1.一種半導(dǎo)體元件，包含：
基底；以及
柵極結(jié)構(gòu)，設(shè)于該基底上，該柵極結(jié)構(gòu)包含：
高介電常數(shù)介電層，設(shè)于該基底上；以及
底部金屬阻隔層，設(shè)于該高介電常數(shù)介電層上，該底部金屬阻隔層包含上半部、中半部以及下半部，且該上半部為一富氮部分而該中半部及該下半部各為一富鈦部分。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該上半部的厚度為該底部金屬阻隔層的三分之一厚度。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該中半部的厚度為該底部金屬阻隔層的三分之一厚度。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該下半部的厚度為該底部金屬阻隔層的三分之一厚度。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件，其中該上半部的氮對(duì)鈦的比例為1至1.2比1。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體元件，其中該中半部的氮對(duì)鈦的比例為0.5至1比1。
7.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體元件，其中該下半部的氮對(duì)鈦的比例為0.5至1比1。
8.一種半導(dǎo)體元件，包含：
基底；以及
柵極結(jié)構(gòu)，設(shè)于該基底上，該柵極結(jié)構(gòu)包含：
高介電常數(shù)介電層，設(shè)于該基底上；以及
底部金屬阻隔層，設(shè)于該高介電常數(shù)介電層上，該底部金屬阻隔層包含上半部、中半部以及下半部，且該中半部為一富氮部分且該上半部及該下半部各為一富鈦部分。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件，其中該上半部的厚度為該底部金屬阻隔層的三分之一厚度。
10.如權(quán)利要求第8項(xiàng)所述的半導(dǎo)體元件，其中該中半部的厚度為該底 部金屬阻隔層的三分之一厚度。
11.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件，其中該下半部的厚度為該底部金屬阻隔層的三分之一厚度。
12.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件，其中該中半部的氮對(duì)鈦的比例為1至1.2比1。
13.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件，其中該中半部的氮對(duì)鈦的比例為0.5至1比1。
14.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件，其中該下半部的氮對(duì)鈦的比例為0.5至1比1。