本發(fā)明涉及射頻測試領(lǐng)域，尤其涉及一種非接觸式射頻芯片晶元測試方法及裝置。

背景技術(shù)：

在對非接觸式射頻芯片晶元進(jìn)行封裝前，需對其進(jìn)行測試。對非接觸式射頻芯片晶元測試時，采用探針向非接觸式射頻芯片晶元提供測試信號。由于非接觸式射頻芯片晶元的面積日益減小，為提高測試效率，在進(jìn)行測試時非接觸式射頻芯片晶元排布較為緊湊，測試機(jī)同時對多個非接觸式射頻芯片晶元進(jìn)行多通道并行測試。多個向非接觸式射頻芯片晶元提供測試信號探針之間會產(chǎn)生干擾導(dǎo)致測試不穩(wěn)定。

一種可能的解決方式是在每組探針之間設(shè)置屏蔽設(shè)施，但此種方式成本較高，且普適性較差。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明解決的技術(shù)問題是避免多個非接觸式射頻芯片晶元測試信號之間的干擾，提升測試的穩(wěn)定性。

為解決上述問題，本發(fā)明實施例提供了一種非接觸式射頻芯片晶元測試方法，包括：

待測試非接觸式射頻芯片晶元接收測試信號，所述測試信號的載波頻率低于對應(yīng)的射頻通信協(xié)議規(guī)定頻率；

基于預(yù)置的內(nèi)部時鐘對所述測試信號進(jìn)行處理，以獲得對應(yīng)的通信信息。

可選的，所述測試信號的載波頻率為零。

可選的，所述測試信號為直流偏置信號。

可選的，所述非接觸式射頻芯片晶元測試方法還包括：根據(jù)所述測試信號中攜帶的時鐘校準(zhǔn)信息校準(zhǔn)預(yù)置的內(nèi)部時鐘。

可選的，在根據(jù)所述測試信號中攜帶的時鐘校準(zhǔn)信息校準(zhǔn)預(yù)置的內(nèi)部時鐘前，還包括：發(fā)送分頻后的時鐘信號；所述測試信號中攜帶的時鐘校準(zhǔn)信息包括時鐘頻率判斷結(jié)果信息。

可選的，所述測試信號中攜帶的時鐘校準(zhǔn)信息包括同步頭；所述根據(jù)所述測試信號中攜帶的時鐘校準(zhǔn)信息校準(zhǔn)預(yù)置的內(nèi)部時鐘，包括：根據(jù)預(yù)設(shè)的同步頭內(nèi)的時鐘數(shù)目校準(zhǔn)預(yù)置的內(nèi)部時鐘。

本發(fā)明實施例還提供了一種非接觸式射頻芯片晶元測試裝置，其特征在于，包括：

測試信號接收單元，適于接收測試信號，所述測試信號的載波頻率低于對應(yīng)的射頻通信協(xié)議規(guī)定頻率；

通信信息獲取單元，適于基于預(yù)置的內(nèi)部時鐘對所述測試信號進(jìn)行處理，以獲得對應(yīng)的通信信息。

可選的，所述測試信號接收單元還適于接收載波頻率為零的測試信號。

可選的，所述非接觸式射頻芯片晶元測試裝置還包括：時鐘校準(zhǔn)單元，適于根據(jù)所述測試信號中攜帶的時鐘校準(zhǔn)信息校準(zhǔn)預(yù)置的內(nèi)部時鐘。

本發(fā)明實施例還提供了另一種非接觸式射頻芯片晶元測試方法，包括：

向待測試非接觸式射頻芯片晶元發(fā)送測試信號，所述測試信號的載波頻率低于對應(yīng)的射頻通信協(xié)議規(guī)定頻率；所述測試信號攜帶時鐘校準(zhǔn)信息。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下有益效果：

待測試非接觸式射頻芯片晶元接收測試信號，所述測試信號的載波頻率低于對應(yīng)的射頻通信協(xié)議規(guī)定頻率，由于測試信號的載波頻率較低，接收待測試信號的探針之間電抗增大，從而可以減小接收待測試信號的探針間的信號耦合，降低測試非接觸式射頻芯片晶元測試信號之間的干擾，從而提升非接觸式射頻芯片晶元測試方法的穩(wěn)定性。另外，由于本發(fā)明實施例中的非接觸式射頻芯片晶元測試方法可以降低測試非接觸式射頻芯片晶元測試信號之間的干擾，從而避免由于相鄰?fù)ǖ郎漕l干擾導(dǎo)致的并行測試的通道數(shù)量限制，提高了非接觸式射頻芯片晶元測試的效率，降低測試成本。

進(jìn)一步，由于所述測試信號的載波頻率為零，而測試信號的頻率遠(yuǎn)低于載波頻率，從而可以大幅增加向非接觸式射頻芯片晶元提供測試信號探針之間的電抗，減小向非接觸式射頻芯片晶元提供測試信號探針之間的信號耦合，從而降低測試非接觸式射頻芯片晶元測試信號之間的干擾，從而提升非接觸式射頻芯片晶元測試方法的穩(wěn)定性。

此外，在所述測試信號的載波頻率為零時，由于所述測試信號為直流偏置信號，從而可以偏置電流為非接觸式射頻芯片晶元提供足夠的能量，保障測試過程的順利完成；由于所述測試信號的載波頻率為零，測試機(jī)與芯片之間的通信就不存在高頻信號，從而杜絕了通道間的射頻信號相互干擾的問題。待測試非接觸式射頻芯片晶元內(nèi)建時鐘源，利用內(nèi)建時鐘源來代替原來從載波上恢復(fù)的時鐘，從而可以實現(xiàn)測試機(jī)與芯片之間的通信。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實施例中一種非接觸式射頻芯片晶元測試系統(tǒng)；

圖2是本發(fā)明實施例中一種非接觸式射頻芯片晶元測試方法的流程圖；

圖3是本發(fā)明實施例中另一種非接觸式射頻芯片晶元測試方法的流程圖；

圖4是本發(fā)明實施例中一種射頻芯片晶元測試裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明實施例中一種射頻芯片晶元測試裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是本發(fā)明實施例中兩種測試信號的示意圖；

圖7是本發(fā)明實施例中兩種測試信號的頻域示意圖。

具體實施方式

如前所述，在對非接觸式射頻芯片晶元進(jìn)行封裝前，需對其進(jìn)行測試。對非接觸式射頻芯片晶元測試時，采用探針向非接觸式射頻芯片晶元提供測試信號。由于非接觸式射頻芯片晶元的面積日益減小，為提高測試效率，在進(jìn)行測試時非接觸式射頻芯片晶元排布較為緊湊，測試機(jī)同時對多個非接觸式射頻芯片晶元進(jìn)行多通道并行測試。多個向非接觸式射頻芯片晶元提供測試信號探針之間會產(chǎn)生干擾導(dǎo)致測試不穩(wěn)定。一種可能的解決方式是在每組探針之間設(shè)置屏蔽設(shè)施，但此種方式成本較高，且普適性較差。

在本發(fā)明實施例中，待測試非接觸式射頻芯片晶元接收測試信號，所述測試信號的載波頻率低于對應(yīng)的射頻通信協(xié)議規(guī)定頻率，由于測試信號的載波頻率較低，接收待測試信號的探針之間電抗增大，從而可以減小接收待測試信號的探針間的信號耦合，降低測試非接觸式射頻芯片晶元測試信號之間的干擾，從而提升非接觸式射頻芯片晶元測試方法的穩(wěn)定性。另外，由于本發(fā)明實施例中的非接觸式射頻芯片晶元測試方法可以降低測試非接觸式射頻芯片晶元測試信號之間的干擾，從而避免由于相鄰?fù)ǖ郎漕l干擾導(dǎo)致的并行測試的通道數(shù)量限制，提高了非接觸式射頻芯片晶元測試的效率，降低測試成本。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施例做詳細(xì)的說明。

圖1是本發(fā)明實施例中一種非接觸式射頻芯片晶元測試系統(tǒng)。

非接觸式射頻芯片晶元測試系統(tǒng)10包括待測試的晶元11和測試機(jī)12。

晶元11包括多個依次排布的非接觸式射頻芯片晶元，在測試時，晶元11至于測試機(jī)臺14之上。在具體實施中，測試機(jī)12產(chǎn)生測試信號，通過探針卡121將測試信號并行送至多個非接觸式射頻芯片晶元。

由于非接觸式射頻芯片晶元的面積越來越小，非接觸式射頻芯片晶元的排布越來越密集，探針的距離也越來越小。在探測信號的頻率較高時，會導(dǎo)致探針間的耦合越來越大，從而導(dǎo)致測試結(jié)果的準(zhǔn)確性收到影響，也會限制一次進(jìn)行并行測試的非接觸式射頻芯片晶元的數(shù)量。

在本發(fā)明實施例中，測試機(jī)向非接觸式射頻芯片晶元發(fā)送測試信號，所述測試信號的載波頻率低于對應(yīng)的射頻通信協(xié)議規(guī)定頻率，從而可以減少探針之間的耦合降低測試非接觸式射頻芯片晶元測試信號之間的干擾，從而提升非接觸式射頻芯片晶元測試方法的穩(wěn)定性。另外，由于可以降低非接觸式射頻芯片晶元測試信號之間的干擾，從而避免由于相鄰?fù)ǖ郎漕l干擾導(dǎo)致的并行測試的通道數(shù)量限制，提高了非接觸式射頻芯片晶元測試的效率，降低測試成本。

非接觸式射頻芯片晶元測試是在封裝前對非接觸式芯片進(jìn)行的測試，在 進(jìn)行非接觸式射頻芯片晶元測試時，將非接觸式射頻芯片晶元設(shè)置為測試模式，以便接收并識別測試信號。

在具體實施中，非接觸式射頻芯片晶元可以是非接觸智能卡芯片，也可以是射頻識別芯片。在對非接觸智能卡芯片進(jìn)行測試時，測試機(jī)12將自身模擬為射頻識別設(shè)備，產(chǎn)生測試信號，此時測試信號可以是讀信號或者寫信號，也可以是時鐘校準(zhǔn)信號；在對射頻識別芯片進(jìn)行測試時測試機(jī)12將自身模擬為非接觸智能卡芯片，產(chǎn)生應(yīng)答射頻識別芯片的測試信號，或者測試機(jī)12也可將自身模擬為主動式的非接觸智能卡芯片，向射頻識別芯片發(fā)送測試信號，此時的測試信號同樣可以攜帶時鐘校準(zhǔn)信息。

在本發(fā)明實施例中，由于測試信號的載波頻率低于對應(yīng)的射頻通信協(xié)議規(guī)定頻率，故待測試的非接觸式射頻芯片晶元中需包含預(yù)置的用于測試的時鐘。非接觸式射頻芯片晶元在接收到測試信號后，基于預(yù)置的內(nèi)部時鐘對所述測試信號進(jìn)行處理，以獲得對應(yīng)的通信信息，并根據(jù)通信信息進(jìn)行反饋。

測試機(jī)12根據(jù)非接觸式射頻芯片晶元反饋信息進(jìn)行判斷，從而確定非接觸式射頻芯片晶元是否通過檢測。其中，測試機(jī)的信號通過幅度調(diào)制方式，調(diào)制在高頻載波上。芯片的應(yīng)答信號通過負(fù)載阻抗的變化方式調(diào)制到高頻載波上。

圖2是本發(fā)明實施例中一種非接觸式射頻芯片晶元測試方法的流程圖。

S11，待測試非接觸式射頻芯片晶元接收測試信號，所述測試信號的載波頻率低于對應(yīng)的射頻通信協(xié)議規(guī)定頻率。

在具體實施中，所述射頻通信協(xié)議可以是高頻通信協(xié)議、超高頻通信協(xié)議等，對應(yīng)的載波頻率可以從幾百KHz到幾個GHz。由于測試信號的載波頻率較低，接收待測試信號的探針之間電抗增大，從而可以減小接收待測試信號的探針間的信號耦合，降低測試非接觸式射頻芯片晶元測試信號之間的干擾，從而提升非接觸式射頻芯片晶元測試方法的穩(wěn)定性。

例如，在15693協(xié)議中，對應(yīng)的載波頻率為13.56MHz，此時若測試機(jī)同時對多個非接觸式射頻芯片晶元進(jìn)行多通道并行測試，在探針之間的容抗值為1/(j*C*2*Pi*13.56M)，其中C為探針間的電容；若將載波頻率降低到1 MHz，則探針之間的電抗值為1/(j*C*2*Pi*1M)，容抗的絕對值增大，探針之間的耦合干擾依比例降低，從而在不對探針做改變的前提下提升了非接觸式射頻芯片晶元測試方法的穩(wěn)定性。另外，由于可以降低非接觸式射頻芯片晶元測試信號之間的干擾，從而避免由于相鄰?fù)ǖ郎漕l干擾導(dǎo)致的并行測試的通道數(shù)量限制，提高了非接觸式射頻芯片晶元測試的效率，降低測試成本。

此處僅為舉例說明，在實際測試中，可以依照待測試非接觸式射頻芯片晶元的功耗進(jìn)行計算，以載波可以為待測試非接觸式射頻芯片晶元提供能量為限度。

在本發(fā)明一實施例中，待測試非接觸式射頻芯片晶元接收測試信號的載波頻率為零。

此時測試信號可以是直流偏置信號，通過直流偏置向待測試非接觸式射頻芯片晶元提供能量。

測試信號可以是直流包絡(luò)信號，將直流包絡(luò)信號直接加到天線兩端，這樣測試機(jī)與芯片之間的通信就不存在高頻信號，從而杜絕了通道間的射頻信號相互干擾的問題。

由于所述測試信號的載波頻率為零，而測試信號的頻率遠(yuǎn)低于載波頻率，從而可以大幅增加向非接觸式射頻芯片晶元提供測試信號探針之間的電抗，減小向非接觸式射頻芯片晶元提供測試信號探針之間的信號耦合，從而降低測試非接觸式射頻芯片晶元測試信號之間的干擾，從而提升非接觸式射頻芯片晶元測試方法的穩(wěn)定性。

在所述測試信號的載波頻率為零時，由于所述測試信號為直流偏置信號，從而可以偏置電流為非接觸式射頻芯片晶元提供足夠的能量，保障測試過程的順利完成；由于所述測試信號的載波頻率為零，測試機(jī)與芯片之間的通信就不存在高頻信號，從而杜絕了通道間的射頻信號相互干擾的問題。待測試非接觸式射頻芯片晶元內(nèi)建時鐘源，利用內(nèi)建時鐘源來代替原來從載波上恢復(fù)的時鐘，從而可以實現(xiàn)測試機(jī)與芯片之間的通信。

S12，基于預(yù)置的內(nèi)部時鐘對所述測試信號進(jìn)行處理，以獲得對應(yīng)的通信信息。

由于測試信號的載波頻率低于對應(yīng)的射頻通信協(xié)議規(guī)定頻率，測試信號中不再攜帶時鐘頻率信息，故需在待測試非接觸式射頻芯片晶元一端配置自動調(diào)節(jié)的內(nèi)部時鐘，為測試的通信過程提供精確時鐘。

在具體實施中，上述非接觸式射頻芯片晶元測試方法還可以包括：根據(jù)所述測試信號中攜帶的時鐘校準(zhǔn)信息校準(zhǔn)預(yù)置的內(nèi)部時鐘。

在本發(fā)明一實施例中，待測試非接觸式射頻芯片晶元一端主動向測試機(jī)發(fā)送分頻后的時鐘信號，測試機(jī)在接收到分頻后的時鐘信號后進(jìn)行計算，并和預(yù)設(shè)的時鐘頻率比較，反饋包含時鐘校準(zhǔn)信息的測試信號至非接觸式射頻芯片晶元。此處時鐘校準(zhǔn)信息可以是時鐘頻率判斷結(jié)果，例如頻率過高或過低。非接觸式射頻芯片晶元根據(jù)時鐘校準(zhǔn)信息校準(zhǔn)預(yù)置的內(nèi)部時鐘。

在本發(fā)明另一實施例中，所述測試信號中攜帶的時鐘校準(zhǔn)信息是同步頭，所述根據(jù)所述測試信號中攜帶的時鐘校準(zhǔn)信息校準(zhǔn)預(yù)置的內(nèi)部時鐘包括：根據(jù)預(yù)設(shè)的同步頭內(nèi)的時鐘數(shù)目校準(zhǔn)預(yù)置的內(nèi)部時鐘。同步頭可以是一個凹形或凸形波形，待測試非接觸式射頻芯片晶元一端根據(jù)預(yù)設(shè)的同步頭內(nèi)的時鐘數(shù)目，計算時鐘頻率，校準(zhǔn)預(yù)置的內(nèi)部時鐘。

校準(zhǔn)預(yù)置的內(nèi)部時鐘的方式眾多，在此不一一贅述。

在具體實施中，在步驟S11，待測試非接觸式射頻芯片晶元接收測試信號，所述測試信號的載波頻率低于對應(yīng)的射頻通信協(xié)議規(guī)定頻率之前，還可以包括：

S111(參見圖3)，待測試非接觸式射頻芯片晶元上電復(fù)位。

待測試非接觸式射頻芯片晶元在上電復(fù)位后處于測試狀態(tài)，適于接收測試信號。

S112(參見圖3)，校準(zhǔn)預(yù)置的內(nèi)部時鐘。

在具體實施中，校準(zhǔn)預(yù)置的內(nèi)部時鐘可以是根據(jù)所述測試信號中攜帶的時鐘校準(zhǔn)信息校準(zhǔn)預(yù)置的內(nèi)部時鐘。具體實現(xiàn)方式如前所述，此不贅述。

待測試非接觸式射頻芯片晶元上電復(fù)位并校準(zhǔn)預(yù)置內(nèi)部時鐘后，進(jìn)入具體的測試步驟，也就是步驟S11和步驟S12。

在本發(fā)明實施例中，待測試非接觸式射頻芯片晶元接收測試信號，所述測試信號的載波頻率低于對應(yīng)的射頻通信協(xié)議規(guī)定頻率，由于測試信號的載波頻率較低，接收待測試信號的探針之間電抗增大，從而可以減小接收待測試信號的探針間的信號耦合，降低測試非接觸式射頻芯片晶元測試信號之間的干擾，從而提升非接觸式射頻芯片晶元測試方法的穩(wěn)定性。另外，由于本發(fā)明實施例中的非接觸式射頻芯片晶元測試方法可以降低測試非接觸式射頻芯片晶元的測試信號之間的干擾，從而避免由于相鄰?fù)ǖ郎漕l干擾導(dǎo)致的并行測試的通道數(shù)量限制，提高了非接觸式射頻芯片晶元測試的效率，降低測試成本。

本發(fā)明實施例還提供一種非接觸式射頻芯片晶元測試方法，包括：向待測試非接觸式射頻芯片晶元發(fā)送測試信號，所述測試信號的載波頻率低于對應(yīng)的射頻通信協(xié)議規(guī)定頻率；所述測試信號攜帶時鐘校準(zhǔn)信息。

圖4是本發(fā)明實施例中一種射頻芯片晶元測試裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。非接觸式射頻芯片晶元測試裝置31包括測試信號接收單元311和通信信息獲取單元312，其中：

測試信號接收單元311，適于接收測試信號，所述測試信號的載波頻率低于對應(yīng)的射頻通信協(xié)議規(guī)定頻率。

通信信息獲取單元312，適于基于預(yù)置的內(nèi)部時鐘對所述測試信號進(jìn)行處理，以獲得對應(yīng)的通信信息。

在本發(fā)明一實施例中，測試信號接收單元311適于接收載波頻率為零的測試信號。

在具體實施中，所述非接觸式射頻芯片晶元測試裝置31還可以包括：時鐘校準(zhǔn)單元313，適于根據(jù)所述測試信號中攜帶的時鐘校準(zhǔn)信息校準(zhǔn)預(yù)置的內(nèi)部時鐘。

圖5是本發(fā)明實施例中一種射頻芯片晶元測試裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

在測試時，通過探針對天線接口P41和P42施加測試信號，若測試信號為交流信號，則整流電路41中的四個二極管交替導(dǎo)通，若測試信號為直流偏置信號，整流電路41中的四個二極管只有兩個導(dǎo)通。內(nèi)部電路42適于提供 內(nèi)部時鐘，獲得對應(yīng)的通信信息。

圖6是本發(fā)明實施例中兩種測試信號的示意圖。

圖中上側(cè)信號51為經(jīng)過載波調(diào)制的測試信號，下側(cè)信號52為直流偏置測試信號。在測試信號是直流偏置信號時，通過直流偏置向待測試非接觸式射頻芯片晶元提供能量。

若直接將未經(jīng)過載波調(diào)制的直流偏置測試信號載到天線兩端，經(jīng)過整流電路41(參見圖4)之后的電壓波形與將經(jīng)過載波調(diào)制的測試信號整流出來的包絡(luò)信號基本類似。

圖7是本發(fā)明實施例中兩種測試信號的頻域示意圖。

其中ω₀是載波高頻信號，ω₀+ω₁和ω₀—ω₁也就是經(jīng)過載波調(diào)制的測試信號的頻譜位置；ω₁是低頻包絡(luò)信號，也就是未經(jīng)過載波調(diào)制的直流偏置測試信號的頻譜位置。

在本發(fā)明實施例中，待測試非接觸式射頻芯片晶元接收測試信號，所述測試信號的載波頻率低于對應(yīng)的射頻通信協(xié)議規(guī)定頻率，由于測試信號的載波頻率較低，接收待測試信號的探針之間電抗增大，從而可以減小接收待測試信號的探針間的信號耦合，降低測試非接觸式射頻芯片晶元測試信號之間的干擾，從而提升非接觸式射頻芯片晶元測試方法的穩(wěn)定性。另外，由于本發(fā)明實施例中的非接觸式射頻芯片晶元測試方法可以降低測試非接觸式射頻芯片晶元測試信號之間的干擾，從而避免由于相鄰?fù)ǖ郎漕l干擾導(dǎo)致的并行測試的通道數(shù)量限制，提高了非接觸式射頻芯片晶元測試的效率，降低測試成本。

在本發(fā)明另一實施例中，由于所述測試信號的載波頻率為零，而測試信號的頻率遠(yuǎn)低于載波頻率，從而可以大幅增加向非接觸式射頻芯片晶元提供測試信號探針之間的電抗，減小向非接觸式射頻芯片晶元提供測試信號探針之間的信號耦合，從而降低測試非接觸式射頻芯片晶元測試信號之間的干擾，從而提升非接觸式射頻芯片晶元測試方法的穩(wěn)定性。

在所述測試信號的載波頻率為零時，由于所述測試信號為直流偏置信號，從而可以偏置電流為非接觸式射頻芯片晶元提供足夠的能量，保障測試過程 的順利完成；由于所述測試信號的載波頻率為零，測試機(jī)與芯片之間的通信就不存在高頻信號，從而杜絕了通道間的射頻信號相互干擾的問題。待測試非接觸式射頻芯片晶元內(nèi)建時鐘源，利用內(nèi)建時鐘源來代替原來從載波上恢復(fù)的時鐘，從而可以實現(xiàn)測試機(jī)與芯片之間的通信。

本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解上述實施例的各種方法中的全部或部分步驟是可以通過程序來指令相關(guān)的硬件來完成，該程序可以存儲于一計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)中，存儲介質(zhì)可以包括：ROM、RAM、磁盤或光盤等。

雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。