1.一種晶圓鍵合方法，其特征在于，包括：
提供第一晶圓和第二晶圓，所述第一晶圓和第二晶圓均包括襯底；
在所述第一晶圓和第二晶圓的襯底上均形成第一介質(zhì)層，在所述第一介質(zhì)層中形成凹槽；
在所述第一介質(zhì)層上覆蓋金屬材料層，所述金屬材料層填充滿所述凹槽；對(duì)所述金屬材料層和第一介質(zhì)層進(jìn)行第一研磨，露出所述第一介質(zhì)層表面，所述凹槽中的金屬材料層為金屬墊；
在所述第一介質(zhì)層表面形成第二介質(zhì)層，對(duì)所述第二介質(zhì)層、第一介質(zhì)層和金屬墊進(jìn)行第二研磨，露出所述凹槽中的金屬墊表面，在所述第二研磨的步驟中，對(duì)所述金屬墊的去除速率與對(duì)所述第一、第二介質(zhì)層的去除速率相當(dāng)；
將所述第一晶圓和第二晶圓的金屬墊相對(duì)設(shè)置并相互對(duì)準(zhǔn)，對(duì)所述第一晶圓和第二晶圓進(jìn)行晶圓鍵合工藝，形成晶圓鍵合結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一研磨為化學(xué)機(jī)械研磨，所述第一研磨的步驟包括：對(duì)所述金屬材料層的去除速率與對(duì)所述第一介質(zhì)層的去除速率之比在10:1以上。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一研磨的步驟包括：對(duì)金屬材料層的去除速率為4000～8000埃/分鐘。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二研磨為化學(xué)機(jī)械研磨，所述第二研磨的步驟包括：對(duì)金屬墊的去除速率為1000～2000埃/分鐘。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二介質(zhì)層的厚度在1000到10000埃的范圍內(nèi)。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第二研磨的步驟之后，對(duì)所述第一介質(zhì)層進(jìn)行回刻，使所述金屬墊凸出于所述第一介質(zhì)層表面。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一研磨的步驟中進(jìn)行研磨程度檢測(cè)以確定所述第一研磨的研磨量，所述研磨程度檢測(cè)為終點(diǎn)檢測(cè)。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第二研磨的步驟中進(jìn)行研磨程度檢測(cè)以確定所述第二研磨的研磨量，所述研磨程度檢測(cè)為定時(shí)檢測(cè)。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一介質(zhì)層上覆蓋金屬材料層的步驟包括：
采用銅電鍍工藝，在所述第一介質(zhì)層上覆蓋銅材料層，所述銅材料層作為所述金屬材料層。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一介質(zhì)層上覆蓋金屬材料層的步驟包括：使所述金屬材料層在所述第一介質(zhì)層表面的厚度為所述凹槽深度的1到10倍。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在提供第一晶圓和第二晶圓之后，在所述第一晶圓和第二晶圓的襯底上形成第一介質(zhì)層之前，在所述第一晶圓上形成數(shù)據(jù)處理電路，所述第二晶圓上形成像素陣列。
12.一種晶圓鍵合結(jié)構(gòu)，其特征在于，采用權(quán)利要求1至11中任意一種晶圓鍵合方法形成。