本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體器件、芯片結(jié)構(gòu)及其形成方法。

背景技術(shù)：

圖像傳感器依據(jù)其采用的原理可以分為電荷耦合裝置(Charge-Coupled Device,CCD)以及互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體裝置(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)。其中CMOS圖像傳感器是采用傳統(tǒng)的CMOS電路工藝制作，因此可以將感光元件與其所需要的電路元件加以整合，從而使得CMOS圖像傳感器具有更廣泛的應(yīng)用前景。

傳統(tǒng)CMOS圖像傳感器中，感光元件是位于電路元件的后方，因此光線需要經(jīng)過(guò)電路層(包括電路元件)才能達(dá)到感光層(包括感光元件)，光線在傳播過(guò)程中容易受到電路元件的影響，因此影響了感測(cè)靈敏度。而背照式CMOS圖像傳感器則是通過(guò)將感光層的元件調(diào)轉(zhuǎn)方向，使得光線從器件背面直射進(jìn)去，讓光線首先進(jìn)入感光層，避免了光線在電路層的吸收和反射，增大感光量，進(jìn)而顯著的提高了光的效能，大大改善了低光照條件下CMOS圖像傳感器的感光效果。因此背照式CMOS圖像傳感器具有更高的靈敏度和信噪比。如今越來(lái)越多的CMOS圖像傳感器是背照式CMOS圖像傳感器。

由于改變了光線的入射方式，與傳統(tǒng)CMOS圖像傳感器相比，背照式CMOS圖像傳感器的制造過(guò)程有多步特殊的工藝，例如，在器件工藝流程完成以后，在進(jìn)行晶圓的切割(dicing)工藝之前，需要對(duì)晶圓背面進(jìn)行減薄處理以提高光線的入射率。在對(duì)晶圓進(jìn)行減薄處理后，對(duì)晶圓進(jìn)行切片以獲得單個(gè)芯片。

但是現(xiàn)有技術(shù)對(duì)晶圓進(jìn)行切片容易使芯片受到損傷，影響芯片性能，降低芯片制造良品率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明解決的問(wèn)題是提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體器件、芯片結(jié)構(gòu)及其形成方法，以盡量減少晶圓切割過(guò)程中芯片受到的損傷。

為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：

提供操作晶圓，所述操作晶圓表面鍵合有功能晶圓，所述功能晶圓內(nèi)形成有多個(gè)芯片以及位于芯片之間的切割道；

所述芯片包括：電路層，所述電路層內(nèi)形成有連接金屬層；所述電路層包括靠近所述操作晶圓的第一面以及遠(yuǎn)離所述操作晶圓的第二面，所述芯片還包括覆蓋所述電路層第二面的功能層，用于形成半導(dǎo)體元件，所述功能層內(nèi)形成有半導(dǎo)體元件的區(qū)域?yàn)楣δ軈^(qū)域；

在所述功能層內(nèi)形成圍繞所述功能區(qū)域的隔離溝槽，所述隔離溝槽底部露出所述電路層的第二面。

可選的，所述功能區(qū)內(nèi)形成的半導(dǎo)體元件為CMOS圖像傳感器。

可選的，在所述功能層內(nèi)形成圍繞所述功能區(qū)域的隔離溝槽的步驟包括：形成所述隔離溝槽的寬度為50微米到180微米。

可選的，所述功能區(qū)域的形狀為方形；在所述功能層內(nèi)形成圍繞所述功能區(qū)域的隔離溝槽的步驟包括：所述隔離溝槽的形狀為圍繞方形的所述功能區(qū)域的方環(huán)形。

可選的，在所述功能層內(nèi)形成圍繞所述功能區(qū)域的隔離溝槽的步驟包括：采用干法刻蝕的方式在所述功能層內(nèi)形成圍繞所述功能區(qū)域的隔離溝槽。

可選的，所述功能晶圓包括與所述操作晶圓鍵合的鍵合面，提供操作晶圓的步驟之前，所述形成方法還包括：在所述功能晶圓的鍵合面上形成鍵合層；所述功能晶圓與所述操作晶圓通過(guò)所述鍵合層鍵合連接。

可選的，在所述功能晶圓表面形成鍵合層的步驟包括：形成材料為氧化硅的鍵合層。

此外，本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體器件的形成方法，包括：

本發(fā)明所提供的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法；

在所述隔離溝槽底部形成連接通孔，所述連接通孔形成于所述電路層內(nèi)且底部露出所述電路層內(nèi)的連接金屬層；

在所述連接通孔內(nèi)形成導(dǎo)電材料，在所述連接通孔底部形成引線墊。

可選的，在所述隔離溝槽底部形成連接通孔的步驟包括：采用掩模干法刻蝕的方式在所述隔離溝槽底部形成連接通孔。

可選的，向所述連接通孔內(nèi)形成導(dǎo)電材料的步驟包括：所述導(dǎo)電材料包括鋁或銅。

進(jìn)一步，本發(fā)明還提供一種芯片結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：

本發(fā)明所提供的半導(dǎo)體器件的形成方法；

沿所述切割道切割功能晶圓，以獲得單個(gè)芯片結(jié)構(gòu)。

相應(yīng)的，本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：

操作晶圓；

與所述操作晶圓鍵合連接的功能晶圓，所述功能晶圓內(nèi)形成有多個(gè)芯片以及位于芯片之間的切割道，所述芯片包括：電路層，所述電路層內(nèi)形成有連接金屬層；所述電路層包括靠近所述操作晶圓的第一面以及遠(yuǎn)離所述操作晶圓的第二面，所述芯片還包括覆蓋所述電路層第二面的功能層，用于形成半導(dǎo)體元件，所述功能層內(nèi)形成有半導(dǎo)體元件的區(qū)域?yàn)楣δ軈^(qū)域；

圍繞所述功能區(qū)域的隔離溝槽，所述隔離溝槽位于所述功能層內(nèi)，底部露出所述電路層的第二面。

可選的，所述功能區(qū)域內(nèi)形成的半導(dǎo)體元件為CMOS圖像傳感器。

可選的，所述隔離溝槽的寬度為50微米到180微米。

可選的，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：位于所述操作晶圓和所述功能晶圓之間的鍵合層，所述功能晶圓與所述操作晶圓通過(guò)所述鍵合層鍵合連接。

可選的，所述鍵合層材料為氧化硅。

此外，本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體器件，包括：

本發(fā)明所提供的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；

位于所述隔離溝槽底部的連接通孔，所述連接通孔形成于所述電路層內(nèi)，底部露出所述電路層內(nèi)的連接金屬層；

形成于所述連接通孔底部的引線墊。

進(jìn)一步，本發(fā)明還提供一種芯片結(jié)構(gòu)，包括：

操作襯底；位于所述操作襯底上的芯片，所述芯片包括：電路層，所述電路層內(nèi)形成有連接金屬層；所述電路層包括靠近所述操作襯底的第一面以及遠(yuǎn)離所述操作襯底的第二面，所述芯片還包括覆蓋所述電路層第二面的功能層，用于形成半導(dǎo)體元件，所述功能層內(nèi)形成有半導(dǎo)體元件的區(qū)域?yàn)楣δ軈^(qū)域；

位于所述功能層內(nèi)且圍繞所述功能區(qū)域的隔離溝槽，所述隔離溝槽的底部露出所述電路層的第二面；

位于所述隔離溝槽底部的連接通孔，所述連接通孔形成于所述電路層內(nèi)且底部露出所述電路層內(nèi)的連接金屬層；

位于所述連接通孔底部的引線墊。

可選的，所述功能區(qū)域內(nèi)形成的半導(dǎo)體元件為CMOS圖像傳感器。

可選的，所述隔離溝槽的寬度為50微米到180微米。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明通過(guò)在功能層內(nèi)設(shè)置圍繞所述功能區(qū)域的隔離溝槽，將形成有半導(dǎo)體器件的功能區(qū)域與進(jìn)行切割的切割道分開，在晶圓切割時(shí)減小了切割應(yīng)力經(jīng)相鄰引線墊之間的區(qū)域擴(kuò)散進(jìn)入功能區(qū)域的問(wèn)題，從而減小了切割應(yīng)力對(duì)芯片性能造成的影響，進(jìn)而避免了晶圓切割對(duì)功能區(qū)域半導(dǎo)體器件的損傷，提高了所獲得的芯片的性能，提高了制造半導(dǎo)體器件的良品率。

附圖說(shuō)明

圖1和圖2是現(xiàn)有技術(shù)中一種芯片結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖3至圖9是本發(fā)明半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法一實(shí)施例各個(gè)步驟的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10至圖14是本發(fā)明半導(dǎo)體器件的形成方法一實(shí)施例各個(gè)步驟的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖15至圖16是本發(fā)明芯片結(jié)構(gòu)一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

由背景技術(shù)可知，現(xiàn)有技術(shù)對(duì)晶圓進(jìn)行切割的方法容易對(duì)芯片造成損傷?，F(xiàn)結(jié)合現(xiàn)有技術(shù)切割晶圓的過(guò)程分析芯片損傷的原因：

如背景技術(shù)所述，背照式CMOS圖像傳感器需要使光線從器件背面的晶圓入射，因此背照式CMOS圖像傳感器在制造過(guò)程中，需要將晶圓進(jìn)行減薄處理，以增加透光率。

參考圖1和圖2，其中圖1示出了晶圓切割道以及芯片的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2是圖1中a區(qū)域的放大圖。

晶圓10上形成有多個(gè)芯片11，芯片11之間留有空隙，形成切割道(scribe lane)12。而實(shí)現(xiàn)芯片11與外部電路連接的引線墊(pad)13一般形成于芯片四周，與切割道12相鄰。在進(jìn)行切割工藝以獲得單顆芯片時(shí)，沿切割道12切割，使相鄰芯片11分開。

由于材料的脆性，當(dāng)晶圓10減薄到一定厚度以下時(shí)，晶圓10會(huì)變得脆弱易碎。在切割晶圓10的過(guò)程中，晶圓10內(nèi)會(huì)產(chǎn)生一定的機(jī)械應(yīng)力f，且所述機(jī)械應(yīng)力f通過(guò)晶圓10擴(kuò)散。當(dāng)機(jī)械應(yīng)力f通過(guò)相鄰引線墊13之間的晶圓10擴(kuò)散進(jìn)入芯片11時(shí)，會(huì)引起芯片11的損傷，影響所述芯片11的性能，降低器件制造的良品率。

為解決所述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：

提供操作晶圓，所述操作晶圓表面鍵合有功能晶圓，所述功能晶圓內(nèi)形成有多個(gè)芯片以及位于芯片之間的切割道；所述芯片包括：電路層，所述電路層內(nèi)形成有連接金屬層；所述電路層包括靠近所述操作晶圓的第一面以及遠(yuǎn)離所述操作晶圓的第二面，所述芯片還包括覆蓋所述電路層第二面的功能層，用于形成半導(dǎo)體元件，所述功能層內(nèi)形成有半導(dǎo)體元件的區(qū)域?yàn)楣δ軈^(qū)域；在所述功能層內(nèi)形成圍繞所述功能區(qū)域的隔離溝槽，所述隔離溝槽底部 露出所述電路層的第二面。

本發(fā)明通過(guò)在功能層內(nèi)設(shè)置圍繞所述功能區(qū)域的隔離溝槽，將形成有半導(dǎo)體器件的功能區(qū)域與進(jìn)行切割的切割道分開，在晶圓切割時(shí)減小了切割應(yīng)力經(jīng)相鄰引線墊之間的區(qū)域擴(kuò)散進(jìn)入功能區(qū)域的問(wèn)題，從而減小了切割應(yīng)力對(duì)芯片性能造成的影響，進(jìn)而避免了晶圓切割對(duì)功能區(qū)域半導(dǎo)體器件的損傷，提高了所獲得的芯片的性能，提高了制造半導(dǎo)體器件的良品率。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說(shuō)明。

參考圖3至圖9，示出了本發(fā)明半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法一實(shí)施例各個(gè)步驟的結(jié)構(gòu)示意圖。

需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中，以背照式CMOS圖像傳感器的形成方法為例進(jìn)行說(shuō)明，不應(yīng)以此限制本發(fā)明。

參考圖3，結(jié)合參考圖4，其中圖4是圖3中沿OL3方向的俯視圖，提供操作晶圓100。所述操作晶圓100表面鍵合有功能晶圓200，所述功能晶圓200內(nèi)形成有多個(gè)芯片210以及位于芯片201之間的切割道121。

具體的，本實(shí)施例中，所述功能晶圓200中的芯片210用于形成背照式CMOS圖像傳感器。

需要說(shuō)明的是，為了提高光透過(guò)率，所述功能晶圓200需經(jīng)減薄處理。但是由于材料的脆性，當(dāng)功能晶圓200減薄到一定厚度時(shí)，功能晶圓200會(huì)變得脆弱易碎，因此所述操作晶圓100用于在工藝過(guò)程中對(duì)所述功能晶圓200提供支撐。

所述功能晶圓200包括與所述操作晶圓100相連接的鍵合面，以及與所述鍵合面相對(duì)的切割面201。

位于切割面201上，所述芯片210之間設(shè)置有切割道121。

所述切割道121是后續(xù)對(duì)所述功能晶圓200進(jìn)行切割的標(biāo)準(zhǔn)。后續(xù)在所述功能晶圓200的切割面201上，沿所述切割道121進(jìn)行切割等處理，以獲得單個(gè)芯片210。

需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中，在提供操作晶圓100的步驟之前，所述形成方法還包括：在所述功能晶圓200的鍵合面上形成鍵合層120，所述操作晶圓100與所述功能晶圓200通過(guò)鍵合層120實(shí)現(xiàn)連接。具體的，所述鍵合層120材料為氧化硅。

參考圖5，結(jié)合參考圖6，其中圖5示出了圖3中單個(gè)芯片210的結(jié)構(gòu)圖，圖6是圖5中S-S’線的剖視圖。

所述芯片210包括：

電路層211，所述電路層211內(nèi)形成有連接金屬層221。

所述電路層211內(nèi)形成有電路，其中包括用于使所述芯片210與外部電路實(shí)現(xiàn)電連接的連接金屬層221。具體的，本實(shí)施例中，所述芯片210用于形成背照式CMOS圖像傳感器，所述電路層211用于形成所述背照式CMOS圖像傳感器的外圍電路。

需要說(shuō)明的是，所述電路層211內(nèi)除了包含有連接金屬層221之外，還包含形成電路的其他金屬層、接觸插塞以及金屬連接線等其他結(jié)構(gòu)，本發(fā)明對(duì)所述電路層211內(nèi)具體包含的電路結(jié)構(gòu)不做任何限制。

所述電路層211包括靠近所述操作晶圓100的第一面211a以及遠(yuǎn)離所述操作晶圓100的第二面211b。所述電路層211的第一面211a即為所述功能晶圓200的鍵合面，也就是說(shuō)，所述電路層211的第一面211a通過(guò)鍵合層120與所述操作晶圓100鍵合相連。

所述芯片210還包括覆蓋所述電路層211第二面211b的功能層212，所述功能層211用于形成半導(dǎo)體元件，所述功能層211內(nèi)形成有半導(dǎo)體元器件222的區(qū)域?yàn)楣δ軈^(qū)域Div。具體的，本實(shí)施例中，所述芯片210用于形成背照式CMOS圖像傳感器，因此所述功能區(qū)域Div內(nèi)的半導(dǎo)體元件222為CMOS圖像傳感器。

所述功能層212包括與所述電路層211第二面211b相連的功能面212a，以及與所述功能面212a相對(duì)的襯底面212b。本實(shí)施例中，所述功能區(qū)域Div內(nèi)的半導(dǎo)體元件222為CMOS圖像傳感器，所述芯片210用于形成背照式CMOS圖像傳感器。所以根據(jù)工藝需要，所述半導(dǎo)體元件222形成于所述功 能層212的功能面212a上，且所述半導(dǎo)體元件222與所述電路層211中的外圍電路相連。需要說(shuō)明的是，為獲得單個(gè)芯片，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法包括對(duì)所述功能晶圓200進(jìn)行切割處理，所述切割處理在所述功能層212的襯底面212b上進(jìn)行，也就是說(shuō)，所述功能層212的襯底面212b即為所述功能晶圓100的切割面201。

需要說(shuō)明的是，由于本實(shí)施例中，所述功能區(qū)域Div內(nèi)的半導(dǎo)體元件222為CMOS圖像傳感器，所述芯片210用于形成背照式CMOS圖像傳感器，所以根據(jù)工藝需要，所述功能層212的厚度在3微米到4微米范圍內(nèi)。

還需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中，所述功能層212內(nèi)的半導(dǎo)體元件222為CMOS圖像傳感器、電路層211內(nèi)形成所述CMOS圖像傳感器的外圍電路。但是本發(fā)明對(duì)所述功能層212內(nèi)形成的半導(dǎo)體元件222以及所述電路層211內(nèi)形成的電路類型不做限定。所述半導(dǎo)體元件222還可以是其他半導(dǎo)體器件，如處理器、傳感器等；所述電路層211內(nèi)也可以形成其他電路，如數(shù)據(jù)處理電路、驅(qū)動(dòng)電路等。

此外，本實(shí)施例中，所述功能區(qū)域Div呈方形，位于所述芯片210的中間區(qū)域。但是所述功能區(qū)域Div的形狀為方形的做法僅為一示例，本發(fā)明對(duì)所述功能區(qū)域Div的形狀不做限制，所述功能區(qū)域Div的形狀可以根據(jù)所述芯片210的設(shè)計(jì)需要而采用其他形狀。

參考圖7至圖9，其中圖8是圖7中芯片210的放大圖，圖9是圖8中沿A-A’線的剖視圖。(需要說(shuō)明的是，為使附圖簡(jiǎn)介，圖7至9未示意圖操作晶圓100)

在所述功能層212內(nèi)形成圍繞所述功能區(qū)域Div的隔離溝槽320，所述隔離溝槽320底部露出所電路層211的第二面211b。

所述隔離溝槽320用于將所述芯片210功能層212內(nèi)形成有半導(dǎo)體元件222的功能區(qū)域Div與所述切割道分開，避免在后續(xù)對(duì)功能晶圓200進(jìn)行切割時(shí)，應(yīng)力擴(kuò)散進(jìn)入所述功能區(qū)域Div，影響功能區(qū)域Div內(nèi)半導(dǎo)體元件222的性能。

本實(shí)施例中，所述功能層212的厚度在3微米到4微米范圍內(nèi)。所述隔 離溝槽320的深度與所述功能層212的厚度相當(dāng)，也在3微米到4微米范圍內(nèi)，使所述隔離溝槽320的底部露出所述電路層211的表面，以保證所述功能區(qū)域Div的功能層212的獨(dú)立性，從而使芯片210中功能區(qū)域Div的功能層212與功能晶圓200其他部分分開，特別是與切割道121的功能晶圓200分開，防止應(yīng)力通過(guò)功能晶圓200傳遞進(jìn)入芯片210內(nèi)，保護(hù)功能區(qū)域Div內(nèi)的半導(dǎo)體元件222。

需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中，所述功能區(qū)域Div為方形，圍繞所述方形功能區(qū)域Div的隔離溝槽320的形狀為方環(huán)形，以降低工藝難度。

此外，由于所述功能層212覆蓋所述電路層211的第二面211b，因此所述隔離溝槽320底部露出的所述電路層211的表面為所述電路層211的第二面211b。

具體的，可以采用干法刻蝕的方法在所述功能層212內(nèi)形成圍繞所述功能區(qū)域Div的隔離溝槽320，以盡量使所述隔離溝槽320的側(cè)壁垂直于所述電路層211的表面，從而盡量減小所述隔離溝槽320的面積，以最小面積的隔離溝槽320實(shí)現(xiàn)所述功能區(qū)域Div的功能層212與功能晶圓200其他部分的分離，減小所述隔離溝槽320在所述芯片210內(nèi)所占的面積，以提高所形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的成品率。

本實(shí)施例中，采用光刻膠在所述功能層212表面定義所述隔離溝槽320的位置。之后，通過(guò)各向異性干法刻蝕去除對(duì)應(yīng)位置處所述功能層212的材料，以形成所述隔離溝槽320。

需要說(shuō)明的是，如果所述隔離溝槽320的寬度過(guò)大，容易影響所形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的良品率；如果所述隔離溝槽320的寬度過(guò)小，則增加工藝難度。可選的，所述隔離溝槽320的寬度W在50微米到180微米范圍內(nèi)。

本發(fā)明半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法中，通過(guò)在功能層內(nèi)設(shè)置圍繞所述功能區(qū)域的隔離溝槽，將形成有半導(dǎo)體器件的功能區(qū)域與進(jìn)行切割的切割道分開，在晶圓切割時(shí)減小了切割應(yīng)力經(jīng)相鄰引線墊之間的區(qū)域擴(kuò)散進(jìn)入功能區(qū)域的問(wèn)題，從而減小了切割應(yīng)力對(duì)芯片性能造成的影響，進(jìn)而避免了晶圓切割對(duì)功能區(qū)域半導(dǎo)體器件的損傷，提高了所獲得的芯片的性能，提高了制造半導(dǎo) 體器件的良品率。

此外，本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體器件的形成方法，包括：

本發(fā)明所提供的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法；在所述隔離溝槽底部形成連接通孔，所述連接通孔形成于所述電路層內(nèi)且底部露出所述電路層內(nèi)的連接金屬層；在所述連接通孔內(nèi)形成導(dǎo)電材料，在所述連接通孔底部形成引線墊。

參考圖7至圖14，示出了本發(fā)明半導(dǎo)體器件的形成方法一實(shí)施例各個(gè)步驟的結(jié)構(gòu)示意圖。(需要說(shuō)明的是，為使附圖簡(jiǎn)潔，圖7至14未示意圖操作晶圓100)

需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中，以背照式CMOS圖像傳感器的形成方法為例進(jìn)行說(shuō)明，不應(yīng)以此限制本發(fā)明。

參考圖7至圖9，其中圖8是圖7中芯片210的放大圖，圖9是圖8中沿A-A’線的剖視圖，形成本發(fā)明所提供半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

具體的，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法如前述實(shí)施例所述，本發(fā)明在此不再贅述。

之后，參考圖10，結(jié)合參考圖11，圖11是圖10中沿B-B’線的剖視圖。

在所述隔離溝槽320底部形成連接通孔330，所述連接通孔330形成于所述電路層211內(nèi)，底部露出所述電路層211內(nèi)的連接金屬層221。

所述連接通孔330后續(xù)用于形成導(dǎo)電材料，以構(gòu)成引線墊，用于實(shí)現(xiàn)所述芯片210與外部電路的電連接。具體的，可以通過(guò)掩模干法刻蝕的方式在所述隔離溝槽320的底部形成連接通孔330。

需要說(shuō)明的是，由于所述連接通孔330用于形成實(shí)現(xiàn)所述芯片210與外部電路電連接的引線墊。因此根據(jù)所述芯片210的內(nèi)部設(shè)計(jì)，獲得相應(yīng)的掩模，使所述連接通孔330對(duì)應(yīng)的圖形位于所述電路層211內(nèi)連接金屬層221的上方，并通過(guò)刻蝕方法在所述連接金屬層221上方形成露出所述連接金屬層221的連接通孔330。

本實(shí)施例中，根據(jù)設(shè)計(jì)需要，所述芯片210需要通過(guò)16個(gè)引線墊實(shí)現(xiàn)與外部電路的連接，并且16個(gè)引線墊分布在所述芯片的四周。因此，在所述隔 離溝槽320的底部一共形成16個(gè)連接通孔330，在方形的所述功能區(qū)域Div的4條邊上，每邊設(shè)置有4個(gè)連接通孔330。

需要說(shuō)明的是，由于本實(shí)施例中，所述芯片210用于形成背照式CMOS圖像傳感器，因此在形成所述芯片210的時(shí)候，是按照先形成功能層212再形成電路層211的順序形成的。所以所述連接通孔330露出的連接金屬層221為形成所述電路層221時(shí)最先形成的金屬層。

參考圖12，結(jié)合參考圖13和圖14，其中，圖13是圖12中芯片210的放大圖，圖14是圖13中沿C-C’線的剖視圖。

向所述連接通孔330內(nèi)形成導(dǎo)電材料，以構(gòu)成引線墊340，所述引線墊340與所述連接金屬層221之間電連接。

所述引線墊340用于實(shí)現(xiàn)所述芯片210與外部電路的電連接。具體的，本實(shí)施例中，所述導(dǎo)電材料為金屬鋁，可以采用化學(xué)氣相沉積或原子層沉積的方式向所述連接通孔330內(nèi)形成導(dǎo)電材料形成所述引線墊340。但是本發(fā)明對(duì)形成所述引線墊340的導(dǎo)電材料的具體類型以及形成所述引線墊340的具體方式不做限制，在本發(fā)明其他實(shí)施例中，也可以采用銅等其他材料形成所述引線墊340。

本發(fā)明半導(dǎo)體器件的形成方法通過(guò)在隔離溝槽底部形成連接通孔，并在連接通孔內(nèi)形成導(dǎo)電材料，以構(gòu)成引線墊，實(shí)現(xiàn)了所述芯片與外部電路的電連接。引線墊形成于電路層內(nèi)，功能區(qū)域的功能層與功能晶圓的其他部分通過(guò)隔離溝槽完全分離。因此在晶圓切割時(shí)減少了切割應(yīng)力通過(guò)引線墊之間擴(kuò)散進(jìn)入功能層功能區(qū)域的問(wèn)題，減少了切割應(yīng)力對(duì)芯片性能的影響，避免了晶圓切割對(duì)功能區(qū)域內(nèi)半導(dǎo)體元件的損傷，提高了所獲得芯片的性能，提高了所制造半導(dǎo)體器件的良品率。

進(jìn)一步，本發(fā)明還提供一種芯片結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：

本發(fā)明所提供的半導(dǎo)體器件的形成方法；沿所述切割道切割功能晶圓，以獲得單個(gè)芯片結(jié)構(gòu)。

參考圖12至圖16，示出了本發(fā)明芯片結(jié)構(gòu)的形成方法一實(shí)施例各個(gè)步驟的結(jié)構(gòu)示意圖。(需要說(shuō)明的是，為使附圖簡(jiǎn)潔，圖12至16未示意圖操作晶 圓100)

需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中，以背照式CMOS圖像傳感器的形成方法為例進(jìn)行說(shuō)明，不應(yīng)以此限制本發(fā)明。

參考圖12，結(jié)合參考圖13和圖14，其中，圖13是圖12中芯片210的放大圖，圖14是圖13中沿C-C’線的剖視圖，形成本發(fā)明所提供的半導(dǎo)體器件。

具體的，所述半導(dǎo)體器件的形成方法如前述實(shí)施例所述，本發(fā)明在此不再贅述。

提供所述半導(dǎo)體器件之后，結(jié)合參考圖15和圖16，沿所述切割道121切割功能晶圓200，以獲得單個(gè)芯片結(jié)構(gòu)2210。

具體的，可以采用金剛石刀片或激光切割技術(shù)對(duì)所述功能晶圓200進(jìn)行切割以獲得單個(gè)芯片1210。此處與現(xiàn)有技術(shù)相似，本發(fā)明對(duì)此不做贅述。

本發(fā)明芯片結(jié)構(gòu)的形成方法中，所形成的半導(dǎo)體器件內(nèi)形成有圍繞所述功能區(qū)域的隔離溝槽，引線墊形成于所述隔離溝槽底部的電路層內(nèi)。所述隔離溝槽將所述功能區(qū)域的功能層與所述功能晶圓的其他部分分離，以使在對(duì)所述功能晶圓200進(jìn)行切割的過(guò)程中，減少了切割應(yīng)力在引線墊之間的擴(kuò)散，從而降低了切割應(yīng)力對(duì)芯片性能的影響，從而避免了晶圓切割對(duì)功能區(qū)域內(nèi)半導(dǎo)體元件的損傷，提高了所獲得器件的性能，提高制造半導(dǎo)體器件的良品率。

相應(yīng)的，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：

操作晶圓；與所述操作晶圓鍵合連接的功能晶圓，所述功能晶圓內(nèi)形成有多個(gè)芯片以及位于芯片之間的切割道，所述芯片包括：電路層，所述電路層內(nèi)形成有連接金屬層；所述電路層包括靠近所述操作晶圓的第一面以及遠(yuǎn)離所述操作晶圓的第二面，所述芯片還包括覆蓋所述電路層第二面的功能層，用于形成半導(dǎo)體元件，所述功能層內(nèi)形成有半導(dǎo)體元件的區(qū)域?yàn)楣δ軈^(qū)域；圍繞所述功能區(qū)域的隔離溝槽，所述隔離溝槽位于所述功能層內(nèi)，底部露出所述電路層的第二面。

參考圖7至圖9，示出了本發(fā)明半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。

需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中，以背照式CMOS圖像傳感器為例進(jìn)行說(shuō)明，不應(yīng)以此限制本發(fā)明。

具體的，參考圖7，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：

操作晶圓(圖中未示出)以及與所述操作晶圓鍵合連接的功能晶圓200，所述功能晶圓200內(nèi)包含有多個(gè)芯片210以及位于芯片之間的切割道121。

具體的，本實(shí)施例中，所述功能晶圓200中的芯片210包括背照式CMOS圖像傳感器。

所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)在形成過(guò)程中所述功能晶圓200需經(jīng)減薄處理。但是由于材料的脆性，當(dāng)功能晶圓200減薄到一定厚度時(shí)，功能晶圓200會(huì)變得脆弱易碎，因此所述操作晶圓用于在半導(dǎo)體工藝過(guò)程中對(duì)所述功能晶圓200提供支撐。

所述功能晶圓200包括與所述操作晶圓相連接的鍵合面，以及與所述鍵合面相對(duì)的切割面201。

需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：位于所述操作晶圓和所述功能晶圓200之間的鍵合層120，所述操作晶圓與所述功能晶圓200通過(guò)鍵合層120實(shí)現(xiàn)連接。具體的，所述鍵合層120覆蓋所述功能晶圓200的鍵合面，所述鍵合層120材料為氧化硅。

位于切割面201上，所述芯片201之間設(shè)置有切割道121。

所述切割道121是后續(xù)對(duì)所述功能晶圓200進(jìn)行切割的標(biāo)準(zhǔn)。后續(xù)在所述功能晶圓200的切割面201上，沿所述切割道121進(jìn)行切割等處理，以獲得單個(gè)芯片210。

參考圖8和圖9，其中圖8是圖7中芯片210的放大圖，圖9是圖8中沿A-A’線的剖視圖。

所述芯片210包括：

電路層211，所述電路層211內(nèi)包含有連接金屬層221。

所述電路層211內(nèi)形成有電路，其中包括用于使所述芯片210與外部電路實(shí)現(xiàn)電連接的連接金屬層221。具體的，本實(shí)施例中，所述芯片210用于形成背照式CMOS圖像傳感器，所述電路層211用于形成所述背照式CMOS圖像傳感器的外圍電路。

需要說(shuō)明的是，所述電路層211內(nèi)除了包含有連接金屬層221之外，還包含形成電路的其他金屬層、接觸插塞以及金屬連接線等其他結(jié)構(gòu)，本發(fā)明對(duì)所述電路層211內(nèi)具體包含的電路結(jié)構(gòu)不做任何限制。

所述電路層211包括靠近所述操作晶圓100的第一面211a以及遠(yuǎn)離所述操作晶圓的第二面211b。所述電路層211的第一面211a即為所述功能晶圓的鍵合面，也就是說(shuō)，所述電路層211的第一面211a通過(guò)鍵合層120與所述操作晶圓鍵合相連。

所述芯片210還包括覆蓋所述電路層211第二面211b的功能層212，所述功能層211內(nèi)形成有半導(dǎo)體元件222的區(qū)域?yàn)楣δ軈^(qū)域Div。

具體的，本實(shí)施例中，所述芯片210用于形成背照式CMOS圖像傳感器，因此所述功能區(qū)域Div內(nèi)的半導(dǎo)體元件222為CMOS圖像傳感器。

所述功能層212包括與所述電路層211第二面211b相連的功能面212a，以及與所述功能面212a相對(duì)的襯底面212b。本實(shí)施例中，所述功能區(qū)域Div內(nèi)的半導(dǎo)體元件222為CMOS圖像傳感器，所述芯片210用于形成背照式CMOS圖像傳感器。所以根據(jù)工藝需要，所述半導(dǎo)體元件222位于所述功能層212的功能面212a上，與所述電路層211中的外圍電路相連。為獲得單個(gè)芯片而對(duì)所述功能晶圓200進(jìn)行的切割處理在所述功能層212的襯底面212b上進(jìn)行。也就是說(shuō)，所述功能層212的襯底面212b即為所述功能晶圓100的切割面201。

需要說(shuō)明的是，由于本實(shí)施例中，所述功能區(qū)域Div內(nèi)的半導(dǎo)體元件222為CMOS圖像傳感器，所述芯片210用于形成背照式CMOS圖像傳感器，所以根據(jù)工藝需要，所述功能層212的厚度在3微米到4微米范圍內(nèi)。

需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中，所述功能層212內(nèi)的半導(dǎo)體元件222為CMOS圖像傳感器、電路層211內(nèi)形成所述CMOS圖像傳感器的外圍電路。 但是本發(fā)明對(duì)所述功能層212內(nèi)形成的半導(dǎo)體元件222以及所述電路層211內(nèi)形成的電路類型不做限定。所述半導(dǎo)體元件222還可以是其他半導(dǎo)體器件，如處理器、傳感器等；所述電路層211內(nèi)也可以形成其他電路，如數(shù)據(jù)處理電路、驅(qū)動(dòng)電路等。

此外，本實(shí)施例中，所述功能區(qū)域Div呈方形，位于所述芯片210的中間區(qū)域。但是所述功能區(qū)域Div的形狀為方形的做法僅為一示例，本發(fā)明對(duì)所述功能區(qū)域Div的形狀不做限制，所述功能區(qū)域Div的形狀可以根據(jù)所述芯片210的設(shè)計(jì)需要而采用其他形狀。

所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：圍繞所述功能區(qū)域Div的隔離溝槽320，所述隔離溝槽320位于所述功能層212內(nèi)，底部露出所述電路層211的第二面211b。

所述隔離溝槽320用于實(shí)現(xiàn)所述功能區(qū)域Div與所述切割道的隔離，避免在后續(xù)對(duì)功能晶圓200進(jìn)行切割時(shí)，應(yīng)力擴(kuò)散進(jìn)入所述功能區(qū)域Div，影響功能區(qū)域Div內(nèi)半導(dǎo)體元件222的性能。

本實(shí)施例中，所述功能層212的厚度在3微米到4微米范圍內(nèi)。所述隔離溝槽320的深度與所述功能層212的厚度相當(dāng)，也在3微米到4微米范圍內(nèi)，從而使所述隔離溝槽320的底部露出所述電路層211的第二面211b，以保證所述功能區(qū)域Div的功能層212的獨(dú)立性，從而使芯片210中功能區(qū)域Div的功能層212與功能晶圓200其他部分分開，特別是與切割道121的功能晶圓200分開，防止應(yīng)力通過(guò)功能晶圓200傳遞進(jìn)入芯片210內(nèi)，保護(hù)功能區(qū)域Div內(nèi)的半導(dǎo)體元件222。

需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中，所述功能區(qū)域Div為方形，圍繞所述方形功能區(qū)域Div的隔離溝槽320的形狀為方環(huán)形，以降低工藝難度。

此外，由于所述功能層212覆蓋所述電路層211的第二面211b，因此所述隔離溝槽320底部露出的所述電路層211的表面為所述電路層211的第二面211b。

需要說(shuō)明的是，如果所述隔離溝槽320的寬度過(guò)大，會(huì)影響所形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的良品率；如果所述隔離溝槽320的寬度過(guò)小，則會(huì)增加工藝難度?？蛇x的，所述隔離溝槽320的寬度W在50微米到180微米范圍內(nèi)。

還需要說(shuō)明的是，本發(fā)明半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可以由但是不限制于本發(fā)明半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法形成。

此外，本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體器件，包括：

本發(fā)明所提供的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；位于所述隔離溝槽底部的連接通孔，所述連接通孔形成于所述電路層內(nèi)，底部露出所述電路層內(nèi)的連接金屬層；形成于所述連接通孔底部的引線墊。

參考圖12至圖14，示出了本發(fā)明半導(dǎo)體器件一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中，以背照式CMOS圖像傳感器為例進(jìn)行說(shuō)明，不應(yīng)以此限制本發(fā)明。

所述半導(dǎo)體器件包括：本發(fā)明所提供半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的具體結(jié)構(gòu)如前述實(shí)施例所述，在此不再贅述。

參考圖12，結(jié)合參考圖13和圖14，其中，圖13是圖12中芯片210的放大圖，圖14是圖13中沿C-C’線的剖視圖。

所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括：位于所述隔離溝槽320底部的連接通孔330，所述連接通孔330位于所述電路層211內(nèi)，底部露出所述電路層211內(nèi)的連接金屬層221。

所述連接通孔330用于形成導(dǎo)電材料，以構(gòu)成引線墊，用于實(shí)現(xiàn)所述芯片210與外部電路的電連接。

需要說(shuō)明的是，由于所述連接通孔330用于形成實(shí)現(xiàn)所述芯片210與外部電路電連接的引線墊。因此，根據(jù)所述芯片211的內(nèi)部設(shè)計(jì)，所述連接通孔330位于所述電路層211內(nèi)連接金屬層221的上方。

本實(shí)施例中，根據(jù)設(shè)計(jì)需要，所述芯片210需要通過(guò)16個(gè)引線墊實(shí)現(xiàn)與外部電路的連接，并且16個(gè)引線墊分布在所述芯片的四周。因此，在所述隔離溝槽320的底部一共形成16個(gè)連接通孔330，在方形的所述功能區(qū)域Div的4條邊上，每邊設(shè)置有4個(gè)連接通孔330。

需要說(shuō)明的是，由于本實(shí)施例中，所述芯片210用于形成背照式CMOS圖像傳感器，因此在形成所述芯片210的時(shí)候，是按照先形成功能層212再 形成電路層211的順序形成的。所以所述連結(jié)通孔330露出的連接金屬層221為形成所述電路層221時(shí)最先形成的金屬層。

所述半導(dǎo)體器件還包括：形成于所述連接通孔330內(nèi)的引線墊340，所述引線墊340與所述連接金屬層221之間電連接。

所述引線墊340用于實(shí)現(xiàn)所述芯片210與外部電路的電連接。具體的，本實(shí)施例中，所述導(dǎo)電材料為金屬鋁。但是本發(fā)明對(duì)所述引線墊340的材料不做限制，在本發(fā)明其他實(shí)施例中，也可以采用銅等其他材料形成所述引線墊340。

需要說(shuō)明的是，本發(fā)明半導(dǎo)體器件可以由但是不限制于本發(fā)明半導(dǎo)體器件的形成方法形成。

進(jìn)一步，本發(fā)明還提供一種芯片結(jié)構(gòu)，包括：

操作襯底；位于所述操作襯底上的芯片，所述芯片包括：電路層，所述電路層內(nèi)形成有連接金屬層；所述電路層包括靠近所述操作襯底的第一面以及遠(yuǎn)離所述操作襯底的第二面，所述芯片還包括覆蓋所述電路層第二面的功能層，用于形成半導(dǎo)體元件，所述功能層內(nèi)形成有半導(dǎo)體元件的區(qū)域?yàn)楣δ軈^(qū)域；位于所述功能層內(nèi)且圍繞所述功能區(qū)域的隔離溝槽，所述隔離溝槽的底部露出所述電路層的第二面；位于所述隔離溝槽底部的連接通孔，所述連接通孔形成于所述電路層內(nèi)且底部露出所述電路層內(nèi)的連接金屬層；位于所述連接通孔底部的引線墊。

參考圖15和圖16，示出了本發(fā)明芯片結(jié)構(gòu)一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

所述芯片結(jié)構(gòu)2210包括：操作襯底1100以及位于所述操作襯底1100上的芯片1210。

所述操作襯底1100用于提供半導(dǎo)體工藝的操作平臺(tái)。所述操作襯底1100通過(guò)對(duì)操作晶圓進(jìn)行切割之后形成。所述芯片1210內(nèi)形成有半導(dǎo)體元件，以實(shí)現(xiàn)所述芯片1210的功能。具體的，本實(shí)施例中，所述芯片1210用于形成背照式CMOS圖像傳感器。

所述芯片1210包括：

電路層1211，所述電路層1211內(nèi)形成有連接金屬層1221。

所述電路層1211內(nèi)形成有電路，其中包括用于使所述芯片1210與外部電路實(shí)現(xiàn)電連接的連接金屬層1221。具體的，本實(shí)施例中，所述芯片1210用于形成背照式CMOS圖像傳感器，所述電路層1211用于形成所述背照式CMOS圖像傳感器的外圍電路。

需要說(shuō)明的是，所述電路層1211內(nèi)除了包含有連接金屬層1221之外，還包含形成電路的其他金屬層、接觸插塞以及金屬連接線等其他結(jié)構(gòu)，本發(fā)明對(duì)所述電路層1211內(nèi)具體包含的電路結(jié)構(gòu)不做任何限制。

所述電路層1211包括靠近所述操作襯底1100的第一面1211a以及遠(yuǎn)離所述操作襯底1100的第二面1211b。

需要說(shuō)明的是，所述芯片結(jié)構(gòu)還包括位于所述芯片1210與操作襯底1100之間的鍵合層1120，所述芯片1210與所述操作襯底1100通過(guò)所述鍵合層1120鍵合連接。具體的，所述鍵合層1120覆蓋所述電路層1211的第一面1211a，所述電路層1211的第一面1211a通過(guò)鍵合層1120與所述操作襯底1100鍵合相連。

所述芯片1210還包括覆蓋所述電路層1211第二面1211b的功能層1212，所述功能層1211內(nèi)形成有半導(dǎo)體元件1222的區(qū)域?yàn)楣δ軈^(qū)域Div2。

所述功能層1211用于形成半導(dǎo)體器件器件，所述功能層1211內(nèi)形成有半導(dǎo)體元器件1222的區(qū)域?yàn)楣δ軈^(qū)域。具體的，本實(shí)施例中，所述芯片1210用于形成背照式CMOS圖像傳感器，因此所述功能區(qū)域Div2內(nèi)的半導(dǎo)體元件1222為CMOS圖像傳感器。

所述功能層1212包括與所述電路層1211第二面1211b相連的功能面1212a，以及與所述功能面1212a相對(duì)的襯底面1212b。本實(shí)施例中，所述功能區(qū)域Div2內(nèi)的半導(dǎo)體元件1222為CMOS圖像傳感器，所述芯片1210用于形成背照式CMOS圖像傳感器。所以根據(jù)工藝需要，所述半導(dǎo)體元件1222位于所述功能層1212的功能面1212a上，與所述電路層1211中的外圍電路相連。

需要說(shuō)明的是，由于本實(shí)施例中，所述功能區(qū)域Div2內(nèi)的半導(dǎo)體元件1222 為CMOS圖像傳感器，所述芯片1210用于形成背照式CMOS圖像傳感器，所以根據(jù)工藝需要，所述功能層1212的厚度在3微米到4微米范圍內(nèi)。

需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中，所述功能層1212內(nèi)的半導(dǎo)體元件1222為CMOS圖像傳感器、電路層1211內(nèi)形成所述CMOS圖像傳感器的外圍電路。但是本發(fā)明對(duì)所述功能層1212內(nèi)形成的半導(dǎo)體元件1222以及所述電路層1211內(nèi)形成的電路類型不做限定。所述半導(dǎo)體元件1222還可以是其他半導(dǎo)體器件，如處理器、傳感器等；所述電路層1211內(nèi)也可以形成其他電路，如數(shù)據(jù)處理電路、驅(qū)動(dòng)電路等。

此外，本實(shí)施例中，所述功能區(qū)域Div2呈方形，位于所述芯片1210的中間區(qū)域。但是所述功能區(qū)域Div2的形狀為方形的做法僅為一示例，本發(fā)明對(duì)所述功能區(qū)域Div2的形狀不做限制，所述功能區(qū)域Div2的形狀可以根據(jù)所述芯片1210的設(shè)計(jì)需要而采用其他形狀。

所述芯片結(jié)構(gòu)2210還包括：圍繞所述功能區(qū)域Div2的隔離溝槽1320，所述隔離溝槽1320位于所述功能區(qū)域Div2內(nèi)，底部露出所述電路層1211表面。

所述隔離溝槽1320用于將所述芯片1210功能層1212內(nèi)形成有半導(dǎo)體元件1222的功能區(qū)域Div2與切割道分開，避免在切割晶圓獲得芯片結(jié)構(gòu)2210的過(guò)程中，應(yīng)力擴(kuò)散進(jìn)入所述功能區(qū)域Div2，影響功能區(qū)域Div2內(nèi)半導(dǎo)體元件1222的性能。

本實(shí)施例中，所述功能層1212的厚度在3微米到4微米范圍內(nèi)。因此，所述隔離溝槽1320的深度在3微米到4微米范圍內(nèi)，使所述隔離溝槽1320的底部露出所述電路層1211的表面，以保證所述功能區(qū)域Div2的功能層1212的獨(dú)立性，從而使芯片1210中功能區(qū)域Div的功能層1212與其他部分分開，防止進(jìn)行切割處理時(shí)，切割應(yīng)力通過(guò)功能層1212傳遞進(jìn)入芯片1210內(nèi)，以達(dá)到保護(hù)功能區(qū)域Div2內(nèi)的半導(dǎo)體元件1222的目的。

需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中，所述功能區(qū)域Div2為方形，圍繞所述方形功能區(qū)域Div2的隔離溝槽1320的形狀為方環(huán)形，以降低工藝難度。

此外，由于所述功能層1212覆蓋所述電路層1211的第二面1211b，因此 所述隔離溝槽1320底部露出的所述電路層1211的表面為所述電路層1211的第二面1211b。

需要說(shuō)明的是，如果所述隔離溝槽1320的寬度過(guò)大，會(huì)影響所形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的良品率；如果所述隔離溝槽1320的寬度過(guò)小，則會(huì)增加工藝難度?？蛇x的，所述隔離溝槽1320的寬度W在50微米到180微米范圍內(nèi)。

所述芯片結(jié)構(gòu)2210還包括：位于所述隔離溝槽1320底部的連接通孔1330，所述連接通孔1330形成于所述電路層1211內(nèi)，底部露出所述電路層1211內(nèi)的連接金屬層1221。

所述連接通孔1330用于形成導(dǎo)電材料，以構(gòu)成引線墊，用于實(shí)現(xiàn)所述芯片1210與外部電路的電連接。

需要說(shuō)明的是，由于所述連接通孔1330用于形成實(shí)現(xiàn)所述芯片1210與外部電路電連接的引線墊。因此根據(jù)所述芯片1210的內(nèi)部設(shè)計(jì)，所述連接通孔1330位于所述電路層1211內(nèi)連接金屬層1221的上方，并底部露出所述連接金屬層1221。

本實(shí)施例中，根據(jù)設(shè)計(jì)需要，所述芯片1210需要通過(guò)16個(gè)引線墊實(shí)現(xiàn)與外部電路的連接，并且16個(gè)引線墊分布在所述芯片的四周。因此，在所述隔離溝槽1320的底部一共形成16個(gè)連接通孔1330，在方形的所述功能區(qū)域Div的4條邊上，每邊設(shè)置有4個(gè)連接通孔1330。

需要說(shuō)明的是，由于本實(shí)施例中，所述芯片1210用于形成背照式CMOS圖像傳感器，因此在形成所述芯片1210的時(shí)候，是按照先形成功能層1212再形成電路層1211的順序形成的。所以所述連接金屬層1221為形成所述電路層1221時(shí)最先形成的金屬層。

所述芯片結(jié)構(gòu)2210還包括：形成于所述連接通孔1330內(nèi)的引線墊1340，所述引線墊1340與所述連接金屬層1221之間電連接。

所述引線墊1340用于實(shí)現(xiàn)所述芯片1210與外部電路的電連接。具體的，本實(shí)施例中，所述導(dǎo)電材料為金屬鋁。但是本發(fā)明對(duì)形成所述引線墊1340的具體材料不做限制，在本發(fā)明其他實(shí)施例中，也可以采用銅等其他材料形成所述引線墊1340。

綜上，本發(fā)明通過(guò)在功能層內(nèi)設(shè)置圍繞所述功能區(qū)域的隔離溝槽，將形成有半導(dǎo)體器件的功能區(qū)域與進(jìn)行切割的切割道分開，在晶圓切割時(shí)減小了切割應(yīng)力經(jīng)相鄰引線墊之間的區(qū)域擴(kuò)散進(jìn)入功能區(qū)域的問(wèn)題，從而減小了切割應(yīng)力對(duì)芯片性能造成的影響，進(jìn)而避免了晶圓切割對(duì)功能區(qū)域半導(dǎo)體器件的損傷，提高了所獲得的芯片的性能，提高了制造半導(dǎo)體器件的良品率。

需要說(shuō)明的是，本發(fā)明芯片結(jié)構(gòu)可以由但是不限制于本發(fā)明芯片結(jié)構(gòu)的形成方法形成。

雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。