1.一種半導體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：
提供襯底，所述襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述襯底的第一區(qū)域和第二區(qū)域表面分別具有偽柵極結(jié)構(gòu)，所述襯底表面具有介質(zhì)層，所述介質(zhì)層覆蓋所述偽柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁，且所述介質(zhì)層表面與所述偽柵極結(jié)構(gòu)的頂部表面齊平；
去除所述偽柵極結(jié)構(gòu)，在第一區(qū)域的介質(zhì)層內(nèi)形成第一開口，在第二區(qū)域的介質(zhì)層內(nèi)形成第二開口；
在所述第一開口和第二開口的底部表面形成柵介質(zhì)層；
在所述柵介質(zhì)層表面形成柵極，所述柵極的頂部表面低于所述介質(zhì)層的表面；
在第一區(qū)域的柵極表面形成阻擋層；
在第二區(qū)域的柵極表面形成第一應力層，所述第一應力層內(nèi)具有氫離子。
2.如權(quán)利要求1所述的半導體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述阻擋層的材料為無氫介質(zhì)材料或少氫介質(zhì)材料；所述少氫介質(zhì)材料包括少氫SiN、少氫SiON、或少氫SiOCN；所述少氫介質(zhì)材料內(nèi)氫離子的原子百分比濃度小于0.5％。
3.如權(quán)利要求1所述的半導體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一應力層的材料為應力氮化硅材料；在形成所述第一應力層之后，進行退火工藝，使所述第一應力層發(fā)生形變，使第一應力層向第二區(qū)域的柵極施加應力。
4.如權(quán)利要求1所述的半導體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述阻擋層的形成步驟包括：在所述介質(zhì)層和柵極表面形成阻擋膜；平坦化所述阻擋膜；去除第二區(qū)域的阻擋膜。
5.如權(quán)利要求1所述的半導體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一應力層的形成步驟包括：在所述介質(zhì)層表面和第二區(qū)域的柵極表面形成應力膜；平坦化所述應力膜直至暴露出所述介質(zhì)層表面，形成所述第一應力層。
6.如權(quán)利要求5所述的半導體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一應力層在形成所述阻擋層之后形成，所述應力膜還位于所述阻擋層表面，所述 平坦化工藝暴露出所述介質(zhì)層和阻擋層表面。
7.如權(quán)利要求1所述的半導體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，還包括：位于所述偽柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)襯底內(nèi)的源漏區(qū)，所述介質(zhì)層位于所述源漏區(qū)表面。
8.如權(quán)利要求7所述的半導體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述源漏區(qū)的形成步驟包括：在所述偽柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯底內(nèi)形成第二應力層；在所述第二應力層內(nèi)摻雜離子，形成源漏區(qū)。
9.如權(quán)利要求1所述的半導體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一區(qū)域的源漏區(qū)內(nèi)摻雜有P型離子；所述第二區(qū)域的源漏區(qū)內(nèi)摻雜有N型離子。
10.如權(quán)利要求1所述的半導體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述柵介質(zhì)層還位于所述第一開口和第二開口的側(cè)壁表面；所述柵介質(zhì)層和襯底之間還具有界面層；所述界面層的材料為氧化硅。
11.如權(quán)利要求10所述的半導體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述柵介質(zhì)層的形成步驟包括：在所述介質(zhì)層表面、第一開口的側(cè)壁和底部表面、以及第二開口的側(cè)壁和底部表面形成柵介質(zhì)膜；平坦化所述柵介質(zhì)膜直至暴露出所述介質(zhì)層表面。
12.如權(quán)利要求1所述的半導體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述柵極包括金屬柵；所述金屬柵的材料包括銅、鎢、鋁或銀。
13.如權(quán)利要求12所述的半導體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述柵極還包括：位于第一開口和第二開口側(cè)壁表面和底部的柵介質(zhì)層表面的覆蓋層；位于覆蓋層表面的功函數(shù)層；所述金屬柵位于所述功函數(shù)層表面；所述覆蓋層的材料包括TiN、TaN中的一種或兩種。
14.如權(quán)利要求13所述的半導體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，位于第一區(qū)域的功函數(shù)層材料與位于第二區(qū)域的功函數(shù)層材料不同；所述第一區(qū)域的功函數(shù)層材料包括TiN；述第二區(qū)域的功函數(shù)層材料包括TiAl。
15.如權(quán)利要求1所述的半導體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述柵極的形成步驟包括：在所述第一開口和第二開口內(nèi)形成初始柵極，所述初始柵極的頂部表面與所述介質(zhì)層表面齊平；回刻蝕所述初始柵極，使所述初始柵 極的表面低于所述介質(zhì)層表面，形成所述柵極。
16.如權(quán)利要求1所述的半導體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述偽柵極結(jié)構(gòu)包括偽柵極層；所述偽柵極層的材料為多晶硅。
17.如權(quán)利要求16所述的半導體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述偽柵極結(jié)構(gòu)還包括：位于偽柵極層和襯底之間的偽柵介質(zhì)層；所述偽柵介質(zhì)層的材料為氧化硅。
18.如權(quán)利要求1所述的半導體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，還包括：位于所述偽柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁表面的側(cè)墻，所述介質(zhì)層位于所述側(cè)墻表面。
19.如權(quán)利要求1所述的半導體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述襯底包括：基底、位于基底表面的鰭部、以及位于基底表面的隔離層，所述隔離層覆蓋鰭部的部分側(cè)壁表面；所述偽柵極結(jié)構(gòu)橫跨于所述鰭部表面，且所述偽柵極結(jié)構(gòu)覆蓋所述鰭部的部分側(cè)壁和頂部表面。
20.一種采用如權(quán)利要求1至19任一項方法所形成的半導體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
襯底，所述襯底包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述襯底表面具有介質(zhì)層；
位于第一區(qū)域的介質(zhì)層內(nèi)的第一開口；
位于第二區(qū)域的介質(zhì)層內(nèi)的第二開口；
位于所述第一開口和第二開口的底部表面的柵介質(zhì)層；
位于所述柵介質(zhì)層表面的柵極，所述柵極的頂部表面低于所述介質(zhì)層的表面；
位于第一區(qū)域的柵極表面的阻擋層，所述阻擋層填充滿所述第一開口；
位于第二區(qū)域的柵極表面的第一應力層，所述第一應力層填充滿所述第二開口，所述第一應力層內(nèi)具有氫離子。