形成第一導(dǎo)電層。然而，形成第一導(dǎo)電層的處理不限于此。第一導(dǎo)電層可以通過(guò)諸如印刷或涂敷的多種處理形成。然后，通過(guò)對(duì)第一導(dǎo)電層構(gòu)圖，形成可以電隔開(kāi)的柵極151和第一輔助電極846。例如，柵極151和第一輔助電極846可以通過(guò)使用正性光刻膠執(zhí)行光刻處理來(lái)形成。

隨后，可以設(shè)置柵絕緣層(例如，柵絕緣層181)，使得其覆蓋柵極，并且暴露第一輔助電極的上表面。柵絕緣層181可以以沉積無(wú)機(jī)絕緣材料的方式形成?？梢詧?zhí)行光刻處理，用于暴露第一輔助電極846的上表面。

隨后，可以在柵絕緣層上設(shè)置有源層(例如，有源層152)，使得有源層設(shè)置在柵極上方。有源層152可以通過(guò)在柵絕緣層181上形成硅(Si)層并且晶化硅層來(lái)形成。然而，可以根據(jù)有源層152的材料，通過(guò)多種處理形成有源層152。

隨后，可以設(shè)置第二輔助電極，使得第二輔助電極與第一輔助電極的暴露的上表面接觸，以形成連接到有源層的源極和漏極(操作S720)?？梢允褂玫诙?dǎo)電層，一起設(shè)置(例如，形成)源極153、漏極154、以及第二輔助電極847。例如，可以形成第二導(dǎo)電層，使得第二導(dǎo)電層覆蓋有源層152、柵絕緣層181、以及第一輔助電極846的暴露的上表面?？梢酝ㄟ^(guò)沉積具有比第一導(dǎo)電層高的蝕刻選擇性的導(dǎo)電材料，形成第二導(dǎo)電層。例如，可以通過(guò)經(jīng)由濺射或者經(jīng)由ALD沉積銅或鋁，形成第二導(dǎo)電層。然后，通過(guò)使用正性光刻膠通過(guò)光刻處理對(duì)第二導(dǎo)電層構(gòu)圖，可以形成源極153、漏極154以及第二輔助電極847。

隨后，可以設(shè)置鈍化層，使得鈍化層覆蓋源極、漏極、以及第二輔助電極的上表面(操作S730)?？梢酝ㄟ^(guò)沉積無(wú)機(jī)材料形成鈍化層886，使得鈍化層886覆蓋源極153、漏極154、以及第二輔助電極142。例如，可以例如通過(guò)經(jīng)由化學(xué)汽相沉積(CVD)、ALD等沉積硅氧化物或硅氮化物，形成鈍化層886。然而，還可以通過(guò)熱氧化形成鈍化層。鈍化層886可以被形成為單層或者多層。

隨后，可以去除鈍化層的一部分和第二輔助電極的一部分，使得第二輔助電極的側(cè)面和第一輔助電極的上表面暴露在接觸區(qū)中(操作S740)。參考圖8B，可以形成接觸孔，使得分別暴露第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DRT1的漏極154和第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DRT2的漏極?？梢孕纬砷_(kāi)口，使得第二輔助電極847的側(cè)面被暴露在接觸區(qū)中。圖8A示出在形成接觸孔和開(kāi)口之前的鈍化層886。圖8B示出在形成接觸孔和開(kāi)口之后的鈍化層182。這就是為什么鈍化層通過(guò)不同標(biāo)號(hào)表示(即，在圖8A中表示為886， 并且在圖8B中表示為182)的原因?？梢岳缡褂谜怨饪棠z通過(guò)光刻處理獲得接觸孔和開(kāi)口。例如，可以將正性光刻膠施加到鈍化層886上。然后，可以使用掩膜執(zhí)行曝光，其暴露將形成接觸孔和開(kāi)口的部分。在曝光之后，光刻膠可以被顯影，以形成光刻膠圖案。然后，可以基于光刻膠圖案執(zhí)行蝕刻，由此形成接觸孔和開(kāi)口。

參考圖8C，可以部分地去除第二輔助電極142，使得暴露第一輔助電極141的上表面。與圖8A和圖8B中所示的第一輔助電極846相比，圖8C中所示的第一輔助電極141具有暴露的上表面。與圖8A和圖8B中所示的第二輔助電極847相比，圖8C中所示的第二輔助電極142具有凹進(jìn)去的側(cè)面。這就是為什么第一輔助電極和第二輔助電極分別通過(guò)不同標(biāo)號(hào)表示(即，在圖8A和圖8B中表示為846和847，并且在圖8C中表示為141和142)的原因。即，圖8A和圖8B中所示的第二輔助電極847的一部分可以通過(guò)蝕刻處理被去除，從而形成圖8C中所示的第一輔助電極141和第二輔助電極142。

可以例如通過(guò)使用用于蝕刻第二輔助電極142的蝕刻劑來(lái)執(zhí)行蝕刻處理。例如，如果第二輔助電極142由銅制成，則銅蝕刻劑(例如，主要為包括硫酸(H₂SO₄)、硝酸(HNO₃)、磷酸(H₃PO₄)等的酸性混合物)可以用于蝕刻第二輔助電極142。如上所述，因?yàn)榈诙o助電極142的蝕刻選擇性高于第一輔助電極141的蝕刻選擇性，所以第二輔助電極142可以比第一輔助電極141被更多地蝕刻。第二輔助電極142的蝕刻深度可以通過(guò)調(diào)節(jié)蝕刻時(shí)間或者通過(guò)向蝕刻劑添加添加劑來(lái)控制。

在蝕刻第二輔助電極142的處理期間，蝕刻劑可能經(jīng)由接觸孔流到第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DRT1的漏極154和第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DRT2的漏極中。為了防止漏極154被損壞，可以通過(guò)正性光刻膠保護(hù)接觸孔。例如，可以在蝕刻第二輔助電極142之前，將正性光刻膠施加到接觸孔和開(kāi)口。隨后，正性光刻膠可以經(jīng)受曝光處理，然后可以被顯影，使得可以去除對(duì)應(yīng)于開(kāi)口的正性光刻膠的一部分。隨后，可以部分地蝕刻第二輔助電極142，并且可以在對(duì)漏極154沒(méi)有損壞的情況下，僅選擇性地去除第二輔助電極142。

隨后，陽(yáng)極可以被設(shè)置為電連接到第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極和第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的漏極(操作S750)。參考圖8D，可以在鈍化層182上設(shè)置平坦化層183。平坦化層183可以由例如有機(jī)絕緣材料制成。隨后，可以形成暴露第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DRT1的漏極的接觸孔、以及暴露第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DRT2的漏極的接觸孔。然后， 可以形成對(duì)應(yīng)于接觸區(qū)C/A的開(kāi)口。隨后，可以在平坦化層183上形成連接到第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DRT1的反射層171a和第一透明電極171b。反射層171a和第一透明電極171b中的每個(gè)都可以通過(guò)在平坦化層上沉積各種材料并且對(duì)其進(jìn)行構(gòu)圖來(lái)形成。隨后，可以形成堤184，以圍繞第一子像素的陽(yáng)極171和第二子像素的陽(yáng)極。例如，可以通過(guò)在陽(yáng)極171和鈍化層182的上方涂敷有機(jī)絕緣材料，并且通過(guò)使用具有與子像素的像素區(qū)的開(kāi)口對(duì)應(yīng)的掩膜對(duì)有機(jī)絕緣材料構(gòu)圖，來(lái)形成堤184。

隨后，可以在陽(yáng)極上形成有機(jī)發(fā)光層(操作S760)。參考圖8E，可以在第一子像素的陽(yáng)極171、第二子像素的陽(yáng)極、堤184、以及平坦化層183上形成有機(jī)發(fā)光層172?？梢岳缤ㄟ^(guò)光刻膠處理獲得有機(jī)發(fā)光層172。例如，可以使用顯影劑、剝離劑、以及由含氟物質(zhì)制成的光刻膠圖案，通過(guò)光刻膠處理形成有機(jī)發(fā)光層172。然而，形成有機(jī)發(fā)光層172的方式不限于此。作為進(jìn)一步非限制性示例，可以通過(guò)諸如激光誘導(dǎo)熱成像(LITI)、激光誘導(dǎo)圖案升華(LIPS)、以及可溶解印刷的無(wú)掩膜處理，形成有機(jī)發(fā)光層172。

隨后，可以在有機(jī)發(fā)光層上形成陰極，使得在接觸區(qū)中，所述陰極與第一輔助電極的暴露的上表面的一部分或者第二輔助電極的暴露的側(cè)面接觸(操作S770)。參考圖8E，如果陰極173包括金屬電極和第二透明電極，則可以在有機(jī)發(fā)光層172上形成金屬電極，并且第二透明電極可以被形成為在接觸區(qū)C/A中與第一輔助電極141的暴露的上表面和第二輔助電極142的側(cè)面接觸。如上所述，因?yàn)榻饘匐姌O由具有低階梯覆蓋的金屬材料制成，所以金屬電極可以不覆蓋第一輔助電極141的暴露的上表面或者第二輔助電極142的側(cè)面6，像有機(jī)發(fā)光層172那樣。然而，因?yàn)榈诙该麟姌O可以由具有高階梯覆蓋的透明導(dǎo)電氧化物(TCO)制成，所以第二透明電極可以與第一輔助電極141的暴露的上表面和第二輔助電極142的側(cè)面接觸。最終，可以形成電連接到輔助電極的陰極173。

從圖8A至圖8E中所示的示例可以看出，在根據(jù)實(shí)施方式制造有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法中，不形成倒錐形形狀的間隔墻。從而，可以不使用負(fù)性光刻膠。同樣地，可以減少在負(fù)性光刻膠的修復(fù)處理期間對(duì)基板的可能損壞。而且，可以減少被丟棄的基板的數(shù)量。從而，可以提高有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的產(chǎn)品良率。另外，在形成第一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DRT1和第二驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管DRT2的處理期間，可以同時(shí)形成用于將陰極173連接到輔助電極的“屋檐結(jié)構(gòu)”。從而，可以容易地制備連接到陰極173的輔 助電極。結(jié)果，可以節(jié)省有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的制造成本。

根據(jù)本公開(kāi)，陰極可以連接到為屋檐結(jié)構(gòu)的輔助電極，使得可以減少由壓降導(dǎo)致的不均勻亮度的問(wèn)題。而且，在不使用負(fù)性光刻膠的情況下，可以形成類似間隔墻的屋檐結(jié)構(gòu)的輔助電極，使得可以增大產(chǎn)品良率，并且可以減少通過(guò)包括間隔墻增加生產(chǎn)成本的問(wèn)題。另外，輔助電極可以由與薄膜晶體管和鈍化層相同的材料制成，使得用于形成間隔墻的附加材料或附加處理可以不是必須的。結(jié)果，可以簡(jiǎn)化制造處理。

本領(lǐng)域技術(shù)人員將想到，可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在本發(fā)明中作出多種修改和改變。因此，本發(fā)明的實(shí)施方式意在覆蓋落入所附權(quán)利要求及其等價(jià)物的范圍內(nèi)的本發(fā)明的修改和改變。